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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > dramsに関連した英語例文

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dramsを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 61



例文

To prevent decreases in area efficiency, performance and wiring efficiency which result from imbalances in dimensional ratios with miniaturized control circuits brought by the development of microfabrication process such as a process of fabricating large-capacity DRAMs as hard macros.例文帳に追加

大容量のDRAMをハードマクロとして構成する場合等、プロセス微細化に伴い、制御回路群の微細化に伴うスケール比の不均衡により面積効率、性能、配線効率の低下要因を防止する。 - 特許庁

As in the above mentioned case, suffering losses as a result of the Asian financial crisis, Korean semiconductor company Hynix Semiconductor was granted certain subsidies including new loans and debt relief by financial institutions, including banks managed by the Korean Government. Concerned that DRAMs produced by Hynix was causing injury to domestic industry in Japan, Elpida Memory Inc. and Micron Japan, Ltd. submitted a petition to the Government of Japan on June 16, 2004, requesting that countervailing duties be imposed upon Korean imports of DRAMs.例文帳に追加

上記と同様、アジア通貨危機を機に深刻な経営危機に陥った韓国ハイニックス社が、韓国政府系金融機関から新規融資、債務免除等の支援措置を受けて、DRAMを輸出したことにより、国内産業に損害を与えている疑いがあるとして、2004年6月16日、我が国半導体企業2社(エルピーダメモリ株式会社及びマイクロンジャパン株式会社)から相殺関税課税申請が提出された。 - 経済産業省

There was only one case that was investigated in Japan before the inauguration of the WTO. Japan initiated an investigation of DRAMs manufactured by Hynix of Korea in 2004 and issued a final determination on January 27, 2006, imposing countervailing duties.例文帳に追加

補助金・相殺関税の賦課について、我が国ではWTO発足以前において調査を行った事例が1件(注)あるのみであったが、韓国ハイニックス社製DRAMに対して2004年に調査を開始し、2006年1月より相殺関税を賦課している。 - 経済産業省

To realize a refreshing operation without an increase in circuit area and to prevent an increase in peak current even when a plurality of DRAMs are simultaneously subjected to refreshing operation in a system LSI in which a plurality of memories are arranged.例文帳に追加

メモリが複数配置されるシステムLSIなどにおいて、回路面積を増加させることのないリフレッシュ動作を実現し、また複数のDRAMを同時にリフレッシュ動作する場合にもピーク電流を増加させないようにする。 - 特許庁

例文

The memory module 21 has four DRAMs 22 disposed in line in an arranging direction of their outer terminals on a multilayer wiring board 1, and board terminal groups TGA, TGB of the module disposed in pair along two long sides of the wiring board 1.例文帳に追加

メモリモジュール21は、多層配線基板1上に4個のDRAM22が、それらの外部端子の配設方向に合わせて一列に配設され、多層配線基板1の2つの長辺に沿って、モジュールの基板端子群TGAおよびTGBが対をなすように配設されている。 - 特許庁


例文

The high-speed processor system is provided with a CPU, a plurality of DRAMs connected in parallel, and a plurality of cache memories formed into a hierarchical structure, and each cache memory is provided with an MPU functioning as a processor having binary compatibility with the CPU.例文帳に追加

本発明に係る高速プロセッサシステムは、CPUと、複数個に並列接続されたDRAMと、階層構造に形成された複数個のキャッシュメモリを備え、各々のキャッシュメモリにはCPUに対してバイナリ互換性のあるプロセッサとして機能するMPUが夫々備えられている。 - 特許庁

In the device where DRAMs are mixedly mounted, a gate electrode 2 at a logic section is set to a double structure of CoSi/D-α (D-Poly), and a gate electrode 3 at a DRAM section is set to a double structure of Wsi/D-α (D-P) having an SAC(self alignment contact) structure.例文帳に追加

DRAM混載デバイスにおいて、ロジック部のゲート電極2をCoSi/D−α(D−Poly)の二重構造にし、DRAM部のゲート電極3はSAC(Self Alignment Contact)構造を有したWsi/D−α(D−Poly)の二重構造にした。 - 特許庁

To provide a memory data transmission method and a memory data transmission system with a high data transfer efficiency that can realize data transfer without setting of an active command, setting of a row address, and a delay due to CAS latency in the case that data are transferred between two memories consisting of synchronous DRAMs.例文帳に追加

シンクロナスDRAMにより構成される2つのメモリ間でデータ転送する際に、アクティブコマンドの設定、列アドレスの設定、CASレーテンシによる遅延がないデータ転送を実現することにより、データ転送効率の高いメモリデータ転送方法及びメモリデータ伝送装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, a clock signal for synchronizing control over the DRAMs DIMM21 to 2n is outputted from a clock drive circuit DRV1 of a memory control part 1, outputted through a clock line 3 which equalizes the signal propagation delay time to that of the data bus line 4, and connected to clock input terminals of respective SDRAMs DIMMs21 to 2n.例文帳に追加

また、SDRAM DIMM2_1 〜2_n の制御の同期化を計るクロック信号は、メモリ制御部1のクロックドライブ回路DRV1から出力され、データバス線4と信号伝搬遅延時間が等しくなるようなクロック線3を介して出力され、各SDRAM DIMM2_1 〜2__n のクロック入力端子に接続されている。 - 特許庁

例文

Data sent from the processor 1 are separated by the selector 21 into data and vertical parity added to the data, the vertical parity is stored together in the memory (storage DRAM 24 for vertical parity) differen from for data storage, and the vertical parity ECC generating circuit 22 adds an error correction code(ECC) to make good use of the DRAMs without spoiling the reliability.例文帳に追加

処理装置1から送られたデータは、セレクタ21によりデータと当該データに付加されている垂直パリティとを分離し、垂直パリティをデータ格納用とは別のメモリ(垂直パリティ用格納DRAM24)にまとめて格納し、さらに、垂直パリティ用ECC生成回路22によりエラー訂正符号(ECC)を付加することにより、信頼性を損なわずにDRAMを有効活用することが可能である。 - 特許庁

例文

The EU and the United States initiated countervailing duty investigations on July 25, 2002, and November 27, 2002, respectively, against imports of DRAMs (Dynamic Random Access Memory) manufactured by Hynix and Samsung Corporations of Korea. According to the petitions, Korean DRAM producers benefited from corporate bonds issued by the Korean Development Bank and other institutions, as well as from new investment and debt restructuring measures introduced by the Korean Government in 2001 to help rebuild Korea's industry after the Asian financial crisis.例文帳に追加

アジア通貨危機を背景とした、韓国開発銀行等による社債引受、並びに2001年に行われた韓国政府及び関係金融機関による新規融資、債務繰り延べ等の再建支援策から利益を受けた韓国のハイニックス社及びサムソン社製造のDRAM(記憶保持動作を必要とする随時書き込み及び読み出しが可能な半導体記憶素子)輸入により、国内産業への損害が発生したとして、EUは2002年7月25日に、米国は同年11月27日に、それぞれ相殺関税調査を開始した\\ - 経済産業省




  
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