「bulk semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR BULK SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半導体バルク単結晶の製造方法 - 特許庁

BULK SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

バルク半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND BULK AREA FORMING METHOD例文帳に追加

半導体メモリ装置およびバルク領域形成方法 - 特許庁

AlN BULK SINGLE CRYSTAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF PRODUCING AlN SINGLE CRYSTAL BULK例文帳に追加

ＡｌＮバルク単結晶及び半導体デバイス並びにＡｌＮ単結晶バルクの製造方法 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit comprises a bulk transistor formed on a semiconductor substrate, and a first interlayer insulating film for covering the bulk transistor.例文帳に追加

半導体集積回路は、半導体基板に形成されたバルクトランジスタ及び該バルクトランジスタを覆う第１の層間絶縁膜を備える。 - 特許庁

The method for producing semiconductor bulk single crystals is characterized in that the semiconductor bulk single crystals are simultaneously grown on both surfaces of a baser substrate.例文帳に追加

基礎基板の両面に半導体バルク単結晶を同時に成長させることを特徴とする半導体バルク単結晶の製造方法。 - 特許庁

PRODUCTION OF BULK CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING BULK METAL CONTAMINATION FROM III-V SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板からのバルク金属汚染の除去方法 - 特許庁

A PSD is constituted by sticking bulk semiconductor substrates L, U to each other.例文帳に追加

バルクの半導体基板Ｌ，Ｕを貼りあわせてＰＳＤを構成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR BULK CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

半導体バルク結晶および半導体バルク結晶の製造方法 - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR BULK CRYSTAL, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR BULK CRYSTAL, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体基板の製造方法、炭化珪素半導体バルク結晶、炭化珪素半導体バルク結晶の製造方法、炭化珪素半導体装置、炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁

The semiconductor device formed in the bulk semiconductor substrate can contain an electrostatic discharge(ESD) device.例文帳に追加

バルク半導体基板に形成した半導体装置は、静電放電（ＥＳＤ）デバイスを含みうる。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING BULK CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体バルク結晶の成長方法、および化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁

A semiconductor device, comprising a P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, is formed on the bulk semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｐ^+ 拡散領域とＮ^+ 拡散領域を備えた半導体装置をバルク半導体基板に形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an inorganic-compound bulk body which can obtain a high-density inorganic-compound bulk body with a simple structure at low cost and in a short period of time, and to provide an inorganic compound bulk body and a semiconductor resistance element material.例文帳に追加

簡単な構成で短時間に低コストでかつ高密度の無機化合物バルク体を得ることのできる無機化合物バルク体の製造方法、無機化合物バルク体並びに半導体抵抗素子材を提供する。 - 特許庁

integrated circuit semiconductor chip that performs the bulk of the processing and controls the parts of a system 例文帳に追加

大量の処理を実行し、システムの一部を制御する集積回路からなる半導体チップ - 日本語WordNet

DUPLEXER FILTER AND ITS SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR例文帳に追加

フィルムバルク弾性波共振器を有するデュプレクサフィルタ及びその半導体パッケージ - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FLOATING BODY ELEMENT AND BULK BODY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

フローティングボディ素子及びバルクボディ素子を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

A trench, whose one end interfaces with the bulk semiconductor substrate is formed penetrating through the SOI layer.例文帳に追加

その一端がバルク半導体基板にインタフェースするトレンチをＳＯＩ層を貫通して形成する。 - 特許庁

A bulk MOS transistor having source/drain regions formed on a semiconductor substrate is provided.例文帳に追加

半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。 - 特許庁

To provide a bulk semiconductor device which improves in resistance to a cosmic-ray neutron error.例文帳に追加

宇宙線中性子エラー耐性を向上させたバルク半導体デバイスを提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor bulk acoustic resonator(SBAR) whose operation characteristic is improved.例文帳に追加

動作特性の改善された半導体バルク音響共振器（ＳＢＡＲ）を提供する。 - 特許庁

BULK SUPPLY DEVICE FOR SEMICONDUCTOR PROCESS GAS AND GAS SUPPLY METHOD USING THE SAME例文帳に追加

半導体プロセスガス用バルク供給装置とこれを使用したガス供給方法 - 特許庁

The present invention comprises a bulk MOS transistor having source/drain regions formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING DOPANT METAL IN BULK OF SEMICONDUCTOR WAFER, METHOD OF ANALYZING SEMICONDUCTOR WAFER AND MEHTOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER WITHOUT DOPANT Cu IN BULK例文帳に追加

半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法、半導体ウェハの分析方法、及びバルク中に不純物Ｃｕのない半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

To provide a method of depositing a dopant metal in bulk of semiconductor wafer where the dopant metal in the bulk of the semiconductor wafer is efficiently deposited on a surface thereof.例文帳に追加

半導体ウェハのバルク中の不純物金属を効率的に半導体ウェハ表面に析出させることのできる半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法を提供すること。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor substrate production method includes: a bulk crystal preparing step of preparing a bulk crystal formed of a group III nitride semiconductor single crystal having one crystalline plane and an other crystalline plane having hardness of the other crystalline plane being smaller than hardness of the one crystalline plane; and a cutting step of cutting the prepared bulk crystal from the other crystalline plane to the one crystalline plane of the bulk crystal.例文帳に追加

本発明に係るIII族窒化物半導体基板の製造方法は、一の結晶面と一の結晶面の硬度より小さい硬度の他の結晶面とを含むIII族窒化物半導体単結晶からなるバルク結晶を準備するバルク結晶準備工程と、準備したバルク結晶の他の結晶面側から一の結晶面側に向けてバルク結晶を切断する切断工程とを備える。 - 特許庁

To provide an integrated circuit chip in which one or more semiconductor device is isolated completely from bulk effect of other semiconductor device in same circuit.例文帳に追加

１つ以上の半導体デバイスが、同一回路内の他の半導体デバイスのバルク効果から完全に分離される集積回路チップを提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device formed on a semiconductor substrate in which an SOI structure and a bulk structure are mixedly mounted without increasing a chip size.例文帳に追加

ＳＯＩ構造とバルク構造とが混載された半導体基板上に形成された半導体装置を、チップサイズを増大させずに得る。 - 特許庁

A semiconductor device 100 has a structure, in which a p-type semiconductor substrate 1 and an n-type bulk layer 2 are pasted together.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｐ型半導体基板１とＮ型バルク層２とが貼り合わされた構造を有している。 - 特許庁

The semiconductor wafer for evaluation is cleft and concentration of dopant in the semiconductor wafer bulk part is measured.例文帳に追加

また、評価用半導体ウェーハを劈開などを行い、半導体ウェーハバルク部の不純物の濃度を測定する。 - 特許庁

PIEZOELECTRIC BULK RESONATOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, FILTER USING PIEZOELECTRIC BULK RESONATOR, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING SAME, AND HIGH-FREQUENCY MODULE USING SAME例文帳に追加

圧電バルク共振子およびその製造方法、圧電バルク共振子を用いたフィルタ、それを用いた半導体集積回路装置、並びにそれを用いた高周波モジュール - 特許庁

The one outer side of the YIG bulk single crystal 12 is provided with a semiconductor laser 20, a polarizer 22 and a first lens 24 in order to make a laser beam incident on the YIG bulk single crystal 12.例文帳に追加

ＹＩＧバルク単結晶１２の一方の外側には、ＹＩＧバルク単結晶１２にレーザ光を入射するために、半導体レーザ２０、偏光子２２および第１のレンズ２４が設けられる。 - 特許庁

By wet etching, only a silicon bulk substrate is removed by etching at high selectivity without removing an embedded oxide film 33 in the lower layer of the silicon bulk substrate of the semiconductor chip 2.例文帳に追加

また、ウェットエッチングにより、半導体チップ２のシリコンバルク基板の下層にある埋込み酸化膜３３を除去せずに、シリコンバルク基板のみを高選択にエッチング除去する。 - 特許庁

To reduce the contact resistance of an ohmic electrode provided on the rear-surface side of a silicon carbide bulk substrate, in a semiconductor element having the silicon carbide bulk substrate.例文帳に追加

炭化珪素バルク基板を備えた半導体素子において、炭化珪素バルク基板の裏面側に設けられるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor wafer which manufacturing method prevents etching damage to the surface of the semiconductor wafer upon manufacturing the semiconductor wafer having an SOI region and a bulk region, and eliminates a level difference between the surface of the SOI region and that of the bulk region.例文帳に追加

ＳＯＩ領域とバルク領域を有する半導体ウェハを製造するときに、半導体ウェハの表面のエッチング損傷を防止でき且つＳＯＩ領域の表面とバルク領域の表面の水平レベル差をなくすことができる半導体ウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

An SOI region obtained by laminating a semiconductor layer 5 on an insulating layer 103 and a bulk region where an underlayer is composed of only a substrate are provided on a same semiconductor substrate 101, and an impurity diffusion layer 91 for fixing a potential is provided in the semiconductor substrate 101 between a bulk transistor 10 formed in the bulk region and an SOI transistor 20 formed in the SOI region.例文帳に追加

絶縁層１０３上に半導体層５が積層されてなるＳＯＩ領域と、下地が基板のみからなるバルク領域とを同一の半導体基板１０１に備え、バルク領域に形成されたバルクトランジスタ１０と、ＳＯＩ領域に形成されたＳＯＩトランジスタ２０との間の半導体基板１０１に電位固定用の不純物拡散層９１を備える。 - 特許庁

The semiconductor wafer 100 includes a semiconductor bulk 10, a first embedded insulating layer 20 provided on the semiconductor bulk, a first semiconductor layer 30 provided on the first embedded insulating layer, a second embedded insulating layer 40 provided on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer 50 provided on the second embedded insulating layer.例文帳に追加

半導体ウェハ１００は、半導体バルク１０と、半導体バルク上に設けられた第１の埋込み絶縁層２０と、第１の埋込み絶縁層上に設けられた第１の半導体層３０と、第１の半導体層上に設けられた第２の埋込み絶縁層４０と、第２の埋め込み絶縁層上に設けられた第２の半導体層５０とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor element includes a process for preparing a substrate having a bulk body element region and floating body element regions.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、バルクボディ素子領域及びフローティングボディ素子領域を有する基板を準備する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing high quality semiconductor bulk single crystals efficiently and inexpensively in large quantities.例文帳に追加

高品質の半導体バルク単結晶を効率よく大量に安価で製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁

A P type epitaxial layer 3 is entirely provided on a P type bulk substrate 2 in the semiconductor integrated circuit 1.例文帳に追加

半導体集積回路１において、Ｐ型バルク基板２上の全面にＰ型エピタキシャル層３を設ける。 - 特許庁

LATERAL MODE SUPPRESSION OF SEMICONDUCTOR BULK ACOUSTIC RESONATOR(SBAR) DEVICE USING TAPERED ELECTRODE AND ELECTRODE EDGE PART ATTENUATION MATERIAL例文帳に追加

テ—パ—付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器（ＳＢＡＲ）装置の横モ—ド抑制 - 特許庁

The preamplifier 7 is a semiconductor chip three-dimensionally stacked and formed with thin film circuits on a bulk silicon wafer 7a.例文帳に追加

プリアンプ７は、バルクのシリコンウエハ７ａ上に、薄膜回路が３次元的に積み重ねて形成された半導体チップである。 - 特許庁

A gate electrode 104 is electrically insulated from a semiconductor substrate (bulk silicon substrate, SOI layer, or the like) 102.例文帳に追加

ゲート電極１０４は、半導体基板（バルクシリコン基板、ＳＯＩ層など）１０２から電気的に絶縁されている。 - 特許庁

SUBSTRATE AND METHOD (HYBRID CRYSTAL SUBSTRATE WITH SURFACE ORIENTATIONS HAVING ONE OR A PLURALITY OF SOI REGIONS OR BULK SEMICONDUCTOR REGIONS OR HAVING BOTH OF THEM)例文帳に追加

基板、方法（１つまたは複数のＳＯＩ領域またはバルク半導体領域あるいはその両方を有するハイブリッド結晶表面配向基板） - 特許庁