「cell data」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To greatly improve data retention characteristics of a second cell (reference cell, redundancy memory cell, OTP area or the like) having a process and a structure almost similar to those of a first cell (memory cell) without unnecessarily increasing the number of steps.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

To substantially improve data retention characteristics of a second cell (a reference cell, a redundancy memory cell, an OTP region, etc.), comprising substantially the same steps and same structure as those of a first cell (memory cell), without increasing the number of steps needlessly.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

When the dynamic reference cell is provided on the same word line with a core cell, the constant current source applied to a core cell data line operates during program verification, so that the difference of current is provided between the core cell and the dynamic reference cell.例文帳に追加

ダイナミックリファレンスセルが、コアセルと供に同一ワードライン上に設けられる場合には、コアセルデータラインに加えられる定電流源がプログラムベリファイ中に動作し、コアセル及びダイナミックリファレンスセル間に電流差を与える。 - 特許庁

The layout design method for a semiconductor integrated circuit includes a dummy cell arrangement step (S2) of arranging a dummy cell (an inter-power-source capacity cell and a buffer cell) in a region where object wiring between a first logic cell and a second logic cell of layout data is arranged.例文帳に追加

半導体集積回路のレイアウト設計方法は、レイアウトデータにおける第１の論理セルと第２の論理セルの間の対象配線が配置される領域に、ダミーセル（電源間容量セル、バッファセル）を配置するダミーセル配置ステップ（Ｓ２）を含む。 - 特許庁

A relocation cell discrimination section 8 is constituted so that a cell is not to be treated as a cell to be rearranged in the case when only a cell identifier differs and the other data are in agreement, in addition to the case when a cell identifier, a cell type name, a pin name of the cell and all signal names given to the pin are in agreement.例文帳に追加

再配置セル判別部８では、セル識別名、セルタイプ名、そのセルのピン名および、そのピンに与えられる信号名が全て一致している場合に加え、セル識別名だけが異なり、それ以外のデータが一致している場合は、再配置すべきセルとして扱わないように構成した。 - 特許庁

When a memory cell A of (n) row (m) column of the main memory is assumed to be a defective cell, data to be written in this memory cell A is previously written in a memory cell A of the (m) column of a spare memory.例文帳に追加

主メモリのｎ行、ｍ列のメモリセルＡが不良であるとすると、このメモリセルＡに書いておくべきデ−タを予備メモリのｍ列のメモリセルＡに予め書いておく。 - 特許庁

This circuit has a memory cell array 1 having non-volatile memory cells MC and a reference cell array 2, and a data '1' state (a state of current-pull-in) is written in a memory cell MC of the reference cell array 2.例文帳に追加

不揮発性のメモリセルＭＣを持つメモリセルアレイ１と、参照セルアレイ２を有し、参照セルアレイ２のメモリセルＭＣには、データ“１”状態（電流引き込みがある状態）に書かれている。 - 特許庁

To avoid data holding failure which is easily caused especially in a low temperature region when holding data of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータ保持時に、特に低温度領域において発生し易いデータ保持不良を回避する。 - 特許庁

A demodulator 106 and a decoder 107 demodulate receiving data from the composite object cell, and decode the data.例文帳に追加

復調部１０６および復号部１０７は、合成対象セルからの受信データを復調し、復号する。 - 特許庁

In the ferroelectric memory 10, a set data on the write time of data into a memory cell is stored in advance.例文帳に追加

強誘電体メモリ１０には、メモリセルへのデータの書込み時間の設定データが予め記憶される。 - 特許庁

In each data buffer 16 having a memory cell array 11 and plural pairs of data line connected to this cell, a spare cell array 11a and a pair of spare data line, and in which each data line and a pair of spare data line are connected, a write-in buffer section of the buffer 16 is constituted of each data buffer and pairs of buffer output terminal.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１とこれに接続される複数のデータ線対、予備セルアレイ１１ａとこれに接続される予備データ線対を有し、各データ線対及び予備データ線対の接続される各データバッファ１６は、書き込みバッファ部がバッファ入力端子対とバッファ出力端子対をもって構成される。 - 特許庁

To read data reliably by reducing the influence of an adjacent memory cell when reading data from a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリの読み出し時に、隣接メモリセルからの影響を低減し、確実な読み出しを行う。 - 特許庁

A sense amplifier 27b outputs data Dout of "0" corresponding to the memory cell in a writing state, i.e., "data 0".例文帳に追加

センスアンプ２７ｂは、書込状態のメモリセル、つまり「データ０」に応じた「０」のデータＤｏｕｔを出力する。 - 特許庁

Setting data of a writing time of data for a memory cell is stored previously in a ferroelectric memory 10.例文帳に追加

強誘電体メモリ１０には、メモリセルへのデータの書込み時間の設定データが予め記憶される。 - 特許庁

Therefore, AAL2pf assembly buffer data and spreading cell takeover data are held at all the time even in the reserve system.例文帳に追加

そのため、予備系においてもＡＡＬ２pf組立バッファデータ、跨りセル引継ぎデータは常に保持されている。 - 特許庁

By this means, noise is directly applied to a data line from which data from the memory cell of the test target is read.例文帳に追加

これにより、検査対象メモリセルからのデータが読み出されたデータ線に直接ノイズを印加する。 - 特許庁

Meanwhile, when the write data includes reset data, it is determined, for a memory cell in which the reset data is written, whether there is an error in the read data read from the memory cell and the write data, and writing is repeatedly implemented using a second mode of writing the data only in a memory cell where errors occur, until there is no more error.例文帳に追加

一方、書込データがリセットデータを含む場合、リセットデータが書き込まれるメモリセルに対し、そのメモリセルから読み込んだ読込データと書込データとに誤りがあるか否かを判定し、誤りがなくなるまで誤りが生じたメモリセルに対してのみ繰り返しデータの書き込みを行う第２モードで書込動作を行う。 - 特許庁

The test cell enables simultaneously both observation of input data and control of output data.例文帳に追加

テストセルは、入力データが観察されることと出力データが制御されることを同時に可能にする。 - 特許庁

The resistance change memory device has: a cell array in which memory cells which store resistance values set reversibly as data are arranged; a sense amplifier which reads data of a selected memory cell of the cell array; and a voltage generation circuit which generates a voltage pulse for converging a resistance status of the selected memory cell according to data after reading data of the selected memory cell.例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置は、可逆的に設定される抵抗値をデータとして記憶するメモリセルが配列されたセルアレイと、前記セルアレイの選択メモリセルのデータを読み出すセンスアンプと、前記選択メモリセルのデータ読み出し後、前記選択メモリセルの抵抗状態を収束させるための電圧パルスをデータに応じて発生する電圧発生回路とを有する。 - 特許庁

This memory is provided with a data latch for temporarily storing data to be transferred with the outside and a plurality of pages being a memory cell group for performing the rewriting of data from the data latch and the reading of the data to the data latch.例文帳に追加

メモリは、外部と授受されるデータを一時的に保持するデータラッチと、データラッチからのデータの書き戻しとデータラッチへのデータの読み出しを行うメモリセル群である複数のページとを備えている。 - 特許庁

Next, a desired expression for calculating data or values of the first cell and the second cell to find out a value is inputted to a third cell of the screen like the spreadsheet.例文帳に追加

次に、スプレッドシート的な画面の第３のセルには、第１のセルと第２のセルの値またはデータから演算して値を出すための所望の式が入力される。 - 特許庁

A sense amplifier 3 discriminates ON cell/OFF cell by amplifying a current flowing in a cell 2, output data from the sense amplifier 3 is latched by latch circuits 41, 42.例文帳に追加

セル２に流れる電流を増幅しＯＮセル／ＯＦＦセルをセンスアンプ３が判定し、このセンスアンプ３からの出力データをラッチ回路４１、４２でラッチする。 - 特許庁

Thereby, input/ output of data of a redundant memory cell can be performed simultaneously with that of data of a normal memory cell 1, the normal memory cell 1 and the redundant memory cell 2 can be tested en bloc, and a test can be realized easily.例文帳に追加

これにより、ノーマルメモリセル１のデータの入出力と同時に冗長メモリセル２のデータの入出力が可能になり、ノーマルメモリセル１と冗長メモリセル２とを一括して検査することが可能であり、テストの容易化を実現できる。 - 特許庁

The data read-out circuits (5-8) identify the first data (D_1) stored in the first memory cell (C_i1) from a reference cell electrical state of the reference cell (R_i, R_ef) and a first electrical state of the first memory cell (C_i1).例文帳に追加

データ読み出し回路（５〜８）は、リファレンスセル（Ｒ_ｉ、Ｒ_ｅｆ）が有するリファレンスセル電気的状態と第１メモリセル（Ｃ_ｉ１）が有する第１電気的状態とから、第１メモリセル（Ｃ_ｉ１）に記憶されている第１データ（Ｄ_１）を同定する。 - 特許庁

A memory cell MC and a dummy memory cell DMC are respectively connected with bit lines BL and /BL at data read, through which a data read current flows.例文帳に追加

データ読出時においては、ビット線ＢＬおよび／ＢＬの一方ずつに、メモリセルＭＣおよびダミーメモリセルＤＭＣが結合されて、データ読出電流が流される。 - 特許庁

Each memory cell stores a plurality of data corresponding to a plurality of potential ranks.例文帳に追加

各メモリセルは、複数の電位ランクに対応した複数のデータを記憶する。 - 特許庁

Each pace buffer P/B latches program data for a selected memory cell.例文帳に追加

各ページバッファＰ／Ｂは、選択されたメモリセルに対するプログラムデータをラッチする。 - 特許庁

In a step S11, a virtual divided wafer 20 is produced based on a dividing cell size data D1 and a dividing cell arrangement data D2 providing a dividing condition.例文帳に追加

ステップＳ１１で、分割条件を規定する分割セルサイズデータＤ１及び分割セル配置データＤ２に基づき仮想分割ウェーハ２０を生成する。 - 特許庁

If a red attribute is set in a cell 31 and a cell 32 in the table data, the data inputted to the cells 31 and 32 are displayed in red.例文帳に追加

表データの中のセル３１とセル３２に赤色の属性を設定しておくと、セル３１とセル３２に入力されたデータが赤色で表示される。 - 特許庁

The acquired cell information is imparted to character data being written.例文帳に追加

取得したセル情報を描画対象文字データに付与して描画を行う。 - 特許庁

The memory cell MT is mapped to any column and can hold data.例文帳に追加

メモリセルＭＴは、いずれかのカラムに関連付けられ、データ保持可能である。 - 特許庁

To improve data holding characteristic of a non-volatile memory cell including an ONO film.例文帳に追加

ＯＮＯ膜を有する不揮発性メモリセルのデータ保持特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a reading method of memory cell data which applies low voltages to memory cells adjacent to a memory cell from which data may be read, and a nonvolatile memory device.例文帳に追加

読み出し対象メモリセルに隣接するメモリセルに低い電圧を印加するメモリセルデータの読み出し方法及び不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a memory cell capable of holding data correctly even when the data held in the memory cell is multi-valued.例文帳に追加

メモリセルの保持データが多値化された場合であっても正確なデータを保持することが可能なメモリセルを有する半導体装置を供給すること。 - 特許庁

RELIABILITY VERIFYING METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND CELL LIBRARY DATA BASE例文帳に追加

半導体集積回路の信頼性検証方法及びセルライブラリデータベース - 特許庁

The write digit line WDL, corresponding to the memory cell row including the memory cell targeted for writing data, is selectively activated, when writing the data.例文帳に追加

データ書込時には、データ書込対象のメモリせルが含まれるメモリセル行に対応するライトディジット線ＷＤＬが選択的に活性化される。 - 特許庁

To provide a method for checking the data cell transfer of an asynchronous exchange system.例文帳に追加

非同期交換系統のデータセル転送のチェック方法を提供すること。 - 特許庁

DATA OUTPUT COMPRESSION CIRCUIT FOR TESTING CELL IN BANK AND ITS METHOD例文帳に追加

バンク内のセルをテストするためのデータ出力コンプレス回路及びその方法 - 特許庁

To reduce the current penetrating a selector in a memory cell when rewriting data.例文帳に追加

データ書き換え時にメモリセル内のセレクタを貫通する電流を低減する。 - 特許庁

CIRCUIT AND COMMUNICATION CHANNEL SYNCHRONIZATION MICRO-CELL SYSTEM FOR INTEGRATING PACKET DATA TRANSMISSION例文帳に追加

回路及びパケット・データ送信統合用の通信チャンネル同期マイクロセル・システム - 特許庁

Since the dummy cell is deteriorated similarly as deterioration of a characteristic of the memory cell caused by increment of the number of times of rewriting of data, data read-out error can be reduced.例文帳に追加

データの書き換え回数の増大によるメモリセルの特性劣化にともなってダミーセルも同様に劣化されるので、データの読み出しエラーを低減できる。 - 特許庁

The quality of each cell Bi can be determined based on the acquired data.例文帳に追加

得られたデータに基づいて各セルＢi の良否を判定することができる。 - 特許庁

The multilevel data of plural picture elements are stored in one cell of the means 23.例文帳に追加

複数画素の多値データを、記憶手段２３の１つのセルに記憶させる。 - 特許庁

Each of the plurality of the memory cells further comprises a first cell for storing a 1 bit fraction of storage data, and a logical operation cell for operating whether or not the retrieval data and the storage data are coincident with each other.例文帳に追加

複数のメモリセルの各々は、記憶データの１ビット分を記憶する第１のセルと、検索データと記憶データとが一致するか否かを演算する論理演算セルとをさらに含む。 - 特許庁

Also, after test data is written in a memory cell, the self-test circuit discriminates whether the data read out from the memory cell is same as the written test data or not, the comparison result is accumulated.例文帳に追加

更に、自己試験回路は、試験データをメモリセルに書き込んだ後に、そのメモリセルから読み出した読み出しデータが、書き込んだ試験データと同じか否かを比較し、その比較結果を蓄積する。 - 特許庁