「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, while the new parity data is supplied to the parity memory cell, the regular data starts to be read from the regular memory cell in response to a following write command.例文帳に追加

さらに、新たなパリティデータがパリティメモリセルに供給されている間に、次の書き込みコマンドに応答してレギュラーメモリセルからレギュラーデータの読み出しが開始される。 - 特許庁

In this semiconductor memory device, a program memory cell block 30 for storing program data and a regular memory cell block 21 for storing ordinary data are arranged at the same memory array.例文帳に追加

この半導体装置では、プログラムデータを記憶するためのプログラムメモリセルブロック３０と、通常のデータを記憶するための正規メモリセルブロック２１とを同じメモリアレイに配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which data can be read continuously from a memory cell array or data can be written in the memory cell array even when addresses are discontinuous.例文帳に追加

アドレスが不連続の場合であっても、連続的に、メモリセルアレイからのデータの読み出し、あるいは、メモリセルアレイへのデータの書き込みが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁

For example, cell patterns (A) having the same pattern are extracted from layout data.例文帳に追加

レイアウトデータの中から、例えば、同一のパターンを有するセルパターンＡを抽出する。 - 特許庁

To suppress variation in data writing characteristics of a memory cell in a static random access memory.例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリの、メモリセルのデータの書き込み特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁

To prevent reduction of a read margin of data held in a ferroelectric memory cell.例文帳に追加

強誘電体メモリセルに保持されたデータの読み出しマージンの低下を防止する。 - 特許庁

Size-accuracy at the area near cell boundary can be acquired by completing single process for each cell through implementation of OPC after decomposition of layout data for each cell in the OPC processing step, and by executing OPC only to the cell boundary after arrangement of the OPC application cell of each cell on a chip.例文帳に追加

ＯＰＣ処理工程においてレイアウトデータをセル毎に分解してＯＰＣを実施することで１セル１回の処理で完了し、各セルのＯＰＣ適用セルをチップ上に、配置した後にセル境界部のみＯＰＣを実施することでセル境界近傍の寸法精度を確保する。 - 特許庁

An address storage part 140 stores a threshold value memory address for dividing the memory cell array 110 into a first block for storing one bit data for each memory cell and a second block for storing one bit data for each pair of memory cell.例文帳に追加

アドレス記憶部１４０は、メモリセル毎に１ビットデータを記憶させる第１ブロックと、メモリセル対毎に１ビットデータを記憶させる第２ブロックとにメモリセルアレイ１１０を分けるための閾値メモリアドレスを記憶する。 - 特許庁

A composite object cell selector 105 selects a cell actually to become a composite cell out of receiving data from a plurality of composite candidate cells on the basis of receiving quality, a data receiving time difference, a receiving gap period, etc.例文帳に追加

合成対象セル選択部１０５は、受信品質、データの受信時間差、受信ギャップ周期などに基づき、複数の合成候補セルからの受信データのうち、実際に合成対象とするセルを選択する。 - 特許庁

Stored data is read from a selection memory cell based on comparison of a data read result performed respectively before and after the prescribed magnetic field is applied to the selection memory cell making memory cell groups coupled to the same strap as an object.例文帳に追加

同一ストラップに結合されたメモリセル群を対象とする、選択メモリセルへ所定磁界が印加される前後のそれぞれに実行されるデータ読出結果の比較に基づいて、選択メモリセルから記憶データが読出される。 - 特許庁

Further, the data read-out circuits (5-8) identify the second data stored in the second memory cell (C_i2) from the first electrical state of the first memory cell (C_i1) and the second electrical state of the second memory cell (C_i2).例文帳に追加

更に、データ読み出し回路（５〜８）は、第１メモリセル（Ｃ_ｉ１）が有する第１電気的状態と第２メモリセル（Ｃ__ｉ２）が有する第２電気的状態とから第２メモリセル（Ｃ_ｉ２）に記憶されている第２データを同定する。 - 特許庁

A test writing control circuit 12 operates in a test mode and in each regular cell array CA 1-4, writes test data in a regular memory cell at a position corresponding to the position of the parity memory cell where test parity data are written.例文帳に追加

試験書き込み制御回路１２は、試験モード中に動作し、各レギュラーセルアレイＣＡ１−４において、試験データを、試験パリティデータが書き込まれるパリティメモリセルの位置に対応する位置のレギュラーメモリセルに書き込む。 - 特許庁

The multi-bit memory cell stores a first data bits by changing a first behavior of the multi-bit memory cell, and stores second data bits by changing a second behavior of the multi-bit memory cell.例文帳に追加

前記マルチビットのメモリセルは、前記マルチビットのメモリセルの第１特性を変えることによって第１データビットを貯蔵し、前記マルチビットのメモリセルの第２特性を変えることによって第２データビットを貯蔵する様に構成される。 - 特許庁

This nonvolatile memory includes a nonvolatile memory cell 11 for storing the data and a read circuit connected to the memory cell 11 via first and second bit lines GBLX, GBLZ for reading the data stored in the memory cell 11.例文帳に追加

データを記憶可能な不揮発性のメモリセル１１及びメモリセル１１に第１、第２ビット線GBLX、GBLZを介して接続されて、メモリセル１１に記憶されたデータを読み出すための読出回路を備える不揮発性記憶装置である。 - 特許庁

(n) bits parallel data is delivered and received between the data buffer and the normal data section of the cell array, and (m) bits parallel data (m<n) is delivered and received between the data buffer and an external input/output terminal.例文帳に追加

データバッファとセルアレイのノーマルデータ部との間はｎビット並列データの授受が行われ、データバッファと外部入出力端子の間はｍビット並列データ（但し、ｍ＜ｎ）の授受が行われる。 - 特許庁

Tabulation value data are included in the tabulation result data, and data ID constituting the tabulation value, the data ID displayed in a cell specified with a line number, and a string number is included in the tabulation result detail data.例文帳に追加

集計結果データには集計値データが含まれ、集計結果詳細データには、行番号及び列番号で特定されるセルに表示され集計値を構成するデータＩＤが含まれる。 - 特許庁

A data item/layout corresponding relation storage section 22 stores each data item required by a data collection/tabulation section 5 by associating data corresponding to the data item with a cell corresponding thereto.例文帳に追加

データ項目・レイアウト対応関係記憶部２２は、データ収集・集計部５が要求するデータ項目のそれぞれをそのデータ項目に対応するデータと対応するセルと関連づけて記憶する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises: a memory cell array; a writing data buffer to which writing data is input by a prescribed unit; a program cell counter which counts the number of pieces of data to be programmed to the memory cell array among the writing data; and a program voltage generation circuit which differentiates the program voltage to be applied to the memory cell array depending on the number of pieces of data to be programmed.例文帳に追加

本発明に係る半導体メモリ装置は、メモリセルアレイと、書き込みデータが所定単位で入力される書き込みデータバッファと、前記書き込みデータのうちの前記メモリセルアレイにプログラムされるデータの数を数えるプログラムセルカウンタと、前記プログラムされるデータの数によって、前記メモリセルアレイに印加するプログラム電圧を異にするプログラム電圧発生回路とを含む。 - 特許庁

A data item/layout corresponding relation processing means 3 generates data for output by associating each data item required by the data collection/tabulation section 5 with data stored in a cell of acceptance data corresponding to the cell stored in the data item/layout corresponding relation storage section 22 by associating it with the data item when a spreadsheet system 1 accepts acceptance data.例文帳に追加

データ項目・レイアウト対応関係処理手段３は、表計算システム１が受付データを受け付けると、データ収集・集計部５が要求するデータ項目のそれぞれを、そのデータ項目と関連づけてデータ項目・レイアウト対応関係記憶部２２に記憶されているセルに対応する受付データのセルに登録されたデータと関連づけて出力用データを生成する。 - 特許庁

A memory cell left in an initial state is provided without performing write-in/erasure even in an inspection process in a region of a memory cell side storing data, Vt setting of a reference cell is performed performing verifying of the reference cell basing the cell as reference.例文帳に追加

本発明は、データを記憶するメモリーセル側の領域で、検査工程中も書込み／消去を行わず初期状態で残しておくメモリーセルを設け、そのセルを基準としてリファレンスセルのベリファイを行いながら、リファレンスセルのＶｔ設定を行う。 - 特許庁

This multiplexer 13 is provided with at least one cell bus 18, and a plurality of interface means 16 and 17 put received data in a prescribed format a cell, transmit and receive the cell by using either of at least one or more cell buses 18 and make the cell received from at least one cell bus 18 data in the prescribed format.例文帳に追加

本発明の多重化装置１３は、少なくとも一つのセルバス１８を備えており、複数のインターフェイス手段１６、１７が、受信した所定形式のデータをセルとし、少なくとも一つのセルバス１８のいずれかを用いてセルを送受信し、少なくとも一つのセルバス１８から受信したセルを所定形式のデータとしする。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory circuit includes a write-in control part in which when input data provided from a memory cell array and the outside are compared with cell data written in the memory cell array and write-in operation is controlled, voltage of the cell data is varied by adjusting respectively voltage distributed in accordance with a level of the input data.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体メモリ回路は、メモリセルアレイ及び外部から提供された入力データ及び該当メモリセルアレイに書き込まれているセルデータを比較して書き込み動作を制御する時、前記入力データのレベルに応じて分配される電圧を異に調整することによって前記セルデータの電圧を可変させる書き込み制御部を備える。 - 特許庁

As for each defective memory cell (unit bit defect) by a so-called random defect without providing any redundant cell array, data to be stored in the defective memory cell is held by a latch circuit 22 disposed between column data 12 and an I/O buffer 21, and the held data is output in place of the data of the defective memory cell.例文帳に追加

冗長セルアレイを持たず、所謂ランダム欠陥による各個の欠陥メモリセル（単ビット欠陥）に関して、この欠陥メモリセルに格納されようとするデータを、列データ１２と入出力バッファ２１との間に設けられたラッチ回路２２によってデータを保持し、また、該保持されたデータを欠陥メモリセルのデータに替えて出力するようにした。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with: a first bit cell 10T and a second bit cell 10B for storing mutual complementary data; a scan circuit for outputting a selected data signal; a bit cell selection circuit 14 for receiving the output of the scan circuit and for selecting one bit cell; and a data writing control circuit 53 for controlling the data writing.例文帳に追加

半導体記憶装置は、互いに相補的なデータを記憶するための第１のビットセル１０Ｔおよび第２のビットセル１０Ｂと、選択されたデータ信号を出力するスキャン回路と、スキャン回路の出力を受け、１つのビットセルを選択するビットセル選択回路１４と、データの書き込みを制御するデータ書き込み制御回路５３とを備えている。 - 特許庁

The comparison circuit 24 discriminates whether an accessed memory cell is normal or abnormal by comparing the expected value data with the data Dt for test.例文帳に追加

比較回路２４は、アクセスを行ったメモリセルが正常か異常かをデータＤｓ，Ｄｔの比較により判定する。 - 特許庁

A cell kind determining part 3 reads out the image data from the memory 2, and determines the kind of the inspection pattern in the image data.例文帳に追加

セル種判定部３はメモリ２から画像データを読み出し、画像データ中の被検査パターンの種類を判定する。 - 特許庁

To uniquely define specific data in a table in which position of a cell storing the specific data is varied.例文帳に追加

特定のデータを格納するセルの位置が変動するテーブルにおいて、特定のデータを一意に同定することを可能とする。 - 特許庁

Also, data which cannot be written in a memory cell due to priority of refresh-operation is held temporarily in a write-data buffer 4.例文帳に追加

また、リフレッシュ動作を優先したためメモリセルに書き込むことができないデータをライトデータバッファ４に一時的に保持する。 - 特許庁

When the M-bit data is read out of a memory cell, a readout operation is performed in units of n-bit (M>n) data.例文帳に追加

また、メモリセルからＭビットのデータの読み出しを行う際には、ｎビット（Ｍ＞ｎ）のデータの単位で読み出し動作を行う。 - 特許庁

To write corrected data back in a memory cell in a semiconductor memory having data reading and writing paths set independently each other.例文帳に追加

データの読み出し経路と書き込み経路とが独立している半導体メモリにおいて、訂正データをメモリセルに書き戻す。 - 特許庁

To shorten a time required for reading out data from a memory cell in which data of (n) levels (n is integer of 4 or more) is stored.例文帳に追加

ｎ値（ｎは４以上の整数）のデータを記憶するメモリセルからのデータ読み出しに要する時間を短くすること。 - 特許庁

As for image data at each display cell, correction is performed by data from a correction memory 12, and it is stored in an image memory 14.例文帳に追加

各表示セル毎の映像データについて、補正メモリ１２からのデータで補正を行い、映像メモリ１４に記憶する。 - 特許庁

A register 36 as a storage place for data in a set amount temporarily stores data which is output from the memory cell array 31.例文帳に追加

一定量のデ−タ貯蔵箇所であるレジスタ36が、前記メモリセルアレイ31から出力されるデ−タを一時的に貯える。 - 特許庁

In the semiconductor device, a memory cell and a data line are controlled with a reset signal so that data can be reliably outputted.例文帳に追加

半導体装置は、リセット信号によりメモリセルとデータ線を制御することで、確実なデータ出力が可能となる。 - 特許庁

To decease the parasitic capacitors of data lines of a semiconductor memory device arranged with many data lines on memory cell arrays.例文帳に追加

メモリセルアレイ上に多数のデータ線が配置される半導体記憶装置において、データ線の寄生容量を低減する。 - 特許庁

To calculate the Exclusive-OR of the data written in the memory cell of a function memory and the data for match retrieval with less components.例文帳に追加

機能メモリのメモリセルに書き込まれたデータと一致検索用のデータとのExclusive-ORを少ない構成素子で演算する。 - 特許庁

A control circuit controls potentials of the bit line and the word line according to input data and writes the data in the memory cell.例文帳に追加

制御回路は入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルにデータを書き込む。 - 特許庁

Subsequently, the fixed length data FLD (any one of the fixed length data FLD_1-FLD_4) thus read out is encapsulated and transformed to an ATM cell, for example.例文帳に追加

その後、読み出した固定長データFLD(固定長データFLD_1〜FLD_4のいずれか１つ)をカプセル化して例えばATMセルCLに変換する。 - 特許庁

Provided is a data verification method for verifying a plurality of bits of data respectively written in at least one memory cell.例文帳に追加

少なくとも１つのメモリセルに各々書込まれたデータの複数個のビットを検証するデータ検証方法である。 - 特許庁

The video transcoding device adjusts the data rate for video data being sent to one or more subscribers in the congested cell.例文帳に追加

画像コード変換機器は、過剰セル内の一又はそれ以上の加入者に送られている画像データを調整する。 - 特許庁

To provide a radio data communication system which performs radio data communication efficiently in a high-speed mobile station with a large radius of cell.例文帳に追加

セル半径が大きく、高速移動局で無線データ通信を効率よく行う無線データ通信システムを提供する。 - 特許庁

A logic simulator part 4 performs logic simulation of an object LSI through the use of circuit data, test vectors, and special cell data.例文帳に追加

論理シミュレータ部４は、回路データ、テストベクタおよび特殊セルデータを用いて、対象ＬＳＩの論理シミュレーションを行う。 - 特許庁

The data multiplexer transfers read-data from a memory cell array selected by the bank selecting signal to the input/output buffer.例文帳に追加

データマルチプレクサは、バンクセレクト信号により選択されたメモリセルアレイからのリードデータを入出力バッファに転送する。 - 特許庁

An interpolation filter 14 generates interpolation data by using four picture cell data and four interpolation coefficients changed in order of arrangement.例文帳に追加

補間フィルタ１４は、４つの画素データと並び替えられた４つの補間係数とを用いて補間データを生成する。 - 特許庁

While a word line, to which a memory cell of a test target is connected, is driven in a defect detection test, driving of a word line to which a memory cell for applying active noise is connected is made possible, wherein data inverse to data written in the memory cell of the test target is written into the memory cell for applying active noise.例文帳に追加

不良検出試験の際に検査対象メモリセルが接続されたワード線を駆動している間に、検査対象メモリセルに書き込まれたデータの逆のデータが書き込まれたアクティブノイズ印加用メモリセルが接続されたワード線を駆動できるようにした。 - 特許庁