| 例文 |
electroabsorptionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 34件
ELECTROABSORPTION TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
電界吸収型半導体素子 - 特許庁
ELECTROABSORPTION LIGHT MODULATION SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
電界吸収型光変調半導体素子 - 特許庁
ELECTROABSORPTION MODULATOR AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
電界吸収型変調器及び光半導体装置 - 特許庁
PROCESS OF FABRICATING ELECTROABSORPTION OPTICAL MODULATOR INTEGRATED LASER DEVICE例文帳に追加
電界吸収型光変調器集積レーザ素子の製造方法 - 特許庁
To provide an electroabsorption type optical modulator which operates in a high-temperature environment (wide temperature range) and is capable of long-distance transmission, to provide a semiconductor optical integrated device equipped with the electroabsorption optical modulator, and to provide a control method of the electroabsorption optical modulator and the semiconductor optical integrated element.例文帳に追加
高温環境下で(広い温度範囲で)動作し、且つ、長距離伝送が可能な電界吸収型光変調器と、これを備えた半導体光集積素子及びこれらの制御方法を提供する。 - 特許庁
The light volume of laser light absorbed by the electroabsorption optical modulator 2 varies according to the voltage applied to the electroabsorption optical modulator 2.例文帳に追加
電界吸収型光変調器2がレーザ光を吸収する光量は、電界吸収型光変調器2に印加される電圧により変化する。 - 特許庁
A bias circuit 6 feeds back the average of the light absorption current of the electroabsorption optical modulator 2 to the bias voltage to be applied to the electroabsorption optical modulator 2.例文帳に追加
バイアス回路6は、電界吸収型光変調器2の光吸収電流の平均値を、電界吸収型光変調器2に印加するバイアス電圧にフィードバックする。 - 特許庁
ELECTROABSORPTION TYPE OPTICAL MODULATOR, SEMICONDUCTOR OPTICAL INTEGRATED DEVICE AND CONTROL METHOD OF THEM例文帳に追加
電界吸収型光変調器、半導体光集積素子及びこれらの制御方法 - 特許庁
ELECTROABSORPTION OPTICAL MODULATOR, SEMICONDUCTOR LASER, TRANSCEIVER, DRIVING METHOD, PROGRAM, RECORDING MEDIUM例文帳に追加
電界吸収型光変調器、半導体レーザ、トランシーバ、駆動方法、プログラム、記録媒体 - 特許庁
To improve characteristics of an electroabsorption modulator with an AlGaInAs optical absorption layer.例文帳に追加
AlGaInAs光吸収層を持つ電界吸収型変調器の特性を向上させる。 - 特許庁
DRIVE CIRCUIT AND DRIVING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER MODULE EQUIPPED WITH ELECTROABSORPTION OPTICAL MODULATOR例文帳に追加
電界吸収型光変調器を備えた半導体レーザモジュールの駆動回路および駆動方法 - 特許庁
To shorten time of optical gate operation of an electroabsorption type light modulator.例文帳に追加
本発明の目的は、電界吸収型光変調器の光ゲート動作の時間幅を短縮することにある。 - 特許庁
ELECTROABSORPTION OPTICAL MODULATION MODULE HAVING MONOLITHICALLY INTEGRATED PHOTODETECTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
光検出器がモノリシック集積された電界吸収型光変調モジュール及びその製造方法 - 特許庁
The optical wavelength transforming equipment is provided with an electroabsorption modulator 1 having a multiple quantum well structure and a polarizer 2.例文帳に追加
多重量子井戸構造の電界吸収形光変調器1と偏光子2とを備えている。 - 特許庁
When the electroabsorption optical modulator 2 absorbs laser light, a light absorption current is generated.例文帳に追加
電界吸収型光変調器2がレーザ光を吸収した時に光吸収電流が発生する。 - 特許庁
A modulation sideband which consists of line spectra at separations equal to the modulation frequency is generated from the electroabsorption modulator 17.例文帳に追加
電界吸収型変調器17からは、変調周波数に等しい間隔の線スペクトルから成る変調側波帯が発生する。 - 特許庁
CW light from a CW laser light source 16 is inputted into an electroabsorption modulator 17 to which a sine wave electrical signal is applied.例文帳に追加
CWレーザ光源16からのCW光を、正弦波の電気信号が印加された電界吸収型変調器17に入射する。 - 特許庁
In the optical semiconductor element 20, a laser diode 21 and the electroabsorption optical modulator 22, which have a common cathode connected to stable potential, are integrated as a unit.例文帳に追加
光半導体素子20では、安定電位に接続される共通のカソードを有するレーザダイオード21および電界吸収型光変調器22が一体に集積されている。 - 特許庁
To make a high S/N ratio and a short gate width compatible in optical sampling using an electroabsorption type light modulator of a multiple quantum well structure.例文帳に追加
本発明の目的は、多量子井戸構造の電界吸収型光変調器を用いた光サンプリングにおいて高いS/N比と短いゲート幅を両立することにある。 - 特許庁
To improve a manufacturing yield of an optical semiconductor device such as an electroabsorption modulator integrated with distributed-feedback laser (EML), and to reduce cost thereof.例文帳に追加
分布帰還型レーザーと一体化された電界吸収型変調器(EML)アセンブリのような光半導体デバイスにおける製造歩留まりが向上、コストが削減を図る。 - 特許庁
The other distributed high frequency electric signal is delayed only by π in a phase by a delay line 109, and then applied to the electroabsorption modulator area 103.例文帳に追加
分配した他方の高周波電気信号は、遅延線109にて位相をπ遅延させてから、電界吸収型光変調器領域103に印加する。 - 特許庁
The EML optical module 2 has a monitor photodiode 11, a laser diode 12 as a semiconductor laser device, an electroabsorption optical modulator 13a, an electroabsorption semiconductor element 13b having the same capacity as that of the EA modulator 13a, termination resistors 14a, 14b, a thermistor 15, a Peltier element 16, and capacitors 17a, 17b.例文帳に追加
EML光モジュール2は、モニタフォトダイオード11と、半導体レーザデバイスとしてのレーザダイオード12と、電界吸収型光変調器13aと、EA変調器13aと同容量をもつ電界吸収型半導体素子13bと、終端抵抗14a,14bと、サーミスタ15と、ペルチェ素子16と、コンデンサ17a,17bとを有している。 - 特許庁
To provide the process of fabricating an electroabsorption modulator integrated laser device which is able to attain predetermined long-haul transmission, in a predetermined high speed operation, by fabricating an electroabsorption modulator where undoped layers each having a thickness value that satisfies the conditions for the thickness value of undoped layers where each satisfying a predetermined transmission quality are laminated.例文帳に追加
本発明は、所定の伝送品質をそれぞれ満たすアンドープ層の層厚値の条件を満たす層厚値を有するアンドープ層を積層させた電界吸収型変調器を作製することで、所定の高速動作時において所定の長距離伝送が可能となる電界吸収型変調器集積レーザ素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide an apparatus for simultaneous OTDM demultiplexing, electrical clock recovery and clock generation, and optical clock recovery using a traveling-wave electroabsorption modulator.例文帳に追加
進行波電界吸収型光変調器を用いて、OTDM時間チャネル分離、電気クロックリカバリおよび光クロック発生、および光クロックリカバリを同時に行うための装置を提供する。 - 特許庁
The signal lights S1 to S8, of different wavelengths of an NRZ system subjected to wavelength multiplexing, are made into the signal lights S1 to S8 of an RZ system by an electroabsorption modulator 110.例文帳に追加
波長多重されたNRZ形式の波長の異なる信号光S1〜S8は、電界吸収型光変調器110にてRZ形式の信号光S1〜S8となる。 - 特許庁
A high frequency electric signal oscillated by an oscillator 107 is distributed to a power distributer 106, and one distributed high frequency electric signal is applied to the electroabsorption modulator area 103.例文帳に追加
発振器102にて発信した高周波電気信号を電力分配器106にて分配し、分配した一方の高周波電気信号を電界吸収型光変調器領域103に印加する。 - 特許庁
To provide a non-cooled optical semiconductor device in which a bias voltage of an electroabsorption optical modulator is accurately controlled so as to maintain an average intensity of an optical modulation signal constant with a simple configuration.例文帳に追加
簡単な構成により、光変調信号の平均強度を一定に保つように電界吸収型光変調器のバイアス電圧を正確に制御することができる非冷却光半導体装置を得る。 - 特許庁
To provide a drive circuit and a driving method for obtaining stable optical output without controlling a module to a constant temperature in a semiconductor laser module equipped with an electroabsorption (EA) optical modulator.例文帳に追加
電界吸収型光変調器を備えた半導体レーザモジュールについて、モジュールの温度を一定に制御することなく安定した光出力を得ることのできる駆動回路および駆動方法を提供する。 - 特許庁
An electric field absorption type optical modulator area of a semiconductor mode synchronizing laser is divided into two electroabsorption modulator areas 103, 104 arranged in a light advancing direction and optically connected in series.例文帳に追加
半導体モード同期レーザの電界吸収型光変調器領域を、光の進行方向に配置された光学的に直列接続された2つの電界吸収型光変調器領域103,104に分割する。 - 特許庁
The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加
光集積素子100は、DFB半導体レーザ1とEA型変調器2とが単一の半導体基板10に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Waが後者の光導波路の幅Wbよりも大きくされている。 - 特許庁
The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加
光集積素子100は、DFB半導体レーザ1とEA型変調器2とが単一の半導体基板10に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Waが後者の光導波路の幅Wbよりも小さくされている。 - 特許庁
By having a plurality of electroabsorption modulators each having an undoped layer of different thickness fabricated, the band and the chirp characteristics are measured, and then the correlation diagram of these characteristics and the thickness of undoped layer is created, the dependence of these characteristics on the thickness is determined, and the conditions of thickness value are obtained.例文帳に追加
アンドープ層の層厚が異なる複数の電界吸収型変調器を作製し、帯域及びチャープ特性を測定し、これら特性とアンドープ層の層厚の相関図を作成することで、これら特性の層厚依存性が求まり、当該層厚値の条件を得る。 - 特許庁
To provide an electroabsorption optical modulation module having a monolithically integrated photodetector whereby the optical axes of the photodetector and a distributed feedback laser are readily aligned, a malfunction caused by an ambient environment is prevented in the photodetector, and electrical isolation is readily obtained between the photodetector and the distributed feedback laser.例文帳に追加
光検出器と分布帰還レーザの光軸整列の容易化、周辺環境の影響による光検出器の誤作動の防止、光検出器と分布帰還レーザとの電気的絶縁性確保の容易化が図られた、光検出器がモノリシック集積された電界吸収型光変調モジュールを提供する。 - 特許庁
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