「gate structures」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The gate structures GT are formed in stripes in plan view.例文帳に追加

また、ゲート構造ＧＴは、平面視において、ストライプ状に形成されている。 - 特許庁

The top surfaces of the semiconductor substrate 101 on both sides of the respective gate structures G1, G2 are turned into silicide with the first and second gate structures masked.例文帳に追加

第一、二のゲート構造Ｇ１，Ｇ２をマスクした状態で、各ゲート構造Ｇ１，Ｇ２の両脇における半導体基板１０１上を、シリサイド化させる。 - 特許庁

Within the next several years, three-dimensional multigate transistor structures will likely replace the current planar single-gate structures. 例文帳に追加

次の数年のうちに、３次元マルチゲート型トランジスタ構造は現行のプレーナ単ゲート構造に多分取って代わるだろう。 - コンピューター用語辞典

To provide two types of gate structures which are suitable, when a part of a gate insulating film is formed of a high dielectric film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の一部を高誘電体膜で構成した場合に好適な２種ゲート構造を提供する。 - 特許庁

The second gate structure 52 is formed so as to bridge the protrusions 51a of adjacent first gate structures 51.例文帳に追加

第２ゲート構造５２は、隣り合う第１ゲート構造５１の突出部５１ａ間をつなぐように形成される。 - 特許庁

Preferably, the pair of first gate structures are substantially transverse to the second gate structure.例文帳に追加

一対の第１のゲート構造体が、第２のゲート構造体に対して実質的に横断方向にあることが好ましい。 - 特許庁

The photomask 18 is a photomask for defining each end of gate structures 25i-25j in the gate width direction.例文帳に追加

フォトマスク１８は、ゲート幅方向に関するゲート構造２５ｉ〜２５ｊの各端部を規定するためのフォトマスクである。 - 特許庁

To stabilize the shapes of gate electrodes of an N-channel insulating gate type field effect transistor and a P-channel insulating gate type field effect transistor, of which gate electrode structures are different.例文帳に追加

ゲート電極構造が異なるＮｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタとＰｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極形状を安定化させる。 - 特許庁

Then, side walls 7 and 8 are formed on the side faces of the gate structures 2 and 3.例文帳に追加

次に、ゲート構造２，３の両側面に、サイドウォール７，８をそれぞれ形成する。 - 特許庁

Then, sidewalls 8a and 8b are formed on side faces of the respective gate structures 6a and 6b.例文帳に追加

次に、各ゲート構造６ａ，６ｂの側面にサイドウォール８ａ，８ｂを形成する。 - 特許庁

A metal material is deposited on source-drain regions 4 between gate structures 5 and source-drain regions 54 between gate structures 55 by using nondirectional sputtering method.例文帳に追加

ゲート構造５の間のソース・ドレイン領域４上と、ゲート構造５５間のソース・ドレイン領域５４上とに、無指向性スパッタ法を用いて金属材料を堆積する。 - 特許庁

To provide a method for forming gate structures in a flash memory device capable of securing a margin between an active area and a floating gate.例文帳に追加

活性領域とフローティングゲートとの間のマージンを確保したフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供すること。 - 特許庁

The gate electrode structure 31 is formed on a semiconductor substrate 10 in a region between the gate electrode structures 21, 22 via a gate insulation film 14.例文帳に追加

ゲート電極構造３１は、ゲート電極構造２１，２２間の領域で半導体基板１０上にゲート絶縁膜１４を介して形成されている。 - 特許庁

Gate structures may then be formed atop the p-type device regions and n-type device regions of the substrate, and the gate structures to the n-type device regions include a rare-earth metal.例文帳に追加

次に、基板のｐ型デバイス領域及びｎ型デバイス領域の上にゲート構造体を形成することができ、ｎ型デバイス領域へのゲート構造体は希土類金属を含む。 - 特許庁

The structures providing the electronic memory function are configured to store more than one bit per gate.例文帳に追加

電子メモリ機能を与える構造は、ゲート当り１ビットを超えて記憶するよう構成されている。 - 特許庁

In order to cover gate structures 5 and 6, a lower layer insulating film 10 is formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート構造５，６を覆うように、半導体基板１上に、下層絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

To keep excellent device characteristics without a high temperature process and moreover to attain a sufficient embedding property between gate electrode structures coping with the elongation of a current gate length and further reduction in the width of the distance between the gate electrode structures.例文帳に追加

高温プロセスを要することなく、優れたデバイス特性を保持するも、近時におけるゲート長及びゲート電極構造間距離の更なる幅狭化に対応してゲート電極構造間の充分な埋め込み性を確保する。 - 特許庁

Gate electrodes 122 and a plurality of gate structures 120 comprising insulation films 124 for covering upper surfaces of the gate electrodes 122 are formed on a semiconductor substrate 110.例文帳に追加

半導体基板上１１０に、ゲート電極１２２と、前記ゲート電極１２２の上面を覆う絶縁膜１２４よりなる複数のゲート構造１２０を形成する。 - 特許庁

A first gate spacer made up of an insulating substance with a low dielectric constant is formed on both sides' walls of the respective stacked gate structures.例文帳に追加

それぞれの積層型ゲート構造物の両側壁上に低誘電率の絶縁物質で成り立った第１ゲートスペーサが形成される。 - 特許庁

Also, the poly-crystalline silicon 106 composing the first and second gate structures G1, G2 are turned into silicide.例文帳に追加

そして、第一、二のゲート構造Ｇ１，Ｇ２を構成する多結晶シリコン１０６を、シリサイド化させる。 - 特許庁

A nitride film 6 is formed covering an oxide film 5 on gate structures G1, G2 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート構造Ｇ１，Ｇ２と半導体基板１上の酸化膜５を覆うように、窒化膜６を形成する。 - 特許庁

To prevent gate insulating film penetration in a dry etching process when forming a gate electrode pattern in a semiconductor apparatus in which gate structures of an n-channel and that of a p-channel are different from each other and which has metal gate electrodes.例文帳に追加

ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。 - 特許庁

Thin line voids 8 are formed in an interlayer insulation film 7 between gate structures adjacent to each other due to a narrowed interval between the gate structures attended with micronization of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体装置の微細化に伴いゲート構造同士の間隔が狭くなっていることに起因して、互いに隣接するゲート構造同士の間において、細線状のボイド８が層間絶縁膜７内に形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with which a silicide film of proper film thickness can be formed between gate structures on a semiconductor substrate even if the distance between the gate structures is small.例文帳に追加

本発明は、たとえゲート構造間の距離が小さくなったとしても、ゲート構造間の半導体基板上に適正な膜厚のシリサイド膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a gate charge, furthermore, a gate capacitance without extending a distance between cell pitches or trench structures.例文帳に追加

セルピッチまたはトレンチ構造間の距離を拡大することなくゲート電荷ひいてはゲートキャパシタンスを低減することのできる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which a thin gate insulating film having a high specific inductive capacity is formed uniformly, and a method for manufacturing the device and another semiconductor device having gate insulating films formed in different structures and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

比誘電率の高いゲート絶縁膜が薄く、しかも均一に形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The Seiden (main hall) and the Shurei-mon (gate) of Shuri Castle are probably the best-known architectural structures in Okinawa. 例文帳に追加

首里城の正殿と守(しゅ)礼(れい)門(もん)は，おそらく最もよく知られている沖縄の建築物だろう。 - 浜島書店 Catch a Wave

Moreover, first and second source-drain diffusion layers are formed adjacently to the first and the second gate structures on the surface of the substrate.例文帳に追加

第１、第２ゲート構造に隣接して基板表面に、第１、第２ソース・ドレイン拡散層が形成される。 - 特許庁

After forming a common source region on the substrate between the first and second gate structures, first and second drain regions are formed respectively in first and second parts of the substrate adjacent to the first and second gate structures, respectively.例文帳に追加

第１及び第２ゲート構造物間の基板に共通ソース領域を形成した後、第１及び第２ゲート構造物にそれぞれ隣接する基板の第１及び第２部分にそれぞれ第１及び第２ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A roller gate includes at least a pair of column structures 2, a door structure 3, and a lifting device 4.例文帳に追加

この発明は、少なくとも一対の支柱構造体２と、扉構造体３と、昇降装置４と、を備えるものである。 - 特許庁

By isotropic etching processing, the oxide films 7 formed on side surfaces of the gate structures G1, G2 are removed.例文帳に追加

次に、等方性エッチング処理により、ゲート構造Ｇ１，Ｇ２の側面部に形成されている酸化膜７を除去する。 - 特許庁

The main monastery comprises of, among other structures, the Sammon Gate, Butsudo, Hojo, and Kuri, and is accompanied by a total of 25 sub-temples that are situated to its north, south and west. 例文帳に追加

三門、仏堂、方丈、庫裏などからなる主要伽藍の北・南・西に計25か寺の塔頭寺院がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a display device having a reduce gate voltage by using fine fiber structures, such as carbon nanotubes as the electron sources.例文帳に追加

カーボンナノチューブのような微細繊維構造を電子源とし、ゲート電圧を低減した表示装置を提供すること。 - 特許庁

To enable mixed mounting, on a common substrate, of P-type MISFETs having different operation voltages and threshold voltages, high dielectric constant gate insulating film and metal gate electrode structures.例文帳に追加

動作電圧やしきい値電圧が相異なり、高誘電率ゲート絶縁膜／メタルゲート電極構造を有するＰ型ＭＩＳＦＥＴを共通の基板上に混載可能にする。 - 特許庁

A gate electrode having gate structures 16a, 16b and sidewall spacers 22a on a silicon wafer 10 in a DRAM forming region and a logic forming region.例文帳に追加

ＤＲＡＭ形成領域とロジック形成領域とにおけるシリコン基板１０の上に、ゲート構造１６ａ，１６ｂとサイドウォールスペーサ２２ａ，…を有するゲート電極が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises a third electrode 116 opposite to the second electrode with a second interlayer insulating film 114 disposed therebetween; a second gate insulating film 117; a second CNT 118; and a second gate electrode 115 formed to have structures similar to the first gate insulating film, the first CNT, and the first gate electrode.例文帳に追加

更に、第２の層間絶縁膜１１４を挟み第２の電極と対向する第３の電極１１６と、各々第１のものと同様に構成された第２のゲート絶縁膜１１７、第２のＣＮＴ部１１８及び第２のゲート電極１１５を備える。 - 特許庁

A transmission member 12 for a load in the case of a shaft immersion is interposed and disposed among the segments 21 and 22 having the double structures and the gate 6.例文帳に追加

立坑沈設時の荷重の伝達部材１２を、二重構造のセグメント２１、２２とゲート６との間に介在して配置する。 - 特許庁

A method of forming memory devices, such as DRAM access transistors, having recessed gate structures is disclosed.例文帳に追加

ＤＲＡＭアクセストランジスタのようなメモリデバイスであって、窪み付きゲート構造を有するメモリデバイスを形成する方法が開示されている。 - 特許庁

As for the characteristics of the Nichiren sect, a small hokkedo is built at the beginning, and other structures such as a main hall, a goeido, a kuri, a kyakuden (guest hall), a somon gate, a sanmon gate, five-story pagoda, shukubo (monks' living quarters), etc., are gradually added. 例文帳に追加

日蓮宗の特徴は、最初に小さな法華堂を建立し、次第に結構を整えて、本堂、御影堂、庫裏、客殿、総門、三門、五重塔、宿坊など建立する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, some Tenshu were finished by Hameita-bari (a clapped-wood lining) seen on the structures including Kochi-jo Castle Otte-mon Gate (Main Gate), the above-mentioned Nageshi-gata Shikkui-kabe (plaster wall) and Namakokabe (a wall with square tiles jointed with raised plaster) for walls in the cold regions. 例文帳に追加

ほかに、高知城の大手門などに見られる羽目板張り、前述した長押形の漆喰壁や、寒冷地域の壁には海鼠壁（なまこかべ）が用いられることもある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, a plurality of gate structures each having a gate electrode and an insulating layer, both of which are separated from each other and respectively derived from the first conductive film and first insulating film, is provided in the cell region.例文帳に追加

セル領域に、相互に離間し、第１導電膜および第１絶縁膜に由来するゲート電極および絶縁層を有する複数の第１ゲート構造が配設される。 - 特許庁

When the device has two gate regions, separate silicide structures, which are separated with the internal spacer layer, can be generated by applying the above process to both the gate regions.例文帳に追加

デバイスが２つのゲート領域を有するときには、上記プロセスを両方のゲート領域で使用して、別個のシリサイド構造を内部スペーサによって分離された状態で生成することができる。 - 特許庁

To enable to stabilize and ensure the reliability of a gate insulating film in a semiconductor device which is provided with a high dielectric film as the gate insulating film and has different gate electrode structures of N-type MISFET and P-type MISFET.例文帳に追加

高誘電体膜をゲート絶縁膜として備え、且つＮ型ＭＩＳＦＥＴとＰ型ＭＩＳＦＥＴとでゲート電極構造の異なる半導体装置においてゲート絶縁膜の信頼性を安定して確保できるようにする。 - 特許庁

To provide an insulating gate type semiconductor device which can reduce a variation in gate threshold voltage even in a trench type IGBT structure in which cell units provided with trench gate structures are uniformly scattered and disposed in an active region.例文帳に追加

トレンチゲート構造を備えるセルユニットが活性領域中に均等に分散配置されるトレンチ型ＩＧＢＴの構造においても、ゲート閾値電圧のバラツキを小さくすることのできる絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

There are many structures transferred from other castles in Hikone-jo Castle such as tenshu from Otsu-jo Castle, Sawaguchi Tamon-yagura (corridor-style gate acted as a stonehouse and defense post at the entrance to the second enclosure) (not existent) and Taiko-yagura Mon (Drum Tower Gate) from Sawayama-jo Castle, nishi no maru sanju yagura (three-storied tower located at the northwest corner of nishi no maru) from Odani-jo Castle and Taiko-mon Gate (Drum Gate) from Kannonji-jo Castle or not known from where. 例文帳に追加

彦根城の建築物には、大津城からの天守を始め、佐和山城から佐和口多門櫓（非現存）と太鼓櫓門、小谷城から西ノ丸三重櫓、観音寺城からや、どこのものかは不明とされているが太鼓門、等の移築伝承が多くある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス