「element layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

A donor dopant element is added to the gallium nitride epitaxial layer 45.例文帳に追加

窒化ガリウム系エピタキシャル層４５には、ドナードーパント元素が添加されている。 - 特許庁

The light emitting element 1 is provided with a light emitting diode 3 and a fluorescence layer 2.例文帳に追加

発光素子１は、発光ダイオード３及び蛍光層２を具える。 - 特許庁

RESISTANCE THIN FILM ELEMENT WITH COPPER CONDUCTOR LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

銅導電体層付き抵抗薄膜素子およびその製造方法 - 特許庁

A portion of the mask layer 432 is removed in a first region of the semiconductor element, the mask layer 432 being made to remain in a second region of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の第１領域でマスク層４３２の一部を除去し、マスク層４３２を半導体素子の第２領域に残留させる。 - 特許庁

The light is multi-reflected between a reflecting layer 2 of a thin film solar battery element 200 and a reflecting layer 11 of the condenser reflecting element 100.例文帳に追加

この光は、薄膜太陽電池素子１００の反射層２と集光反射素子２００の反射層１１との間で多重反射される。 - 特許庁

The temperature fuse element 3 is installed on the upper face of the upper layer 13.例文帳に追加

温度ヒューズ素子３は、上層１３の上面に設けられている。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING CHARGE TRAP LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電荷トラップ層を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises an organic layer 14 between an anode 13 and a cathode 15.例文帳に追加

陽極１３と陰極１５との間に有機層１４を有する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element that uses TiN as a capping layer.例文帳に追加

ＴｉＮをキャッピング層として使用した磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

PLATING BODY LOCALLY VARYING IN PLATING THICKNESS, METHOD FOR FORMING ITS PLATING LAYER, PTC ELEMENT AND METHOD FOR FORMING PLATING LAYER OF PTC ELEMENT例文帳に追加

局部的にめっき厚さの異なるめっき体、そのめっき層の形成方法、ＰＴＣ素子、およびＰＴＣ素子のめっき層の形成方法。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC EL ELEMENT, AND TRANSCRIPTION DEVICE OF ORGANIC EL LAYER例文帳に追加

有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ層の転写装置 - 特許庁

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体層の形成方法ならびに半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR FABRICATING ELEMENT, METHOD FOR GROWING NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR GROWING LAYER例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAFER HAVING ADHESIVE LAYER, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE例文帳に追加

接着剤層付き半導体ウエハ、半導体素子および半導体パッケージ - 特許庁

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT, ALIGNMENT LAYER, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT, AND OPTICAL MEMBER例文帳に追加

液晶の配向剤、配向膜、液晶表示素子および光学部材 - 特許庁

MANUFACTURE OF LIQUID CRYSTALLINE POLYMER LAYER AND MANUFACTURE OF DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

液晶高分子層の製造方法および表示素子の製造方法 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL/POLYMER COMPOSITE LAYER-FORMING MATERIAL AND LIQUID CRYSTAL OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

液晶・高分子複合層形成材料および液晶光学素子 - 特許庁

OPTICAL DIFFUSION LAYER, OPTICAL DIFFUSION SHEET, OPTICAL ELEMENT AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

光拡散層、光拡散性シート、光学素子および画像表示装置 - 特許庁

An electric double layer capacitor element 10 is sealed in the package 5.例文帳に追加

パッケージ５は、電気二重層コンデンサ素子１０を内部に封止している。 - 特許庁

An aluminum element is preferably contained in the intergranular layer as well.例文帳に追加

粒界層に、さらにアルミニウム元素を含有していることが好ましい。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT VARNISH, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

液晶配向剤ワニス、液晶配向膜及び液晶表示素子 - 特許庁

LIGHT-EMITTING TRANSPARENT CONDUCTIVE LAYER AND ELECTRON EMITTING ELEMENT WITH THE SAME例文帳に追加

発光型の透明導電層及びこれを備えた電子放出素子 - 特許庁

OPTICAL FUNCTIONAL LAYER, ITS EVALUATING METHOD, OPTICAL ELEMENT AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

光学機能層、その評価方法、光学素子および画像表示装置 - 特許庁

An upper space of the LED element 13 in which the glass layer 19 is not formed is filled with a resin layer 15 to seal the LED element.例文帳に追加

ガラス層１９が形成されていないＬＥＤ素子１３の上方の空間にＬＥＤ素子を封止する樹脂層１５を充填する。 - 特許庁

PROTECTIVE LAYER ELEMENT FOR COLOR PROOF, ITS METHOD, AND COLOR PROOF WITH THE SAME例文帳に追加

カラープルーフ用保護層要素、その方法、およびそれを有するカラープルーフ - 特許庁

LAYER OPENING METHOD IN LOCAL REGION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

半導体素子の局所領域での開層方法及びその装置 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY HAVING STRUCTURAL ELEMENT FOR PREVENTING CONFUSION OF MAGNETIZATION ON SENSE LAYER例文帳に追加

センス層における磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリ - 特許庁

The image element contains a supporting body, at least one layer of an image forming element and an antistatic layer containing a chlorinated polyolefin and a conductive agent.例文帳に追加

支持体、少なくとも１層の画像形成性要素並びに塩素化ポリオレフィン及び導電剤を含む帯電防止層を含む画像要素。 - 特許庁

An element-forming layer 20 is provided on a nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

窒化物半導体基板１０上に素子形成層２０を有している。 - 特許庁

INORGANIC EL ELEMENT, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING INORGANIC EL LUMINESCENT LAYER例文帳に追加

無機ＥＬ素子および無機ＥＬ発光層形成用のスパッタリングターゲット - 特許庁

The photosensitive element includes a composition layer capable of being partially liquefied upon heating.例文帳に追加

加熱時に一部分を液化することのできる組成物層を含む。 - 特許庁

POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING METAL CONTACT LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

金属コンタクト層を有するパワー半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

ELECTROLUMINESCENT ELEMENT HAVING ORGANIC-INORGANIC HYBRID MATERIAL AS LUMINESCENT LAYER例文帳に追加

有機−無機ハイブリッド材料を発光層として有するエレクトロルミネセンス素子 - 特許庁

An acceleration sensor element is formed on the first semiconductor layer SL1.例文帳に追加

加速度センサ素子は第１の半導体層ＳＬ１に形成されている。 - 特許庁

The reading element of a magnetoresistive head includes a granular free layer 101.例文帳に追加

磁気抵抗ヘッドの読み取り素子は、グラニュラー状フリー層１０１を含む。 - 特許庁

LIGHT DIFFUSING LAYER, LIGHT DIFFUSING SHEET, OPTICAL ELEMENT AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

光拡散層、光拡散性シート、光学素子および画像表示装置 - 特許庁

A conductive underlying layer is formed at the end of the element main body 10.例文帳に追加

素子本体１０の端部に導電性の下地層を形成する。 - 特許庁

An element separation region 13 is arranged around the silicide layer 12.例文帳に追加

シリサイド層１２の周囲には素子分離領域１３が配されている。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING CERAMIC MEMBER, CERAMIC MEMBER, GAS SENSOR ELEMENT, FUEL CELL ELEMENT, LAYER-BUILT PIEZOELECTRIC ELEMENT, INJECTOR, AND FUEL INJECTION SYSTEM例文帳に追加

セラミック部材の製造方法、並びにセラミック部材、ガスセンサ素子、燃料電池素子、積層型圧電素子、噴射装置、及び燃料噴射システム - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a switching element and a storage node connected to the switching element, wherein the storage node includes a lower metal layer connected to the switching element, and a first insulating layer, an intermediate metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, and a nano-layer which are sequentially formed on the lower metal layer.例文帳に追加

スイッチング素子、スイッチング素子に連結されたストレージノードを備える不揮発性メモリ素子において、ストレージノードは、スイッチング素子に連結された下部金属層と、下部金属層上に順次に形成された第１絶縁層、中間金属層、第２絶縁層、上部金属層及びナノ層を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

This semiconductor light-emitting element (light-emitting diode element) comprises: a support substrate 1; a first junction layer 2a formed on the support substrate 1; a second junction layer 2b formed on the first junction layer 2a; a third junction layer 2c formed on the second junction layer 2b; and a semiconductor element layer 3 formed on the third junction layer 2c.例文帳に追加

この半導体発光素子（発光ダイオード素子）は、支持基板１と、支持基板１上に形成された第１接合層２ａと、第１接合層２ａ上に形成された第２接合層２ｂと、第２接合層２ｂ上に形成された第３接合層２ｃと、第３接合層２ｃ上に形成された半導体素子層３とを備えている。 - 特許庁

Thus, the chip size of the semiconductor integrated circuit can be reduced and the characteristics of isolation between the upper layer element (capacitor or inductor) and the lower layer element (active element or passive element) can be improved without increasing parasitic capacitance.例文帳に追加

これにより、半導体集積回路のチップサイズを縮小でき、かつ寄生容量を増加させることなく、上層素子（コンデンサ、インダクタ）と下層素子（能動素子、受動素子）との間のアイソレーション特性を向上できる。 - 特許庁

The exterior member 20 has a metal layer 21, a resin layer 23 provided on the metal layer 21 at the side of the battery element via an adhesive layer 22, and a resin layer 25 provided on the metal layer 21 at the opposite side to the resin layer 23 via an adhesive layer 24.例文帳に追加

外装部材２０は、金属層２１と、金属層２１の電池素子側に接着剤層２２を介して設けられた樹脂層２３と、金属層２１の樹脂層２３と反対側に接着剤層２４を介して設けられた樹脂層２５とを備えている。 - 特許庁

A layered product 20 of an MR element is constituted of an anti-ferromagnetic layer 22, a ferromagnetic layer 23, a first non-magnetic layer 24, a first soft magnetic layer 25, a second soft magnetic layer 26, a second non-magnetic layer 27 and a high resistance layer 28 which are successively layered on a base layer 21.例文帳に追加

ＭＲ素子の積層体２０は、下地層２１の上に反強磁性層２２，強磁性層２３，第１非磁性層２４，第１軟磁性層２５，第２軟磁性層２６，第２非磁性層２７，高抵抗層２８を順次積層することにより構成される。 - 特許庁

The insulating layer containing a boron element or an aluminum element is formed by a sputtering method using a silicon target or a silicon oxide target containing a boron element or an aluminum element.例文帳に追加

ボロン元素またはアルミニウム元素を含む絶縁層は、ボロン元素またはアルミニウム元素を含むシリコンターゲットまたは酸化シリコンターゲットを用いるスパッタ法により形成する。 - 特許庁