「electron diffraction pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The formation of the electron channeling pattern by backscattered electrons is related to that of the electron backscatter diffraction pattern by the reciprocal theorem. 例文帳に追加

後方散乱電子による電子チャンネリングパターンの形成は、相反定理により後方散乱電子回折パターンの形成と関係している。 - 科学技術論文動詞集

ELECTRON MICROSCOPE, CONTROL METHOD OF THE SAME, AND METHOD FOR OBTAINING DIFFRACTION PATTERN例文帳に追加

電子顕微鏡及び電子顕微鏡の制御方法並びに回折パターン取得方法 - 特許庁

To perform material identification quantitatively and accurately based on coordinate information of a diffraction point acquired from an electron diffraction pattern.例文帳に追加

電子回折像から得られた回折点の座標情報を基に、物質同定を定量的にしかも正確に行う。 - 特許庁

A method is provided for correcting magnetic field distortions in the electron backscatter diffraction (EBSD) pattern.例文帳に追加

後方散乱電子回折（ＥＢＳＤ）パターンの磁場歪みを修正する方法が提供される。 - 特許庁

Information about crystal structure and orientation is provided by the electron-diffraction pattern. 例文帳に追加

結晶構造と結晶方位についての情報は、電子回折図形によって提供される。 - 科学技術論文動詞集

To provide an electron beam lithography device capable of writing the lattice pitch of a micro diffraction grating pattern with high accuracy.例文帳に追加

微細回折格子パターンの格子ピッチを高精度に描画できる電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

Continuously, the substrate S for the diffraction optical element is prepared, and a diffraction optical element pattern is drawn by electron beam exposure after resist film formation.例文帳に追加

続いて、この回折光学素子用の基板Ｓを用意し、レジスト成膜後に電子ビーム露光により回折光学素子パターンを描画する。 - 特許庁

To provide an observation technology by a phase retrieval type electron microscope, making the intensity distribution of a parallel electron beam with a microscopic diameter in measuring a real image and an electron diffraction pattern bright and uniform.例文帳に追加

実像と電子回折像を測定する際の微小径かつ平行な電子線を、明るくかつ均一な強度分布にする位相回復方式の電子顕微鏡による観察技術を提供する。 - 特許庁

To appropriately define coordinates of respective spots in a nano electron beam diffraction pattern to calculate a lattice plane distance with sufficient accuracy.例文帳に追加

本発明の課題は、ナノ電子線回折パタンにおける各スポットの座標を適切に定義し、格子面距離を精度良く算出することを目的とする。 - 特許庁

The interference fringe and the diffraction grating pattern are plotted by an electron beam lithographing device based on an image data generated by calculation by a computer.例文帳に追加

干渉縞や回折格子パターンは、コンピュータによる演算に基いて生成された画像データに基き、電子線描画装置によって描画される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing optical element capable of proper alignment in marking a pattern of a diffraction grating by means of an electron beam lithographic device.例文帳に追加

電子ビーム露光装置を用いて回折格子のためのパターンを描画する際に良好なアライメントが可能になる半導体光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

The electron emission film 1 having an X-ray diffraction pattern of diamond, constituted by a plurality of diamond particles with the size of 5 nm to 10 nm is formed on a substrate 2.例文帳に追加

基板２上に、Ｘ線回折においてダイヤモンドのパターンを有し、粒径が５nmから１０nmである複数のダイヤモンド粒子より構成された電子放出膜１を形成する。 - 特許庁

At least one of the inward member 41, the outward member 43 and the rolling element 42 is made of the titanium material having the new phase 22 that a diffraction spot is present at a position deviating from that on a virtual line connecting together almost the centers of diffraction spots of adjacent parent phases on an electron diffraction pattern obtained by electron microscopy.例文帳に追加

そして、内方部材４１、外方部材４３及び転動体４２のうちの少なくとも１つが、電子顕微鏡法によって得られた電子回折図形上で、隣り合う母相の回折斑点の略中心を結ぶ仮想線上から逸れた位置に回折斑点が存在する新相２２を有するチタン材料から成っている。 - 特許庁

Diffraction lines attributed to metallic Si and Si compound cannot be detected in the texture structure by the pattern analysis by X-ray diffraction method and granular texture is unrecognizable by the observation with a transmission electron microscope(TEM).例文帳に追加

また、その組織構造は、Ｘ線回折法によるパターン解析により金属Ｓｉ及びＳｉ化合物に帰属する回折線が検出されず、透過型電子顕微鏡(TEM)の観察によって粒状組織が識別できない組織性状を備えている。 - 特許庁

In this case, the factor (1) which is a factor for showing coincidence of this electron diffraction pattern becomes the maximum value when basic reflection points agree completely, and becomes the minimum value when all the basic reflection points disagree.例文帳に追加

ここに、因子▲１▼は、電子回折パターンの一致度を示す因子であって、基本反射の点が完全一致であれば最大値をとり、基本反射の点がすべて不一致であれば最小値をとる。 - 特許庁

A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.例文帳に追加

電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。 - 特許庁

In carrying out aberration correction of a STEM device, a standard substrate with Au particles 102 deposited on a single-crystal substrate 101 made of Si is used, and based on electron diffraction images and a Kikuchi pattern, inclination of the standard substrate is adjusted.例文帳に追加

ＳＴＥＭ装置の収差補正に際して、Ｓｉからなる単結晶基板１０１上にＡｕパーティクル１０２が堆積されてなる標準基板を用い、電子線回折像及び菊池パターンに基づいて、標準基板の傾斜を調節する。 - 特許庁

An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加

ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

The semiconductor film uses a semiconductor film, having a crystal structure containing silicon as a main component where among lattice planes detected by the reflected electron diffraction pattern method, the plane {101} occupying proportion is 10% or more, and the plane {111} occupying proportion is less than 10%.例文帳に追加

珪素を主成分とし結晶構造を有する半導体膜であって、反射電子回折パターン法で検出される格子面の内、｛１０１｝面が占める割合が１０％以上であり、｛１１１｝面が占める割合が１０％未満である半導体膜を用いる。 - 特許庁

During work of removing a damaged layer which arises from an ion beam, transmitted electrons are detected with a two-dimensional detector, the transmitted electrons arising by irradiating a sample with an electron beam formed by an electron beam optical system, and the timing of the completion of the work of removing the damaged layer is determined on the basis of the blur amount of a diffraction pattern obtained with the two-dimensional detector.例文帳に追加

イオンビームにより発生したダメージ層の除去加工中に、電子ビーム光学システムで形成された電子ビームを試料に照射することにより発生する透過電子を二次元検出器で検出し、当該二次元検出器で得られたディフラクションパターンのぼけ量に基づいてダメージ層の除去加工を終了するタイミングを判定する。 - 特許庁

To reduce warpages and curls of an optical wiring layer by relaxing stresses exerting on the optical wiring layer and to form optical elements such as a waveguide pattern, a mirror and a diffraction grating by using dry etching, a dicing saw and an electron beam exposure of the like to a minimum.例文帳に追加

光配線層にかかる応力を緩和し、光配線層のそりやまるまりを抑えることを第１の課題とし、ドライエッチングや、ダイシングソー、電子線露光などをなるべく用いずに導波路パターンや、ミラーや回折格子といった光学素子を形成することを第２の課題とする。 - 特許庁

A position relation between an external shape and the crystal orientation of a specimen is clarified by comparative measurement using a reference sample having a clear position relation between the external shape and the crystal orientation on the same sample coordinate, by using a back-scattered electron beam diffraction pattern method (EBSP method).例文帳に追加

後方散乱電子線回折パターン法（ＥＢＳＰ法）を用いて、同じ試料座標上で外形形状と結晶方位の位置関係が明確な基準試料を用いて比較測定する事で、被検体の外形形状と結晶方位の位置関係を明確にする。 - 特許庁