「gate structures」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

N-type impurities are implanted with high consentration into n-type high-concentration impurity regions 37c, 38c of NMOS thin-film transistors having LDD structures, via contact holes 45, 46 respectively for connections of their source-drain electrodes which are formed in an interlayer and gate insulation films 44, 40 provided on the regions 37c, 38c.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＮＭＯＳ薄膜トランジスタのｎ型不純物高濃度領域３７ｃ、３８ｃには、その上に設けられた層間絶縁膜４４およびゲート絶縁膜４０に形成されたソース・ドレイン電極接続用のコンタクトホール４５、４６を介してｎ型不純物が高濃度に注入される。 - 特許庁

The offset length of the TFTs driven at 12V by level shifters 85 and 89 among the TFTs of the offset gate structures constituting the driving circuits 82 and 83 of the active matrix substrate of the liquid crystal display device is made longer than the offset length of the other TFTs driven at 5V so as to assure the reliability thereof.例文帳に追加

液晶表示装置のアクティブマトリクス基板において、その駆動回路８２、８３を構成するオフセットゲート構造のＴＦＴのうち、レベルシフタ８５、８９で１２Ｖ駆動されるＴＦＴのオフセット長は、その他の５Ｖ駆動されるＴＦＴのオフセット長に比較して長くして、その信頼性を確保してある。 - 特許庁

In fact, the designation of a private house as an important cultural property together with the land implies the intent to preserve the entire residence for posterity, thus encompassing not only the private house main building but also the attached construction such as the gate, fence, warehouse, well, shrine, structures such as stone walls, the waterway, garden, and moat, housing lot, forest, etc. 例文帳に追加

民家の重要文化財指定に際して「土地」を併せて指定するということには民家の母屋のみならず、門、塀、蔵、井戸、祠等の付属建物、石垣、水路、庭園、堀等の工作物、さらには宅地、山林などを併せて指定することによって、屋敷構え全体の保存を図ろうとする意図がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The emitter 83 and the collector 84 of the LDD structures are manufactured by forming poly-si gates 210 and 211 in a lateral pnp transistor forming region 200 at the time of forming a poly-si gate 210 in a MOSFET forming region 100, and implanting ions twice in the region 200 in the same way as in the region 100.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のエミッタ８３及びコレクタ８４は、ＭＯＳＦＥＴ形成領域１００にpoly-siゲート２１０を形成するときに、ラテラルＰＮＰトランジスタ形成領域２００にもpoly-siゲート２１０、２１１を形成し、領域２００に対しても領域１００に対してと同様に二回のイオン注入を行なうことによって製造される。 - 特許庁

Each pixel is constituted of circular electrodes CE each of which is formed by concentrically arranging common electrodes 220 and pixel electrodes 238, the circular electrodes CE are disposed in a delta structure for minimizing the distance between adjacent circular electrodes CE and reducing a region which is not utilized as an aperture region, and gate wirings and data wirings 228 having curved structures so as to correspond to the delta structure are formed.例文帳に追加

各画素が共通電極２２０と画素電極２３８を同心円状に配設した円形電極ＣＥからなり、かつ隣接する円形電極ＣＥ間の離隔距離を最小化して、開口領域として活用されない領域を縮めるために、円形電極ＣＥをデルタ構造で配置するとともに、前記デルタ構造と対応するように曲がった構造のゲート配線及びデータ配線２２８を形成する。 - 特許庁

The integrated circuit device comprises a first conductivity type semiconductor layer, a plurality of semiconductor columnar parts extending outward from the semiconductor layer while defining a trench therebetween, gate structures in respective trenches, and at least one second conductivity type deep well region located beneath the bottom part of at least one trench defining at least one inactive gate structure therein and extending into the semiconductor layer between a pair of adjacent corresponding semiconductor columnar parts.例文帳に追加

集積回路装置は、第１導電型の半導体層と、この半導体層から外方に延在し、複数の互いに離間した半導体柱状部であって、これら半導体柱状部間にトレンチを規定している当該半導体柱状部と、各トレンチ内のそれぞれのゲート構造体と、少なくとも１つのトレンチの内部に少なくとも１つの不活性ゲート構造体を規定している当該少なくとも１つトレンチの底部の下側で且つ一対の隣接する対応の半導体柱状部間で前記半導体層内に延在するように位置する第２導電型の少なくとも１つの深い井戸領域とを具える。 - 特許庁