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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > es2に関連した英語例文

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es2を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 19



例文

The non-ground side terminal 33 of a ground switch ES2 is connected to the main circuit conductor 22.例文帳に追加

主回路導体22に接地開閉器ES2 の非接地側端子33を接続する。 - 特許庁

The lightning arrester LA and a ground switch ES2 involve a common sealing terminal 46v for grounding.例文帳に追加

避雷器LA及び接地開閉器ES2 に対して共通に接地用密封端子46vを設ける。 - 特許庁

In executing inter-terminal data communication between communication terminals ES1, ES2, the communication terminal ES1 and the communication terminal ES2 are connected to a gateway device GW1 and a gateway device GW2, respectively, by peer-to-peer type data communication.例文帳に追加

通信端末ES1,ES2間で端末間データ通信を行う際、通信端末ES1とゲートウェイ装置GW1との間、および通信端末ES2とゲートウェイ装置GW2との間を、ピアツーピア型データ通信で接続する。 - 特許庁

A rough classification process 100 includes the step of roughly classifying earth/sand ES1 and sludge ES2 into coarse particles 40C and fine particles 40F.例文帳に追加

粗分級工程100では、土砂ES1や汚泥ES2を粗粒40Cと細粒40Fとに粗分級する。 - 特許庁

例文

Effect processing steps ES1, ES2, etc., apply various special effect processing methods to a video frame extracted from a disk unit 30.例文帳に追加

ディスク装置30から取り出した映像フレームに対して、エフェクト処理段階ES1,ES2,…においてそれぞれ種々の特殊効果処理を施す。 - 特許庁


例文

A grounding stitch ES2 is arranged below the disconnector DS2, and a lightning arrester LA and a potential transformer LPT are arranged in a space above the cable head CHd.例文帳に追加

断路器DS2 の下方に接地開閉器ES2 を配置し、ケーブルヘッドCHdの上方のスペースに避雷器LAと計器用変圧器LPTとを配置する。 - 特許庁

A transmission operation from the user terminal MN1 to the end server ES2 is once held, and a part of the user terminal MN1 polls a polling server PS3 as a sample terminal MN (s).例文帳に追加

ユーザ端末MN1からエンドサーバES2への発信動作は一旦保留され、ユーザ端末MN1の一部がサンプル端末MN(s)としてポーリングサーバPS3にポーリングする。 - 特許庁

This selectively detects loss electrons in which energy loss in a prescribed range of energy out of non-elastic scattering electrons Es2 which have penetrated through a test sample 2.例文帳に追加

検査試料2を透過した非弾性散乱電子Es2のうち、所定のエネルギー範囲のエネルギー損失が生じた損失電子を選択的に検出する。 - 特許庁

Then, an effect EF1 is displayed between the player symbol PS and the encountered enemy symbol ES1 and an effect EF2 is displayed between the player symbol and the linked enemy symbol ES2.例文帳に追加

すると、プレーヤシンボルPSと遭遇した敵シンボルES1との間にエフェクトEF1が、リンクした敵シンボルES2との間にエフェクトEF2がそれぞれ表示される。 - 特許庁

例文

The slave station is provided with electric field sensors ES1 and ES2, transmission terminals SU1 and SU2 for transmitting an electric field detection signal, and slave station information processing devices PC1 and PC2 for receiving the lightning information.例文帳に追加

前記子局は、電界センサES1,ES2と、電界検出信号を送信する送信端末SU1,SU2と、落雷警報を受信する子局情報処理装置PC1,PC2とを備える。 - 特許庁

例文

Then, the respective enemy characters of the enemy group represented by the encountered enemy symbol ES1 and the enemy group represented by the linked enemy symbol ES2 are arranged in a battle field so as to shift a condition to the battle against the enemy characters.例文帳に追加

その後、遭遇した敵シンボルES1が表す敵グループ及びリンクした敵シンボルES2が表す敵グループそれぞれの各敵キャラクタが戦闘フィールドに配置されて、当該敵キャラクタとの戦闘に移行する。 - 特許庁

The tips of the engaging parts are engaged with the guide surfaces in engaging positions EP1, EP2 apart from intersection points CP1, CP2 at which a line passing the turning axes and perpendicular to the guide surfaces intersects extended planes ES1, ES2 extending from the guide surfaces.例文帳に追加

回動軸線を通り案内面に垂直な線が案内面から延びる延長平面ES1、ES2と交わる交点CP1、CP2から離れた係合位置EP1、EP2で、係合部の先端は案内面と係合する。 - 特許庁

When the player symbol PS encounters the enemy symbol ES1 in the map field when a distance with the player symbol PS becomes a prescribed distance or less, linkage is made with another enemy symbol ES2 in the encountering, which is separated from the player symbol PS by the prescribed distance or less.例文帳に追加

マップフィールドにおいて、プレーヤシンボルPSとの間の距離が所定距離以下となることで当該敵シンボルES1に遭遇すると、この遭遇時に、プレーヤシンボルPSとの間の距離が所定距離以下である他の敵シンボルES2にリンクする。 - 特許庁

Meanwhile, if the refueling point ES1 does not exist in the area including the destination G as its center and having the radius of the reachable distance d, a refueling route connecting the start point S to the destination G via a refueling point ES2 is displayed.例文帳に追加

他方、燃料補給地点ES1が目的地Gを中心とし到達可能距離dを半径とする範囲に存在しなければ、燃料補給地点ES2を経由して出発地Sから目的地Gに至る補給経路が表示される。 - 特許庁

When a high-voltage load current Ia exceeds a limit current Ial, a direct-current voltage Em obtained by rectifying the crest value of auxiliary pulses Vm through a rectifying circuit 18 exceeds a reference voltage Es2, and the output voltage Eo1 of a compactor 19 is brought to a high level.例文帳に追加

高圧負荷電流Iaが限界電流Ial以上になった時、補助パルスVmの波高値を整流回路18で整流した直流電圧Emが基準電圧Es2を超え、比較器19の出力電圧Eo1がハイレベルとなる。 - 特許庁

The ground terminal 44 of lightning arrester LA and the sealing terminal 46v are connected by a ground bar 102v for the lightning arrester LA, and the ground terminal of the ground switch ES2 and the sealing terminal 46v are connected by the ground bar 47v for the ground switch.例文帳に追加

避雷器LAの接地端子44と密封端子46vとの間を避雷器用接地バー102vにより接続し、接地開閉器ES2 の接地端子と密封端子46vとの間を接地開閉器用接地バー47vにより接続する。 - 特許庁

The control server CS4 determines timing for releasing the transmission operation held in the each user terminal MN1 in a control slot unit on the basis of the time duration (service time) of a communication session established between the each user terminal MN1 and the end server ES2, and notifies a broadcasting server BS5 of the timing.例文帳に追加

制御サーバCS4は、各ユーザ端末MN1において保留されている発信動作を解除するタイミングを、各ユーザ端末MN1とエンドサーバES2との間に確立される通信セッションの継続時間(サービス時間)に基づいて制御スロット単位で決定し、これを放送サーバBS5へ通知する。 - 特許庁

When electrons es2 of direction opposite to the spin of electron es1 implanted from a source S are implanted into a semiconductor SM through a reverse spin implanting section R, the reverse spin never flows into a drain D by a tunnel barrier between the semiconductor SM and the drain D.例文帳に追加

逆スピン注入部Rを介して、ソースSから注入された電子es1のスピンとは逆向きのスピンの電子es2を半導体SM内に注入すると、この逆向きスピンは、半導体SMとドレインDとの間のトンネル障壁によってドレインD内へは流れない。 - 特許庁

例文

However, since the electrons es2 of reverse spin implanted into the semiconductor SM each have electric charges, the potential of the semiconductor SM deteriorates, the thickness of a potential barrier PB formed based on a Schottky contact SJ between the source S and the semiconductor SM increases and electrons hardly flows from the source S to the semiconductor SM.例文帳に追加

しかしながら、半導体SM内への注入された逆向きスピンの電子es2は、電荷を有しているので、半導体SMの電位が低下し、ソースSと半導体SMとの間のショットキ接触SJによって形成されたポテンシャル障壁PBの厚みが増加し、ソースSから半導体SM内に電子が流れ込みにくくなる。 - 特許庁




  
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