「element layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The tabular optical layer is larger than the top face of the light-emitting element, and the phosphor-containing resin layer has an inclined plane proceeding from a side face of the light-emitting element to an end of the tabular optical layer.例文帳に追加

板状光学層は、発光素子の上面より大きく、蛍光体含有樹脂層は、発光素子の側面から板状光学層の端部に向かう傾斜面を有している。 - 特許庁

The luminous element has a support substrate comprising at least an anode, an organic compound layer containing an emission layer, and a cathode on it, and the emission layer consists of an organic light emission element and a dielectric inorganic compound.例文帳に追加

支持基板上に少なくとも陽極、発光層を含む有機化合物層、及び陰極を有し、該発光層は有機発光体及び誘電性無機化合物からなる発光素子。 - 特許庁

A conductive layer which includes three elements such as an antenna, a memory element and a transistor and functions as the antenna, is provided on the same layer as the conductive layer included in the transistor or the memory element.例文帳に追加

アンテナ、記憶素子及びトランジスタの３つを含み、アンテナとして機能する導電層は、トランジスタ又は記憶素子が含む導電層と同じ層に設けることを特徴とする。 - 特許庁

The SOI element includes a substrate including a base layer, a buried oxidized film, and a semiconductor layer; and an element separating film formed in a trench limiting the active area of the semiconductor layer.例文帳に追加

基層、埋込み酸化膜及び半導体層を含む基板、並びに半導体層の活性領域を限定するトレンチに形成された素子分離膜を含むＳＯＩ素子である。 - 特許庁

Each picture element consists of the lower layer part LL including wiring X, Y and M formed on the substrate 1, the upper layer part UL containing organic EL element OLED, and the middle layer part to electrically insulate the lower layer part LL and the upper layer part UL.例文帳に追加

各画素は、基板１上に形成された配線Ｘ，Ｙ，Ｍを含む下層部ＬＬと、有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤを含む上層部ＵＬと、下層部ＬＬ及び上層部ＵＬを互いに電気的に絶縁する中層部ＭＬとを含む。 - 特許庁

The heat generated at the semiconductor switching element 2 is transferred to a conductor layer L7 through a conductor layer L1, a base material conductor layer 4, and a conductor layer 5, and is measured with a thermistor element 3 arranged at the conductor layer L7.例文帳に追加

半導体スイッチング素子２が発する熱は、導電体層Ｌ１と下地導電体層４及び導電体層５とを介して導電体層Ｌ７に伝達され、導電体層Ｌ７に配設されたサーミスタ素子３によって測定される。 - 特許庁

The LED element (the semiconductor light-emitting element) has an n-type active layer 4 having an MQW structure, a diffusion preventive layer 5 formed on the active layer 4 and a semi-insulating second clad layer 6 formed on the diffusion preventive layer 5.例文帳に追加

このＬＥＤ素子（半導体発光素子）は、ＭＱＷ構造を有するｎ型活性層４と、活性層４上に形成された拡散抑止層５と、拡散抑止層５上に形成された半絶縁性の第２クラッド層６とを備えている。 - 特許庁

The two layer bank 13 consists of a lower layer bank 14 and an upper layer bank 15 partitioning the color element regions A, and the lower layer bank 14 is provided so as to stretch out to the inside of the color element region A to form the step on the wall surface of the two layer bank 13.例文帳に追加

二層バンク１３は、下層バンク１４と色要素領域Ａを区画する上層バンク１５とからなり、下層バンク１４は、色要素領域Ａの内側に張り出すように設けられて、二層バンク１３の壁面に段差を形成している。 - 特許庁

A Ni-Ti based hyperelastic alloy layer 5 is interposed between the Ni layer 4 and the Ti layer 6, which is produced by alloying at least Ni that is a constituent element of the Ni layer 4 and at least Ti that is a constituent element of the Ti layer 6.例文帳に追加

Ｎｉ層４とＴｉ層６との間には、Ｎｉ層４の構成元素の少なくともＮｉとＴｉ層６の構成元素の少なくともＴｉとが合金化して生成されたＮｉ−Ｔｉ系超弾性合金層５が介在されている。 - 特許庁

A semiconductor element has a two-layer structure and is formed in a staircase shape such that a lower-layer semiconductor element 2 is larger than an upper-layer semiconductor element 1 at the outer peripheral part thereof, and metallic bonding wires 4 are connected onto electrode pads 7 formed on the upper surface of the upper-layer semiconductor element 1 and the upper surface of the lower-layer semiconductor element 2 at outer peripheries thereof.例文帳に追加

半導体素子を２層構造とし、その外周部では上層の半導体素子１よりも下層の半導体素子２が大きくなるように階段状に形成し、それらの外周で上層の半導体素子１の表面上および下層の半導体素子２の表面上にそれぞれ形成された電極パッド７上に、それぞれ金属性のボンディングワイヤー４を接続する。 - 特許庁

An anti-cavitation layer 31 and an insulation layer are formed sequentially on a resistor film constituting a heating element 25 and the anti- cavitation layer 31 is formed on the heating element simultaneously with the contact 30 of a wiring pattern for connecting the heating element 25 with a drive element 24.例文帳に追加

本発明は、発熱素子２５を構成する抵抗膜より耐キャビテーション層３１、絶縁層を順次配置し、また発熱素子２５と駆動素子２４とを接続する配線パターンのコンタクト３０と同時に、耐キャビテーション層３１を発熱素子の上に作成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a semiconductor element is connected to an element connection surface via an element connection layer composed of solder, and another member is connected to the another member connection surface via an another member connection layer composed of solder having a melting point lower than that of the solder for forming the element forming layer.例文帳に追加

半導体装置は、素子接続面に、半田からなる素子接続層を介して半導体素子を接続し、他部材接続面に、前記素子接続層を形成する半田より融点の低い半田からなる他部材接続層を介して他部材を接続した。 - 特許庁

A transparent layer 20, an N type layer 14, a P type layer 16, and a P type ohmic layer 22 are formed sequentially on a sapphire substrate 10 thus forming a PN junction light emitting element.例文帳に追加

サファイア基板１０上に順次透明層２０、Ｎ型層１４、Ｐ型層１６、Ｐ型オーミック層２２を形成し、ＰＮ接合型発光素子を形成する。 - 特許庁

On the ferromagnetic layer 14 which will becomes the memory layer of the MTJ element 1, a closed magnetic path layer 17 is formed through metal layers 15, 16 and with a central part being separated from the ferromagnetic layer 14.例文帳に追加

ＭＴＪ素子１のメモリ層となる強磁性層１４の上に、金属層１５、１６を介するとともに中央部を離間して閉磁路層１７を設ける。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is composed of a base plate 210, a metal electrode layer 220, an organic luminous layer 230, a transparent electrode layer 240, a protective layer 250 and a lens 260.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子２００は基板２１０と、金属電極層２２０と、有機発光層２３０と、透明電極層２４０と、保護層２５０と、レンズ２６０とを備える。 - 特許庁

A P type diffusion layer 106 to become an emitter layer of a horizontal PNP transistor of the IIL and a P type diffusion layer 107 to become a collector layer are formed on the first element region.例文帳に追加

第１の素子領域にはＩＩＬの横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ層となるＰ型拡散層１０６と、コレクタ層となるＰ型拡散層１０７が形成される。 - 特許庁

In a second semiconductor light emitting element, the thickness of the barrier layer among the plurality of the barrier layers on the side of the p-type cladding layer is less than that of the barrier layer on the side of the n-type cladding layer.例文帳に追加

第２の半導体発光素子では、複数のバリア層のうちｐ型クラッド層の側のバリア層の厚さが、ｎ型クラッド層の側のバリア層の厚さより薄い。 - 特許庁

The light-emitting element 1 includes an electrode layer 11, a first conductive layer 12, a second conductive layer 13 and an electrode layer 14 on a substrate 10 in order from the substrate 10 side.例文帳に追加

発光素子１は、基板１０上に、電極層１１、第１導電層１２、第２導電層１３および電極層１４を基板１０側から順に備えている。 - 特許庁

This organic EL element includes: a substrate 1; and a lower electrode 2, hole transport layer 3, luminescent layer 4, electron transport layer 5, upper electrode 6 and transparent protective layer 7 stacked on the substrate 1.例文帳に追加

基板１と、該基板１上に積層された、下部電極２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層５、上部電極６、及び透明保護層７を有する。 - 特許庁

To provide a superconducting element having a structure as the laminate of the superconducting layer and non-superconducting layer and with the thickness of the non-superconducting layer finely adjusted on an atomic layer level.例文帳に追加

超電導層と非超電導層を積層した構造を有し、非超電導層の厚さを原子層レベルで細かく調節できる超電導素子を提供する。 - 特許庁

This magnetoresistive effect element composed of an antiferromagnetic layer, a magnetic layer, an intermediate layer, and another magnetic layer and utilizing the ferromagnetic tunnel effect is formed between electrode layers.例文帳に追加

反強磁性層／磁性層／中間層／磁性層からなる磁気抵抗効果素子を電極層間に形成した強磁性トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子とする。 - 特許庁

The organic EL element 1 has a transparent anode 5, an insulating layer 6, a hole injecting layer 7, a hole-transfer layer 8, a luminescent layer 9 and a cathode 10, on a substrate 4.例文帳に追加

有機ＥＬ発光素子１は、基板４の上に、透明な陽極５、絶縁層６、ホール注入層７、ホール輸送層８、発光層９、陰極１０を有する。 - 特許庁

The surface-mounted heater having a multiple layer assembly having the support layer (75), the heater element (70), and a transition layer to couple the support layer (75) to the aircraft component is provided.例文帳に追加

支持層７５と、発熱体７０と、支持層を航空機構成要素に接合するための遷移層と、を備える多層のアッセンブリを有する表面実装ヒータが提供される。 - 特許庁

The organic EL element 1 is constituted by laminating a transparent electrode layer 2, hole injection layer 6, light-emitting layer 4, and reflection electrode layer 3, in this order, on a substrate 5.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、基板５上に、透明電極層２、正孔注入層６、発光層４反射電極層３がこの順で積層されて構成される。 - 特許庁

The bonding layer includes a first bonding layer 16a provided on the side of the InAlGaN element layer and a second bonding layer 16b provided on the side of the host substrate 12.例文帳に追加

ボンディング層は、ＩｎＡｌＧａＮ素子層側に設けられる第１のボンディング層（１６ａ）と、ホスト基板（１２）側に設けられる第２のボンディング層（１６ｂ）とを含む。 - 特許庁

A TJS laser element 1 comprises a GaAs substrate 2, a first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, a GaAs contact layer 6, and electrodes 7a and 7b.例文帳に追加

ＴＪＳレーザ素子１は、ＧａＡｓ基板２、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、ＧａＡｓコンタクト層６、及び電極７ａ，７ｂを有する。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 includes a first n-type semiconductor layer 13, the active layer 15, a p-type semiconductor layer 17, and a second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

半導体光素子１は、第１のｎ型半導体層１３と、活性層１５と、ｐ型半導体層１７と、第２のｎ型半導体層１９とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor laser element containing a quantum well as an active layer 5, an undoped thin spacer layer 7 is provided between an undoped optical guide layer 6 and a p-type clad layer 8.例文帳に追加

量子井戸を活性層５とする半導体レーザ素子において、ノンドープ光ガイド層６とｐ型クラッド層８との間にアンドープの薄いスペーサ層７を設ける。 - 特許庁

A nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層上に、窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The organic EL element 1 has a light-transmitting substrate 2, a transparent conductive layer 3, an organic light-emitting layer 4, a cathode layer 5, an adhesive layer 6, and a metal foil 7 which are laminated in sequence.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、順次積層された透光性基材２、透明導電層３、有機発光層４、陰極層５、接着層６及び金属箔７を備える。 - 特許庁

Particularly, these processes are effective in manufacturing a semiconductor light emitting element which has a selectively grown clad layer, guide layer, and active layer, where the active layer is a multi-quantum well.例文帳に追加

特に、選択成長されたクラッド層、ガイド層及び活性層を有し、活性層が多重量子井戸とされた半導体発光素子の製造において有効である。 - 特許庁

The mangetoresistance element comprises a free layer 2, a spacer layer 3 formed on the free layer 2, and a pinned layer 4 formed on the spacer layer 3, wherein the mangetoresistance element has a width of 7 to 8 μm, and the spacer layer has a thickness of 28 to 34 Å.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子は、フリー層２と、このフリー層２の上に形成されたスペーサ層３と、このスペーサ層３の上に形成されたピンド層４とを有し、磁気抵抗効果素子の幅が７乃至８μｍであり、スペーサ層の厚さが２８乃至３４Åである。 - 特許庁

A stopper layer 12 (first dielectric layer) and a dielectric layer 13 (second dielectric layer) acting as an element forming layer are provided in this order on a substrate 11 having an opening 15, and a high-frequency element 14 (inductor) is provided on the dielectric layer 13 in a position opposing the opening 15.例文帳に追加

開口１５を有する基板１１上に、ストッパ層１２（第１誘電体層）および素子形成層としての誘電体層１３（第２誘電体層）がこの順に設けられ、誘電体層１３上の開口１５に対向する位置に高周波素子１４（インダクタ）を有する。 - 特許庁

To provide a light emitting element having an element substrate bonded to an emission layer part through a contact metal layer and a reflection metal layer in which the emission layer part is insusceptible to diffusion of components from the contact metal layer even if the contact metal layer is subjected to heat treatment for alloying.例文帳に追加

コンタクト金属層及び反射用の金属層を介して素子基板を発光層部に結合した発光素子において、コンタクト金属層の合金化熱処理を行っても、該コンタクト金属層からの成分拡散の影響が発光層部に及びにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element which can be used, without causing delamination between an alignment layer and a retardation layer or causing inter-layer exfoliation in the alignment layer, even in high-temperature and high-humidity environment, with regard to the optical element having an alignment layer and a retardation layer.例文帳に追加

本発明は、配向層と位相差層を有する光学素子において、高温高湿雰囲気下においても、配向層と位相差層の層間剥離が生じたり、配向層に凝集破壊等が生じることなく使用できる光学素子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1 have a joint P joined mutually right above an element isolation layer 12, and at least one of the p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1 has a narrow segment 17 right above the element isolation layer 12.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１は、互いに接合された接続部Ｐを素子分離層１２の直上に有し、ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１の少なくとも一方は、素子分離層１２の直上に狭窄部１７を有する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises: a semiconductor element 3 mounted on a lead frame 2; a first heat transfer layer 4 provided in the semiconductor element 3; a second heat transfer layer 5 connecting with the first heat transfer layer 4; a third heat transfer layer 6 connecting with the second heat transfer layer 5; and a resin layer 7.例文帳に追加

半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。 - 特許庁

A surface of a ceramic element 1 is covered with a diffusion layer 12.例文帳に追加

セラミック素体１は、その表面が拡散層１２によって覆われている。 - 特許庁

ALIGNMENT FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT HAVING THE SAME, AND COMPOSITION FOR ALIGNMENT LAYER例文帳に追加

配向膜、これを有する液晶表示素子、及び配向膜用組成物 - 特許庁

To provide a display device in which the life of an element is extended by preventing element deterioration caused by the unevenness of a scattering layer or a reflection scattering layer.例文帳に追加

散乱層または反射散乱層の凹凸によって生じる素子劣化を防止して素子の寿命を延長させた表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a composition suitable for use in a light absorption layer for display element, and a new structure of light absorption layer suitable for use in the display element.例文帳に追加

表示素子用の光吸収層での使用に適した組成物および表示素子での使用に適した光吸収層の新しい構成を提供する。 - 特許庁

In the case of restoring the optical element 10, the optical element 10 is immersed in hot water whose temperature is a melting point of a background layer 16 or over to melt the background layer 16.例文帳に追加

光学素子１０の再生に際しては、光学素子１０を下地層１６の融点以上の温水に浸漬して下地層１６を溶融する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a protection element and is enhanced in use efficiency of an epitaxial layer surface.例文帳に追加

保護素子を有し、且つ、エピタキシャル層表面の利用効率を上げる。 - 特許庁

To provide a function to repair the capping layer of an optical element in an exposure device.例文帳に追加

露光装置に光学素子のキャッピング層を補修する機能を設ける。 - 特許庁

A substrate for a light emitting element 1 includes a base substrate 2 and a coating layer 3.例文帳に追加

発光素子用基板１は、ベース基板２と被覆層３とを備える。 - 特許庁