「bulk semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To produce a semiconductor substrate having a single crystal silicon layer in which defect, e.g. COP, caused by CZ bulk wafer is eliminated or suppressed drastically.例文帳に追加

ＣＺバルクウエハに起因するＣＯＰ等の欠陥のない、あるいは、非常に少ない単結晶シリコン層を有する半導体基板を作製する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor wafer 51, an element isolation layer 12 for separating an SOI forming region 13 and a bulk forming region is first formed.例文帳に追加

半導体ウエハ５１の製造方法は、まず、ＳＯＩ形成領域１３とバルク形成領域とを分離する素子分離層１２を形成する。 - 特許庁

The impurity concentration of the semiconductor substrate 1 below the resistive element 7a is equal to or lower than that of bulk.例文帳に追加

抵抗素子７ａ下の半導体基板１の不純物濃度は、バルクと同等かあるいはバルクの不純物濃度以下である。 - 特許庁

To incur an avalanche drop in a bulk region in a lateral power semiconductor device including a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する横型のパワー半導体装置において、アバランシェ降伏がバルク領域で起こるようにすること。 - 特許庁

To supply semiconductor devices in a bulk method so as to efficiently assemble and mount them.例文帳に追加

バルク方式により効率的な供給を行なうことができ、実装組立ての効率化を図ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The bulk semiconductor substrate functions as a medium for efficiently radiating heat generated by the (ESD) device, since its thermal conductivity is high.例文帳に追加

バルク半導体基板は、熱伝導率が大きいので、ＥＳＤデバイスが発生させる熱を効率的に放散させる媒体として機能する。 - 特許庁

To form a high-quality thin film to match a bulk single crystal thin film and to form a semiconductor device which is excellent in characteristics.例文帳に追加

バルク単結晶に匹敵する高品質の薄膜を作成し、特性の優れた半導体デバイスを作成する。 - 特許庁

The gain region is constituted of 24 bulk semiconductor crystals, and the saturable absorption region 26 is constituted of a multiple-quantum-well structure.例文帳に追加

利得領域は、２４バルク半導体結晶によって構成され、及び、可飽和吸収領域２６は、多重量子井戸構造によって構成される。 - 特許庁

To obtain a semiconductor substrate which contains no defects (such as FPD and COP) in a CZ(Czochralski) bulk wafer and has a suppressed Si active layer.例文帳に追加

ＣＺバルクウエハに起因した欠陥（ＦＰＤ，ＣＯＰ等）のない、あるいは低減されたＳｉ活性層を有する半導体基材を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact not containing expensive gallium (Ga) and having a small bulk resistance, and to provide an oxide semiconductor thin film having the same composition as that of the oxide sintered compact.例文帳に追加

高価なガリウム（Ｇａ）を含有せず、バルク抵抗が小さい酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor and a device structure which suppress the latch-up in a bulk CMOS device.例文帳に追加

バルクＣＭＯＳデバイスにおけるラッチアップを抑制するための半導体方法およびデバイス構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having a structure in which the flow of a creep (surface) leakage current or a bulk uppermost surface current is suppressed.例文帳に追加

沿面（表面）リーク電流あるいはバルク最表面電流が流れることを抑制し得る構造を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

An apparatus for reducing photodiode thermal gain coefficient includes a bulk semiconductor material having a light-illumination side.例文帳に追加

フォトダイオード熱利得係数を減少させる装置が、光照射面を有するバルク半導体材料を含んでいる。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitride semiconductor single crystal which is in a bulk state and has high crystallinity by reducing a recessed portion that is caused during the growth.例文帳に追加

成長途中に生じる凹部を縮小させ、バルク状でかつ結晶性の高い窒化物半導体単結晶体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of establishing the characteristics of the bulk of a gate insulating film and the characteristics of an MOS interface.例文帳に追加

ゲート絶縁膜のバルクの特性とＭＯＳ界面の特性を両立させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that can make compatible both the characteristics of bulk and those of an interface in a gate insulating film by a low-temperature process.例文帳に追加

低温プロセスによってゲート絶縁膜のバルクの特性と界面の特性を両立させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the front surface of the n-type bulk layer 2 side of the semiconductor device 100, a high-breakdown voltage NMOS 10 and a low-breakdown voltage NMOS 20 are provided.例文帳に追加

また，半導体装置１００のＮ型バルク層２側の表面には，高耐圧ＮＭＯＳ１０と低耐圧ＮＭＯＳ２０とが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a thin film bulk wave element whose resonance frequency is adjustable, which can be made more small-sized.例文帳に追加

共振周波数を調整することができる薄膜バルク波素子を備える半導体装置をより小型化する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of reducing the fault of elements to be formed on a bulk region.例文帳に追加

バルク領域に形成される素子の不良を低減できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which both the characteristic of bulk of a gate insulation film and the characteristic of an interface can be satisfied by a low temperature process.例文帳に追加

低温プロセスによってゲート絶縁膜のバルクの特性と界面の特性を両立させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A calibration curve is obtained showing a relation between dopant concentration of the semiconductor wafer surface and dopant concentration of an inner part (bulk part).例文帳に追加

そして、半導体ウェーハ表層部の不純物濃度と内部（バルク部）の不純物濃度との関係を示す検量線を求める。 - 特許庁

To provide a good method for forming a semiconductor device on a substrate, e.g. a bulk semiconductor substrate or a semiconductor-on-insulator substrate, and to provide a semiconductor device formed by the method.例文帳に追加

半導体バルク基板や半導体・オン・絶縁体基板のような基板上に半導体デバイスを形成する良好な方法、及びその方法で形成した半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes: a negative electrode; a positive electrode; a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed; and includes, between the bulk heterojunction layer and the negative electrode, at least a layer of a compound represented by the following general formula (1).例文帳に追加

陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記バルクヘテロジャンクション層と前記陰極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される化合物層を有する。 - 特許庁

A semiconductor structure includes at least one e-fuse embedded in a trench that is located in a semiconductor substrate (a bulk or semiconductor-on-insulator substrate).例文帳に追加

半導体基板（バルク又は半導体オン・インシュレータ）内に配置されたトレンチ内に埋め込まれた少なくとも１つのｅヒューズを含む半導体構造体が提供される。 - 特許庁

A groove of depth larger than that of the bottom surface of a first semiconductor layer 11 is formed, at a location where a first semiconductor layer (SiGe) 11 and a second semiconductor layer (Si) 12 are formed by epitaxial growth on the substrate of bulk.例文帳に追加

バルクの基板上に第１半導体層（ＳｉＧｅ）１１、第２半導体層（Ｓｉ）１２をエピ成長させ、そこに第１半導体層１１の底面以上の深さの溝を形成する。 - 特許庁

The method deposits the dopant metal in the bulk of semiconductor wafer where heating is started from a backside of the semiconductor wafer W3 by a hot plate 1 irradiating ultraviolet rays onto the surface of the semiconductor wafer W3 by a ultraviolet irradiation lamp 2, and then the dopant metal Cu in the bulk of the semiconductor wafer W3 is deposited.例文帳に追加

紫外線照射ランプ２により半導体ウェハＷ３表面に紫外線を照射しながら、半導体ウェハＷ３をホットプレート１により裏面側から加熱し、半導体ウェハＷ３のバルク中の不純物金属Ｃｕを析出させることを特徴とする半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法。 - 特許庁

The semiconductor element 700 has a first conductivity-type silicon carbide bulk substrate 1 having a principal surface 1p and a rear surface 1r; and has a first conductivity-type high concentration impurity epitaxial layer 3 which is formed on the rear surface 1r of the silicon carbide bulk substrate 1, and contains the impurity with a concentration higher than the one of the silicon carbide bulk substrate 1.例文帳に追加

半導体素子７００は、主面１ｐおよび裏面１ｒを有する第１導電型の炭化珪素バルク基板１と、炭化珪素バルク基板１における裏面１ｒに形成され、炭化珪素バルク基板１よりも高い濃度で不純物を含む第１導電型の高濃度不純物エピタキシャル層３とを備える。 - 特許庁

In the film bulk acoustic wave filter, a plurality of film bulk acoustic wave resonators are serially and parallely connected to filter a predetermined band in a transmitted/received frequency, and passive elements required around the film bulk acoustic wave filter are integrated on one semiconductor chip, thereby constituting an extremely small duplexer filter.例文帳に追加

複数のフィルムバルク弾性波共振器を直列及び並列に連結することで、送信/受信される周波数で所定帯域をフィルタリングするフィルムバルク弾性波フィルタ、及び該フィルムバルク弾性波フィルタの周辺に必要な受動素子を一つの半導体チップに集積して、デュプレクサフィルタを超小型化し得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate having an excellent partial SOI structure in which an SOI region has a sufficient gettering capacity to an adjacent non-SOI region (a bulk region) and the bulk region (an element formable region) is not narrowed.例文帳に追加

ＳＯＩ領域が、隣接する非ＳＯＩ領域（バルク領域）に対する十分なゲッタリング能力を有し、かつ、バルク領域（素子形成可能領域）を狭めていない良質な部分ＳＯＩ構造を具備する半導体基板を提供する。 - 特許庁

The optical waveguide and a coupler device, and methods of manufacturing them are obtained by: forming a trench in the bulk semiconductor substrate, for example, a bulk silicon substrate; forming a bottom cladding layer in the trench; and forming a core region on the bottom cladding layer.例文帳に追加

本発明の光導波路及びカップラ素子及びその製造方法は、バルク半導体基板、例えば、バルクシリコン基板からなる基板にトレンチを形成し、下部クラッド層をトレンチ内に形成し、コア領域を下部クラッド層上に形成して得られる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a support substrate, a bulk element region having a first element formed in a bulk growth layer on the substrate, an SOI element region having an element formed in a silicon layer on an embedding insulating film on the substrate, and a boundary layer disposed in the boundary of these regions.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板と、支持基板上のバルク成長層に第１の素子が形成されるバルク素子領域と、支持基板上の埋め込み絶縁膜上のシリコン層に素子が形成されるＳＯＩ素子領域と、これら領域の境界に位置する境界層を有する。 - 特許庁

This epoxy resin for sealing the semiconductor is characterized by having ≥0.2 ratio of bulk specific gravity/true specific gravity of the bulk specific gravity to the true specific gravity of rubber particles in the epoxy resin composition consisting essentially of (A) an epoxy resin, (B) a phenolic resin, (C) a curing accelerator, (D) an inorganic filler and (E) the rubber particles.例文帳に追加

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、及び（Ｅ）ゴム粒子を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、ゴム粒子の真比重と嵩比重の比が嵩比重／真比重で０．２以上であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

In an organic photoelectric conversion element having a transparent electrode, a counter electrode, and a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed, the n-type organic semiconductor material of the bulk heterojunction layer is a composition where a crystalline fullerene derivative and an amorphous fullerene derivative are mixed at a ratio of 1:99 to 99:1.例文帳に追加

透明電極、対電極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のｎ型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、１：９９〜９９：１の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

This thermoelectric element includes two Cu-made electrodes 1 and 2, an n-shape SiC semiconductor bulk 4 provided on the electrode 1 via an Ni sheet 6, a p-type semiconductor bulk 5 provided on the electrode 2 via an Al sheet 8, and a single Cu-made metal electrode 3 provided on the semiconductor bulks 4 and 5 via Ni and Al sheets 7 and 9.例文帳に追加

熱電素子は、二つのＣｕ製の電極１，２と、電極１上にＮｉシート６を介して設けられるｎ型ＳｉＣ半導体バルク４と、電極２上にＡｌシート８を介して設けられるｐ型ＳｉＣ半導体バルク５と、半導体バルク４及び５上に、それぞれＮｉシート７及びＡｌシート９を介して、設けられる一つのＣｕ製金属電極３とを備えて構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with which a memory cell using a thyristor can be obtained without a need of a special process while an inexpensive bulk semiconductor substrate is used.例文帳に追加

安価なバルク半導体基板を用いながらも、特別なプロセスを要さずにサイリスタを用いたメモリセルを得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To use a layout pattern for bulk type semiconductor device in an SOI type semiconductor device by converting it with minimum necessary alteration.例文帳に追加

バルク型半導体装置に用いられていたレイアウトパターンを必要最小限の変更でＳＯＩ型半導体装置のレイアウトパターンに変換して用いる。 - 特許庁

Provided is a method of manufacturing a semiconductor device by removing bulk metal contamination before performing subsequent processing steps of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、半導体デバイスを製造する更なる処理ステップを実施する前に、本発明の実施形態に係るバルク金属汚染を除去する方法を用いて、半導体デバイスを製造するための方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor optical element according to one embodiment has a lower cladding layer, an upper cladding layer, and a bulk-structured active layer, on one main surface side of a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、半導体基板の一方の主面側に、下部クラッド層、上部クラッド層、及びバルク構造の活性層を有している。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a high-quality p-type nitride-based compound semiconductor film which can decrease the resistance of a p-type nitride-based compound semiconductor crystal throughout the entire bulk with low level of defects.例文帳に追加

バルク全体にわたってｐ型窒化物系化合物半導体結晶の低抵抗化が可能で、しかも欠陥レベルの低い、高品質のｐ型窒化物系化合物半導体膜の作製方法を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a hollow region 30 is provided between the p-type semiconductor substrate 1 and the n-type bulk layer 2 in the low-breakdown voltage element region.例文帳に追加

また，半導体装置１００には，低耐圧素子領域であって，Ｐ型半導体基板１とＮ型バルク層２との間に中空領域３０が設けられている。 - 特許庁

A bulk current control Accumulation-type transistor can be obtained by controlling the film thickness of the semiconductor layer and the concentration in impurity atoms so that the thickness of a depletion layer may be larger than the film thickness of the semiconductor layer.例文帳に追加

空乏層の厚さが半導体層の膜厚よりも大きくなるように、半導体層の膜厚と不純物原子濃度を制御することによって形成されたバルク電流制御型Accumulation型トランジスタが得られる。 - 特許庁

To provide a method of growing a crystal of a nitride compound semiconductor wherein the crystal of a p-type nitride compound semiconductor can be made low in resistance as a bulk, and which is in a low level of a defect and high in quality.例文帳に追加

バルク全体にわたってｐ型窒化物系化合物半導体結晶の低抵抗化が可能で、しかも欠陥レベルの低い、高品質の窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

An oxide film as a film having positive charge is added to the surface of a semiconductor substrate having a gettering layer composed of oxygen-induced defects (BMD: Bulk Micro Defects) in the region in a semiconductor substrate different from a device active region.例文帳に追加

デバイス活性領域と異なる半導体基板内部の領域に、酸素起因欠陥（ＢＭＤ）よりなるゲッタリング層を有する半導体基板の表面に、正の電荷を有する膜である酸化膜を付加する。 - 特許庁

To provide an analyzing method of dopant for measuring a degree of contamination of dopant on a surface of a semiconductor wafer and deciding the degree of contamination of dopant in a bulk of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面の不純物の汚染度を測定し、半導体ウェーハのバルク部の不純物の汚染度を決定する不純物の分析方法を提供する。 - 特許庁

For measuring actual dopant concentration of the semiconductor wafer, concentration of dopant in the bulk can be decided by the calibration curve if concentration of dopant on the surface of the semiconductor wafer is measured.例文帳に追加

実際の半導体ウェーハの不純物濃度を測定にあっては、半導体ウェーハの表層部の不純物の濃度を測定すれば、上記検量線によりバルク部の不純物の濃度を決定することができる。 - 特許庁