「acceptors」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To reduce the size of silicon crystal pastilles at crystallization of amorphous silicon, to which impurities to be acceptors are introduced.例文帳に追加

アクセプタとなる不純物が導入されたアモルファスシリコンを結晶化する際、シリコン結晶粒の大きさを小さくする。 - 特許庁

any of a class of aromatic yellow compounds including several that are biologically important as coenzymes or acceptors or vitamins 例文帳に追加

コエンザイム、アクセプタまたはビタミンとして生物学的に重要ないくつかを含む香りの高い黄色い化合物の種のいずれか - 日本語WordNet

A transaction system has a plurality of currency acceptors capable of detecting possible performance problems and transmitting a signal to a server.例文帳に追加

取引システムは、可能性がある性能問題を検出し、かつ信号をサーバに送ることができる複数の通貨受容装置を備える。 - 特許庁

This newly identified polynucleotide includes at least one sequence selected from a group comprising polynucleotides encoding amino acid sequences possessed by gonadotropin acceptors of formulas I to III.例文帳に追加

本発明は、新規ゴナドトロピン受容体をコードする新たに同定されたDNA配列ならびにその完全な遺伝子およびコードされるタンパク質に関する。 - 特許庁

An electro-optic device described in this specification contains one or more of the described electron acceptors, electron donors, conjugated bridges, or chromophores.例文帳に追加

本明細書中で記述した電気光学装置は、記述した電子受容体、電子供与体、共役架橋または発色団の１個またはそれ以上を含有する。 - 特許庁

In addition, the server can analyze data from the acceptors for providing reconfiguration data, for example, a corrected measurement standard to be used for sorting paper money and coins.例文帳に追加

サーバは、また、再設定データ、例えば通貨物品を分類するために使用される修正された測定基準を提供するために、受容装置からのデータを解析することができる。 - 特許庁

In various embodiments, chromophores containing novel electron acceptors, novel electron donors, and/or novel conjugated bridges are described, and these are useful in nonlinear optical applications.例文帳に追加

種々の実施態様では、新規電子受容体、新規電子供与体および／または新規共役架橋を含む発色団が記述されており、これらは、非線形光学用途で有用である。 - 特許庁

In the active layer in which the electron donating organic compound and compound semiconductor particles working as electron acceptors are mixed, InP having a small band gap is adopted as the compound semiconductor.例文帳に追加

電子供与性有機化合物と、電子受容体である化合物半導体粒子を混合した活性層において、化合物半導体として小さなバンドギャップを有するＩｎＰを用いる。 - 特許庁

When the TFTs whose drive voltage differs from each other to the polycrystal silicon film formed on a glass substrate is formed, acceptors or donors in the impurity of the channel region of the high-voltage driven TFTs are more increased or decreased, and donors or acceptors in the impurity of the channel region of the high-voltage driven TFTs are further increased or decreased.例文帳に追加

ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるＴＦＴを混載する際に、低電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるようにしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 - 特許庁

Prescribed surfaces 13s, 52s and 63s of half-piece side portions of the tip parts 13c, 53c and 63c of the respective fiber bundles 13, 53 and 63 are covered with heat acceptors 14, 54 and 64.例文帳に追加

それぞれの光ファイバ束１３、５３、６３の先端部１３ｃ、５３ｃ、６３ｃの半片側部分の所定面１３ｓ、５３ｓ、６３ｓに金属膜からなる熱受容体１４、５４、６４を被覆する。 - 特許庁

Preferred examples of proton acceptors are a salt structure made of a cation and an anion originated from a basic organic compound, a basic organic compound, and a dissociation accelerating polymer accelerating dissociation of the proton.例文帳に追加

プロトンアクセプタの好適な例としては、塩基性有機化合物由来のカチオンと、アニオンとからなる塩構造、塩基性有機化合物、プロトンの解離を促進する解離促進高分子が挙げられる。 - 特許庁

This nonadhesive/low friction fluororubber composition is prepared by compounding 2-10 parts by weight zinc oxide and 1-5 parts by weight magnesium oxide as acid acceptors to 100 parts by weight ternary fluororubber.例文帳に追加

上記課題を達成するため、３元系フッ素ゴム１００重量部に対し、受酸剤として、酸化亜鉛２〜１０重量部および酸化マグネシウム１〜５重量部を配合したことを特徴とする。 - 特許庁

The base sequence extending action of nucleic acid amplification is performed by using a base material solution in which 1-3 kinds of bases labeled by a first acceptor and other bases labeled by a second acceptor are mixed and a DNA polymerase or template DNA labeled by one kind of donor for resonance-exciting the acceptors.例文帳に追加

第１のアクセプタで標識された１〜３種類の塩基及び第２のアクセプタで標識されたそれ以外の塩基を混合した基質溶液と、アクセプタを共鳴励起するための１種類のドナーにより標識されたＤＮＡポリメラーゼ或いは鋳型ＤＮＡとを用いて、核酸増幅の塩基配列伸長反応を行う。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device is provided with the process of forming the amorphous silicon on a gate insulating film, the process of introducing acceptor impurities to be the acceptors and crystal growth suppression impurities suppressing the growth of the crystal to the amorphous silicon and the process of crystallizing the amorphous silicon and forming p-type polycrystalline silicon.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコンを形成する工程と、前記アモルファスシリコンに、アクセプタとなるアクセプタ化不純物と、結晶粒の成長を抑制する結晶成長抑制不純物を導入する工程と、前記アモルファスシリコンを結晶化させ、前記ｐ型多結晶シリコンを形成する工程とを含む。 - 特許庁

As a result, Mg atoms as acceptors doped in the first and second Mg-doped layers 16A and 17A are activated so that the P type cladding layer 16B and P type contact layer 17B can be obtained having a low resistance and a good crystallization respectively.例文帳に追加

その結果、第１のＭｇドープ層１６Ａ及び第２のＭｇドープ層１７ＡにドープされたアクセプタとなるＭｇが活性化することにより、第１のＭｇドープ層１６Ａ及び第２のＭｇドープ層１７Ａから、それぞれ、低抵抗で且つ結晶性に優れるｐ型クラッド層１６Ｂ及びｐ型コンタクト層１７Ｂを得ることができる。 - 特許庁

The efficiency of light emission is improved by improving the efficiency of radiative quantum efficiency by adding Bi, which acts as the light emitting center of a pair of donor acceptors, to an active layer of the light emitting device and improving the efficiency of electron injection by adding In of high concentration to an electron injection layer for injecting electrons into the active layer.例文帳に追加

発光デバイスの活性層にドナ・アクセプタペア発光中心として働くＢｉを添加し発光量子効率を高めるとともに、活性層に電子を注入するための電子注入層に高濃度のＩｎを添加して電子注入効率を高めることにより発光効率を高める。 - 特許庁

To provide a method for measuring the concentration of impurities for detecting each impurity atom in a semiconductor to specify its position to discriminate the kinds of impurities and respectively discriminating the numbers of the acceptors and donor impurity atoms contained in a certain specific region for counting, and a device for measuring by this measuring method.例文帳に追加

半導体中の個々の不純物原子を検出して、その位置を特定し、その不純物の種類を判別し、さらにある特定の領域内に含まれるアクセプターおよびドナー不純物原子の数をそれぞれ区別して数え上げることによって不純物濃度の測定を行う方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

The optical semiconductor memory has at least a laminated structure composed of a first semiconductor layer 4, a second semiconductor layer 2, a barrier layer 3 and quantum dots 1 laminated one above the other, the quantum dots 1 are used as holders for electrons 7 and the second semiconductor layer 2 is used as acceptors for holes 8 generated in the quantum dots 1.例文帳に追加

第１の半導体層４、第２の半導体層２、バリア層３、及び、量子ドット１を順次積層させた積層構造を少なくとも有する光半導体記憶装置の量子ドット１を電子７の保持部とするとともに、第２の半導体層２を量子ドット１において発生した正孔８の受容部とする。 - 特許庁

An HBT epitaxial wafer is equipped with an emitter layer 4, a base layer 5, and a collector layer 6, where the emitter layer 4 and the base layer 5 are formed of dissimilar semiconductors, and an HBT is equipped with the wafer, in which the base layer 5 contains donors and acceptors in a concentration ratio (donor/acceptor) is set in the range of 1/10 to 10/1.例文帳に追加

エミッタ層４、ベース層５、及びコレクタ層６を有し、かつエミッタ層４とベース層５とを異種の半導体で形成したＨＢＴ用エピタキシャルウエハ及びそれを備えるＨＢＴにおいて、べース５層が、ドナーとアクセプタとを濃度比（ドナー／アクセプタ）１／１０〜１０／１の割合で含有してなるものとする。 - 特許庁