「compound resonator」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor laser element 50 having a pair of almost parallel resonator faces A and B is provided with a first metallic compound film 25 formed on one resonator face A, a metal film 26 formed on the first metallic compound film 25, a second metallic compound film 27 formed on the metal film 26, and a compound multilayer film 22.例文帳に追加

互いに略平行な一対の共振器面Ａ，Ｂを有する半導体レーザ素子において、この一対の共振器面の一方の共振器面Ａ上に形成された第１の金属化合物膜２５と、この第１の金属化合物膜２５上に形成された金属膜２６と、この金属膜２６上に形成された第２の金属化合物膜２７と、からなる複合多層膜２２を有する半導体レーザ素子５０とする。 - 特許庁

The sheet-form compound drying device has its basic portion consisting of a cavity resonator 1 exciting an electric field having a very high intensity and approximately uniform in the width direction of sheet-form compound W.例文帳に追加

シート状の組成物乾燥装置における基本的な部分は、シート状の組成物Ｗの幅方向にほぼ均一できわめて強い電界を励起する空胴共振器１である。 - 特許庁

A stripe part, extended in the direction of a <011> crystal axis of a compound semiconductor substrate 1 with {100) crystal surface as a main surface, a laser resonator is constituted at the stripe part, and the width of the stripe part is wider than the central part and the other end face of the laser resonator in one end face of the laser resonator.例文帳に追加

｛１００｝結晶面を主面とする化合物半導体基板１の＜０１１＞結晶軸方向に延長するストライプ部が段差部４１間に形成され、このストライプ部にレーザー共振器が構成され、ストライプ部の幅が、レーザー共振器の一端面において、レーザー共振器の中央部および他端面に比し幅広とされる。 - 特許庁

While forming four vertically coupled resonators type surface acoustic wave filters 81-84 and a surface acoustic wave resonator 90 both of which are of a 3IDT type and formed on a piezoelectric substrate, the compound surface acoustic wave device is constituted such that a capacitor 92 is connected in parallel with the surface acoustic wave resonator 90.例文帳に追加

それぞれ３ＩＤＴ型の４つの縦結合共振子型弾性表面波フィルタ８１〜８４と弾性表面波共振子９０を圧電基板上に形成するとともに弾性表面波共振子９０に対してキャパシタ９２を並列接続する。 - 特許庁

An III-family nitride-system compound semiconductor laser diode 100 is provided with a substrate 1, a III-family nitride-system compound semiconductor layer 3, and a resonator Rd in a rectangular parallelepiped shape being formed by etching by laminating a plurality of III-family nitride-system compound semiconductor layers at the upper portion.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体レーザダイオード１００は、基板１と、III族窒化物系化合物半導体層３と、その上部に複数のIII族窒化物系化合物半導体層を積層しエッチングで形成された直方体状の共振器Ｒｄを有する。 - 特許庁

In the semiconductor laser using the nitride III-V compound semiconductor, the end face coat film 20 is formed in the edge face 18 of the resonator formed by cleavage etc. via an adhesion layer.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、劈開などにより形成される共振器端面１８に密着層を介して端面コート膜２０を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride III-V compound semiconductor laser element and a manufacturing method therefor which has a flatter resonator end face than a conventional one and a low threshold current.例文帳に追加

従来に比べて平坦な共振器端面を備え、閾値電流が低い窒化物系III−Ｖ族化合物半導体レーザ素子及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To sharpen the high frequency end of the passband curve of a compound surface acoustic wave(SAW) filter serially connecting first-third longitudinal coupling double mode SAW filters and an SAW resonator.例文帳に追加

１次−３次縦結合二重モード弾性表面波フィルタと弾性表面波共振子とを直列接続した複合弾性表面波フィルタの通過帯域の高域端を急峻にする。 - 特許庁

The compound semiconductor laser is a compound semiconductor laser comprising a resonator having a two- or three-dimensional refractive index periodic structure and having at least two different oscillating wavelengths, and the refractive index periodic structure has at least two different repetitive periods.例文帳に追加

本発明の化合物半導体レーザは、２次元又は３次元の屈折率周期構造を有する共振器を備えた化合物半導体レーザであって、少なくとも２つの異なる発振波長を有し、かつ前記屈折率周期構造が少なくとも２つの異なる繰り返し周期を有することを特徴とする。 - 特許庁

The compound SAW filter is configured by forming the first- third longitudinal coupling double mode SAW filters, the SAW resonator and an IDT electrode for capacitor on a piezoelectric substrate, serially connecting the first-third longitudinal coupling double mode SAW filters and the SAW resonator and parallel connecting the IDT electrode for capacitor between the stages.例文帳に追加

圧電基板に１次−３次縦結合二重モード弾性表面波フィルタと、弾性表面波共振子と、コンデンサ用ＩＤＴ電極とを形成し、前記１次−３次縦結合二重モード弾性表面波フィルタと前記弾性表面波共振子と直列に接続すると共に、その段間に前記コンデンサ用ＩＤＴ電極を並列接続して複合弾性表面フィルタを構成する。 - 特許庁

A metal fixing material is beforehand vapor-deposited on the surface 13a of a quartz resonator 13 provided at a film thickness monitor 12, thereafter, alkali metal is vapor-deposited on an organic compound layer in a stacked body S1 as a example of the object to be vapor-deposited and on the surface 13a of the quartz resonator 13 with the metal fixing material vapor-deposited.例文帳に追加

膜厚モニター１２が備える水晶振動子１３の表面１３ａに金属固定材を予め蒸着させておき、その後で被蒸着対象の一例である積層体Ｓ１の有機化合物層と、金属固定材が蒸着された水晶振動子１３の表面１３ａにアルカリ金属を蒸着する。 - 特許庁

The piezoelectric resonator element is characterized in that vibration electrodes 11, 12 are formed at the centers of both major sides of a piezoelectric substrate 1 having rectangular major sides opposite to each other, the piezoelectric substrate 1 is made of a bismuth layered compound and corners of longer sides of both the major sides of the piezoelectric substrate 1 are chamfered.例文帳に追加

長方形状の主面を有する圧電基板１の両主面中央部に、振動電極１１、１２を対向して形成してなるとともに、圧電基板１がビスマス層状化合物からなり、且つ圧電基板１の両主面の長辺角部が面取りされていることを特徴とする。 - 特許庁

The sheet-form compound W to be dried is heated in receiving the action of the electric field generated in the cavity while it passes through the cavity resonator 1 via openings 4a and 5a, and high efficiency drying is conducted owing to quick evaporation of a dissolving agent used as the solvent.例文帳に追加

乾燥すべきシート状の組成物Ｗは、開口４ａ，５ａを介して空胴共振器１内を通過する際に、空胴内に発生している電界の作用を受けて加熱され、溶剤として使用されている溶媒が急速に蒸発する結果、高効率の乾燥が行われる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, in which the adhesiveness is improved, deterioration at the end face part is suppressed, operation current increases extremely little during energization, and the life is significantly improved, when an end face coat film is formed on an edge face of a resonator formed by processing a nitride III-V compound semiconductor.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を加工することにより形成される共振器端面に端面コート膜を形成する場合にその密着性を向上させ、端面劣化を抑制し、通電中の動作電流の増加を抑制し、寿命の大幅な向上が可能な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser by which the manufacturing yield of the semiconductor laser can be improved by obtaining an optical resonator composed of a good cleavage plane without changing the characteristics of a compound semiconductor laminate by suppressing the occurrence of defects, such as cracking, chipping, etc., in a laser scribing method.例文帳に追加

レーザスクライブ法におけるクラックやチッピング等の欠陥の発生が抑制され、化合物半導体積層物の特性を変化させずに、良好な劈開面である光共振器を得て、ひいては製品歩留を向上せしめた、半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The cavity resonator 1 generates an intense electric field uniform in the sheet width direction, and the electric field heats selectively the solvent in the sheet-form compound, which allows uniform drying with good efficiency and accomplishing suppression of the space and saving the energy.例文帳に追加

空胴共振器１によってシートの幅方向に均一で強い電界が得られ、この電界がシート状の組成物中の溶媒を選択加熱する結果、効率の良い均一乾燥が得られ、併せて、省スペース、省エネルギーが図れる。 - 特許庁

When a semiconductor laser using a III-V nitride compound semiconductor is manufactured, III-V nitride compound semiconductor layers 2, 3 are grown on different types of substrates such as, for example, a sapphire substrate 1, and then a part near the forming position of the end face of the resonator of the layers 2, 3 is separated from the substrate 1 by irradiating the substrate with an ultraviolet laser beam.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザを製造する場合において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層２、３を異種基板、例えばサファイア基板１上に成長させた後、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層２、３のうち共振器端面の形成位置の近傍の部分を紫外レーザ光の照射により基板１から剥離させる。 - 特許庁

The semiconductor laser has a laser structure made of a nitride-based group III-V compound semiconductor, a pair of cleavage planes 37 and 38 formed in a resonator direction of the laser structure, a coating 39 formed on a laser light projection side between the pair of cleavage planes 37 and 38, and a p-side electrode 35 and an n-side electrode 36 for injecting a current into the laser structure.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるレーザ構造と、そのレーザ構造の共振器方向に形成された一対のへき開面３７，３８と、その一対のへき開面３７，３８のうちレーザ光の射出側に形成された被膜３９と、レーザ構造に電流を注入するためのｐ側電極３５およびｎ側電極３６とを備える。 - 特許庁

In a thin-film bulk acoustic resonator manufacturing method having an elastic resonant film in which at least a lower part electrode, a piezoelectric film and an upper part electrode are laminated, a lower part electrode 12 is firstly formed on a substrate 10, and a piezoelectric film 13 is formed by a non-reactive sputtering which targets compound materials expressing piezoelectric property on an upper layer of the lower part electrode 12.例文帳に追加

少なくとも下部電極、圧電膜および上部電極を積層させてなる弾性共振膜を有する薄膜バルク音響共振子の製造する方法であり、まず、基板１０に下部電極１２を形成し、下部電極１２の上層に圧電性を発現する化合物材料をターゲットとする非反応性スパッタリングにより圧電膜１３を形成する。 - 特許庁

At least one layer of a laminated structure constituting the ridge section of the element 12 is composed of Al oxide layers 8 respectively formed in two areas on the inside of both side faces of the ridge section on the cross section of the element 12 cut perpendicularly to the direction of a laser resonator and an electrically opened compound semiconductor layer 5 formed between the Al oxide layers 8.例文帳に追加

リッジ部を構成する積層構造体の少なくとも一層は、レーザ共振器方向と直交する断面で見て、両リッジ側面から内方に向かった二つの領域にそれぞれ形成されたＡｌ酸化層８と、Ａｌ酸化層の間に形成され、電気的に開口している化合物半導体層５とから構成されている。 - 特許庁

When manufacturing the nitride compound semiconductor light-emitting element by forming a layer by a nitride semiconductor on a substrate, where dislocation density is distributed in a plane, and a semiconductor layer that becomes a substrate, a stripe shape is formed so that the width of a resonator end face side becomes larger and the width of a center becomes narrower.例文帳に追加

転位密度が面内で分布している基板や下地となる半導体層上に窒化物半導体による層を形成して窒化物化合物半導体発光素子を作製するとき、ストライプ形状を、共振器端面側の幅が広くなるようにするとともに中央部分の幅が狭くなるような形状とする。 - 特許庁

The vertical resonator type semiconductor laser element comprises a pair of upper and lower multilayer reflectors disposed on a semiconductor substrate wherein at least one multilayer reflector is formed of a pair of compound semiconductor layers having a lattice constant larger than that of the semiconductor substrate and a lattice constant lower than that of the semiconductor substrate, respectively, and the band gap wavelength of the pair of compound semiconductor layers is shorter than the laser oscillation wavelength.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、一対の下部多層膜反射鏡、及び上部多層膜反射鏡を半導体基板上に有する垂直共振器型の半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の多層膜反射鏡が、半導体基板の格子定数より格子定数が大きい化合物半導体層と、半導体基板の格子定数より格子定数が小さい化合物半導体層とのペアで形成され、かつペアを構成する化合物半導体層のバンドギャップ波長が、レーザ発振波長より小さい。 - 特許庁

The ceramic support member 3 for supporting a dielectric resonator is made of an alumina sintered body containing alumina in an amount of not less than 99.3 mass%, and Si and Sr, comprising alumina crystal grains as the major crystal grains and a crystal phase of a compound containing Si, Al, Sr and oxygen elements present on the grain boundaries of the alumina crystal grains.例文帳に追加

誘電体共振子を支持するために用いられる支持部材であって、アルミナを９９．３質量％以上含有し、ＳｉおよびＳｒを含有するとともに、アルミナ結晶粒子を主結晶粒子としてなり、前記アルミナ結晶粒子の粒界にＳｉ、Ａｌ、Ｓｒおよび酸素元素を含有する化合物の結晶相が存在するアルミナ質焼結体を支持部としたことを特徴とするセラミック支持部材３とする。 - 特許庁