「crystal surface layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To improve the quality of the surface of a silicon-single crystal layer.例文帳に追加

シリコン単結晶層の表面の品質を改善する。 - 特許庁

A heterojunction surface formed on the boundary surface between the first layer and second layer is disposed on a crystal surface perpendicular to a (0001) crystal surface.例文帳に追加

前記第１層と前記第２層との境界面に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。 - 特許庁

A crystal layer 13 is formed on one surface side of a substrate 11 for growing a crystal via a buffer layer 12.例文帳に追加

成長用基板１１の一面側にバッファ層１２を介して結晶層１３が設けられている。 - 特許庁

The liquid crystal alignment layer wherein a static frictional coefficient between the surface of the liquid crystal alignment layer and rubbing cloth is 0.3 or more and a method of manufacturing the liquid crystal alignment layer, are provided.例文帳に追加

膜表面とラビング用布との静摩擦係数が０．３以上である液晶配向膜および液晶配向膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of an electrooptical crystal layer 15, a reflection prevention layer 14 and a reflection layer 16 are formed.例文帳に追加

電気光学結晶層１５表面に反射防止層１４及び反射層１６が形成される。 - 特許庁

Next, a silicon single-crystal layer 12 is superimposed on the surface of the additional silicon oxide layer 14.例文帳に追加

次に、追加酸化シリコン層１４の表面にシリコン単結晶層１２を重ね合わせる。 - 特許庁

A vertical alignment layer is formed on the surface in the liquid crystal layer side of each substrate 1, 2.例文帳に追加

各基板１、２の液晶層側の面には垂直配向膜が設けられている。 - 特許庁

To flatten the surface of an insulating layer where a single crystal silicon layer is laminated.例文帳に追加

単結晶シリコン層が貼り合わされる絶縁体層表面を平坦化すること。 - 特許庁

A silicon carbide single crystal layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and a surface-roughened layer 3 having the surface large in unevenness in comparison with that of the surface of the silicon carbide single crystal layer 2 is formed on the silicon carbide single crystal layer 2.例文帳に追加

珪素基板１の上に炭化珪素単結晶層２を形成したのち、この炭化珪素単結晶層２の上に、該炭化珪素単結晶層２の表面と比較して表面の凹凸が大きな表面荒れ層３を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implanting layer where the disturbance of crystal and the roughness of a crystal surface is reduced.例文帳に追加

結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。 - 特許庁

In the antiferromagnetic layer 53, the crystal orientation of the crystalline surface (002) is carried out in parallel with the surface of the base layer.例文帳に追加

反強磁性層５３では下地層の表面に平行に（００２）結晶面が結晶配向される。 - 特許庁

STRUCTURE HAVING PHOTONIC CRYSTAL LAYER AND SURFACE EMITTING LASER INCLUDING SAME例文帳に追加

フォトニック結晶層を有する構造体、それを用いた面発光レーザ - 特許庁

A sidewall surface of the thin-film crystal layer is retracted from an end of the substrate.例文帳に追加

薄膜結晶層の側壁面は基板の端より後退している。 - 特許庁

SURFACE PROCESSING METHOD OF AlN CRYSTAL, AlN CRYSTAL SUBSTRATE THE AlN CRYSTAL SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＡｌＮ結晶の表面処理方法、ＡｌＮ結晶基板、エピタキシャル層付ＡｌＮ結晶基板および半導体デバイス - 特許庁

The silicon crystal layer is divided into island-shaped layers having a characteristic length of 0.5 mm or more to 10 mm or less in a surface parallel to the layer surface of the silicon crystal layer.例文帳に追加

シリコン結晶層は、シリコン結晶層の層面に対して平行な面内において、０．５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の特性長さを持つ島状に区分されている。 - 特許庁

On the surface (lower surface) of the transparent conductive layer 12, the reflection prevention layer 14 of the electrooptical crystal layer is bonded putting an adhesive layer 13 in between.例文帳に追加

透明導電層１２の表面（下側表面）に接着剤層１３を介して電気光学結晶層の反射防止層１４が貼り付けられる。 - 特許庁

The first opening is filled with a single crystal layer which has grown from the surface of an N-type epitaxial layer 5 and a poly-crystal layer which has grown from part of the bottom of the P-type poly-crystal silicon layer 11, and the single crystal layer includes at least the P-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

第１の開口はＮ型のエピタキシャル層５の表面から成長した単結晶層とＰ型の多結晶シリコン層１１の底面の一部から成長した多結晶層で埋められ、上記単結晶層は少なくともＰ型の単結晶シリコン層を含む。 - 特許庁

On the top surface of this inter-layer insulating film 12, the single-crystal silicon layer is stuck and the single-crystal silicon layer forms the transistor element.例文帳に追加

この第１層間絶縁膜１２の表面上に単結晶シリコン層を貼り合わせ、単結晶シリコン層によりトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁

A polymer layer to slightly tilt an alignment direction of a liquid crystal molecule in a liquid crystal layer away from a direction vertical to the liquid crystal layer surface is formed on a surface of a vertical molecular alignment layer, and simultaneously the liquid crystal display device is subjected to over-driving.例文帳に追加

垂直分子配向層の表面に、液晶層中の液晶分子の配向方向を液晶層の面に垂直な方向からわずかに傾斜させる高分子層を形成し、同時に液晶表示装置をオーバードライブ駆動する。 - 特許庁

In this surface crystal layer 16, an internal layer 18 is formed of, e.g. AlGaN.例文帳に追加

この表面結晶層１６の内部には、例えばＡｌＧａＮからなる内部層１８を形成する。 - 特許庁

Epitaxial growth of a crystal Si layer is made on a substrate having a porous Si layer on the surface.例文帳に追加

多孔質Ｓｉ層を表面に有する基板上に、結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A field oxide film 13 is formed in the main front surface of the single-crystal silicon layer, which divides the single crystal silicon layer into a plurality of the single crystal silicon layers 3.例文帳に追加

フィールド酸化膜１３は単結晶シリコン層の主表面に形成され、単結晶シリコン層を複数の単結晶シリコン層３に分離している。 - 特許庁

To provide a single-crystal silicon wafer small in crystal defects of a surface layer part, high in surface layer strength, and suitable for a substrate for highly-integrated device.例文帳に追加

表層部の結晶欠陥が少なく、かつ表層強度が高い、高集積化デバイス用基板として好適な単結晶シリコンウェーハの提供。 - 特許庁

The optical anisotropic layer is provided on the surface close to the liquid crystal cell.例文帳に追加

前記光学異方性層は、液晶セルに近い面上に設けられる。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted onto the surface of a single-crystal Si substrate 10, and a hydrogen ion implantation layer is formed on the surface layer of the single-crystal Si substrate 10.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面に水素イオンを注入し、単結晶Ｓｉ基板１０の表層に水素イオン注入層を形成する。 - 特許庁

The content of the element P in the main layer 2a is more than that of the element P in the surface layer 2b, the main surface 2a is an amorphous layer and the surface layer 2b is a crystal layer.例文帳に追加

前記主層２ａに含まれる元素Ｐの含有量は、前記表面層２ｂに含まれる元素Ｐの含有量に比べて多く、主層２ａはアモルファス層であり、表面層２ｂは結晶層である。 - 特許庁

After the formation of the alignment layer 3, the surface is coated with a lyotropic liquid crystal in a liquid crystal state.例文帳に追加

同配向膜３形成後、その表面に、液晶状態にあるリオトロピック液晶が塗布される。 - 特許庁

To modify a single-crystal silicon layer on the surface of a substrate to single-crystal silicon carbide quickly and uniformly.例文帳に追加

基板表面の単結晶シリコン層を短時間で均一に単結晶炭化シリコンに変成させる。 - 特許庁

To modify a single crystal silicon layer on a substrate surface into single crystal silicon carbide in a short period of time by heating.例文帳に追加

基板表面の単結晶シリコン層を短時間で加熱して単結晶炭化シリコンに変成させる。 - 特許庁

A carbide film layer is formed on the surface layer of the (0001)silicon surface of the silicon carbide seed crystal, and the surface side of the carbide film layer of the seed crystal is adhered to a supporting member, and the silicon carbide single crystal is grown.例文帳に追加

炭化珪素種結晶の（０００１）シリコン面表層に炭化膜層を形成し、前記炭化膜層を形成した前記種結晶を前記炭化膜層の面側を支持部材に接着し、炭化珪素単結晶を成長する。 - 特許庁

A first electrode layer 2, a crystal orientation control layer 3, a piezoelectric body layer 4, a second electrode layer 5 and a vibration layer 6 are sequentially formed on one surface of a substrate 1.例文帳に追加

基板１の一方側の面上に第1電極層2、結晶配向制御層3、圧電体層4、第2電極層5及び振動層6を順次成膜する。 - 特許庁

The substrate on which the liquid crystal is printed is heated and the surface tension of the surface of an alignment layer and the liquid crystal is lowered to fit the interface therebetween and the liquid crystal layer is flattened.例文帳に追加

さらに、液晶を印刷した基板を加温して配向膜表面と液晶の表面張力を低下させ、両者の界面をなじませるとともに、液晶層を平坦化する。 - 特許庁

With a main surface being exposed at an opening as a sheet crystal part, an amorphous silicon layer is single-crystallized by a solid-phase epitaxial growth, and a single-crystal silicon layer 45 as a third layer is formed.例文帳に追加

単結晶シリコン層４５が選択的にエッチング除去されることにより、埋め込みゲート電極１１、１３、１５、１７が形成される。 - 特許庁

A single crystal silicon substrate 101 is prepared, an isolation layer 102 is formed on its surface, and a single crystal silicon layer 103a is formed on the layer 102.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０１を用意し、その表面に分離層１０２を形成し、その上に単結晶シリコン層１０３ａを形成する。 - 特許庁

The medium includes, from an observation surface side, a cholesteric liquid crystal layer 12, a left-handed circularly polarized light filter layer 20 and an aluminum reflection layer 16.例文帳に追加

観察面側から、コレステリック液晶層１２、左円偏光フィルタ層２０、アルミ反射層１６と配置する。 - 特許庁

The metallic oxide layer 27 is a plate-like crystal layer formed by plate-like crystal containing aluminum oxide as a main component and the surface of the plate-like crystal layer has a rugged shape.例文帳に追加

金属酸化物層が、酸化アルミニウムを主成分とする板状結晶から形成されている板状結晶層であり、かつ前記板状結晶層の表面が凹凸形状からなる。 - 特許庁

The single crystal semiconductor layer is melted by laser beam irradiation, thereby the single crystal semiconductor layer is recrystallized to recover its crystallinity and a surface of the single crystal semiconductor layer is planarized.例文帳に追加

レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。 - 特許庁

The pixel electrode layer is formed over a structure body which projects into the liquid crystal layer from a surface of a first substrate on the liquid crystal layer side, and the pixel electrode layer is positioned between the first common electrode layer and the second common electrode layer in the liquid crystal layer.例文帳に追加

画素電極層は第１の基板の液晶層側の面から液晶層に突出して設けられた構造体の上部に形成され、液晶層中において画素電極層は第１の共通電極層と第２の共通電極層との間に配置される。 - 特許庁

Then, the surface-roughened layer 3, the silicon carbide single crystal layer 2 and the silicon base plate 1 are mounted on a pedestal 4 so that the surface of the surface-roughened layer 8 is brought into contact with the pedestal 4.例文帳に追加

そして、表面荒れ層３の表面が接触するように、表面荒れ層３と炭化珪素単結晶層２及び珪素基板１を台座４に載置する。 - 特許庁

In the semiconductor wafer 1, with which a compound crystal layer 4 is formed on the silicon crystal wafer 2, and the manufacturing method therefor, an SiGe crystal layer 3 is formed on the surface of the silicon crystal wafer 2, the surface side of the SiGe crystal layer 3 is made porous, and the compound crystal layer 4 is formed on the surface of the porous SiGe crystal layer.例文帳に追加

シリコン結晶基板２上に化合物結晶層４を形成した半導体基板１であって、前記シリコン結晶基板２の表面上にＳｉＧｅ結晶層３が形成され、該ＳｉＧｅ結晶層３の表面側が多孔質化しており、該多孔質ＳｉＧｅ結晶層の表面に化合物結晶層４が形成されてなるものであることを特徴とする半導体基板１及びその製造方法。 - 特許庁

The intermediate layer 12 has a crystal surface at least on the side where the semiconductor layer 20 is formed.例文帳に追加

中間層１２は少なくとも半導体層２０が形成される側の表面が結晶とされている。 - 特許庁

A heat insulating layer 2 and a heat generation layer 1 are provided on one surface of a single-crystal silicon substrate 3.例文帳に追加

単結晶シリコンの基板３の一表面に熱絶縁層２と発熱層１とが設けられる。 - 特許庁

On the surface of the recess region 7, a mixed crystal layer 8 composed of a SiGe layer is epitaxially grown.例文帳に追加

次いで、リセス領域７の表面に、ＳｉＧｅ層からなる混晶層８をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The blue light after being modulated by the liquid crystal layer is made incident on the back surface of a phosphor material arranged on the liquid crystal layer.例文帳に追加

青色光は、液晶層により調整された後、液晶層の上に配置した蛍光体材料の底表面に入射する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal device, by which an inorganic gas barrier layer of satisfactory quality can be formed on the side surface of the liquid crystal cell for securing long-term reliability, the gas barrier layer preventing intrusion of gas in a liquid crystal layer from a side surface of a liquid crystal cell.例文帳に追加

長期信頼性を確保するため液晶セル側面から液晶層へのガスの侵入を阻止する良質な無機ガスバリア層が液晶セル側面に形成できるようにした液晶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁