「binary element」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A resist film 122 is formed on the back face of BOE (binary optical element) 121 where a BOE structure is formed as shown in (a), and chromium 123 is vapor deposited on the BOE 121 having the BOE structure to form an island structure 124 having about 50 nm diameter with 80 nm pitch.例文帳に追加

(a)に示すようにＢＯＥ形状が成形されたＢＯＥ１２１の裏面にレジスト膜１２２を成膜し、ＢＯＥ形状の形成されたＢＯＥ１２１上にはクロム１２３を電子ビーム蒸着法を用いて、成膜することにより、直径約５０ｎｍ、間隔約８０ｎｍの島構造１２４を形成することができる。 - 特許庁

Non-lead-based joining particles are obtained by selecting either zirconium or molybdenum as additive element to the tin-zinc binary system or the tin-zinc-bismuth ternary system, and excellent joining reliability is ensured by improving the characteristic of zinc-containing solder which is easily oxidized.例文帳に追加

本発明による非鉛系接合用粒子は、錫−亜鉛２元系もしくは錫−亜鉛−ビスマス３元系合金の添加成分としてジルコニウムもしくはモリブデンのいずれか一方を選択して得られるもので、酸化し易い亜鉛含有ハンダの特性を改善し良好な接合信頼性を確保できる特徴を有する。 - 特許庁

In the drive system of the EL display panel having a pixel structure and a wiring structure corresponding to an active matrix drive system, power lines for supplying a drive current to the EL light emitting element of each pixel area are driven by the binary potentials of a high potential Vcc and a low potential Vss in every one horizontal scanning period.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動方式に対応した画素構造及び配線構造を有するＥＬ表示パネルの駆動方式として、各画素領域のＥＬ発光素子に駆動電流を供給する電源線を、１水平走査期間毎に高電位と低電位の２値の電位で駆動する方法を提案する。 - 特許庁

It is discriminated whether a storage element 13, for storing binary information in accordance with injection/non-injection of electric charges to the floating gate 13a arranged in an electrical insulation state on a semiconductor substrate on which a source S and a drain D are formed, can hold surely electric charges previously injected into the floating gate or not.例文帳に追加

ソースＳおよびドレインＤが形成された半導体基板上に電気的に絶縁状態で配置されるフローティングゲート１３ａへの電荷の注入の有無に応じた２値情報を格納する記憶素子１３が前記フローティングゲートに予め注入された電荷を確実に保持できるか否かを判定する。 - 特許庁

On the outside connecting terminal layers 3 of this lead-less chip component, barrier metallic layers 4 are adhesively formed and plated Sn-based binary alloy coating films 5, the Sn of which contains a precipitated metallic element, such as Bi, Ag, Cu, Zn, In, Ni, etc., as metallic layers having high corrosion resistances to the lead-free solder by a barrel electroplating method.例文帳に追加

外部接続端子層３上に、バリア金属層４を被着し、さらにその表面に、バレル電気めっき法によって鉛フローはんだに対して耐食性に優れた金属層として、ＳｎにＢｉ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｎｉ等の金属元素を共析させたＳｎ系の２元合金めっき被膜５を被着したものである。 - 特許庁

A threshold element circuit is applied to the reconstructable integrated circuit, makes configuration data constituting logical function multivalued multibit representation of a binary variable, reduces the number of threshold elements by using differential operation about an input state, and has, that is, a terminal connected to an electric potential whose value is fixed during performing function in an input terminal of a threshold element circuit of a second stage.例文帳に追加

再構成可能集積回路に適用されるしきい素子回路について、論理関数機能を構成する構成データを２値変数の多ビット表現によって多値化し、また、入力状態に関する差分演算機能を用いることによって、しきい素子数を低減する回路であり、つまり、２段目のしきい素子回路の入力端子に、関数機能を実行する期間中に値が固定されている電位に接続される端子を有する回路である。 - 特許庁

The optical axis adjusting element 10 is equipped with a binary blaze grating 11 and its diffraction efficiency is properly designed corresponding to the actual oscillated wavelength of the laser light source in operation, its step height h is (650+α)/(n-1) and the blaze height H is 5×(780+α)/(n-1), where α is 2 to 8 nm.例文帳に追加

光軸調整素子１０はバイナリブレーズ格子１１を備え、その回折効率は、動作時におけるレーザ光源の実際の発振波長に対応させて最適設計したものであり、αを２ｎｍ〜８ｎｍの範囲内の値とすると、その段差高さｈは（６５０＋α）／（ｎ−１）であり、ブレーズ高さＨは５×（７８０＋α）／（ｎ−１）である。 - 特許庁

The induction type proximity sensor includes a U-shaped core 1, a coil 2 as an oscillation element wound around the U-shaped core 1, an oscillation circuit 43 including the coil 2, a comparison circuit 45 for generating a binary ON or OFF signal on the basis of a Q value of the coil, and an output circuit 46 for amplifying an output of the comparison circuit.例文帳に追加

本発明の誘導型近接センサは、Ｕ形コア１と、前記Ｕ形コア１に巻かれた、発振要素としてのコイル２と、前記コイル２を含む発振回路４３と、前記コイルのＱ値に基づいて二値のＯＮまたはＯＦＦ信号を発生させる比較回路４５と、前記比較回路の出力を増幅する出力回路４６と、を有する。 - 特許庁

The nano particles consist of a magnetic material selected from a group of elements of Co, Fe, Ni, Mn, Sm, Nd, Pr, Pt and Gd, intermetallic compds. of the above elements, binary alloys of the above elements, ternary alloys of the above elements, Fe oxides containing at least one kind of element above described except for Fe, barium ferrite and strontium ferrite.例文帳に追加

このナノ粒子は、元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｐｔ、Ｇｄ、前記元素の金属間化合物、前記元素の二元合金、前記元素の三元合金、Ｆｅ以外の少なくとも１種の前記元素をさらに含むＦｅ酸化物、バリウム・フェライトおよびストロンチウム・フェライトからなる群から選択された磁性材料から形成される。 - 特許庁

The tracking error detector is provided with an inter-signal amplitude difference adjusting circuit 41 in which gains of gain control amplifiers 3 and 4 that amplify the signals outputted from a light receiving element 1 are adjusted based on the amplitude differences among the signals so that the amplitudes among the two signals inputted to binary circuits 8 and 13 are always the same, and the amplitude differences among the signals are properly adjusted.例文帳に追加

２値化回路８，１３に入力される２つの信号間の振幅が常に同一となるように、受光素子１から出力される前記各信号を増幅するゲインコントロールアンプ３，４のゲインを、前記信号間の振幅差をもとに調整し、前記信号間の振幅差を揃える信号間振幅差調整回路４１を備える。 - 特許庁