「initial shape」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A pressing member 120 formed in a button shape toward the outside is extended to one part around a relief recess 150 notched to house the clamper 112 in a substrate 144 fixed to a device main body, and the clamper 112 is prevented from being excessively protruded from the clamper holder member 104 set in an initial state before the loading operation mechanism part 12 performs its loading operation.例文帳に追加

装置本体に固着された基板１４４におけるクランパ１１２を収めるように切欠した逃げ凹部１５０の周囲の一部に、外側に向け鉤形に形成した押さえ部材１２０を延設して、ローディング操作機構部１２がローディング動作を行う前の初期状態にあるクランプホルダ部材１０４からクランパ１１２が過剰に突出するのを制止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing the electrode plate collector of a lead storage battery which maintains the strength of the depth in a high state, prevents the deformation of a grid shape, and can perform a long lifetime by performing rolling of small rolling reduction in the initial stage of continuous rolling of a lead sheet 1 and microfabrication only of a crystalline composition of a surface layer section more.例文帳に追加

鉛シート１の連続圧延の初期の段階で小圧下率の圧延を行って表層部の結晶組織のみをより微細化することにより、深層部の強度を高い状態で維持し格子形状の変形を防止して長寿命化ができる鉛蓄電池の極板集電体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A solid-state imaging apparatus includes, inside a plurality of pixels 201 disposed in a two-dimensional shape: a photodiode 202; a read transistor 203 for reading stored charges from the photodiode 202; an FD 204 for holding read-out charges; a reset transistor 205 for resetting the FD 204 into initial state; and an amplification transistor 206 for receiving a potential of the FD 204 and amplifying/outputting its signal.例文帳に追加

固体撮像装置は、２次元状に配置された複数の画素２０１内にフォトダイオード２０２、フォトダイオード２０２から蓄積電荷を読み出すための読出しトランジスタ２０３、読み出された電荷を保持するＦＤ２０４、ＦＤ２０４を初期状態にリセットするためのリセットトランジスタ２０５、ＦＤ２０４の電位を受けてその信号を増幅・出力する増幅トランジスタ２０６を備えている。 - 特許庁

An adjustment member 16 having a wedge shape in a cross section becoming gradually thicker toward one direction in the extending direction of a center axis L of the inner tube 11 and the outer tube 12, and adjusting an initial elastic force by moving in the extending direction of the center axis L and compressively deforming the elastic member 13 in the radial direction is interposed between the inner tube 11 and the outer tube 12.例文帳に追加

内筒１１と外筒１２との間には、内筒１１及び外筒１２の中心軸Ｌの延伸方向における一方に向かって肉厚が次第に厚くなる断面くさび形状を有し、同中心軸Ｌの延伸方向に移動して弾性部材１３を径方向に圧縮変形させることによりその初期弾性力を調整する調整部材１６が介装されている。 - 特許庁

A processor 2 calculates the polymerization degree of the polymer at the outlet of the polymerization vessel based on a plurality of patterns corresponding to shape data, operating conditions, initial conditions and each height of the dams by using a polymerization degree-calculating simulator, and extracts each height of the dams capable of achieving the target values of the polymerization degree and the production amount of the polymer to be produced by the polymerization.例文帳に追加

演算処理装置２は、形状データと、運転条件と、初期条件と、前記複数の堰のそれぞれの高さに関する複数のパターンに基づいて、前記重合槽の出口のポリマー重合度を重合度計算シミュレータを用いて演算し、重合によって生成されるポリマーの重合度及び生産量に関する目標値に対して、この目標値を達成する前記複数の堰のそれぞれの高さを抽出する。 - 特許庁

To obtain an ultraviolet-curable composition, suitable as a material for a damping material for an object lens-driving device, which not only can secure a sufficient operating time at room temperature but also can give a silicone gel of a desired hardness by short-time ultraviolet irradiation and further can maintain its initial shape without lowering the crosslinking density even when the luminous intensity of ultraviolet rays is increased for reducing the cure time.例文帳に追加

室温で十分な作業時間を確保できるとともに、短時間の紫外線照射によって所望の硬さのシリコーンゲルを得ることができ、また、硬化時間を短縮させるために紫外線の照度を上げても架橋密度が低下することなく初期の形状を維持することができて、対物レンズ駆動装置用ダンピング材の材料として好適な紫外線硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

In the crystal growth process of the semiconductor layer A, the upper face of the semiconductor layer A can be made a recess and projection shape having sufficient ruggedness to generate lateral direction growth action of the semiconductor layer B laminated thereafter, by optimizing V/III ratio of the semiconductor layer A or crystal growth temperature T_A or the like even in the case that a initial crystal growth face σ is substantially flat.例文帳に追加

半導体層Ａの結晶成長過程では、最初の結晶成長面σが殆ど平らな場合でも、上記の半導体層ＡのＶ／III 比や、或いは結晶成長温度Ｔ_A などを最適化することにより、半導体層Ａの上面を、その後積層される半導体層Ｂの横方向成長作用を発現させるのに十分な起伏のある凹凸形状にすることができる。 - 特許庁