| 意味 | 例文 |
ion sourceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1612件
This moisture detector comprises a porous positive electrode, a porous negative electrode, an electrolyte layer arranged so as to make contact with the positive electrode at one surface and the negative electrode at the other surface between both the electrodes and made of a material exhibiting hydrogen ion conductivity even without contained moisture, and a power source applying voltage between the electrolyte layer and the positive electrode and the negative electrode.例文帳に追加
水分検出器は、多孔性の陽極と、多孔性の陰極と、上記陽極と陰極との間で、上記陽極に一方の面が接し、上記陰極に他方の面が接するように設けられ、含有水分のない状態であっても水素イオン導電性を示す物質からなる電解質層と、この電解質層と上記陽極と陰極の間に電圧を印加する電源とを備えたものである。 - 特許庁
This method for forming a thin film comprises the steps of: evaporating a film material 6 by heating it in a vacuum; ionizing the evaporated material by adding monovalent or divalent metal ions emitted from an ion source 9 to the evaporated film material; and accelerating the ionized evaporated material toward a substrate 2 to be treated by using an electric field (101), to vapor-deposit the material on the substrate.例文帳に追加
膜材料６を真空中で加熱し、該膜材料６を蒸発させる、前記蒸発させた膜材料による蒸発材料に、イオン源９から放出された１価または２価の金属イオンを付加し、該蒸発材料をイオン化し、前記イオン化した蒸発材料を電界（１０１）によって被処理基板に向けて加速し、該被処理基板２上に該材料を蒸着させ、薄膜を形成する構成とする。 - 特許庁
In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11.例文帳に追加
この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁
The method includes the steps of introducing into a remote plasma source 66 a gas mixture including sulfur hexafluoride and an oxygen-containing chemical compound selected from a group composed of oxygen and nitrogen monoxide, dissociating a portion of the gas mixture into ion, transferring their atoms into a processing region 212 of a chamber 202, providing in situ plasma, and rinsing out a deposit from the chamber through ionic reaction.例文帳に追加
六フッ化硫黄と、酸素および亜酸化窒素からなる群から選択された酸素含有化合物とを含むガス混合物を、リモートプラズマ源６６に導入するステップと、ガス混合物の一部分をイオンに解離するステップと、それらの原子をチャンバ２０２の処理領域２１２に移送するステップと、インシチュプラズマを与えるステップと、イオンとの反応によって、チャンバ内から堆積物を洗浄するステップとを含む方法。 - 特許庁
The gold plating liquid is of a substituted type and comprises one or more kinds of organic salts selected from the group consisting of succinic acid, phthalic acid, fumaric acid, maleic acid and malonic acid or the salts thereof, erythorbic acid or the salts thereof, potassium cyanide and a gold ion source, and is used for directly forming an electroless gold plating layer on the surface of the object to be plated consisting of a copper material.例文帳に追加
本発明の金めっき液は置換型のものであり、コハク酸、フタル酸、フマル酸、マレイン酸及びマロン酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機酸又はその塩類、エリソルビン酸又はその塩類、シアン化カリウム、及び金イオン源を含有し、銅材料からなる被めっき物の表面に無電解金めっき層を直接形成するために用いられることを特徴とする。 - 特許庁
The mass spectrometer further includes an axis adjustment mechanism adjusting positions of axes of the orifice and/or the mass separator so that an opening of the orifice and/or an incident port of the mass separator are arranged along a straight line connecting the ion source and the incident port of the detector.例文帳に追加
イオン源と、イオンを検出する検出器と、前記イオン源と前記検出器との間に配置されたオリフィス及び質量分離器とを備えた質量分析装置において、前記イオン源と前記検出器の入射口とを結ぶ直線上に前記オリフィスの開口及び／又は前記質量分離器の入射口が配置されるように、前記オリフィス及び／又は前記質量分離器の軸の位置を調整する軸調整機構を備えることを特徴とする質量分析装置。 - 特許庁
Ion implantation is carried out surrounding gate electrodes 305 to 307 of transistors formed in a pixel 2 to form n^+ regions 426 and 427 functioning as a source region and a drain region, thereafter a first insulating film 35 and a second insulating film 36 functioning as a block film are formed, and a sidewall of a gate electrode having the first insulating film 35 and the second insulating film 36 partly is formed by etch-back.例文帳に追加
画素２に形成されたトランジスタのゲート電極３０５〜３０７の周辺にイオン注入を行うことでソース領域及びドレイン領域として機能するｎ^＋領域４２６、４２７を形成し、その後に、ブロック膜として機能する第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６を成膜し、エッチバックによって第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６をその一部としたゲート電極のサイドウォールを形成する。 - 特許庁
Gate electrodes 15 are formed through a gate insulation film 14 on a semiconductor substrate 11 and element isolations, the gate electrodes are formed so as to adjoin both sides of a certain one gate electrode, and a skew ion implanting is made so that the shadows of adjacent gate electrodes overlie source or drain regions 19, thus making it possible to selectively implant a channel impurity in Si substrate regions 13 beneath the gate electrodes.例文帳に追加
半導体基板１１上及び素子分離部上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を形成し、ある１つのゲート電極に対しその両側に隣接するようにゲート電極を形成し、隣接するゲート電極の陰がソース又はドレイン領域１９に重なるように、斜めイオン注入を行うことにより、ゲート電極下のシリコン基板領域１３に選択的にチャネル不純物を注入することが可能になる。 - 特許庁
The method for preventing adhesion of organisms to equipment for circulating and storing sea water or water representatively comprises providing an anode 202 having silver on the surface and a cathode 204 connected to the anode via an electric source 206 on the contact surface of the equipment with sea water or water and applying voltage to the anode and the cathode to make a silver ion to be released from the anode.例文帳に追加
本発明にかかる生物付着防止方法の代表的な構成は、海水または水を流通させる、ならびに貯留する設備の生物付着防止方法において、設備の海水または水との接触面に、表層に銀を有する陽極２０２と、電源２０６を介して陽極と接続された陰極２０４とを設置し、陽極および陰極に電圧を印加することにより、陽極から銀イオンを放出させることを特徴とする。 - 特許庁
This manufacturing method comprises a stage where a source electrode 20 and a drain electrode 30 separated by a specified distance are formed on an insulating substrate 10, a stage where a metal layer 40 of several nm thickness is formed between them, and a stage where a specified voltage is applied to them so that moving of metal atom/ion of the metal layer 40 forms a quantum point between them.例文帳に追加
絶縁基板１０上に所定間隔で離隔されたソース電極２０とドレイン電極３０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０との間に数ｎｍ厚さの金属層４０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０に所定電圧を印加して金属層４０の金属原子／イオンの移動によりソース電極２０とドレイン電極３０との間に量子点を形成する段階とを含む。 - 特許庁
In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加
縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁
The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region.例文帳に追加
更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
