「gate switches」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A first switching circuit 40 switches between a power source voltage Vcc and a gate of a MOSFET 1.例文帳に追加

第１の開閉回路４０は、電源電圧ＶｃｃとＭＯＳＦＥＴ１のゲートとの間を開閉する。 - 特許庁

A second switching circuit 50 switches between the ground and the gate of the MOSFET 1.例文帳に追加

第２の開閉回路５０は、グランドとＭＯＳＦＥＴ１のゲートとの間を開閉する。 - 特許庁

Common-source gate-control topologies efficiently drive switches higher than 1 MHz.例文帳に追加

分布電源ゲート制御トポロジーは１ＭＨｚより高いスイッチを効率的に駆動する。 - 特許庁

A switching transistor Tr3 switches ON and OFF for the electricity supply in response to a gate pulse DS.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＴｒ３は、ゲートパルスＤＳに応答して該通電をオン／オフする。 - 特許庁

A diode section 48 has three diodes 50a-50c connected in parallel, and is connected between gate terminals 42a-42c of the first semiconductor switches 28a-28c and the other end 46 of the inductor 22.例文帳に追加

該ダイオード部４８は、並列とされた３つのダイオード５０ａ〜５０ｃを有する。 - 特許庁

A common control signal is input to the gate terminals of the MOSFETs constituting each of the switches.例文帳に追加

各スイッチを構成するＭＯＳＦＥＴのゲート端子に共通の制御信号を入力する。 - 特許庁

A clock generation part switches the voltage levels of clock signals of a pair of opposite phases between the gate-on voltage and the first gate-off voltage.例文帳に追加

クロック生成部は一対の逆位相のクロック信号の電圧レベルをゲートオン電圧と第１ゲートオフ電圧との間で切り換える。 - 特許庁

The first gate electrode 10 switches the constant current in response to the voltage applied to the second gate electrode 20.例文帳に追加

第１ゲート電極１０は、第２ゲート電極２０に印加される電圧に応じた定電流をスイッチングする。 - 特許庁

Since the operational position of the gate lock lever 123 is detected by the switches 21A, 21B, the gate lock valve is arranged in an appropriate place other than an operator cab.例文帳に追加

スイッチ２１Ａ，２１Ｂでゲートロックレバー１２３の操作位置を検出するので、ゲートロック弁１４を運転席以外の適所に配置できる。 - 特許庁

The predriver 1 generates a gate signal driving a driver 4 from the input PWM signal and outputs the gate signal to switches SW1 and SW2.例文帳に追加

プリドライバ１は、入力したＰＷＭ信号からドライバ４を駆動するゲート信号をスイッチＳＷ１・ＳＷ２へ出力する。 - 特許庁

For acquiring and holding the voltage corresponding to the gate-source voltage or to the threshold voltage, switches provided between the gate and the source and between the gate and the drain of the transistor and a capacitor provided between the gate and source are used.例文帳に追加

ゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧の取得、保持には、トランジスタのゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間に設けたスイッチ、及びゲート・ソース間に設けた容量を用いる。 - 特許庁

When the gate lock lever 123 is at the locking position P2, both switches 21A, 21B are closed, and the controller 1 switches the gate lock valve to the position (b).例文帳に追加

ゲートロックレバー１２３がロック位置Ｐ２にあるときはスイッチ２１Ａ，２１Ｂがともに閉となり、コントローラ１はゲートロック弁１４をロ位置に切換える。 - 特許庁

When a gate lock lever 123 is at the unlocking position P1, both switches 21A, 21B are opened, and a controller 1 switches a gate lock valve to the position (a).例文帳に追加

ゲートロックレバー１２３がロック解除位置Ｐ１にあるときはスイッチ２１Ａ，２１Ｂがともに開となり、コントローラ１はゲートロック弁１４をイ位置に切換える。 - 特許庁

The spatial optical switch has a plurality of gate switches, and constructs a plurality of ports arranged so as to make respective light beams dispersed with a beam splitter incident on the respective gate switches and consequently outputs the light beams.例文帳に追加

このゲートスイッチを複数個で有し、それぞれのゲートスイッチにビームスプリッタにて分光された光がそれぞれ入射するように配置されて、もって光を出力するための複数のポートを構成する。 - 特許庁

A delay element 30 which delays the timing of on/off switching of switches other than the switch provided nearest to the gate of the driving transistor behind that of the switch provided nearest to the gate is connected between the switches other than the switch provided nearest to the gate and a scanning line.例文帳に追加

複数のスイッチの内、駆動トランジスタの最もゲート側に設けられたスイッチを除く他のスイッチと走査線との間には、最もゲート側に設けられたスイッチに対して他のスイッチのオン、オフ切換えタイミングを遅延させる遅延素子３０が接続されている。 - 特許庁

Semiconductor optical amplifiers 2-1 to 2-4 operate as gate switches and select an optical signal instructed by a gate control signal from an optical gate switch control circuit 32.例文帳に追加

半導体光増幅器２−１〜２−４は、光ゲートスイッチとして動作し、光ゲートスイッチ制御回路３２からのゲート制御信号が指示する光信号を選択する。 - 特許庁

The triac 32 switches and controls an AC current input in an AC/DC converter 40 according to the switched gate current.例文帳に追加

トライアック３２は、スイッチングされたゲート電流に応じてＡＣ／ＤＣコンバータ４０に入力される交流電流をスイッチング制御する。 - 特許庁

Each of the plurality of three-terminal switches 215 includes a source terminal 235, a drain terminal 240, and a gate terminal 245.例文帳に追加

複数の三端子スイッチ（２１５）の各々はソース端子（２３５）、ドレイン端子（２４０）及びゲート端子（２４５）を含む。 - 特許庁

The driving circuit has an anode power source 100, a cathode power source 8, a gate power source 10, switches 7 and 9, and a constant current circuit 6a.例文帳に追加

駆動回路は、アノード電源１００、カソード電源８、ゲート電源１０、スイッチ７，９、及び定電流回路６ａを有している。 - 特許庁

To solve a problem that switches using many group III nitrides suitable for power application as a base material are always kept to be ON when there exists no gate signal.例文帳に追加

電力応用に適した多くのＩＩＩ族窒化物を基材とするスイッチはゲート信号がない場合には常時オンでありこれを解消する。 - 特許庁

Then only the gate level of the FET switches of the units whose decoder output is active is selectively outputted to the terminal MO.例文帳に追加

そして、ＦＥＴスイッチのゲート電位はデコーダ４の出力がアクティブのユニットだけがＭＯ端子に選択する出力されるように構成する。 - 特許庁

A driver 10 feeds a gate voltage VgH to the high-side transistor MH, and switches on/off-states of the transistor.例文帳に追加

ドライバ１０は、ハイサイドトランジスタＭＨにゲート電圧ＶｇＨを供給し、そのオン、オフを切りかえる。 - 特許庁

To ingeniously generate a gate voltage for a controller for a switch that electronically switches a load.例文帳に追加

負荷を電子的にスイッチングするためのスイッチに対する制御装置のゲート電圧を巧妙に生成する。 - 特許庁

A reception data switching part 5 alternately switches the demodulation data gate signals from the equalizer parts 4a and 4b, simultaneously switches the demodulation data signals from the equalizer parts 4a and 4b and outputs a demodulation data signal M.例文帳に追加

受信データ切替部５は等化器部４ａ，４ｂからの復調データゲート信号を交互に切替えると同時に、等化器部４ａ，４ｂからの復調データ信号を切替えて復調データ信号Ｍを出力する。 - 特許庁

A vertical shift register 8 switches ON pixel switches 4 of pixels to be written through gate lines 3, so that the pixels show optical characteristics corresponding to a written image signal.例文帳に追加

垂直シフトレジスタ８はゲート線３を介して書込むべき画素の画素スイッチ４をオン状態に切り替えて、該当画素が書き込まれた画像信号に応じた光学特性を顕す画像表示装置である。 - 特許庁

The switch unit 13 includes a plurality of disconnecting switches 14 which switch to connect and disconnect all the gate lines G and is provided with an interlocking switching unit 15 which makes the respective switches 14 operate together.例文帳に追加

スイッチユニット１３は、全ゲート線Ｇの接続及び切断を切り替える複数の切断スイッチ１４を含むと共に、各スイッチ１４の切替を連動させる連動切替部１５を設ける。 - 特許庁

Analog switches S1-S3 are used to select gate resistors RG1-RG3, a gate voltage is simulated with the selected gate resistor and a capacitor C1 simulating a gate capacitance, the gate voltage is applied to a current amplifier AMP, where current amplification is conducted and a charging/discharging voltage across a capacitor C2 provides a gate voltage of the IGBT.例文帳に追加

ゲート抵抗Ｒ_G1〜Ｒ_G3とアナログスイッチＳ１〜Ｓ３によるゲート抵抗切り替えを行い、このゲート抵抗とゲートキャパシタンスを模擬するコンデンサＣ１によってゲート電圧を模擬し、これを電流アンプＡＭＰによって電流増幅し、コンデンサＣ２の充放電電圧でＩＧＢＴのゲート電圧を得る。 - 特許庁

The central processing section 2 reads the address information from the address storage section 4 and switches the gate section 3 to recognize the address information via the gate section 3.例文帳に追加

前記中央処理部２は、前記アドレス情報をアドレス保持部４から読み出し、前記ゲート部３を切り替えそのゲート部３を介してアドレス情報を認識する。 - 特許庁

An NMOS transistor Qn_2n has a drain connected to the source of an NMOS transistor Qn_1n and a source connected to a GND, and a switch SW_2n is connected to the gate of the NMOS transistor Qn_2n and switches a gate voltage of the NMOS transistor Qn_2n to the GND or VN.例文帳に追加

NMOSトランジスタQn_2nは、NMOSトランジスタQn_1nのソースにドレイン、GNDにソースが接続され、スイッチSW_2nは、NMOSトランジスタQn_2nのゲートに接続され、NMOSトランジスタQn_2nのゲート電圧を、GNDまたはVNに切り替える。 - 特許庁

A PMOS transistor Qp_2n has a drain connected to a source of a PMOS transistor Qp_1n and a source connected to a Vdd, and a switch SW_1n is connected to a gate of the PMOS transistor Qp_2n and switches a gate voltage of the PMOS transistor Qp_2n to Vdd or VP.例文帳に追加

PMOSトランジスタQp_2nは、PMOSトランジスタQp_1nのソースにドレイン、Vddにソースが接続され、スイッチSW_1nは、PMOSトランジスタQp_2nのゲートに接続され、PMOSトランジスタQp_2nのゲート電圧を、VddまたはVPに切り替える。 - 特許庁

A game guide area 17 for guiding the game balls passing through a passage gate 11 is so arranged as to be detected with a plurality of gate switches 11a-11p corresponding to a plurality of normal pattern display devices a-d.例文帳に追加

複数の普通図柄表示装置ａ〜ｄ各々に対応した複数のゲートスイッチ１１ａ〜１１ｐにより検出されるように、通過ゲート１１を通過した玉を誘導するゲート誘導領域１７を設ける。 - 特許庁

That is, a gate type switch is selected at random from two banks 50, 60 each having a plurality of parallel switches 51 to 54 and 61 to 64, and then a master clock from two banks 70, 80 having master clock gate type switches 71 to 74, 81 to 84 is used to gate an output of the switch selected at random.例文帳に追加

すなわち、各々複数個の並列スイッチ５１−５４、６１−６４を持つ２つのバンク５０、６０からゲート式スイッチをランダムに選択し、その後、マスタ・クロック・ゲート式スイッチ７１−７４、８１−８４の２つのバンク７０、８０のマスタ・クロックで、これらのランダムに選択されたスイッチの出力をゲートする。 - 特許庁

When the signals SW1 and SW2 are supplied to the circuit 26, the switches SW2 are ON controlled while switches SW1a and SW1b are OFF controlled, gate columns of gate column pair of the decoder 27 are short-circuited and the potentials of the gate columns become an intermediate level between the 'H' level and an 'L' level.例文帳に追加

スイッチ制御信号ＳＷ１、ＳＷ２が電荷回収回路２６に供給されると、スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂがＯＦＦ制御されている間にスイッチＳＷ２がＯＮ制御されて、ＲＯＭデコーダ２７の各ゲート列対のゲート列間がショートし、各ゲート列は“Ｈ”レベルと“Ｌ”レベルの中間レベルの電位となる。 - 特許庁

Each of the plurality of three-terminal switches 215 opens/closes each connection section 255 between each of the source terminals 235 and each of the drain terminals 240 in the plurality of three-terminal switches in response to a control voltage at each of the gate terminals 245.例文帳に追加

複数の三端子スイッチ（２１５）の各々はそのそれぞれのゲート端子（２４５）における制御電圧に応答して、複数の三端子スイッチの各々のそれぞれのソース端子（２３５）とそれぞれのドレイン端子（２４０）との間の接続部（２５５）を閉成する。 - 特許庁

The unnecessary light is intercepted by an optical gate unit 104 so as not to be outputted by providing the optical gate unit 104 at an output part of the wavelength variable light source 101 and switching and controlling the optical gate unit 104 by an optical gate controlling signal while the wavelength variable light source 101 outputs the unnecessary light when the wavelength variable light source 101 switches the wavelength in the device with built-in the wavelength variable light source.例文帳に追加

波長可変光源１０１の出力部に光ゲート器１０４を設けて、波長可変光源１０１が波長切り替え時に、波長可変光源１０１が不要光を出力している間、光ゲート制御信号によりその光ゲート器１０４を切替え制御することで、その不要光を光ゲート器１０４により遮断し、装置外部へ出力しない。 - 特許庁

In the gate timing control circuit 3 which adjusts the timing of a gate signal being output to a plurality of semiconductor switches A and B connected in series, comparators 4 and 4 compare the pieces of Vce detection (A) and (B) of respective semiconductor switches A and B with a preset threshold to output Vce signals (A) and (B)indicating the timing of rising in the Vce detection.例文帳に追加

直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。 - 特許庁

Negative potential is selectively given to the electrodes 13-15 by switches 21-23 and electrons are emitted from the electrodes turned into negative to the gate 16, and passing through the gate 16 and focused by the focus electrode 17, proceed to the anode.例文帳に追加

電極１３〜１５には切換器２１〜２３により負電位が選択的に与えられ、電極からゲート１６に対して負となった電極より電子が放出され、ゲート１６を通過し、集束電極１７により集束されてアノードへと向かう。 - 特許庁

The gate drive circuit includes an H-side drive circuit DH, capable of adding a predetermined voltage to a gate HVG of a MOS transistor Q1 that is connected between a first power source VCC1 and the output OUT, switches S1 to S3, an inductor L1, a diode D1, and a control section CL.例文帳に追加

ゲート駆動回路は、第１電源ＶＣＣ１と出力ＯＵＴとの間に接続されたＭＯＳトランジスタＱ１のゲートＨＶＧに所定電圧を付与可能なＨ側駆動回路ＤＨと、スイッチＳ１〜Ｓ３と、インダクタＬ１と、ダイオードＤ１と、制御部ＣＬとを備える。 - 特許庁

A switch SW2 is turned OFF and switches SW1 and SW3 are turned ON to supply a low current from a constant current source CC1 to the driving transistor T1, and then a gate voltage corresponding to the low current is written to the gate of the driving transistor T1.例文帳に追加

スイッチＳＷ２をオフとし、スイッチＳＷ１，ＳＷ３をオンとして、定電流源ＣＣ１からの低電流を駆動トランジスタＴ１に流し、これによって駆動トランジスタＴ１のゲートに低電流に応じたゲート電圧を書き込む。 - 特許庁

Subsequently, electrical connection state of switches S_1 and S_3 is switched to off state and the resistance of the gate voltage adjustment unit is brought to a high level thus decreasing the gate voltage V_G of the semiconductor interrupter 12 gradually to a level slightly lower than a threshold voltage V_2 at which the semiconductor interrupter 12 finishes interruption.例文帳に追加

次に、スイッチＳ_１，Ｓ_３の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を高い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を完了する閾値電圧Ｖ_２よりもやや低いレベルまで緩やかに減少させる。 - 特許庁

A protecting operation control part 32 switches a gate signal interruption switch 35 to a gate signal interruption side for protecting power elements UH to WL, and invalidates a switching signal from a hybrid control unit 4 to achieve the non-conductive operations of transistors 18a to 18f.例文帳に追加

保護動作制御部３２は、パワー素子ＵＨ〜ＷＬの保護のためゲート信号遮断スイッチ３５をゲート信号遮断側に切替え、ハイブリッド制御ユニット４からのスイッチング信号を無効としてトランジスタ１８ａ〜１８ｆを非導通動作とする。 - 特許庁

A CPU 5 prepares a gate signal 9 controlling a gate circuit 8 and a switching signal 11 controlling switches SW1, 2, and 3 in accordance with the detection of the sensors S1, 2, and 3 and controls the ultrasonic output of an oscillator 4 in accordance with the parameters of the ultrasonic vibrators.例文帳に追加

ＣＰＵ５はセンサＳ１，２，３の検出に応じてゲート回路８を制御するゲート信号９及びスイッチＳＷ１，２，３を制御するスイッチ信号１１を作成すると共に、発振器４の超音波出力を各超音波振動子のパラメータに応じて制御する。 - 特許庁

When charging a capacitor C1 from a high voltage battery, a gate drive means transmits a first drive signal for directing conduction/non-conduction to the gate electrode of a switching means (MOSFET) that switches conduction/non-conduction of current in the capacitor C1 in transient state.例文帳に追加

高電圧バッテリからコンデンサＣ１に充電する際に、ゲート駆動手段は、過渡状態のコンデンサＣ１を流れる電流を導通／非導通するスイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ）のゲート電極に導通／非導通を指示する第１の駆動信号を送信する。 - 特許庁

A CPU 5 prepares a gate signal 9 to control a gate circuit 8 in accordance with the detection of the sensors S1, S2, and S3 and a switch signal 11 to control the switches SW1, SW2, and SW3, and controls an ultrasonic output of VCO 4 in accordance with the parameters of the ultrasonic vibrators.例文帳に追加

ＣＰＵ５はセンサＳ１，Ｓ２，Ｓ３の検出に応じてゲート回路８を制御するゲート信号９及びスイッチＳＷ１，２，３を制御するスイッチ信号１１を作成すると共に、ＶＣＯ４の超音波出力を各超音波振動子のパラメータに応じて制御する。 - 特許庁

A control circuit 110 complementarily turns on/off the transistors TRA 1 and TRB 1, and switches gate voltage to be applied when the transistors TRA 1 and TRB 1 can be turned on among a plurality of values.例文帳に追加

制御回路１１０は、トランジスタＴＲＡ１とトランジスタＴＲＢ１を相補的にオン／オフさせ、かつトランジスタＴＲＡ１とトランジスタＴＲＢ１をオンさせるときに与えるゲート電圧を複数の値間で切替可能である。 - 特許庁