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cell dataの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3555件
A data input and output circuit inputs data to memory cell array or outputs the data from the memory cell array continuously, in synchronization with the strobe signal.例文帳に追加
データ入出力回路は、ストローブ信号に同期して、メモリセルアレイへのデータを連続して入力またはメモリセルアレイからのデータを連続して出力する。 - 特許庁
In refreshing, a data is read out from a memory cell to be refreshed, it is stored in a data storing section for refreshing temporarily storing data of a memory cell to be refreshed, after that, the data of a memory cell to be refreshed is erased.例文帳に追加
リフレッシュは、リフレッシュの対象となるメモリセルからデータを読み出し、リフレッシュ対象メモリセルのデータを一時記憶するリフレッシュ用データ記憶部に記憶し、その後、リフレッシュ対象メモリセルのデータを消去する。 - 特許庁
Bit map data adapted to each cell is generated by putting respective bit map data one over another.例文帳に追加
各ビットマップデータを重ね合わせることにより、各セルに合わせたビットマップデータを生成する。 - 特許庁
Further, a decelling part 73 discards unnecessary bits except data included in ATM cell data.例文帳に追加
また、デセル化部73が、ATMセルデータに含まれるデータを除く不要なビットを高速で廃棄する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, DATA RETRIEVAL CIRCUIT, METHOD OF READING MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD OF RETRIEVING DATA例文帳に追加
半導体装置、データ検索回路、メモリセルアレイ判読方法、およびデータ検索方法 - 特許庁
A cell data holding means 120 holds data as values in cells of a table to be created.例文帳に追加
セルデータ保持手段120は、生成される表のセルの値としてのデータを保持する。 - 特許庁
A memory includes: a memory cell array which stores data therein; and a write driver which writes data to memory cells.例文帳に追加
メモリは、データを記憶するメモリセルアレイと、メモリセルにデータを書き込むライトドライバとを備える。 - 特許庁
An ECC circuit corrects data read from the memory cell array based on redundant data.例文帳に追加
ECC回路は、メモリセルアレイから読み出されたデータを冗長データに基づいて訂正する。 - 特許庁
This method includes configuring a data trace start and monitoring data cell streams.例文帳に追加
この方法は、データトレース開始を構成することおよびデータセルストリームを監視することを含む。 - 特許庁
The row address data and the column address data of a memory cell to which writing is disabled are stored in a register.例文帳に追加
書き込めなくするメモリセルの行アドレスデータと列アドレスデータをレジスタに格納する。 - 特許庁
Write data from a write data D flip-flop 7 is stored on a memory cell 11.例文帳に追加
そして書き込みデータDフリップフロップ7からの書き込みデータがメモリセル11に記憶される。 - 特許庁
By connecting the first memory cell of the first cell array 10-1 and the first reference cell of the fourth cell array 10-4 to the sense amplifier SA, data of the first memory cell are read.例文帳に追加
第1のセルアレイ10−1の第1のメモリセルと第4のセルアレイ10−4の第1の参照セルとがセンスアンプSAに接続されることで第1のメモリセルのデータが読み出される。 - 特許庁
This device has a cell volume data computing means for computing the data on cell volumes from engraving data having correlation with the depths of cells formed in a plate face by engraving and an integrated cell volume data computing means for obtaining the data on integrated cell volumes by integrating the data on the cell volumes in a prescribed area of a gravure plate.例文帳に追加
彫刻により版面に形成されるセルの深度と相関関係を有する彫刻データからセル体積データを演算するセル体積データ演算手段と、前記セル体積データをグラビア版の所定領域において積算して積算セル体積データを得る積算セル体積データ演算手段と、を有するグラビア刷版セル体積積算装置。 - 特許庁
To perform a writing/reading operation in a memory cell by detecting the threshold value shift of the memory cell based on a change in the data of a dummy cell.例文帳に追加
ダミーセルのデータ変化により、メモリセルのしきい値シフトを検出し、メモリセルの書き込み動作、読み出し動作を実行する。 - 特許庁
The data inputted to the ATM cell header generating/ imparting part 26 are added with an ATM cell header, converted into an ATM cell 108 and outputted to the side of ATM.例文帳に追加
ATM セル・ヘッダ生成・付与部26に入力されたデータは、ATMセル・ヘッダが付加されてATM セル108 に変換されATM 側に出力される。 - 特許庁
A cell header generating circuit 3 generates the cell data of 1 cell/5 bytes by itself and sends them to a transmission side HEC generating circuit 1.例文帳に追加
セルヘッダ生成回路3が、1セル/5バイトのセルデータを、自己生成して送信側HEC生成回路1に送出する。 - 特許庁
A cell-assembling means 213 assembles data in the cell-assembling range into cells and makes a pointer specifying the reference position to be included in a prescribed cell.例文帳に追加
セル化手段23はセル化範囲のデータをセル化すると共に、基準位置を特定するポインタを所定のセルに含ませる。 - 特許庁
A static memory cell connected to word and data lines is used.例文帳に追加
ワード線およびデータ線に接続されたスタティックメモリセルを用いる。 - 特許庁
Each memory cell MC stores data having a plurality of pages.例文帳に追加
また各メモリセルMCがそれぞれ複数ページのデータを格納する。 - 特許庁
Writing of data is executed from a memory cell at a source side.例文帳に追加
デ−タの書き込みは、ソ−ス側のメモリセルから実行される。 - 特許庁
To reduce power consumption in reading data using a dummy cell.例文帳に追加
ダミーセルを用いたデータ読出における消費電力を低減する。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING ADJACENT CELL AND DATA STRUCTURE例文帳に追加
隣接セル処理装置、隣接セル処理方法およびデータ構造 - 特許庁
SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND CORRECTION METHOD OF STORAGE DATA IN MEMORY CELL例文帳に追加
半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法 - 特許庁
After that, a memory cell 1 is selected, and data can be read out.例文帳に追加
その後、メモリセル1が選択され、データ読み出しが可能になる。 - 特許庁
To apply a prescribed process to an optional cell in table data.例文帳に追加
表データの中の任意のセルに対して所定の処理を行う。 - 特許庁
To reduce the number of precharge before data are written in a memory cell.例文帳に追加
メモリセルにデータを書き込む前のプリチャージ回数を低減する。 - 特許庁
I need all the locations data you've got on a disconnected cell phone.例文帳に追加
この使えなくなった携帯電話の 情報が全部欲しいの - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Consequently, read-out operation speed of data from a memory cell is increased.例文帳に追加
この結果、メモリセルからのデータの読み出し動作が高速になる。 - 特許庁
To improve further the stability of data holding in a memory cell.例文帳に追加
メモリセルにおけるデータ保持の安定性をより向上させる。 - 特許庁
Data read from a memory cell MC for one page in one block BL of a memory cell array is stored in a data holding circuit 12.例文帳に追加
メモリセルアレイの1ブロックBL内の1ページ分のメモリセルMCから読み出されたデータがデータ保持回路12で保持される。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device where data is reliably written back to a memory cell after the data is read from the memory cell.例文帳に追加
メモリセルからデータを読み出した後、データを確実にメモリセルに書き戻すことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The memory device 12 includes a memory cell array 14 and a data output circuit 18 that outputs data read from the memory cell array 14.例文帳に追加
メモリデバイス12は、メモリセルアレイ14とメモリセルアレイ14から読み出されたデータを出力するデータ出力回路18を含む。 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT HAVING MEMORY CELL STORING DATA BIT AND METHOD FOR WRITING WRITE-IN DATA BIT IN MEMORY CELL IN INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加
データビットを記憶するメモリーセルを有する集積回路および集積回路において書き込みデータビットをメモリーセルに書き込む方法 - 特許庁
A table data area 22 is set to register the plurality of data as one integrated data in the one cell.例文帳に追加
複数のデータを1つの統合データとして、1つのセルに登録できるような表データ領域22を設定する。 - 特許庁
The data output buffer externally outputs data that are read out from a memory cell in response to the data output clock.例文帳に追加
データ出力バッファはメモリセルから読み出されるデータをデータ出力クロックに応じて外部に出力する。 - 特許庁
Data to be written into a memory cell MC or a selection cell, into which the data is written, is latched in a latch circuit L1 and data in the memory cell MC or a neighbored cell, having a bit line BL in common with the selection cell and positioned at a neighbored position, is latched in a latch circuit L2.例文帳に追加
データを書き込むメモリセルMCである選択セルに書き込むべきデータを、ラッチ回路L1にラッチするとともに、この選択セルとビット線BLを共有し、且つ、隣接する位置にあるメモリセルMCである隣接セルのデータをラッチ回路L2にラッチしておく。 - 特許庁
The amplifying circuit 1301 for reading data has a clamp part 1212 for reading data stored in a data memory cell, a clamp part 1211 for detecting defect of data cell short circuit of the data memory cell, and a clamp part 1213 for detecting defect of open of the data memory cell.例文帳に追加
データ読出し用増幅回路1301は、データメモリセルに記憶されたデータの読出し用のデータ読出し用クランプ部1212と、データメモリセルのショート不良の検出用のデータセルショート不良検出用クランプ部1211と、データメモリセルのオープン不良検出用のデータセルオープン不良検出用クランプ部1213とを有している。 - 特許庁
The function blocks 10a-10C copy the test cell, separates the copied test cell from the original test cell, writes data denoting a loopback to the LBF-x fields of the separated test cell and inserts the resulting cell to a cell transmission line 15.例文帳に追加
各機能ブロック10a〜10cは、試験セルをコピーし、コピーした試験セルをもとの試験セルから分離し、分離した試験セルのLBF_xフィールドに折返しを示すデータを書き込んでセル伝送路15に挿入する。 - 特許庁
A data input circuit 4 writes the data into the nonvolatile memory cell of the memory cell array 1 to be selected by an address decoder 2, and at this time, the input data D0-D7 from the writing data control circuit 3 or the aforementioned fixed data are written into the nonvolatile memory cell.例文帳に追加
データ入力回路4は、アドレスデコーダ2で選択されるメモリセルアレイ1の不揮発性メモリセルにデータを書き込むが、その際に書き込みデータ制御回路3からの入力データD0〜D7または上記の固定データを書き込む。 - 特許庁
When the data, latched in the latch circuit L1 and to be written into the selection cell is "0", and data in the neighbored cell, which is latched in the latch circuit L2, is also "0", the "0" data is written into both of the selection cell and the neighbored cell simultaneously.例文帳に追加
ラッチ回路L1にラッチした選択セルに書き込むべきデータが“0”データであり、且つ、ラッチ回路L2にラッチした隣接セルのデータも“0”データである場合には、選択セルと隣接セルの双方に同時に“0”データを書き込む。 - 特許庁
In a data conversion operation in a data converter, a first cell type and a second cell type are determined in descending order of the number of graphics from cell types with two or more graphics among a plurality of cell types contained the input data.例文帳に追加
データ変換装置におけるデータ変換作業では、入力データに含まれる複数のセル種類のうち図形数が2以上であるセル種類から、図形数が多い順に第1セル種類および第2セル種類が決定される。 - 特許庁
A second reading operation is executed to read data from a dummy memory cell before a first reading operation for reading data from a real memory cell by using a reference memory cell.例文帳に追加
リファレンスメモリセルを利用してリアルメモリセルからデータを読み出す第1読み出し動作の前に、ダミーメモリセルからデータを読み出す第2読み出し動作が実行される。 - 特許庁
The image data is divided into the data in every of the display cells, using the minimum value in the standard deviation profile as coordinates of the each cell, and the defect is determined the display cell by the display cell.例文帳に追加
そして、標準偏差プロファイルの極小値を各表示セルの座標として、画像データを表示セル毎のデータに分割し、表示セル毎に欠陥判定を行う。 - 特許庁
If a cell in the imaging data having the same coordinate value as a cell with information in the master data before modification is a cell with information, this information is not modified.例文帳に追加
修正前のマスタデータ中の「情報あり」のセルと同じ座標値の撮像データ中のセルが「情報あり」のセルである場合には,その情報は修正しない。 - 特許庁
And it is compared with a reference potential adjusted so that data of the PF cell 21 is made defective earlier than that of the memory cell MC by a PF cell data decision circuit 14.例文帳に追加
そして、PFセルデータ判定回路14で、メモリセルMCよりもPFセル21のデータの方が早く不良になるように調整されたリファレンス電位と比較する。 - 特許庁
The contents of the memory cell are read, deletion of the contents is confirmed, after that, the refreshed data are read from the data storage part for refreshing in which the data are temporarily stored and the data are rewritten in the memory cell.例文帳に追加
メモリセルの内容を読み出し、内容が消去されたことを確認し、その後一時記憶したリフレッシュ用データ記憶部からリフレッシュデータを読み出し、メモリセルに再書き込みを行う。 - 特許庁
A data line voltage in accordance with stored data of the selection memory cell is transmitted to the node N1 by the switch circuit 110, a data line voltage when the selection memory cell stores '1' data is transmitted to the node N2, and a data line voltage when the selection memory cell stores '0' data is transmitted to the node N3.例文帳に追加
スイッチ回路110によって、ノードN1へは、選択メモリセルの記憶データに応じたデータ線電圧が伝達され、ノードN2へは、選択メモリセルが“1”データを記憶したときのデータ線電圧が伝達され、ノードN3へは、選択メモリセルが“0”データを記憶したときのデータ線電圧が伝達される。 - 特許庁
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