「ecr sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ZnO film 105 is formed by ECR sputtering method.例文帳に追加

ＺｎＯ膜１０５は、ＥＣＲスパッタ法で作製した。 - 特許庁

METAL MOLD RELEASING TREATMENT METHOD BY RF BIAS ECR SPUTTERING例文帳に追加

ＲＦバイアス式ＥＣＲスパッタリング金型離型処理方法 - 特許庁

ECR SPUTTERING APPARATUS, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＥＣＲスパッタリング装置及び透明導電膜の製造方法 - 特許庁

The magnetic recording layer 9 is formed by an ECR sputtering method.例文帳に追加

磁気記録層９はＥＣＲスパッタ法を用いて形成できる。 - 特許庁

To provide an ECR sputtering system enhanced in sputtering efficiency and high in film deposition rate.例文帳に追加

スパッタ効率を高め、成膜レートが大きいＥＣＲスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an ECR(electron coupling resonance) film deposition system capable of forming a protective film by means of ECR sputtering and ECR plasma enhanced CVD selectively or simultaneously.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法およびＥＣＲプラズマＣＶＤ法を選択的にまたは同時に用いて保護膜の成膜ができるＥＣＲ成膜装置の提供。 - 特許庁

RELEASING TREATMENT OF DIE BY MEANS OF REACTIVE SPUTTERING USING ECR PLASMA例文帳に追加

ＥＣＲプラズマを用いた反応性スパッタリングによる金型の離型処理方法 - 特許庁

To provide an ECR (Electron Cyclotron Resonance)sputtering system capable of performing the film deposition sputtering on a substrate to which the low-temperature film deposition is requested.例文帳に追加

低温成膜が要求される基板に対して、成膜スパッタリングを可能とするＥＣＲスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In the process of depositing the carbon film, the carbon film is deposited using one of an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering method, an RF sputtering method, a DC sputtering method, and an ion beam sputtering method.例文帳に追加

カーボン膜を堆積する工程はＥＣＲスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。 - 特許庁

The magnetic recording medium 10 is provided with the carbon protective layer 4 formed by a ECR sputtering method.例文帳に追加

磁気記録媒体１０は、ＥＣＲスパッタ法により形成した炭素保護層４を備える。 - 特許庁

The electrically conductive carbon film 2 is formed on the substrate 1 using an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering process.例文帳に追加

導電性炭素膜２は、ＥＣＲスパッタリング法を用いて基板１上に形成される。 - 特許庁

To form a LiNbO_3 thin film by an ECR sputtering method using a single crystal target.例文帳に追加

単結晶ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法でＬｉＮｂＯ_3薄膜が形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a method by which a crystalline carbon nitride film having >1 nitrogen to carbon ratio (N/C) can be formed by an ECR(electron cyclotron resonance) sputtering method.例文帳に追加

ECR（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ法によって、窒素対炭素比（N／C比）が1を越える結晶質の窒化炭素膜を形成できる方法を提供する - 特許庁

The substrate layer is a MgO-SiO2 film formed by a ECR sputtering method and has honey-comb structure in which crystalline particles 12 of a regular hexagon of MgO are partitioned by crystalline grain boundary parts 14 of uniform width.例文帳に追加

下地層はECRスパッタ法により形成したMgO-SiO_2膜で、MgOである正六角形の結晶粒子12が、均等な幅の結晶粒界部14で隔てられたハニカム構造を有する。 - 特許庁

In the ECR sputtering system, double shutters to prevent film deposition on a substrate caused by the pre-sputtering before the film deposition are arranged between a target 3 and a substrate 4.例文帳に追加

本発明のＥＣＲスパッタ装置は、成膜前のプレスパッタリングによる基板着膜を防ぐシャッタをターゲット３と基板４間に２重に配設する。 - 特許庁

To provide an ECR sputtering apparatus capable of stably depositing an alloy thin film having a high accuracy compositional ratio.例文帳に追加

高精度な組成比を有する合金薄膜を安定的に成膜することができるＥＣＲスパッタリング装置の提供。 - 特許庁

The ECR sputtering system 100 is provided with: a plasma generation chamber 10 generating ECR plasma on a magnetic field space; and a treatment chamber 20 storing a target 21 sputtered by ions in the ECR plasma and a substrate holder 22 holding a substrate S.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタリング装置１００は、磁場空間にＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室１０と、ＥＣＲプラズマ中のイオンによりスパッタされるターゲット２１と基板Ｓを保持する基板ホルダー２２とを収納する処理室２０とを備える。 - 特許庁

The ECR (electron cyclotron resonance) sputtering system 100 is provided with: a plasma generation chamber 10 for generating ECR plasma on an irradiation magnetic field space; and a treatment chamber 20 storing a target 21 sputtered by ions in the ECR plasma and a substrate holder 22 for holding a substrate S.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタリング装置１００は、発散磁場空間にＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室１０と、ＥＣＲプラズマ中のイオンによりスパッタされるターゲット２１と基板Ｓを保持する基板ホルダー２２とを収納する処理室２０とを備える。 - 特許庁

As a result, an ECR protective film using only the material gas for CVD film deposition or only the material gas for sputtering film deposition can be formed, and further, a protective film having properties intermediate between the properties of the ECR plasma enhanced CVD protective film and those of the ECR sputtering protective film can also be formed.例文帳に追加

そのため、ＣＶＤ成膜用ガスまたはスパッタ成膜用ガスのみを用いたＥＣＲ保護膜を成膜できるとともに、ＣＶＤ成膜用ガスおよびスパッタ成膜用ガスの両方を供給してＥＣＲ成膜を行うことにより、ＥＣＲプラズマＣＶＤ保護膜とＥＣＲスパッタ保護膜との中間的性質を有する保護膜を形成することもできる。 - 特許庁

Harmonic ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma is generated by introducing plasma source gas and microwave and applying the mirror magnetic field to perform the sputtering.例文帳に追加

プラズマソースガスを導入するとともに、マイクロ波導入とミラー磁場印加により、ハーモニックＥＣＲプラズマを発生させてスパッタリングを行なう。 - 特許庁

The amorphous carbon film 42 is formed by an ECR sputtering method so as to cover the indented face 411 of the stainless steel 41.例文帳に追加

そして、非晶質炭素膜４２は、ステンレス鋼４１の凹凸面４１１を覆うようにＥＣＲスパッタリング法により形成される。 - 特許庁

The ECR sputtering apparatus 1 comprises: an ECR sputtering source 2 which generates the plasma originating from the sputter target by using an electron cyclotron resonance mechanism and irradiates a substrate 10 with the generated plasma; and an ion beam source 3 which ionizes a supplied gas like the reactive gas and irradiates the substrate 10 with the ionized gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ装置１は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板１０に照射するＥＣＲスパッタ源２と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板１０に照射するイオンビーム源３を備える。 - 特許庁

To provide an ECR sputtering system capable of improving a deposition rate and of preventing the contamination of a microwave introducing window by sputter particles.例文帳に追加

成膜速度が向上し、かつ、スパッタ粒子によるマイクロ波導入窓の汚染を防止することができるＥＣＲスパッタリング装置の提供。 - 特許庁

The ECR sputtering apparatus forms a multilayer film on a substrate S by generating a plasma by electron cyclotron resonance and sputtering targets 11A, 11B with ions 21 in the generated plasma.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成し、生成されたプラズマ中のイオン２１でターゲット１１Ａ，１１Ｂをスパッタリングして基板Ｓ上に多層膜を形成するＥＣＲスパッタ装置に関する。 - 特許庁

The uniform carbon protective film 4 can be formed on a magnetic layer 3 by the ECR sputtering method though the protective film 4 is extremely thin and has ≤5 nm thickness.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法を用いると、５ｎｍ以下の極薄でありながら均一な炭素保護膜４を磁性層３上に形成することができる。 - 特許庁

In the method, the Si substrate is etched by using at least one of a metal oxide film and a metal nitride film formed by an ECR sputtering method as a mask.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により成膜した金属酸化膜および金属窒化膜の少なくとも一方をマスクに用いてＳｉ基板をエッチングする方法。 - 特許庁

A state where a positive electrode 102 is formed on a substrate 101 is established by selectively depositing LiCoO_2 by an ECR (Electro Cyclotron Resonance) sputtering method.例文帳に追加

基板１０１の上に、ＥＣＲ（Electro Cyclotron Resonance：電子サイクロトロン共鳴）スパッタ法によりＬｉＣｏＯ_2を選択的に堆積し、正極１０２が形成された状態とする。 - 特許庁

Then, the bar-shaped semiconductor laser device is arranged inside an ECR sputtering apparatus with a silicon target formed therein; and after the sputtering apparatus is evacuated, a cleaning gas which is a mixture of argon gas and nitrogen gas is introduced into the plasma chamber to have ECR plasma generated.例文帳に追加

次に、シリコンターゲットが設けられたＥＣＲスパッタ装置内にバー状半導体レーザを設置し、装置内を真空引きした後、プラズマ室にアルゴンガスと窒素ガスとを混合したクリーニングガスを導入してＥＣＲプラズマを生成させ、所定の時間だけ前記劈開面の一方をプラズマに曝してクリーニングを行う。 - 特許庁

To provide a producing method of a capacitor insulation film by using an ECR sputtering apparatus which has high dielectrical characteristics, contributing to the creations of high-speed and microminiaturized semiconductor memory elements, etc.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ装置を用いて、半導体メモリ素子などの高速化、微細化に寄与する高い誘電特性を有するキャパシタ絶縁膜を作製する方法の提供。 - 特許庁

To provide an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering system where a device having high reliability can be produced by depositing a thin film of high quality on the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面に高品質の薄膜を形成することにより、信頼性の高いデバイスを製造することができるＥＣＲスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

The electroconductive thin film 103 may be formed by sputtering a target made from ruthenium with the use of ECR plasma including argon (Ar) gas, xenon (Xe) gas and nitrogen gas.例文帳に追加

導電薄膜１０３は、ルテニウムよりなるターゲットを、アルゴンガス（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）ガス、窒素ガスからなるＥＣＲプラズマを用いてスパッタリングして形成すればよい。 - 特許庁

Next, a state where a platinum thin film 103 with a film thickness of about 200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 by an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering process using a platinum target is made.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 - 特許庁

The formation of the BiFeO_3 crystal film 102 is performed by an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma sputtering process using a target of a sintered compact mainly composed of the oxide of bismuth and iron.例文帳に追加

ここで、ＢｉＦｅＯ_3結晶膜１０２の形成は、主として、ビスマスと鉄との酸化物からなる焼結体のターゲットを用いたＥＣＲプラズマスパッタ法により行う。 - 特許庁

A first amorphous alumina film having 10-5,500 Å thickness by an ECR sputtering method and a second amorphous alumina film having 0.2-2.4 μm thickness by a sputtering method are successively laminated on a base to form the substrate for the thin film magnetic head.例文帳に追加

基板上にＥＣＲスパッタリング法による厚み１０〜５５００Åの第１アモルファスアルミナ膜と、スパッタリング法による厚み０．２〜２．４μｍの第２のアモルファスアルミナ膜とを順次積層して薄膜磁気ヘッド用基板を構成する。 - 特許庁

The method has a deposition step of forming a reflecting film with compressive stress of 700 to 2,000 MPa on the end surface of a semiconductor laser body by the ECR sputtering method.例文帳に追加

半導体レーザ本体の端面上に、７００〜２０００ＭＰａの圧縮応力を内包する反射膜を、ＥＣＲスパッタ法により形成する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

This ECR sputtering method attains an excellent nitriding reaction and a high sputtering yield by irradiating a substrate with plasma originating from a sputter target, simultaneously ionizing reactive gases such as nitrogen gas and irradiating the substrate with ions of the ionized reactive gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタにおいて、スパッタターゲットのプラズマを基板に照射するとともに、窒素ガス等の反応性ガスをイオン化し、このイオン化した反応性ガスイオンを基板に照射することによって、窒化反応を良好なものとするとともに、高いスパッタリングイールドを得る。 - 特許庁

Then, the bar-shaped semiconductor laser is installed inside an ECR sputtering device provided with a silicon target, the inside of the device is evacuated, then a cleaning gas for which an argon gas and a nitrogen gas are mixed is introduced to a plasma chamber to generate ECR plasma, one of the cleavage planes is exposed to the plasma for prescribed time and cleaning is executed.例文帳に追加

次に、シリコンターゲットが設けられたＥＣＲスパッタ装置内にバー状半導体レーザを設置し、装置内を真空引きした後、プラズマ室にアルゴンガスと窒素ガスとを混合したクリーニングガスを導入してＥＣＲプラズマを生成させ、所定の時間だけ前記劈開面の一方をプラズマに曝してクリーニングを行う。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 is a GaN based semiconductor laser element having an optical film 30 formed on the end face of a resonator by sputtering an Al target under sputtering conditions of high film deposition rate in an atmosphere containing Ar gas and oxygen gas by ECR plasma method.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、ＧａＮ系半導体レーザ素子であって、ＥＣＲプラズマ法を用いて、Ａｒガスと酸素ガスを含む雰囲気中で、速い成膜速度のスパッタ条件でＡｌターゲットをスパッタすることによって成膜された光学被膜３０を共振器端面に有する。 - 特許庁

In the ECR sputtering apparatus for depositing the thin film comprising a plurality of elements on a substrate S by generating plasma by electron cyclotron resonance and sputtering a target with the generated plasma, a plurality of targets 11A, 11B corresponding to the plurality of elements A, B constituting the thin film are arranged.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成し、生成されたプラズマでターゲットをスパッタリングして基板Ｓ上に複数の元素から成る薄膜を形成するＥＣＲスパッタリング装置において、薄膜を構成する複数の元素Ａ，Ｂに対応して複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂを配設する。 - 特許庁

With a substrate temperature (film forming temperature) being kept at about 370°C by an ECR sputtering, a metal oxide (SBT) consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a substrate 101.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により基板温度（成膜温度）を３７０℃程度とした状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる金属酸化物（ＳＢＴ）を基板１０１の上に堆積する。 - 特許庁

With a substrate in a non-heated state, an amorphous SBT thin film 104 consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a platinum layer 103 by ECR sputtering.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により、基板加熱をしない状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる非晶質状態のＳＢＴ薄膜１０４が、プラチナ層１０３の上に堆積された状態とする。 - 特許庁

Then, the platinum thin film 104 having a thickness of about 150-200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 through a transition layer 103 by an ECR sputtering method in which a platinum target is used and oxygen gas is introduced.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 - 特許庁

A function film 4 composed of at least one type selected from a silicon nitride film, a silicon oxide film, and an oxynitride film is formed on at least one part of the interdigital electrode 1b by an ECR sputtering method.例文帳に追加

耐候性を向上させるための、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜および酸化窒化シリコン膜の少なくとも１種類からなる機能膜４を、くし形電極部１ｂ上の少なくとも一部に、ＥＣＲスパッタ法により成膜する。 - 特許庁

Optical waveguides 2a, 2b are formed on a sapphire substrate 1 by depositing C-axis-oriented LiNbO_3 thin film 11 by an ECR sputtering method on the sapphire substrate 1, then etching the LiNbO_3 thin film 11.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ＥＣＲスパッタ法によりＣ軸配向のＬｉＮｂＯ_3薄膜１１を成膜し、その後このＬｉＮｂＯ_3薄膜１１をエッチングすることにより、サファイア基板１の上に光導波路２ａ，２ｂを形成する。 - 特許庁

A silicon film 15 is formed on the surface of a III-V group nitride semiconductor layer 14 between a Schottky-contact electrode 16 (a gate electrode 16) and ohmic-contact electrodes (a source electrode 17a and a drain electrode 17b) by an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering method.例文帳に追加

ショットキ接触する電極（ゲート電極１６）１６とオーミック接触する電極（ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂ）との間のIII−Ｖ族窒化物半導体層１４表面に、ＥＣＲスパッタリング法により珪素膜１５を形成する。 - 特許庁