「band photon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The two-photon absorption material has a first linear absorption band in the vicinity of the maximum two-photon absorption wavelength and a second linear absorption band in a region of a wavelength longer than that of the first linear absorption band, wherein optical characteristics of the second linear absorption band is changed by the two-photon absorption.例文帳に追加

二光子吸収の最大吸収波長近傍にある第一の線形吸収帯及びそれよりも長波長域にある第二の線形吸収帯を有し、二光子吸収により第二の線形吸収帯の光学特性が変化する二光子吸収材料である。 - 特許庁

To provide a photon count detector capable of detecting a photon number of X-ray in each of a plurality of energy bands and capable of fulfilling the minimum photon number and the minimum measuring interval in each energy band.例文帳に追加

複数のエネルギー帯毎にＸ線のフォトン数を検出することができ、かつ各エネルギー帯の最小フォトン数と最小計測間隔を満たすことができるフォトンカウント検出器を提供する。 - 特許庁

To generate a communication wavelength band single photon without causing enlargement of the entire apparatus.例文帳に追加

装置全体の大型化を招くことなく、通信波長帯単一光子を発生させることができるようにする。 - 特許庁

The structural body is designed to form a specified photon band gap.例文帳に追加

この構造体は、特定の光子バンド・ギャップを形成するように設計される。 - 特許庁

It is possible to rapidly increase the absorption coefficient at the photon energy of about 4 eV and to form high absorption band at the high photon energy range of >4 eV, in the absorption characteristic prescribed by the relation of the photon energy and the absorption coefficient, by co-doping Sn in addition to Ge.例文帳に追加

Ｇｅに加えＳｎを共ドープすることにより、光子エネルギーと光の吸収係数との関係により定められる吸光特性において約４ｅＶの光子エネルギー値を境にして吸収係数の値が急増して高光子エネルギー側領域の全体に広がる吸収帯を生じさせる。 - 特許庁

To provide a quantum correlation photon pair-generating device and a quantum tangle photon pair-generating device which are constructed, with a comparatively low parts count, as a quantum correlation light source or quantum tangle light source of 1.5 μm communication wavelength band.例文帳に追加

１．５μｍ通信波長帯の量子相関光源または量子もつれ光源として、比較的少ない部品点数で構築した量子相関光子対発生装置および量子もつれ光子対発生装置を提供すること。 - 特許庁

To switch between simultaneous excitation and selective excitation in two-photon excitation fluorescent observation using a wide-band pulse laser.例文帳に追加

広帯域パルスレーザーを用いた２光子励起蛍光観察において同時励起、選択的励起の切り替えを行う。 - 特許庁

The stable polarization entangled photon pair suited for a fiber transmission system is generated in the fiber communication wavelength band.例文帳に追加

ファイバ通信波長帯において、安定でファイバ伝送システムに適した偏波エンタングル光子対を発生させることが可能となる。 - 特許庁

The end-face window 16 is made of an amorphous material with larger inhibited band width than photon energy of laser light.例文帳に追加

端面窓部１６は、レーザ光のフォトンエネルギよりも禁制帯幅が大きい非晶質の材料からなる。 - 特許庁

To provide an improved lithographic method to manufacture products containing a photon band gap material having a micron-order period.例文帳に追加

ミクロン単位の周期性を持つ光子バンド・ギャップ材料を含む物品を製造するための改良形リソグラフィ方法を提供すること。 - 特許庁

Selective excitation is performed by applying the first phase function to a wavelength band 1 in which the two-photon absorption cross-sectional area of fluorescent molecules to be excited is large and a second phase function to a wavelength band 2 in which the two-photon absorption cross-sectional area of molecules of which fluorescence is desired to be suppressed is large.例文帳に追加

励起したい蛍光分子の２光子吸収断面積が大きな波長帯域１には第１の位相関数を、蛍光を抑制したい分子の２光子吸収断面積が大きな波長帯域２には第２の位相関数を用いることにより選択的励起を行う。 - 特許庁

A mode in which a refractive index (n) of the second linear absorption band at the two-photon absorption excitation wavelength is 1.65 or more and its extinction coefficient (k) is 0.05 or less, a mode in which the two-photon absorption material has a chemical structural part comprising conjugated bonds mutually linked in a circle, and so on are preferable.例文帳に追加

該二光子吸収励起波長における第二の線形吸収帯の屈折率（ｎ）が１．６５以上であり、かつ衰消係数（ｋ）が０．０５以下である態様、共役結合が環状に連結した化学構造部位を有する態様、などが好ましい。 - 特許庁

Phosphors, containing absorption of a single photon in short-wavelength band, are excited by strongly-imaged pulse on the sub-picosecond time scale from laser beam of relatively longer wavelength band.例文帳に追加

短い波長領域における単一光子の吸収を有する蛍光体は、比較的長い波長領域のレーザ光による、強く結像されたサブピコ秒のパルスのビームにより励起させられる。 - 特許庁

A laser beam having a band width sufficiently narrower than the band width of the confocal FP resonator 1a is attenuated to a single photon level and is made incident on the confocal FP resonator 1a.例文帳に追加

共焦点ＦＰ共振器１ａの帯域幅よりも十分狭い帯域幅のレーザー光を単一光子レベルまで減衰させ、共焦点ＦＰ共振器１ａに入射する。 - 特許庁

The photon inhibition layer 13 is a direct band gap having a band gap energy smaller than the low end of an energy spectrum of a common light source used for a semiconductor manufacturing facility (generally, smaller than 1.7eV).例文帳に追加

本発明のこの光子阻止層１３は、半導体製造設備に使用される一般的な光源のエネルギースペクトルの低い端より小さい（一般に１.７ｅＶより小さい）バンドギャップエネルギーを有する直接バンドギャップである。 - 特許庁

This light reflection transmission material, becoming a light transmission state by hydrogenation and a light reflection state by dehydrogenation, has a valence band and a conduction band in the hydrogenated light transmission state, where the band gap between the valence band and the conduction band is larger than the photon energy of visible light belonging to a predetermined visible light wavelength region.例文帳に追加

水素化されることで光透過状態となり、脱水素化されることで光反射状態となる光反射透過材料であって、水素化された光透過状態で価電子帯および伝導帯を有し、前記価電子帯と前記伝導帯とのバンドギャップが、所定の可視光線波長領域に属する可視光線の光子エネルギよりも大きい物質からなる。 - 特許庁

To provide a light quantum meter capable of measuring photon flux density of a specific wavelength band in a visible light region and a far infrared light region.例文帳に追加

可視光領域および遠赤色光領域における特定の波長帯域の光量子束密度を計測することができる光量子計を提供する。 - 特許庁

The substrate 20 may further comprise a third dope region 40 which electrifies the electric charges, only when a photon comprising a third wavelength band is received.例文帳に追加

基板２０は、更に第３の波長域を有するフォトンを受光するときにのみ電荷を通電させることのできる第３ドープ領域４０を有し得る。 - 特許庁

The output part 50 calculates and outputs the photon flux density of the specific wavelength band based on the synthesized light intensity signal synthesized at the signal synthesis part 40.例文帳に追加

出力部５０は、信号合成部４０で合成された合成光強度信号に基づいて、特定の波長帯域の光量子束密度を算出して出力する。 - 特許庁

In a highly effective single photon detector of wavelength of 1550 nm band, an InGaAs-APD having sensitivity in the neighborhood of wavelength of 1550 nm is operated by Geiger mode and in the process, the APD is cooled, and the APD is operated by a gate mode by GPQC.例文帳に追加

波長１５５０nm付近に感度を有するInGaAs-APDをガイガーモードで動作させ、その際に該APDを冷却し、かつ該APDをGPQCによってゲートモードで動作させるようにしたことを特徴とする、波長１５５０nm帯の高効率な単一光子検出器。 - 特許庁

To provide an optical element of which the optical characteristics, functions, etc., can be relatively easily changed or controlled by operation from the outside with respect to electromagnetic waves having photon energy lower than that of the band gap energy of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に光学特性、機能等を変更ないし制御できる光学素子である。 - 特許庁

To provide a photodetector suitable for receiving quantum encryption or the like by reducing a dark count generated by a parasitic photon generated at a signal band by a parametric down-conversion process.例文帳に追加

本発明の目的は、パラメトリックダウンコンバージョン過程による信号帯域へ発生する寄生的な光子により生じていた暗計数を低減し、量子暗号等の受信に好適な光検出装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide: a device which achieves wavelength conversion by using a Purcell effect and a photonic band gap effect in a coupling system between a quantum dot and a resonator; a wavelength conversion method; and a single photon generation device.例文帳に追加

量子ドットと共振器の結合系におけるパーセル効果とフォトニックバンドギャップ効果を用いることで、波長変換を実現する装置および波長変換方法および単一光子発生装置を提供する。 - 特許庁

To provide an annealing method for converting an Mg-added highly efficient nitride semiconductor not easily giving thermal damage into the nitride semiconductor showing a low resistive p electrical characteristic, without requiring a facility for irradiating the photon having the energy higher than the energy forbidden band of the group III nitride semiconductor or the facility for irradiating the electromagnetic wave including the photon.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体のエネルギ禁制帯幅以上のエネルギを有する光子またはこれを含む電磁波を照射する設備などを必要とせず、かつ熱による損傷を与えにくく効率のよい、Ｍｇが添加された窒化物半導体を低抵抗率のｐ型の電気特性を示すものとするアニール処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element which can comparatively easily control a propagating state of an electromagnetic wave, being wavelength light with a photon energy lower than a band-gap energy of a semiconductor layer constituting an electromagnetic waveguide, and propagating through the waveguide or made to irradiate the waveguide, with an operation from the outside.例文帳に追加

電磁波導波路を構成する半導体層のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長光であって導波路を伝搬するか導波路上に照射される電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に伝搬状態を制御できる光学素子である。 - 特許庁

The optical element has the semiconductor substrate 01, and irradiation sections 04, 05, 06, and 11 which irradiate, in a optional pattern 07, the surface of the semiconductor substrate with the electromagnetic waves 08 having the photon energy higher than that of the band gap energy of the semiconductor substrate 01 via a pattern forming member 05 formed with an optional pattern.例文帳に追加

光学素子は、半導体基板01と、半導体基板01のバンドギャップエネルギーより高い光子エネルギーを持つ波長の電磁波08を、任意のパターンの形成されたパターン形成部材05を介して、半導体基板表面に任意のパターン07で照射する照射部04、05、06、11とを有する。 - 特許庁

The optical element has the electromagnetic waveguide 04 with the semiconductor layer 01 included in a part thereof, and irradiation parts 05, 07 making a first electromagnetic wave 06 having a wavelength with the photon energy higher than the band-gap energy of the semiconductor layer 01 irradiate an arbitrary place on the semiconductor layer 01 with an arbitrary pattern 08.例文帳に追加

光学素子は、一部に半導体層01を含んだ電磁波導波路04と、半導体層01のバンドギャップエネルギーより高い光子エネルギーを持つ波長の第1の電磁波06を、半導体層01上の任意の場所に任意のパターン08で照射する照射部05、07を有する。 - 特許庁

A substrate 20, PIN type diodes 24, 26, and 28, which electrically connected to a first dope region 32 of the substrate, electrify electric charges when it receives a photon of a first wavelength band, and a second doped region 36, which existing in a substrate 20, electrifies electric charges when it receives photons of a second wavelength band, are provided.例文帳に追加

基板２０と、基板２０の第１ドープ領域３２に電気的に接続され、第１の波長域を有するフォトンを受光するときに電荷を通電させるＰＩＮ型ダイオード２４、２６、２８と、基板２０内にあって、第２の波長域を有するフォトンを受光すると電荷を通電させる第２ドープ領域３６とを有する。 - 特許庁

The concentration of nitrogen in a heat-treated silicon wafer to be evaluated is found from the intensity of the photoluminescence light of silicon emitted from the silicon wafer at a specific wavelength, by projecting a laser light having photon energy larger than the band gap of silicon upon the silicon wafer.例文帳に追加

熱処理した評価対象シリコンウエハにシリコンのバンドギャップよりも大きい光子エネルギーを有するレーザ光を照射し、評価対象シリコンウエハから発せられるシリコンのフォトルミネッセンス光の特定の波長における強度から、評価対象シリコンウエハ中の窒素濃度を求める。 - 特許庁

Semicondcutor thin film crystal is used as an optical nonlinear medium which constitutes a surface type light-light switch, an optical nonlinear reflector, or a nonlinear absorber and the energy of a photon corresponding to the wavelength of light concerned with main operation is set to be ≥80 meV higher than the band gap energy of its semiconductor thin film.例文帳に追加

面型光−光スイッチ、光非線形反射鏡、あるいは光非線形吸収体を構成する光非線形媒質として半導体薄膜結晶を用い、主たる動作に関与する光の波長に対応するフォトンのエネルギーがその半導体薄膜のバンドギャップエネルギーよりも８０ｍｅＶ以上高いエネルギーとなるように設定する。 - 特許庁

A concentration height pattern of a photocarrier near the semiconductor substrate surface generated through the irradiation by the irradiation sections causes the pattern different in the complex refractive index from the electromagnetic waves 02 of the wavelength having the photon energy lower than that of the band gap energy of the semiconductor substrate 01, thereby controlling the space propagation state of the electromagnetic waves 02 with which the surface of the pattern is irradiated.例文帳に追加

照射部による照射で生じた半導体基板表面近傍のフォトキャリアの濃度高低パターンが、半導体基板01のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波02に対して複素屈折率が異なるパターンを生じさせることによって、このパターン上に照射される電磁波02の空間伝搬状態を制御する。 - 特許庁

The single photon detector driven by applying a periodic bias voltage to the avalanche photo-diode (APD) 1 includes a stub type band removing filter which is connected to the APD 1 via a transmission channel 3 and removes the periodic noises added to an output signal due to a bias voltage V(t) 6.例文帳に追加

アバランシフォトダイオード（ＡＰＤ）１に周期的なバイアス電圧を印加することにより駆動される単一光子検出器であって、ＡＰＤ１に伝送路３を介して接続され、バイアス電圧Ｖ（ｔ）６に起因して出力信号に加わる周期的な雑音を除去するスタブ型の帯域除去フィルタを備えている。 - 特許庁