「etch‐pit」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a polishing method of GaN whereby an etch pit is hardly caused on the polishing face of a GaN crystal and an excellent polishing face can be obtained.例文帳に追加

ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるＧａＮの研磨方法を提供すること。 - 特許庁

When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etch pit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etch pit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4.例文帳に追加

そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode in which an etch pit is uniformly generated at high density, thereby increasing a surface expansion rate and also increasing an electrostatic capacitance.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に発生させて拡面率を高め、静電容量の増大を図ることができる電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

Since the etch pit is hardly caused on the polishing face of the GaN crystal and an excellent polishing face is obtained, an extremely excellent GaN film can be obtained by epitaxially growing a GaN film from the polishing face.例文帳に追加

これにより、ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるため、この研磨面にＧａＮ膜をエピタキシャル成長させると、非常に良好なＧａＮ膜を得ることができる。 - 特許庁

Fe-Ni-Co ALLOY EXCELLENT IN ETCHING CHARACTERISTIC AND LOW THERMAL EXPANSION CHARACTERISTIC, AND SHADOW MASK EXCELLENT IN SMOOTHNESS OF INSIDE SURFACE SHAPE OF ETCH PIT例文帳に追加

エッチング性および低熱膨張特性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金およびエッチング孔内郭形状の円滑性に優れたシャドウマスク - 特許庁

An etch pit density at the front surface of the semiconductor substrate 1 existing in the region A just under the pad electrode 2 in vertical is 0 or 3×10^4 /cm^2 or more but 6×10^4 /cm^2 or less.例文帳に追加

パッド電極２の垂直真下の領域Ａに存在する半導体基板１の表面のエッチピット密度が０または３×１０^4／ｃｍ^2以上６×１０^4／ｃｍ^2以下である。 - 特許庁

A channel layer is formed so that the facet surface of a polygonal pyramid etch pit that is formed in lamination semiconductor structure is covered, and, furthermore, a hole accumulation layer that is pitched by a pair of barrier layers is formed along a channel layer.例文帳に追加

積層半導体構造中に形成された多角錐エッチピットのファセット面を覆うようにチャネル層を形成し、さらにチャネル層に沿って、一対のバリア層で挟持されたホール蓄積層を形成する。 - 特許庁

Further, the damaged layer is reduced even when an alkaline etchant of ≤20 wt.% in concentration is used to eliminate an increase in depth of an etch pit and a decrease in flatness.例文帳に追加

また、濃度２０ｗｔ％以下のアルカリ性エッチング液を使っても加工変質層が減り、エッチピットの深さ増大や平坦度低下が解消される。 - 特許庁

The detecting step includes: a determining step of determining that each of the etch pits is a cone-shaped pit or a truncated cone-shaped pit; and a step of calculating the etch pit density of the truncated cone-shaped pits.例文帳に追加

検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.例文帳に追加

選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

An image of a flying trace detection solid after etch processing is acquired by a microscope device 21 to be binarized, and the ellipse is fitted an image for each etch pit.例文帳に追加

エッチ処理済みの飛跡検出用固体の画像を顕微鏡装置２１で取得し、これを二値化し、各エッチピットの画像に楕円をフィッティングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which EPD (etch pit density) can be further reduced by grasping the exact position of the crystal growth interface in a crucible and controlling the position of a temperature gradient region relative to the crucible in single crystal growth by a vertical boat method, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

縦型ボート法の単結晶成長において，るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し，るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。 - 特許庁

IRON-NICKEL-COBALT ALLOY EXCELLENT IN ETCHING CHARACTERISTIC AND LOW THERMAL EXPANSION CHARACTERISTIC, AND SHADOW MASK EXCELLENT IN SMOOTHNESS OF INSIDE PERIPHERAL SHAPE OF ETCH PIT例文帳に追加

エッチング性および低熱膨張特性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金およびエッチング孔内郭形状の円滑性に優れたシャドウマスク - 特許庁

In the method for evaluating the Ni contamination in the silicon wafer, the silicon wafer is cleaved, the cleaved silicon wafer is heat-treated, selection etching is made to the cleaved surface of the silicon wafer for forming a shallow etch pit (shallow pit), and the Ni contamination in the silicon wafer is evaluated by observing the shallow etch pit formed on the cleaved surface.例文帳に追加

シリコンウエーハのＮｉ汚染を評価する方法であって、前記シリコンウエーハを劈開し、該劈開したシリコンウエーハに熱処理を行った後、シリコンウエーハの劈開面に選択エッチングを行って浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該劈開面に形成された浅いエッチピットを観察することによってシリコンウエーハのＮｉ汚染を評価することを特徴とするシリコンウエーハのＮｉ汚染の評価方法。 - 特許庁

A very deep etch pit 1b is formed in the position corresponding to a leak portion by performing molten KOH etching and the like after Al ion implantation and activation annealing, based on findings that a dislocation causing leak such as a drain leak of a vertical MOSFET is a threading screw dislocation.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。 - 特許庁

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit.例文帳に追加

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 - 特許庁

The Zn-doped group 3B nitride crystal has specific resistance of not less than 1×10^2 Ω cm, Zn concentration of from 1.0×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3 in the group 3B nitride crystal, and etch pit density of not more than 5×10^6/cm^2.例文帳に追加

本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０^2Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０^18ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上２×１０^19ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下、エッチピット密度が５×１０^6／ｃｍ^2以下のものである。 - 特許庁

To provide a glass substrate laminated body which suppresses glass defects caused by foreign matter such as air bubbles or dust included between glass substrates, enables treatment in an existing manufacturing line without generating an etch pit, has good heat resistance, prevents an increase in peel strength over time and easily separates the glass substrate and a resin layer coming into close contact with each other from each other in a short time without damaging the resin layer.例文帳に追加

ガラス基板間へ混入した気泡や塵介等の異物によるガラス欠陥の発生を抑制し、エッチピットを発生させることなく既存の製造ラインで処理することができ、耐熱性に優れ、経時的な剥離強度の上昇がなく、密着したガラス基板と樹脂層とを樹脂層を傷つけることなく容易かつ短時間に分離することができるガラス基板積層体の提供。 - 特許庁