「junction-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

JUNCTION TYPE FET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

接合型ＦＥＴおよびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING JUNCTION TYPE FLUORESCENT LAMP例文帳に追加

接合形蛍光ランプの製造方法 - 特許庁

JUNCTION TYPE OPTICAL ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

接合型光学素子およびその製造方法 - 特許庁

STRENGTH EVALUATION METHOD OF JUNCTION TYPE VALVE SEAT例文帳に追加

接合型バルブシートの強度評価方法 - 特許庁

N-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR JUNCTION ELEMENT, PN-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE例文帳に追加

ｎ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子および光電変換装置 - 特許庁

In a junction barrier Schottky diode, the gradient of a pn-junction present at the side of a p-type region forming the pn-junction is sharper than the gradient of a pn-junction present at the bottom of the p-type region.例文帳に追加

本発明は、ジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ｐｎ接合を形成するｐ型領域の側部に存在するｐｎ接合の傾きが、当該ｐ型領域の底部に存在するｐｎ接合の傾きより急峻である。 - 特許庁

The p-type organic layer forms an NP junction between the n-type organic layer and the p-type organic layer.例文帳に追加

ｐ型有機物層は、ｎ型有機物層とｐ型有機物層との間でＮＰ接合を形成する。 - 特許庁

To provide a back junction type solar cell having fine p-type and n-type regions.例文帳に追加

微細なｐ型領域とｎ型領域とを有する裏面接合型の太陽電池を提供する。 - 特許庁

METHOD OF LINEARITY ADJUSTMENT, MANUFACTURING METHOD OF PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE, AND PN JUNCTION TYPE VARIABLE-CAPACITANCE DIODE例文帳に追加

直線性調整方法、ＰＮ接合型可変容量ダイオードの製造方法、およびＰＮ接合型可変容量ダイオード - 特許庁

The semiconductor layer in the light receiving part (region PD) has a pn junction in a junction part of the p^--type epitaxial layer 2 and the n-type silicon substrate 5a.例文帳に追加

受光部（領域ＰＤ）における半導体層は、ｐ^−型エピタキシャル層２とｎ型シリコン基板５ａとの接合部にｐｎ接合を有する。 - 特許庁

The concentration of the primary p-type impurity concentration distribution at the pn junction is higher than that of the secondary p-type impurity concentration distribution at the pn junction.例文帳に追加

第１のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度は第２のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度よりも高い。 - 特許庁

To provide a junction type optical element manufacturing method that enables stable manufacturing of a junction type optical element with high accuracy and high performance.例文帳に追加

高精度・高性能の接合型光学素子の安定的な製造を可能とする、接合型光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

LAMP EDGE TYPE JOSEPHSON JUNCTION ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ランプエッジ型ジョセフソン接合素子及びその製造方法 - 特許庁

SCHOTTKY JUNCTION TYPE SEMICONDUCTOR DIODE DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ショットキ接合型半導体ダイオード装置及びその製法 - 特許庁

HETERO-JUNCTION TYPE BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ヘテロ接合型バイポーラ半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

pn JUNCTION TYPE BORON PHOSPHIDE GROUP SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

NEW TYPE TERAHERTZ OSCILLATOR USING LAMINATED JOSEPHSON JUNCTION例文帳に追加

積層ジョセフソン接合を用いた新型テラヘルツ発振器 - 特許庁

ELECTROLYTE MEMBRANE ELECTRODE JUNCTION BODY AND DIRECT METHANOL TYPE FUEL CELL例文帳に追加

電解質膜電極接合体および直接アルコール形燃料電池 - 特許庁

ANATASE/BROOKITE JUNCTION TYPE TITANIUM DIOXIDE, ITS USE AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

アナタース／ブルッカイト接合型二酸化チタン、その使用および製造方法 - 特許庁

JUNCTION-DOWN TYPE OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ジャンクションダウン型の光半導体素子及び光半導体装置 - 特許庁

SYNTHETIC RESIN CROSSOVER TYPE JUNCTION MEMBER FOR DRAINAGE FACILITY AND ITS USAGE例文帳に追加

排水設備用合成樹脂製ヤリトリ型接合部材およびその使用法 - 特許庁

PN-JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ｐｎ接合型電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁

HORIZONTAL JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

横型接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

TWO-AGENT TYPE ACRYLIC ADHESIVE COMPOSITION AND JUNCTION USING THE SAME COMPOSITION例文帳に追加

二剤型アクリル系接着剤組成物とそれを用いた接合体 - 特許庁

TUNNEL JUNCTION TYPE SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

トンネル接合型面発光半導体レーザ装置およびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF POSITIVE AND NEGATIVE ELECTRODE JUNCTION TYPE LITHIUM HIGH POLYMER BATTERY例文帳に追加

正負極接合型リチウム高分子電池の製造方法 - 特許庁

To reduce the input capacity of a junction type field effect semiconductor element.例文帳に追加

接合型電界効果半導体素子の入力容量を低減させる。 - 特許庁

An N-type low resistance layer 17 reduces the junction FET effect.例文帳に追加

Ｎ型低抵抗層１７は、ジャンクションＦＥＴ効果を低減する。 - 特許庁

JUNCTION-TYPE PROBE FOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS MEASUREMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

電気特性測定用接合型プローブとその製造方法 - 特許庁

The electrostatic protective circuit has a first junction type bipolar transistor and a second junction type bipolar transistor which are formed in a thyristor structure; and an MOS transistor intervened between a collector terminal of the first junction type bipolar transistor and a base terminal of the second junction type bipolar transistor.例文帳に追加

サイリスタ構造に形成された第１接合型のバイポーラトランジスタ及び第２接合型のバイポーラトランジスタと、第１接合型のバイポーラトランジスタのコレクタ端子と第２接合型のバイポーラトランジスタのベース端子との間に介挿されたＭＯＳトランジスタと、を設ける。 - 特許庁

JUNCTION-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法及び半導体装置 - 特許庁

CONDUCTOR SEGMENT JUNCTION TYPE ROTARY ELECTRIC MACHINE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

導体セグメント接合型の回転電機及びその製造方法 - 特許庁

To reduce outside dimensions of a module type junction box.例文帳に追加

モジュールタイプのジャンクションボックスの外形寸法の縮小化を図る。 - 特許庁

STRUCTURE OF EXHAUST PIPE JUNCTION IN V-TYPE ENGINE EXHAUST SYSTEM例文帳に追加

Ｖ型エンジンの排気系における排気管交流部構造 - 特許庁

DETERMINATION METHOD OF CHARACTERISTIC CONFINEMENT ELEMENT CELL OF MULTI-JUNCTION TYPE PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT例文帳に追加

多接合型光電変換素子の特性制限要素セルの判定方法 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR DRIVING JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法 - 特許庁

The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface.例文帳に追加

電圧制御可変容量１５はＰＮ接合を持ち、このＰＮ接合はＰＮ接合面から離れるに従ってＮ型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁

In a diode, having a function of a P-type layer and an N-type layer, the P-type layer has a main junction part a, and a junction part having density different from that at the main junction part a.例文帳に追加

Ｐ型層とＮ型層が接合されたダイオードにおいて、Ｐ型層は、メイン接合部ａ、及びメイン接合部ａとは濃度が異なる接合部を有する。 - 特許庁

Between the n^--type semiconductor layer 4 and the p-type semiconductor layer 5, a pn junction plane 7 is formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体層４とｐ型半導体層５との間にはｐｎ接合面７が形成されている。 - 特許庁

Pn junction J is formed by the second n-type semiconductor layer 19 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９とｐ型半導体層１７とはｐｎ接合Ｊを形成する。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER例文帳に追加

Ｐ型半導体分散体、Ｐ型半導体層、ＰＮ接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁

The alternate hetero-junction layer 5 is sandwiched by the p-type layer 1 and the n-type layer 2.例文帳に追加

当該交互ヘテロ接合層５は、ｐ型層１とｎ型層２とにより挟持されている。 - 特許庁

The p^+ type anode layer 15 and the n^- type base layer 14 form a pn junction.例文帳に追加

上記ｐ^＋型アノード層１５とｎ^−型ベース層１４でｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

Each tunnel junction structure includes a p-type lower layer 20 and an n-type upper layer 21.例文帳に追加

各トンネル接合構造は、ｐ型の下部層２０とｎ型の上部層２１とを含んでいる。 - 特許庁