「UBM」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Consequently, metal particles for UBM fly from a target 15 for UBM in the chamber to a wafer to deposit UBM 13 including the electrical connection area 11a of a pad 11.例文帳に追加

これにより、チャンバ内のＵＢＭ用のターゲット１５からウェハにＵＢＭ用の金属粒子を飛ばし、パッド１１の電気的接続領域１１ａを含んでＵＢＭ１３を堆積する。 - 特許庁

Then, a new UBM layer and a new bump are formed.例文帳に追加

次に、新しいＵＢＭ層および新しいバンプを形成する。 - 特許庁

Lastly, a new UBM layer and a new bum are formed.例文帳に追加

最後に、新しいＵＢＭ層および新しいバンプを形成する。 - 特許庁

A UBM 113 is formed on the electrode pad 102.例文帳に追加

電極パッド１０２上にＵＢＭ１１３が形成されている。 - 特許庁

While the UBM film 20 is formed in a concave, a bump electrode 21 is laid inside the concave of this UBM film 20 and the bottom and side faces are surrounded with the UBM film 20.例文帳に追加

ＵＢＭ膜２０は凹形形状により形成され、バンプ電極２１は、このＵＢＭ膜２０の凹形形状内部に埋設され、底面及び側面がＵＢＭ膜２０により取り囲まれている。 - 特許庁

In this case, the UBM 15E formed at each corner of the die 11 is formed to have a diameter smaller than that of the UBM 15C formed at the center of the die 11, so that the spring coefficient of the UBM 15E is set to be small.例文帳に追加

この際、ダイ１１の角部に形成されたＵＢＭ１５Ｅは、ダイ１１の中央位置に形成されたＵＢＭ１５Ｃよりも小さい径で形成され、バネ係数が低く設定されている。 - 特許庁

UNDER-BUMP-METALLURGY (UBM) STRUCTURE OF PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

パッケージのバンプ下冶金（ＵＢＭ）構造及びそれを製造する方法 - 特許庁

A cap layer 14 on an IC chip is coated with photoresist and patterned, to expose an UBM and the peripheral part of the cap layer around the UBM.例文帳に追加

ＩＣチップ上のキャップ層１４をフォトレジストでコーティングしパターン化してＵＢＭとＵＢＭ周囲のキャップ層の周辺部分を露出させる。 - 特許庁

To prevent an undercut from being formed when an UBM (under bump metal) layer is subjected to wet etching.例文帳に追加

ＵＭＢ層をウエットエッチングする際のアンダーカットの発生を防止する。 - 特許庁

A photoresist layer is formed at a bump forming position on the UBM layer.例文帳に追加

フォトレジスト層がＵＢＭ層上のはんだバンプ形成位置に形成される。 - 特許庁

The thick photoresist layer is applied on the UBM layer and the insulating layer.例文帳に追加

厚いフォトレジスト層がＵＢＭ層上及び絶縁層上に付与される。 - 特許庁

A connection structure, for example an UBM 18, is formed on the rewiring buildup layer.例文帳に追加

接続構造、例えば、ＵＢＭ１８が再配線ビルドアップ層上に形成される。 - 特許庁

UBM FOR REALIZING MICRO SOLDER/BALL AND FLIP CHIP/ PACKAGE METHOD USING THE SAME例文帳に追加

微細ソルダ・ボール具現のためのＵＢＭ及びこれを利用したフリップチップ・パッケージ方法 - 特許庁

A part of the UBM layer located outside a position where the solder bump is formed is removed.例文帳に追加

はんだバンプ形成位置の外側に位置するＵＢＭ層部分が除去される。 - 特許庁

The scanning line drive circuit is composed by connecting unit circuits Ub1-Ubm in series.例文帳に追加

走査線駆動回路は、複数の単位回路Ｕｂ１〜Ｕｂｍを直列に接続して構成される。 - 特許庁

The semiconductor element may comprises a second UBM layer beneath the external connection terminals 62.例文帳に追加

半導体素子は、各外部接続端子６２の下部に第２ＵＢＭ層をさらに含むことができる。 - 特許庁

In another method, a defective bump and a UBM layer are removed by chemical etching, without forming a metal layer.例文帳に追加

別の方法では、不良バンプおよびＵＢＭ層を金属層を形成せずに化学エッチングして取り除く。 - 特許庁

Further, a peak shift layer 34 is provided on the second capacitor electrode 33 simultaneously with an UBM layer 21.例文帳に追加

さらに、ＵＢＭ層２１と同時に、第２キャパシタ用電極３３上に、ピークシフト層３４を設ける。 - 特許庁

To provide a substrate structure that is improved in bonding strength over the entire interface between a bump and UBM.例文帳に追加

バンプとＵＢＭとの界面全体において接合強度を向上させた基板構造を実現できるようにする。 - 特許庁

(a) An UBM layer 12 is formed on aluminum 11 of a surface of a wafer 1 in an electroless plating nickel/gold application method.例文帳に追加

（ａ）ウェーハ１表面のアルミ１１上に無メッキニッケル／ゴールド法を応用してＵＢＭ層１２を形成する）。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLIP-CHIP BUMP (PROTUBERANCE) AND UBM FOR HIGH-SPEED COPPER INTERNAL WIRING USING ELECTROLESS PLATING METHOD例文帳に追加

無電解メッキ法を用いた高速銅内部配線チップ用フリップチップバンプ（隆起）およびＵＢＭの形成方法 - 特許庁

The semiconductor device 15 is constituted so that a pad electrode 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a UBM layer 7 is formed on a pad electrode 2 by electrolytic plating, and a solder bump electrode 8 is formed on the UBM layer 7 by electrolytic plating where exposed surfaces including side surfaces of the UBM layer 7 are covered by the solder bump electrode 8.例文帳に追加

半導体基板１上にパッド電極２が形成され、パッド電極２上にＵＢＭ層７が電解めっきで形成され、ＵＢＭ層７上にはんだバンプ電極８が電解めっきで形成されてなる半導体装置１５からなり、はんだバンプ電極８によって、ＵＢＭ層７の側面を含む露出面が覆われている半導体装置１５。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a built-up multilayer printed circuit board, by which a bump or an under-barrier metal (UBM) can be formed by electroless plating and the manufacturing process can be made short, and in which the surface state of a base wiring metal gives little influence on the bump or the UBM.例文帳に追加

無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することができ、製造工程が短く、下地配線金属の表面状態の影響が小さいビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which number of manufacturing processes can be reduced for forming UBM films having a plane size smaller than that of a bump electrode and reducing concentration of stress on the peripheral border of the UBM films.例文帳に追加

ＵＢＭ膜の平面サイズよりもバンプ電極の平面サイズを小さく形成し、ＵＢＭ膜周縁に生じる応力集中を減少するための製造工程数を減少することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method also includes a step of forming a UBM film 36, and embedding a paste-like gold film 37 in the first opening 33, second opening 35.例文帳に追加

次に、ＵＢＭ膜３６を形成後、ペースト状の金膜３７を第１開口部３３、第２開口部３５へ埋め込む。 - 特許庁

Ti-Ni-Cu-Au is used for the UBM to suppress the expansion of the preform material and to prevent the occurrence of the black points.例文帳に追加

ＵＢＭにＴｉ−Ｎｉ−Ｃｕ−Ａｕを用いることで、プリフォーム材の広がりを抑え、黒点の発生を防止できる。 - 特許庁

In order to form a solder bump at a bonding position of Al, under bump metal(UBM) layers 21, 22, 23 are formed at first at a solder bump position.例文帳に追加

はんだバンプを、Ａｌ製のボンディング部位に形成するために、はんだバンプ部位に最初にＵＢＭ層２１，２２，２３を形成する。 - 特許庁

The method also includes a step of removing unnecessary UBM film 36 and the fold film 37 on the polyimide resin film 34 by polishing of a CMP process.例文帳に追加

続いて、ＣＭＰ法による研磨により、ポリイミド樹脂膜３４上の不要なＵＢＭ膜３６および金膜３７を除去する。 - 特許庁

To provide a fine and highly reliable semiconductor device manufacturing method by reducing the undercut of a UBM film under a bump electrode.例文帳に追加

バンプ電極下のＵＢＭ膜がアンダーカットされることを低減し、微細で信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method for forming the solder bump, a wafer equipped with a plurality of I/O pads, a passivation layer, an insulating metal layer, and a UBM layer is provided.例文帳に追加

本はんだバンプ形成方法は、複数のＩ／Ｏパッド、不動態化層、絶縁金属層、及びＵＢＭ層を備えるウェーハを提供している。 - 特許庁

To provide a method for forming a flip-chip bump or UBM(underbump metallurgy) for a high-speed copper internal wiring chip in the main.例文帳に追加

本発明は、おおむね高速銅内部配線チップ用フリップチップバンプまたはＵＢＭ（バンプ下冶金）を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, a global metal layer covering a bonding pad and a passivation layer is necessary, before forming a new under ball metallurgy(UBM) layer.例文帳に追加

したがって、新しいアンダボール冶金（ＵＢＭ）層を形成する前に、ボンディング・パッドおよび不活性化層を覆うグローバル金属層が必要である。 - 特許庁

Thereby, since UBM treatment is not performed for the semiconductor chip in which the gold bump is formed, a process is simplified and manufacturing cost is reduced.例文帳に追加

これにより、ゴールドバンプを形成する半導体チップにＵＢＭ処理を施さないため、工程を単純化させ、かつ製造コストを低める。 - 特許庁

A UBM 15 connected to each bonding pad 12 is formed in each opening, and a solder bump 16 is formed on the surface of each UBM15.例文帳に追加

この開口部には、ボンディングパッド１２に接合するＵＢＭ１５が形成されており、各ＵＢＭ１５の表面には半田バンプ１６が形成されている。 - 特許庁

Rewiring is formed of a conductive film (Ti film/Pd film from a lower layer) used as a foundation film (UBM (Under Bump Metal) film) of an Au bump.例文帳に追加

Ａｕバンプの下地膜（ＵＢＭ（Ｕnder Ｂｕｍｐ Ｍetal）膜）として使用している導電膜（下層からＴｉ膜／Ｐｄ膜）で再配線を形成する。 - 特許庁

To provide a UBM (Under BUMP Metal) for realizing a micro solder/ball configured from a relief pattern structure and a flip chip/package method using the same.例文帳に追加

陽刻パターン構造から構成された微細ソルダ・ボール具現のためのＵＢＭ(Ｕｎｄｅｒ ＢＵＭＰ Ｍｅｔａｌ)及びこれを利用したフリップチップ・パッケージ方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor chip 1 of the semiconductor device, a bump electrode 21 is arranged on an external connecting electrode 18 interposing an under-bump metal (UBM) film 20.例文帳に追加

半導体装置の半導体チップ１において、外部接続電極１８上にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）膜２０を介在させてバンプ電極２１が配設されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing the amount of sidewall etching of a Cu wiring layer due to galvanic corrosion in UBM (under bump metal) etching and having a mark of a bonding position in bonding.例文帳に追加

ＵＢＭエッチング時に異種金属接触腐食によるＣｕ配線層の側壁エッチング量を抑え、ボンディング時にボンディング位置の目印を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-reliability lead-free bump forming method for preventing breakage of Ni due to formation of an inter-metal compound due to contact between Ni as UBM of a bump and a bump material.例文帳に追加

バンプのＵＢＭとしてのＮｉとバンプ材料との接触に起因する金属間化合物の形成によるＮｉの破壊を防止できる、信頼性の高いバンプ形成方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device also includes an under-bump metal (an UBM layer 3) formed on the insulating film and connected to the electrode through the opening 5a, and a solder ball 1 formed on the under-bump metal.例文帳に追加

半導体装置は、更に、絶縁膜の上に形成され開口５ａを介して電極と接続しているアンダーバンプメタル（ＵＢＭ層３）と、アンダーバンプメタル上に形成されたはんだボール１と、を有する。 - 特許庁

Accordingly, a UBM contact layer 10 including an alumina (Al_2O_3) film damaged by ion implantation and an amorphous aluminum (Al) film in a lower layer is formed in the surface layer of the pad electrode 9a.例文帳に追加

それにより、パッド電極９ａの表面層に、イオン注入により損傷されたアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜と、その下層のアモルファス化されたアルミニューム（Ａｌ）膜からなるＵＢＭコンタクト層１０を形成する。 - 特許庁

In a step of forming bumps by transferring metallic balls 11 to flux 8 placed on UBM films 7 formed on an Si wafer 5 and reflowing the balls 11, a guide mask 10 is used for the transfer of the balls 11.例文帳に追加

Ｓｉウエハ５上に形成したＵＢＭ膜７にフラックス８を載せ、ここに金属ボール１１を転写し、リフローしてバンプ１３を形成する工程において、金属ボール１１の転写にガイドマスク１０を用いる。 - 特許庁

A scanning line driving circuit 34 comprises: a shift register 340 for generating a shift signal SR synchronizing with a Y clock signal CLY so as to be exclusively active; m pieces of first circuits Ua1 through Uam; and m pieces of second circuits Ub1 through Ubm.例文帳に追加

走査線駆動回路３４は、Ｙクロック信号ＣＬＹに同期して排他的にアクティブとなるシフト信号ＳＲを生成するシフトレジスタ３４０と、ｍ個の第１回路Ｕａ１〜Ｕａｍ及び第２回路Ｕｂ１〜Ｕｂｍを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of measuring electrical characteristics of TEG (Test Element Group) provided to a semiconductor substrate even when the surface of a measuring pad is damaged by etching a UBM (Under Bumping Metal) layer, and also a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

測定用パッドの表面がＵＢＭ層エッチングによって損傷を受けても、半導体基板に設けられたＴＥＧの電気的特性の測定が可能な半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the damaged alumina (Al_2O_3) film on the surface layer of the pad electrode 9a is subject to enhanced reduction by the sufficient amount of titanium (Ti) film, aluminum (Al) included in the pad electrode 9a and UBM 12 form a favorable ohmic contact.例文帳に追加

パッド電極９ａの表面層の損傷されたアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜は十分な量のチタニューム（Ｔｉ）膜で増速還元されるのでパッド電極９ａを構成するアルミニューム（Ａｌ）とＵＢＭ１２とが良好なオーミック接続を形成する。 - 特許庁