「bmd」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a detecting method for a crystalline defect with high measurement sensitivity in which even a microdefect such as a small BMD formed nearby a wafer surface after a low-temperature process as an advanced device process can be measured.例文帳に追加

先端デバイスプロセスである低温プロセス後のウェーハ表面近傍に形成される小さなＢＭＤなど微小な欠陥であっても測定することができる測定感度の高い結晶欠陥の検出方法を提供する。 - 特許庁

A wafer sampled from a silicon single crystal is heat-treated at 1,100°C or above and then the nitrogen concentration of the wafer is evaluated based on the density of BMD formed in the wafer.例文帳に追加

シリコン単結晶から採取したウェーハに1100℃以上の熱処理を施した後、ウェーハ中に形成されたＢＭＤの密度に基づいて前記ウェーハの窒素濃度を評価することを特徴とするシリコンウェーハの窒素濃度の評価方法である。 - 特許庁

The high resistance low oxygen and high strength silicon wafer, having a resistivity of 100 ohmcm or more and in which oxygen deposit (BMD) of the size of 0.2μm is formed in the high concentration of 1x10^4 pcs/cm^2 or more, is manufactured.例文帳に追加

抵抗率が１００Ωｃｍ以上で、内部に０．２μｍサイズ以上の酸素析出物（ＢＭＤ）が１×１０^４ 個／ｃｍ^２ 以上の高密度で形成された高抵抗・低酸素で高強度のシリコンウエーハが製造される。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal ingot, capable of solving unevenness of BMD density on a wafer surface caused by an OSF ring in pulling out the silicon single crystal ingot doped with nitrogen by CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素をドーピングしたシリコン単結晶インゴットの引上げにおいて、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消するシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for pulling a silicon single crystal which improves nonuniformity of BMD (Bulk Micro Defect) density per parts, while the concentration of oxygen from the top side to the bottom side is uniformly maintained in the pulling process of a single crystal.例文帳に追加

単結晶の引き上げ過程において、トップ側からボトム側までの酸素濃度を均一に保ったまま、部位によるＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）密度の不均一を改善するシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。 - 特許庁

By combining the results of total points obtained by combining evaluation values with respect to the measurement of bone mineral density (BMD) and applicability of danger factors specified in advance, a value showing whether the individual is in danger of osteoporosis is presented.例文帳に追加

骨の鉱物密度（ＢＭＤ）測定および、前以て規定された危険因子の適用性に関する評価値を組み合わせることにより得られる総合点の結果を組み合わせて、個人が骨粗鬆症の危険下にあるかどうかを示す値をもたらす。 - 特許庁

To provide a heat treatment method for a silicon wafer by RTP that can suppress slipping by forming a BMD at a high concentration in a bulk while forming a DZ layer by eliminating COP in a wafer surface layer.例文帳に追加

ウェーハ表層においては、ＣＯＰを消滅させてＤＺ層を形成すると同時に、バルク中においては、ＢＭＤを高密度で形成し、スリップの発生を抑制することができるＲＴＰによるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer that is made free from a Grown-in defect, has high gettering effect, prevents BMD from being deposited in a device active region, and is improved in thermal strength of the device active region.例文帳に追加

Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の無欠陥化や、高いゲッタリング効果を備え、かつ、デバイス活性領域におけるＢＭＤの析出を防止することができ、更に、デバイス活性領域の熱的強度を向上させることができるシリコンウェーハが提供される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitrogen doped silicon wafer and a nitrogen doped silicon wafer obtained by the same, both of which facilitate manufacturing the nitrogen doped silicon wafer injected with high concentration nitrogen necessary for forming high density BMD.例文帳に追加

高密度ＢＭＤを形成するために必要な高濃度の窒素を導入させた窒素ドープシリコンウェーハを簡便に製造することが可能な、窒素ドープシリコンウェーハの製造方法及び該方法により得られる窒素ドープシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer having the effective density and size of a BMD for preventing the dislocation of a pattern by restraining slip dislocation caused in a particularly controversial device heat treatment process accompanied by the fining of a device wiring pattern, and to provide a method for manufacturing the silicon wafer.例文帳に追加

デバイス配線パターンの微細化に伴い特に問題視されるデバイス熱処理工程で発生するスリップ転位を抑制し、パターンずれを防止するために効果的なＢＭＤの密度とサイズを有するシリコンウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor substrate, which is high in productivity, by optimizing BMD (bulk micro defect) forming process inside of a wafer and interface oxide film removing process, in the manufacturing method of the semiconductor substrate consisting of two sheets of semiconductor wafers joined directly.例文帳に追加

２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、ウェーハ内部のＢＭＤ形成プロセスと、界面酸化膜除去プロセスを最適化することにより、生産性の高い半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the inspecting method of silicon single crystal, which is capable of discriminating a single crystal which permits the manufacture of an epitaxial wafer having a required wafer quality by estimating a BMD density after manufacturing the epitaxial wafer in a stage when the silicon single crystal is raised.例文帳に追加

シリコン単結晶を育成した段階で、エピタキシャルウエーハを作製した後のＢＭＤ密度を予測して所望のウエーハ品質を有するエピタキシャルウエーハを製造できる単結晶を判別することのできるシリコン単結晶の検査方法を提供する。 - 特許庁

A silicon epitaxial layer is formed, thereafter rapidly heated to 1,200-1,250°C at a required rate of temperature increase in a nonoxidizing atmosphere, and rapidly cooled at a required rate of temperature decrease after keeping the temperature in a short time, thereby BMD of required density can be provided in the substrate.例文帳に追加

シリコンエピタキシャル層を形成した後、非酸化性雰囲気で所要の昇温速度で１２００〜１２５０℃に急速加熱し、短時間保持後に、所要の降温速度で急速冷却することにより、基板内部に所要密度のＢＭＤを得られる。 - 特許庁

To provide a detection method of a crystal defect having high sensitivity, capable of detecting even a fine defect such as a small BMD (Bulk Micro Defect) formed on a silicon monocrystal wafer having a low resistivity, with progression of temperature lowering in heat treatment following high integration of devices.例文帳に追加

デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of heat-treating a silicon wafer, the method eliminating a crystal defect of a COP etc., at a surface part of the wafer to become a device active region, generating a BMD at a bulk part with high density, and further suppressing a slip generated during an RTP.例文帳に追加

デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a wafer including a step of measuring an infinitesimal internal crystal defect in which a BMD from the front surface of a wafer to be measured to the depth of about 10 μm can be observed with high resolution of a depthwise direction of the wafer and with a difficulty to measure so far.例文帳に追加

被測定ウェーハの深さ方向の高い分解能を有し、かつ、今まで測定することが困難であった被測定ウェーハの表面から１０μｍ程度の深さまでのＢＭＤを観察可能とした微小内部結晶欠陥の測定によるウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer with high gettering capability by increasing BMD density more than before which has an epitaxial layer grown on a P-type silicon single-crystal wafer with a high dopant concentration and a low resistivity of 0.02 Ω cm or lower.例文帳に追加

ドーパント濃度が高く、０．０２Ω・ｃｍ以下のような低い抵抗率を有するＰ型のシリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハであって、従来よりもＢＭＤ密度を増大させることにより、高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method of a silicon wafer capable of extinguishing a crystal defect such as a COP on the surface of a wafer as a device active region, capable of forming a BMD with a high density in a bulk, and capable of suppressing a slip generated in an RTP.例文帳に追加

デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。 - 特許庁

To provide a standard sample for evaluating silicon single crystal wafers containing octahedral BMD (bulk micro defects) in high density, of which the sizes can be found by LST (laser scattering tomography) and which can be measured by TEM (transmission electron microscopy) for size definition, its manufacturing method, and an evaluating method by using the correlation sample.例文帳に追加

ＬＳＴで欠陥サイズを求めることができ、かつサイズ定義に必要なＴＥＭで測定できる八面体のＢＭＤを高密度で含むシリコン単結晶ウェーハ評価用の標準サンプル、その製造方法及び標準サンプルを用いた評価方法を提供する。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと５×１０^８個／ｃｍ^３以上のＢＭＤ密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が３００〜６００μｍであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

Consequently, the size of oxygen deposit is controlled, generation of oxygen deposit large enough to become an OSF nucleus is inhibited completely, generation of relatively large oxygen deposit causing deterioration of electric characteristics is also inhibited, and micro oxygen deposit for forming a high density BMD is formed in the crystal.例文帳に追加

これにより、酸素析出物のサイズを制御し、ＯＳＦ核となるほど大きな酸素析出物の発生を完全に抑制し、電気特性を悪化させるような比較的大きな酸素析出物の発生をも抑制し、高密度のＢＭＤを形成するための微小な酸素析出物が結晶中に形成される。 - 特許庁

The silicon wafer manufacturing method is processed by slicing a silicon single-crystal ingot 8, pulled from a silicon melt 5 of nitrogen-doped polysilicon using the Czochralski method to produce a silicon wafer, annealing this wafer with hydrogen to reduce crystal defects on the surface layer, and increasing the BMD density in the wafer.例文帳に追加

ポリシリコンに窒素をドープしたシリコン融液５からチョクラルスキー法を用いて引上げられたシリコン単結晶インゴット８をスライスしてシリコンウェーハを製造し、このシリコンウェーハを水素アニールして、表層の結晶欠陥を減少させ、ウェーハ内部のＢＭＤ密度を高めることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon wafer capable of effectively exercising a gettering effect also in a thin film device while having BMD (Bulk Micro Defect) in a shallow region of, for example, ≤10 μm from a surface layer with high density, but having no defect in an extreme surface layer functioning as a device active layer.例文帳に追加

表層から例えば１０μｍ以内までの浅い領域にＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）が高密度で存在するが、デバイス活性層として機能する極表層には欠陥が存在せず、薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果を有効に発揮しうるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated wafer which suppresses BMD density from increasing and also can sufficiently flatten the surface of a thin film, when flattening the surface of the thin film of the laminated wafer and reducing the thickness of the thin film through a treatment combining an RTA treatment and a sacrificial oxidation treatment.例文帳に追加

ＲＴＡ処理と犠牲酸化処理を組み合わせて、貼り合わせウェーハの薄膜表面の平坦化と薄膜の減厚を行う際に、ＢＭＤ密度の増加を抑制し、かつ、薄膜表面を十分に平坦化することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon single crystal ingot, by which the concentration of oxygen is controlled when the silicon single crystal ingot is produced from a silicon melt doped with nitrogen and the formation of OSF ring is sufficiently suppressed, thereby silicon wafers each having uniform BMD distribution in the wafer surface can be cut out from the ingot.例文帳に追加

窒素をドープしたシリコン融液からシリコン単結晶インゴットを製造する方法において、酸素濃度を制御することにより、シリコン単結晶のＯＳＦリングの発生を十分に抑制でき、ウェーハ面内のＢＭＤ分布が均一なシリコンウェーハを切出すことができるシリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon wafer, which has necessary volume of BMD(Bulk Micro-Defect) in a gettering region, for removing metal impurities in a device formation surface layer of the silicon single crystal wafer by gettering, without causing inconvenience such as strength reduction of the single crystal silicon wafer that has been observed in the prior art IG gettering treatment.例文帳に追加

従来のＩＧゲッタリング実施の際にみられたシリコン単結晶ウエハの強度低下等の不都合を招来することなく、シリコン単結晶ウエハのデバイス形成表層に存在する金属不純物を有効にゲッタリング除去するのに必要な体積量のＢＭＤがゲッタリング領域中に生成されたシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-quality silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer, which can be appropriately used for forming the operating area of a semiconductor device, by eliminating a grown-in crystal defect over all the surface and internally forming the oxygen deposition bulk micro-defect (BMD) of density sufficient for presenting an IG effect.例文帳に追加

全面にわたってグローン・イン結晶欠陥がなく、かつ、内部にはＩＧ効果を発揮するために十分な密度の酸素析出バルク微小欠陥（ＢＭＤ）が形成されることにより、半導体素子の動作領域の形成に好適に用いることができる、高品質なシリコン単結晶ウエハを製造する方法およびシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a selective etching method capable of evaluating a crystal defect of an ultra-low resistant silicon single crystal substrate having electric resistivity of <10 mΩ cm, especially BMD (bulk micro defects) properties, which can not be easily detected by conventional methods, by selectively etching using a chromium-less etching solution which does not contain harmful chromium and utilizing the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。 - 特許庁

This silicon single crystal ingot is characterized by pulling it out using Czochralski method from a molten silicon liquid 7 obtained by doping nitrogen N to a polysilicon, having 1×1013-1.2×1015 atoms/cm3 nitrogen concentration and setting ≤200 min passing time through 1,100-700°C temperature zone for solving the unevenness of the BMD density on the wafer surface caused by the OSF ring.例文帳に追加

ポリシリコンに窒素をドーピングしたシリコン融液からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その結晶中の窒素濃度は１×１０^１３〜１．２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、結晶育成中に結晶が体験する１１００〜７００℃の温度領域の通過時間を２００分以下となるようにし、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。 - 特許庁