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cell dataの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3555件
A cell assembling section 2121 of the AAL1 section 212 respectively assembles data (STM data + dummy data) resulting from attaching the dummy data to the STM data by the dummy data attachment section 211 into cells, a cell multiplexer section 2122 multiplexes the cells, and transfers the result to an ATM switch section 12.例文帳に追加
AAL1部212では、ダミーデータ付加部211によりダミーデータを付加された各データ(STMデータ+ダミーデータ)をセル化部2121でそれぞれセル化し、更にこれら各セルをセル多重化部2122で多重化してATMスイッチ部12に転送する。 - 特許庁
The ferroelectric storage device controls so that "L" data write time (4) of the reference cell, "H" data write time (5) of the reference cell, or data read time (6) becomes shorter than the "L" data write time (1) of the normal cells, "H" data write time (2) or the data read time (6), respectively.例文帳に追加
ノーマルセルの“L”データ書き込み時間(1)、“H”データ書き込み時間(2)又はデータ読み出し時間(3)に対して、各々、リファレンスセルの“L”データ書き込み時間(4)、“H”データ書き込み時間(5)又はデータ読み出し時間(6)が短くなるように制御する。 - 特許庁
The second storage sections 29 correspond to the redundant cell arrays 41 and store address data of the main cell arrays 42 that are replaced by the redundant cell arrays 41.例文帳に追加
第2格納部29は、冗長セルアレイ41に対応し、冗長セルアレイ41が置換するメインセルアレイ42のアドレスデータを格納する。 - 特許庁
When reading data, a specific cell of the reference cell arrays is always activated with respect to an address space having one memory cell as a unit.例文帳に追加
データ読み出し時、1つのメモリセルアレイを単位とするアドレス空間に対して、参照セルアレイのうち特定の参照セルが常時活性化される。 - 特許庁
The boundary scan cell 18 constituted as a shift resistor, shifts data in one direction from one boundary scan cell to an adjacent boundary scan cell 18.例文帳に追加
バウンダリスキャンセル18はシフトレジスタとして構成されて、1つのバウンダリスキャンセルから隣接するバウンダリスキャンセル18に一方向でデータをシフトする。 - 特許庁
The regular data and the parity data are exchanged with each other by a a switch circuit SW, so that the regular data can be written to the parity cell array PCA and the parity data can be written to the regular cell array CA1.例文帳に追加
スイッチ回路SWにより、レギュラーデータとパリティデータとを互いに入れ替えることで、レギュラーデータをパリティセルアレイPCAに書き込み、パリティデータをレギュラーセルアレイCA1に書き込むことができる。 - 特許庁
Consequently, when deterioration of data of the PF cell 21 is decided, deterioration of data of the memory cell MC is predicted, and data is rewritten in the memory cell MC by a dara rewriting control circuit 15.例文帳に追加
その結果、PFセル21のデータの劣化が判定された場合に、メモリセルMCのデータの劣化を予測し、データ書き込み制御回路15によりメモリセルMCへのデータの再書き込みを行う構成となっている。 - 特許庁
Then, a redundancy cell array is selected, in place of the normal cell array, in data-input mode and in data-output mode in accordance with the redundancy shift signal.例文帳に追加
そして、リダンダンシシフト信号に応じて、データ入力モードおよびデータ出力モードで、ノーマルセルアレイに代えてリダンダンシセルアレイが選択される。 - 特許庁
An input cell processing section 10 generates data pointer information from a received cell before receiving a distribution parameter, generates a data pointer based on the distribution parameter after receiving the distribution parameter and stores a payload as cell data.例文帳に追加
入力セル処理部10は、分散パラメータの受信前では、入力セルからデータポインタ情報を生成し、分散パラメータの受信後では、分散パラメータにもとづくデータポインタを生成し、セルデータとしてペイロードを格納する。 - 特許庁
A page buffer holds read data read from a memory cell block selected out of a plurality of memory cell blocks, and outputs held data successively.例文帳に追加
ページバッファは、複数のメモリセルブロックのうち選択されたメモリセルブロックから読み出される読み出しデータを保持し、保持したデータを順次出力する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory apparatus for reducing the time for transmitting write data to a memory cell and increasing data retention time of the memory cell.例文帳に追加
本発明は、メモリセルに書込みデータを伝達する時間を改善し、メモリセルのデータ保持時間を向上できる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
To realize stable read-out of data for imprint phenomenon of a ferroelectric memory cell and rewriting of data for the memory cell with a simple circuit.例文帳に追加
強誘電体メモリセルのインプリント現象に対して安定なデータ読み出しと、メモリセルへのデータの書き戻しを単純な回路で実現する。 - 特許庁
To perform the logic resynthesis of gate-level logical data following the alteration of function-level logical data by using a dummy cell in addition to an effective cell.例文帳に追加
機能レベルの論理データ変更に伴うゲートレベルの論理データの再度論理合成を有効セルに加えダミーセルを用いて短期間に行う。 - 特許庁
Further, indication information showing whether or not a display cell S where data should be inputted is at a return position and indication information showing whether or not the display cell is a display cell where data should be inputted are further added for the data input method.例文帳に追加
また、上記データ入力方法に対し、データを入力すべき表示セルSが折返し位置であるか否かの指示情報や、データを入力すべき表示セルSであるか否かの指示情報を更に加味する。 - 特許庁
An expected data rate of a second cell (130) can be determined.例文帳に追加
第2のセル(130)の予想されるデータ速度を判定することができる。 - 特許庁
To provide a cell layout of a semiconductor memory device supporting two data ports.例文帳に追加
2つのポートを有する半導体メモリ装置のセルレイアウトを提供する。 - 特許庁
LOW VOLTAGE FLASH EEPROM MEMORY CELL WITH IMPROVED DATA RETENTION例文帳に追加
改善されたデータ保持を有する低電圧フラッシュEEPROMメモリセル - 特許庁
To prevent the data destruction due to the fluctuation of the threshold voltage of a memory cell.例文帳に追加
メモリセルの閾値電圧の変動によるデータ破壊を未然に防止する。 - 特許庁
I accidentally submerged my cell phone in water, so all the data vanished.例文帳に追加
私は携帯電話を水に沈めてしまったので、データが消失した。 - Weblio Email例文集
A write-back circuit writes the third data back to the first memory cell.例文帳に追加
書き戻し回路は、第3データを第1のメモリセルに対し書き戻す。 - 特許庁
SYSTEM AND METHOD FOR WRITING DATA TO MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加
磁気抵抗ランダムアクセスメモリセルにデータを書き込むためのシステム及び方法 - 特許庁
To perform a data reading operation only by accessing a selection memory cell.例文帳に追加
選択メモリセルに対するアクセスのみでデータ読出動作を実行する。 - 特許庁
To reduce a cell area while realizing processing of a large amount of data.例文帳に追加
大量のデータ処理を実現しつつ、セル面積の縮小を図る。 - 特許庁
The signal processing section converts the polar coordinate signal into six-dimensional cell data.例文帳に追加
信号処理部は、極座標信号を、6次元セルデータに変換する。 - 特許庁
To surely set each pixel cell to a state according to a pixel data.例文帳に追加
各画素セルを確実に画素データに応じた状態に設定すること。 - 特許庁
The memory device includes a memory cell array, a test data storage section and a decision section.例文帳に追加
メモリ装置はメモリセルアレイ、テストデータ貯蔵部、及び判断部を含む。 - 特許庁
REFRESH-MODE DRIVING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CELL DATA PROTECTING CIRCUIT例文帳に追加
半導体メモリ装置のリフレッシュモード駆動方法及びセルデータ保護回路 - 特許庁
To prevent gate disturbance at the time of writing defective address data in a memory cell.例文帳に追加
メモリセルへの不良アドレスデータ書き込み時のゲートディスターブを回避する。 - 特許庁
An operation control circuit 2 controlling write-in to a memory cell of a memory cell array 1 is provided between the memory cell array 1, a data input buffer 3, and a data output buffer 4.例文帳に追加
メモリセルアレイ1とデータ入力バッファ3及びデータ出力バッファ4の間には、メモリセルアレイ1のメモリセルへの書き込みを制御する演算制御回路2が設けられている。 - 特許庁
To invert a data stored in a memory cell while correctly reading the data stored in each memory cell, even when a memory cell array is composed of a plurality of memory cells.例文帳に追加
複数のメモリセルにてメモリセルアレイが構成される場合においても、個々のメモリセルに記憶されているデータの正確な読み出しを可能としつつ、メモリセルに記憶されているデータを反転する。 - 特許庁
Then the downlink scheduler 20 uses a coding frame selection stage 36 to encode a data cell from a cell switch 22 and transmits the coded data cell to a downlink modulator 24 via the selected retail connection.例文帳に追加
そして、ダウンリンク・スケジューラ20は、セル・スイッチ22からのデータ・セルをにコーディング・フレーム選択ステージ36でコーディングし、そして、選択されたレテイル接続を介してダウンリンク変調器24に送る。 - 特許庁
Then, the writing is prohibited in the memory cell corresponding to the address data stored in the register by the output of the column address data, the row address data, the writing enable data, and the like of the memory cell to which writing is performed from a logic circuit for writing in the memory cell.例文帳に追加
次に、メモリセルへの書き込みをおこなうために、論理回路から書き込みするメモリセルの列アドレスデータ、行アドレスデータ、書き込みイネーブルデータ等の出力により、レジスタに格納したアドレスデータに相当するメモリセルへの書き込みを禁止する。 - 特許庁
All priority and non-priority data flows may be admitted if cell loading is light, only priority data flows may be admitted if the cell loading is heavy, and priority data flows and selected non-priority data flows may be admitted if the cell loading is moderate.例文帳に追加
また、セル・ローディングが軽い場合、全ての優先及び非優先データ・フローが承認され、セル・ローディングが重い場合、優先データ・フローのみが承認され、セル・ローディングが中位の場合、優先データ・フロー及び選択された非優先データ・フローが承認され得る。 - 特許庁
A pair of word line accesses a memory cell so that any word line being enabled accesses data in a memory cell.例文帳に追加
イネーブルされたいずれかのワード線がメモリセル内のデータへアクセスするように一対のワード線がメモリセルへアクセスする。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device that can suppress variation in the threshold level of an already-written cell by writing data to the adjacent cell.例文帳に追加
隣接セルの書き込みにより、既に書き込まれたセルの閾値レベルの変動を抑制することを可能とする。 - 特許庁
The resistive state of the memory cell to be read is indicative of the data bit stored by the memory cell.例文帳に追加
上記読み出されるメモリセルの抵抗状態は、上記メモリセルによって記憶されたデータビットを表している。 - 特許庁
In addition, each of the cells is defined such that each other cell remains unaffected by changes to data objects of the cell.例文帳に追加
さらに、セルの各々は、セルのデータオブジェクトへの変更による影響を他の各セルが受けないように定義される。 - 特許庁
A sense amplifier compares a current flowing in the memory cell with the reference voltage and detects data read out from the memory cell.例文帳に追加
センスアンプは、メモリセルに流れる電流と基準電圧を比較してメモリセルから読み出されたデータを検出する。 - 特許庁
In data rewriting processing, write-in operation and erasure operation are performed even to a dummy cell 16 similarly to a memory cell.例文帳に追加
データ書き換え処理において、ダミーセル16に対してもメモリセルと同様に書き込みと消去が実行される。 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND METHOD FOR CONTROLLING DATA WRITE/READ AT NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL例文帳に追加
不揮発性半導体メモリセル、並びに、不揮発性半導体メモリセルにおけるデータ書き込み・読み出し制御方法 - 特許庁
A decision as to whether to use a cell for data transmission is made depending on a measured congestion level in the cell.例文帳に追加
データ伝送用のセルを使用するか否かに関する判定が、セルの混雑度の測定値に基づいてなされる。 - 特許庁
A comparison processing is performed for every cell of two data files and the difference is displayed while dividing a relevant cell.例文帳に追加
2つのデータファイルのセルごとに比較処理を行い、その差分を、該当するセルを分割して表示する。 - 特許庁
The input/output circuit band 13 inputs and outputs selectively data in/from the memory cell array 11 and the memory cell 12.例文帳に追加
入出力回路帯13は、メモリセルアレイ11とメモリセルアレイ12とに選択的にデータを入出力する。 - 特許庁
The reference memory cell section 3 includes a reference memory cell 3a for detecting the data holding state for a non-operation period.例文帳に追加
参照メモリセル部3は、非動作期間のデータ保持状態を検出するための参照メモリセル3aを含む。 - 特許庁
To always hold a reference level at a predetermined constant level during data reading from a normal cell in a ferroelectric memory device for comparing the potential of data read from the normal cell with the reference level of the reference cell to determine whether the read data is "H" data or "L" data.例文帳に追加
ノーマルセルから読み出したデータの電位をリファレンスセルのリファレンスレベルと比較して、その読み出しデータが”H”データか”L”データかを判別する強誘電体記憶装置において、ノーマルセルからのデータの読み出し時には、前記リファレンスレベルを常に所定の一定レベルに保持する。 - 特許庁
The entry data storing means 150 stores bidirectional cell header data at every one of a plurality of addresses 305 by correlating the data to each other.例文帳に追加
エントリデータ記憶手段150は複数のアドレス305の各々毎に双方向のセルヘッダデータを対応付けて記憶する。 - 特許庁
A data access circuit is provided while being made to correspond to a data terminal to input or output data to/from a corresponding memory cell array.例文帳に追加
データアクセス回路は、データ端子に対応して設けられ、対応するメモリセルアレイに対してデータを入力または出力する。 - 特許庁
To transmit data read out from a memory cell at high speed in a semiconductor integrated circuit which performs delivery and receipt of data for the out side with series data and performs writing and reading data in/from a memory cell with parallel data.例文帳に追加
本発明は、外部とのデータの受け渡しを直列データで行い、メモリセルへのデータの読み書きを並列データで行う半導体集積回路に関し、特に、メモリセルから読み出されるデータを高速に伝達することを目的とする。 - 特許庁
Thereby, a DRAM which can store ternary data of high voltage data, low voltage data, and intermediate voltage data in one memory cell can be obtained.例文帳に追加
これにより、相補データを利用して、高電圧データ,低電圧データおよび中間電圧データの3値データを1つのメモリセルに保持させうるDRAMが得られる。 - 特許庁
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