「gate structures」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This neuron MOSFET also comprises conductive layers 200, 230 and 240 arranged adjacently to gate structures 230, 240 of the capacitors and a floating gate 200 of the transistor structure and forms them.例文帳に追加

このニューロンＭＯＳＦＥＴはまた、コンデンサのゲート構造体２３０、２４０およびこのトランジスタ構造体の浮遊ゲート２００を形成する隣接する導電体層２００、２３０および２４０を有する。 - 特許庁

The center structures 60 are provided with auxiliary gates 50, and first gate insulating films 40 formed to cover peripheries of the auxiliary gates 50.例文帳に追加

中心構造体６０は、補助ゲート５０と、その補助ゲート５０の周囲を覆うように形成された第１ゲート絶縁膜４０とを備える。 - 特許庁

Structures dating from the time of Chogen that remain standing at the modern Todai-ji Temple consist of Nandai-mon (great south gate), the Kaisan-do (Founder's hall) and the Hokke-do Rei-do (ceremony hall). 例文帳に追加

現代の東大寺には、重源時代の遺構として南大門、開山堂、法華堂礼堂（法華堂の前面部分）が残っている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

One end 21e between counter ends 21e, 22e of the gate electrode structures 21, 22 facing each other is covered with an intermediate insulation film 24.例文帳に追加

ゲート電極構造２１，２２の互いに対向する対向端部２１ｅ，２２ｅのうちの一方の端部２１ｅは、中間絶縁膜２４によって被覆されている。 - 特許庁

Then, a bonding structure comprising at least the high k dielectric material of the gate stack is formed by joining the primary planes of the first and the second structures.例文帳に追加

次に、第１及び第２の構造体の主面同士を接合して、ゲート・スタックの高ｋ誘電材料を少なくとも含む接合構造体を形成する。 - 特許庁

To provide a SOI (semiconductor-on-insulator) type transistor, memory, and other DRAM circuits and an array, and a transistor gate array, and a method for forming such structures on a same substrate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型のトランジスタ、メモリ及び他のＤＲＡＭ回路及びアレイ、トランジスタゲートアレイ、及びそのような構造体を同一基板上に形成する。 - 特許庁

Furthermore, portions between the gate structures GT and conductive portions 8 where the source layer 4 and base layer 3 come into contact with each other have a size of ≥0.36 μm.例文帳に追加

さらに、ゲート構造ＧＴと導電部８との間における、ソース層４とベース層３とが接触している部分の寸法は、０．３６μｍ以上である。 - 特許庁

Impurity ion implantation is performed with a first concentration in order to form sources/drains 116 in the semiconductor substrate with the gate structures 120 serving as masks.例文帳に追加

前記ゲート構造１２０をマスクとして前記半導体基板にソース／ドレーン１１６を形成するために第１濃度で不純物イオン注入を行う。 - 特許庁

The active element array type substrate is provided with a plurality of pixel structures thereon and each pixel structure is provided with a bottom gate type thin film transistor and a pixel electrode.例文帳に追加

アクティブ素子アレイ型基板上には複数の画素構造を備えるとともに、各画素構造はボトムゲート型薄膜トランジスタおよび画素電極を備えている。 - 特許庁

Trenches are made in the substrate, to form elevated fin-shaped structures 111-114 having a monocrystalline top portion that acts as the floating gate.例文帳に追加

トレンチが基板中に形成され、フローティングゲートとして働く単結晶上部部分を有する高層フィン型構造１１１−１１４を形成する。 - 特許庁

A photoresist 103, the gate structures 10 and 14 and element separating insulation films 5b and 5c are used for an implantation mask and the ion implantation of N-type impurities 104 is performed.例文帳に追加

フォトレジスト１０３、ゲート構造１０，１４、及び素子分離絶縁膜５ｂ，５ｃを注入マスクに用いて、Ｎ型不純物１０４をイオン注入する。 - 特許庁

The nonvolatile memory includes a substrate, isolation structures disposed in and protrudent over the substrate, floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the isolation structures protrudent over the substrate, and a tunneling layer between each floating gate and the substrate.例文帳に追加

不揮発性メモリは、基板と、基板に設けられ、その上に突き出た分離構造と、基板上に突き出た分離構造の側壁上にある導電性スペーサーとしての浮遊ゲートと、各浮遊ゲートと基板の間のトンネル層とを含む。 - 特許庁

The multiple first gate structure 51 are formed in the multiple trenches 10, and each of the first gate structures 51 has a protrusion 51a protruding from trenches 10 and an embedded portion 51b embedded in trenches 10.例文帳に追加

複数の第１ゲート構造５１は、複数のトレンチ１０の中に形成され、第１ゲート構造５１の各々は、トレンチ１０から突出する突出部５１ａとトレンチ１０に埋め込まれた埋設部５１ｂを有する。 - 特許庁

After forming a tunnel insulating film on a substrate, first and second gate structures having substantially the same structure are formed so as to be mutually isolated from each other on the tunnel insulating film.例文帳に追加

基板上にトンネル絶縁膜を形成した後、トンネル絶縁膜上に互いに離隔し、実質的に同じ構造を有する第１及び第２ゲート構造物を形成する。 - 特許庁

A P^+-type impurity introduction region 24 is formed in the upper surface of a substrate 80 including a part adjacent to a channel formation region at lower parts of gate structures 10 and 14.例文帳に追加

Ｐ^+型不純物導入領域２４は、ゲート構造１０，１４の下方のチャネル形成領域に隣接する部分を含んで、基板８０の上面内に形成されている。 - 特許庁

Select gate transistors S1 and S2 have charge accumulated layer 26SSL and 26GSL and also have the same structures with memory cells M0, M1,..., M15.例文帳に追加

セレクトゲートトランジスタＳ１，Ｓ２は、電荷蓄積層２６_ＳＳ_Ｌ，２６_ＧＳＬを有し、セレクトゲートトランジスタＳ１，Ｓ２の構造は、メモリセルＭ０，Ｍ１，・・・Ｍ１５の構造と同じになっている。 - 特許庁

Excavations that started in 1959 uncovered the remains of structures including the main hall, corridors, the priests' living quarters, the dining hall and Nandai-mon gate, with those that were not included in the original historic site designation being added in 1966. 例文帳に追加

1959年からの発掘調査により、金堂・廻廊・僧坊・食堂院・南大門等の遺構が確認され、当初の未指定部分が1966年に追加指定された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a technology for properly controlling a threshold by adopting a material suitable for a gate electrode of each of MOS structures with different thresholds, and for preventing diffusion from the gate electrode to a channel region from being conspicuous without complicating a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスを煩雑にすることなく、閾値が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値を適切に制御でき、かつゲート電極からチャネル領域への拡散を顕著としない技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for properly controlling a threshold by adopting materials suitable for the gate electrode of each of MOS structures with different thresholds, and for preventing diffusion from the gate electrode to a channel region from being made remarkable without complicating a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスを煩雑にすることなく、閾値が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値を適切に制御でき、かつゲート電極からチャネル領域への拡散を顕著としない技術を提供する。 - 特許庁

A guard ring structure having the same structures as the trench 5, the channel layer 6, and the second gate layer 7, is formed at the periphery of a cell having the trench 5 formed therein, and members 3a, 3b, 3c, 32 and 42 in the structure corresponding to the first gate layer 3 and the second gate layer 7 are in electrical floating states.例文帳に追加

トレンチ５を形成したセル部の外周部において、セル部でのトレンチ５、チャネル層６、第２のゲート層７と同様な構造を有するガードリング構造体が形成され、かつ、この構造体での第１のゲート層３および第２のゲート層７に対応する部材３ａ，３ｂ，３ｃ，３２，４２は電気的にフローティング状態となっている。 - 特許庁

A first SP film 6 and a second SP film 7 are stacked in this order on a semiconductor substrate 1 in a silicide region to cover gate structures 10 on the substrate 1.例文帳に追加

シリサイド領域における半導体基板１上のゲート構造１０を覆って、半導体基板１上に、第１のＳＰ膜６及び第２のＳＰ膜７をこの順で積層する。 - 特許庁

The current Hondo (main hall), Hojo, Kuri etc. were rebuilt after the Meiji period but other mediaeval structures including the Sammon Gate, Tosu (lavatory), Yokushitsu (bathing room) and Zendo (meditation hall) escaped the fire to remain to this day and become designated National Treasures. 例文帳に追加

現在の本堂、方丈、庫裏などは明治以降の再建だが、国宝の三門をはじめ、東司（便所）、浴室、禅堂などは焼け残り、中世の建物が現存している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is a large temple complex with a central monastery that includes structures such as the recently rebuilt Sammon gate, Butsuden (Buddha hall), Hatto (lecture hall), which is surrounded by numerous sub-temples. 例文帳に追加

近世に再建された三門、仏殿、法堂（はっとう）などの中心伽藍の周囲には多くの塔頭寺院（たっちゅうじいん、子院）が建ち並び、一大寺院群を形成している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The grounds of Chion-in Temple are divided into a lower section that includes the Sammon gate and sub-temples, a middle section where the central monastery such as the main hall (Miei-do) is located, and an upper section in which structures such as the Seishi Hall and Honen's tomb are situated. 例文帳に追加

知恩院の境内は、三門や塔頭寺院のある下段、本堂（御影堂）など中心伽藍のある中段、勢至堂、法然廟などのある上段の3つに分かれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Thereafter, first insulation spacers 142 are formed in sidewalls of the gate structures, and then second insulation spacers 148a made from nitride are formed on exposed surfaces of the first insulation spacers.例文帳に追加

その後、前記ゲート構造の側壁に第１絶縁スペーサ１４２を形成して、前記第１絶縁スペーサの露出面上に窒化物よりなる第２絶縁スペーサ１４８ａを形成する。 - 特許庁

A gate valve according to this invention comprises the first valve plate 1 having the valve opening 1c and the second valve plate 1A provided on the first valve plate 1 through a first bellows 12 to reduce the rigidity or the like of structures of the valve plate and a valve stem or the like compared to the conventional structures of them by cancelling a differencial pressure.例文帳に追加

本発明によるゲート弁は、弁開口(1c)を有する第１弁板(1)と、第１弁板(1)に第１ベローズ(12)を介して設けられた第２弁板(1A)とよりなり、差圧力のキャンセルによって弁板及び弁棒等の構造の剛性等を従来よりも軽減させることができる構成である。 - 特許庁

A perimeter breakdown voltage section 20 includes a perimeter surge relaxation region 21 provided at the perimeter of a cell section 10, a perimeter well region 22 provided at the perimeter of the region 21, and dummy trench structures 45 to 47 that each include a dummy gate electrode 47 and are provided in the region 21 and region 22, respectively, and are the same structures as in a trench gate structure.例文帳に追加

外周耐圧部２０は、セル部１０の外周に設けられた外周サージ緩和領域２１と、外周サージ緩和領域２１の外周に設けられた外周ウェル領域２２と、ダミーゲート電極４７を含んでおり外周サージ緩和領域２１および外周ウェル領域２２にそれぞれ設けられると共に、トレンチゲート構造と同じ構造のダミートレンチ構造４５〜４７とを備えている。 - 特許庁

The multiple layers and/or multiple processing steps can relate to manufacturing lines, grooves, vias, spacers, contacts, and gate structures to be manufactured by utilizing isotropic and/or anisotropic etching processes.例文帳に追加

前記多数の層及び/又は多数の処理工程は、等方性及び/又は異方性エッチング処理を用いて作製可能なライン、溝、ビア、スペーサ、コンタクト、及びゲート構造の作製に関連づけられて良い。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a plurality of gate structures GT penetrating the base layer 4, and a plurality of conductive portions 8 penetrating the insulating film 5 and source layer 4 and electrically connected with the source layer 4 and base layer 3.例文帳に追加

さらに、ベース層４を貫通する複数のゲート構造ＧＴと、絶縁膜５およびソース層４を貫通し、ソース層４およびベース層３と電気的に接続する、複数の導電部８とを有する。 - 特許庁

The bulky structures of the source and the drain in the MIS type field-effect transistor can be formed in which gate electrode are composed of metals by a film formation method at a low temperature of 500 to 600°C.例文帳に追加

５００℃〜６００℃の低温での膜形成方法によりゲート電極がメタルで構成されたＭＩＳ型電界効果トランジスタでの、ソース部及びドレイン部のかさ上げ構造を形成することができる。 - 特許庁

Also, in Japan, structures are deliberately left incomplete in some cases, as can be seen in the Yomeimon gate at Nikko Toshogu, the thinking being that things begin to decay from the time they are completed. 例文帳に追加

また、日本には、日光東照宮の陽明門にみられるように、「物事は完成した時点から崩壊が始まる」という思想があり、建造物をわざと不完全なままにしておくことがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a memory cell region 10A, for electric connection between a diffusion region 171A formed between a pair of gate structures and a wiring pattern 222 formed in a BPSG film 182, a polysilicon plug 191 is preliminarily formed at a state that it is self-aligned to a gate electrode 142.例文帳に追加

メモリセル領域１０Ａにおいては一対のゲート構造間に形成された拡散領域１７１ＡとＢＰＳＧ膜１８２に形成された配線パターン２２２との間の電気接続のため、予めポリシリコンプラグ１９１を、ゲート電極１４２に自己整合した状態で形成しておく。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having different gate structures in one same element so as to increase an element operating speed in a low voltage operation section and prevent a gate insulating film in the low voltage operation section from acting like a metal diffusion source and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

異なるゲート構造を同一素子内に備え、低電圧動作部における素子動作を高速化するとともに、低電圧動作部においてゲート絶縁膜が金属拡散源となることを防ぐことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Gate electrodes 3 of gate structures GT11 to GT13 are covered with an upper nitride film 4 and a sidewall nitride film 5, so that the upper nitride film 4 and the sidewall nitride film 5 are not removed, when an interlayer insulating oxide film 10 is selectively removed so as to form contact holes CH1 and CH2, and a gate electrode 3 can be prevented from being exposed.例文帳に追加

ゲート構造体ＧＴ１１〜ＧＴ１３のゲート電極３は、上部窒化膜４およびサイドウォール窒化膜５で覆われているので、酸化膜である層間絶縁膜１０を選択的に除去してコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ２を形成するに際しては、上部窒化膜４およびサイドウォール窒化膜５が除去されず、ゲート電極３が露出することが防止できる。 - 特許庁

The transistor device includes: a source and a drain (S and D) regions; nano-tube structures (2 and 3) for providing paths of charge carriers between the source region and the drain region; and a gate region (4).例文帳に追加

トランジスタデバイスであって、ソース領域とドレイン領域（ＳとＤ）と、前記ソース領域とドレイン領域との間に電荷キャリアのパスを提供するナノチューブ構造体（２と３）と、ゲート領域（４）とを具備するトランジスタデバイス。 - 特許庁

Further, the gate electrodes 63 and 71 have laminated structures including first electrode layers 22 made of first metal, second electrode layers 26 and 34 made of second metal, and third electrode layers 62 and 70 formed of silicon layers.例文帳に追加

さらに、ゲート電極６３、７１は第１金属からなる第１電極層２２と、第２金属からなる第２電極層２６、３４と、シリコン層からなる第３電極層６２、７０と、を含む積層構造である。 - 特許庁

A first plug connected to the first source-drain diffusion layer and constituted of polycrystalline silicon and a second plug connected to the second source-drain diffusion layer and constituted of a metallic material are provided between the first gate structures.例文帳に追加

第１ゲート構造間に第１ソース・ドレイン拡散層と接続され、多結晶多結晶シリコンにより構成された第１のプラグと、第２ソース・ドレイン拡散層と接続され、金属材料により構成された第２プラグが配設される。 - 特許庁

A plurality of stacked gate structures are formed on a semiconductor substrate, which are arranged in a first space in a first region, and arranged in a second space, wider than the first one, in a second region that is adjacent to the first region.例文帳に追加

半導体基板上に第１領域では第１間隔に配置されて前記第１領域に接した第２領域では前記第１間隔より広い第２間隔に配置される複数個の積層型ゲート構造物が形成される。 - 特許庁

The impurity ion implantation 180 is performed with a second concentration higher than the first in order to form a source/a drain in the semiconductor substrate 110 with the gate structures 120, the first insulation spacers142 and the second insulation spacers 148a serving as masks.例文帳に追加

前記ゲート構造１２０、第１絶縁スペーサ１４２及び第２絶縁スペーサ１４８ａをマスクとして前記半導体基板１１０にソース／ドレーンを形成するために第１濃度より高い第２濃度で不純物イオン注入１８０を行う。 - 特許庁

Furthermore, at the end of the tenth century, the governor monk of the Office of Todai-ji Temple Construction (successor to the Agency of Todai-ji Temple Construction) began to neglect his work, which resulted in collapse or almost collapse of terribly deteriorated structures, including the Nandai-mon gate, the twin treasure houses of Kensaku-in, and the back door of the Great Buddha Hall. 例文帳に追加

合せて、10世紀末頃には、造東大寺所（前造東大寺司）の知事僧も勤務を怠けるようになってきたため、東大寺は、南大門や羂索院双倉、大仏殿後戸などは、傷みに傷んで、倒壊寸前か、してしまった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After forming gate structures 6a and 6b for which doped polysilicon film 4a and 4b TEOS oxide films 5a and 5b are laminated in a DRAM formation region and a logic formation region, impurity diffusion regions 7a1, 7a2 and 7b are formed in the respective regions.例文帳に追加

ドープトポリシリコン膜４ａ，４ｂ及びＴＥＯＳ酸化膜５ａ，５ｂが積層されたゲート構造６ａ，６ｂを、ＤＲＡＭ形成領域及びロジック形成領域に形成した後、不純物拡散領域７ａ１，７ａ２，７ｂを各領域に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which allows bulky structures of a source and a drain to be formed in a MISFET with a gate electrode formed of a metallic material by a low-temperature process in the formation and can be manufactured efficiently, and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

金属材料で形成されたゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴにおけるソース・ドレイン部のかさ上げ構造の形成において、その形成を低温プロセスで実現し、かつ効率よく製造できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a high dielectric film is usable as a gate insulating film without causing deterioration in element characteristics in the case where MOS (metal oxide semiconductor) structures, each having a different film thickness, material or the like from the others, are mixedly present, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

膜厚、材料等の異なるゲート絶縁膜を有するＭＯＳ構造が混在する場合に、素子特性の劣化を招くことなく高誘電率膜をゲート絶縁膜として用いうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology which ensures removal of a silicide protection film (SP film) on a semiconductor substrate in a region for forming a silicide film, while reducing deterioration in the performance of a semiconductor device even when a distance between gate structures is reduced.例文帳に追加

ゲート構造間の距離が小さくなった場合であっても、半導体装置の性能の劣化を低減しつつ、シリサイド膜が形成される領域における半導体基板上のシリサイドプロテクション膜（ＳＰ膜）を確実に除去することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

Even though there are temples with a Chinese-style symmetrical garan layout in which a sanmon gate is connected through the corridors to the Buddha hall, behind which a lecture hall and a hojo (head priest's living quarters) are built, a kuin and a sodo on the left and right sides of the corridors, and a yokushitsu and tosu are placed diagonally across the sanmon gate; such temples whose whole garan structures (including the corridors) remain are limited to those built in the early-modern times, such as Zuiryu-ji Temple (Takaoka City, Toyama Prefecture), Mampuku-ji Temple (Kyoto Prefecture), etc. 例文帳に追加

三門からの回廊が仏殿に達し、後ろに法堂・方丈を建て、回廊左右に庫院と僧堂を、三門斜前方に浴室と東司を設けるという中国風の左右対称の伽藍配置をもつ寺院もあるが、回廊まで含めて残っているのは富山・瑞龍寺(高岡市)、京都・萬福寺など近世以降のものに限られている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス