「junction-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Impurity concentration at a part adjacent to the pn junction side of diffusion layers (p-type diffusion separation walls) 14, 14a, 14b for electrically dividing the inside of a substrate through a pn junction is enhanced selectively near the substrate surface, where high-concentration regions (n^+-layer) 15a-15c are formed.例文帳に追加

ｐｎ接合を通じて基板内部を電気的に区画する拡散層（Ｐ型拡散分離壁）１４および１４ａおよび１４ｂのｐｎ接合側に近接する部分の不純物濃度を基板表面の近傍にて選択的に高めて、そこに高濃度領域（Ｎ^+層）１５ａ〜１５ｃを形成する。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

In a junction part 5 of concrete members in various secondary products of concrete and in prefabrication construction method, a strip type elastic cushion material 6 is held between mating junction end surfaces of the concrete members, where one end of the cushion material 6 in a width direction cross section is formed thin, with the other end formed thick.例文帳に追加

各種コンクリート２次製品やプレハブ工法におけるコンクリート部材の接合部において、コンクリート部材どうしの接合端面に帯状の弾性クッション材を挟み込み、該クッション材の幅方向の断面において一端を薄く、他端を厚く形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents characteristics, such as impurity concentration of a channel layer and impurity concentration, from varying, when forming a semiconductor layer of a conductive type which is opposite to that of the channel layer as a junction FET, and has a junction field effect transistor that can be manufactured easily.例文帳に追加

チャネル層と反対導電型の半導体層を形成して接合型ＦＥＴとする場合に、チャネル層の不純物濃度などの特性変動を生じさせることなく、かつ、簡単に製造することができる構造の接合型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁

The semiconductor element 10 is formed into a Schottky type or p-n junction type or Schottky/p-n junction composite type horizontal diode structure which has a horizontal main conductive path in a conductive layer 1, and unit anodes 5u and unit cathode electrodes 2u that are adjacent to each other in horizontally integrated arrangement.例文帳に追加

半導体素子１０を、導電層１内において水平方向に主導通経路を有し、かつ、単位アノード部５ｕと単位カソード電極２ｕとを互いに隣接する形で横方向に集積化してなる、ショットキー型もしくはＰ−Ｎ接合型の、あるいはこれらが複合された横型ダイオード構造とする。 - 特許庁

In a power type semiconductor device having a super-junction structure in a first conduction type drift region of each of an active cell region, a chip peripheral region and an intermediate region therebetween, the width of at least one of second conduction type column regions constituting a super-junction structure in the intermediate region is set to be larger than the width of the other regions.例文帳に追加

本願発明は、アクティブセル領域、チップ周辺領域、および、これらの間の中間領域のそれぞれの第１導電型のドリフト領域にスーパジャンクション構造を有するパワー系半導体装置において、この中間領域においてスーパジャンクション構造を構成する第２導電型のカラム領域の少なくとも一つの幅を他の領域よりも大きくしたものである。 - 特許庁

When a voltage is applied between the P-type impurity regions 15b and 15b via metal wiring 9 and 9, two P-N junctions formed on the junction surface between the N-type impurity region 15a and the P-type impurity regions 15b and 15b are formed opposed in the backward and forward directions, and a resistor is composed by either P-N junction.例文帳に追加

メタル配線９，９を介してＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂ間に電圧を印加すると、Ｎ型不純物領域１５ａとＰ型不純物領域１５ｂ，１５ｂの接合面に形成される２つのＰＮ接合が逆方向と順方向で対向して形成され、いずれかのＰＮ接合によって抵抗が構成される。 - 特許庁

A plurality of connecting holes 24 which connect the n+-type semiconductor areas 20 of Zener diodes D1 and D2 to wiring 21 and 22 is not arranged in the central part of an n+-type semiconductor area 20, namely, an area forming a junction with a p+-type semiconductor area 6, but in the peripheral section of the area 20 having a deeper junction depth than the central part has.例文帳に追加

ツェナー・ダイオード（Ｄ_1、Ｄ_2）のｎ^+型半導体領域２０と配線２１、２２とを接続する複数の接続孔２４は、ｎ^+型半導体領域２０の中央部、すなわちｐ^+型半導体領域６と接合を形成している領域には配置されず、接合深さが中央部に比べて深い周辺部に配置される。 - 特許庁

A support base plate 10 has a first conductivity type region 10a and a second conductivity type region 10b, and a PNP junction or an NPN junction composed of the first and second conductivity type regions 10a, 10b are provided in the propagation path of noise which is applied to a first element formation area 20 and propagated.例文帳に追加

支持基板１０を、第１導電型領域１０ａと第２導電型領域１０ｂとを有し、第１素子形成領域２０にノイズが印加されてノイズが伝播されたときの当該ノイズの伝播経路中に、第１、第２導電型領域１０ａ、１０ｂで構成されるＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合を有するものとする。 - 特許庁

Oxides 3, 4 forming the oxide pn junction consist of a perovskite-type oxide thin film, and more preferably, the electrode 2 consists of the perovskite-type oxide thin film.例文帳に追加

酸化物ｐｎ接合を形成する酸化物３，４がペロブスカイト型酸化物薄膜からなり、更に好ましくは、電極２がペロブスカイト型酸化物薄膜からなる。 - 特許庁

ELECTRODE CATALYST FOR SOLID HIGH-POLYMER ELECTROLYTE- TYPE FUEL CELL, AND ELECTRODE, ELECTROLYTE FILM/ELECTRODE JUNCTION BODY AND SOLID HIGH-POLYMER ELECTROLYTE-TYPE FUEL CELL USING THE CATALYST例文帳に追加

固体高分子電解質型燃料電池用電極触媒、並びに該触媒を用いた電極、電解質膜—電極接合体および固体高分子電解質型燃料電池 - 特許庁

Both control parts for respectively controlling electron currents and hole currents are formed in two main electrodes to control currents in an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer composing super junction.例文帳に追加

二つの主電極の両方に電子とホールの制御部を設け、スーパージャンクションを構成するｎ形半導体層とｐ形半導体層における電流を制御する。 - 特許庁

The first circuit includes a first type first MOS transistor, a second type first MOS transistor, and a first bipolar junction transistor.例文帳に追加

第一の回路は、第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含むようにする。 - 特許庁

The anode electrode 5 and the p-type anode region 3 are in ohmic contact with each other, while the anode electrode 5 and the n-type drift layer 2 form a Schottky junction 6.例文帳に追加

このアノード電極５とｐアノード領域３とはオーミック接触しており、アノード電極５とｎドリフト層２とはショットキー接合６が形成される。 - 特許庁

To a pn junction element which has such a layer that selectively covers a p type region and an n type region and is made of cylindrical carbon molecules, and also to provide a method for manufacturing the element.例文帳に追加

ｐ型領域とｎ型領域とを選択的に覆う被覆層を持たない筒状炭素分子からなるｐｎ接合素子、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The parallel type multijunction element connects a plurality of superconducting tunnel type junction devices with a structure holding an electronic tunnel barrier with two superconductors in a sandwich shape through an inductance.例文帳に追加

並列型他接合素子は、電子のトンネルバリアを２つの超伝導体でサンドイッチ状に挟んだ構造の複数個の超伝導トンネル型接合素子を、インダクタンスを介して接続する。 - 特許庁

To provide a structure of a novel p-n junction type nitride semiconductor light emitting element wherein a metal except metals forming good ohmic contact with a p-type nitride semiconductor is used as a p-side electrode.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体と良好なオーミック接触を形成する金属以外の金属をｐ側電極として用いる、新規なｐｎ接合型の窒化物半導体発光素子の構造を提供する。 - 特許庁

To provide an ion exchange membrane and a membrane/electrode junction body suitable for a direct methanol type fuel cell, and to provide the direct methanol type fuel cell having excellent performance.例文帳に追加

ダイレクトメタノール形燃料電池に適したイオン交換膜及び膜／電極接合体、及び性能の優れるダイレクトメタノール形燃料電池の提供。 - 特許庁

The p-type dopant diffused region becomes a p-type semiconductor layer 3, and this forms a p-n junction 17 between the two layers 4 and 3.例文帳に追加

これにより、ｐ型ドーパントが拡散された領域がｐ型半導体層３とされ、ｎ型半導体層４との間でｐ−ｎ接合部１７が形成される。 - 特許庁

The second circuit is constituted of a first type second MOS transistor, a second type second MOS transistor, resistor, and a second bipolar junction transistor.例文帳に追加

第二の回路を、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a super-junction region having n type pillar regions 2 and ptype pillar regions 3 alternately provided on an n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１上にｎ型ピラー領域２とｐ型ピラー領域３とを交互に設けてなるスーパージャンクション領域を備える。 - 特許庁

The thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right above the tunnel junction layer 105 is thinner than the thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right below the first electrode 110.例文帳に追加

トンネル接合層１０５の直上領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さが、第１の電極１１０の直下領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さよりも薄い。 - 特許庁

For example, the p-n junction body, manufactured by applying and baking LaSrCoO_3 which is p-type oxide on a pellet of n-type manganese oxide by spin coating has the function of the battery action using light.例文帳に追加

例えば、ｐ型酸化物であるＬａＳｒＣｏＯ_３を、ｎ型マンガン酸化物のペレット上にスピンコーテングで塗布し、焼き付けて作製したｐ−ｎ接合体は、光によって電池作用の機能をもつ。 - 特許庁

A p-n tunnel junction 220 between a p-type semiconductor layer 216 and an n-type semiconductor layer 218 provides current injection for an edge-emitting nitride based semiconductor laser structure 200.例文帳に追加

ｐ型半導体層２１６とｎ型半導体層２１８との間のｐ−ｎトンネル接合２２０は、エッジ発光型窒化物系半導体レーザ構造２００のための電流注入を提供する。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17a having a relatively shallow junction while both sides are held by p-type source/drain regions 16a is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15a.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ａ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ａに挟まれ、相対的に接合深さの浅いＮ型しきい値制御拡散層１７ａが形成されている。 - 特許庁

A MOSFET 10 is provided with a super junction structure 12 between a semiconductor substrate 11 which contains n^+-type impurities and a base layer 15 which contains p-type impurities.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１０は、ｎ^＋型の不純物が含有された半導体基板１１と、ｐ型の不純物が含有されたベース層１５との間にスーパージャンクション構造１２が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is a vertical power MOSFET having a super junction structure in which a first n-type semiconductor region 9 and a second p-type one 11 are arranged alternately.例文帳に追加

半導体装置１は、ｎ型の第１半導体領域９とｐ型の第２半導体領域１１とが交互に並ぶスーパージャンクション構造を有する縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

This junction field effect transistor has a vertical type structure and on/off characteristics of a normally off type and uses silicon carbide as a semiconductor material as the main component.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、縦型構造を有するとともに、ノーマリオフ型のオンオフ特性を有し、主成分の半導体材料として炭化珪素を用いている。 - 特許庁

The p-n junction is formed by laminating, for example, an n-type layer (clad layer) 3 of a GaN compound semiconductor and a p-type layer (clad layer) 5 of the GaN compound semiconductor.例文帳に追加

たとえばＧａＮ化合物半導体からなるｎ形層（クラッド層）３と、ＧａＮ化合物半導体からなるｐ形層（クラッド層）５とが積層されることによりｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type threshold control diffusion layer 17b having a relatively deep junction while both the sides are held by p-type source/drain regions 16b is formed on the semiconductor substrate 11 directly below the gate electrode 15b.例文帳に追加

そして、ゲート電極１５ｂ直下の半導体基板１１に両側をＰ型ソース・ドレイン領域１６ｂに挟まれ、相対的に接合深さの深いＮ型しきい値制御拡散層１７ｂが形成されている。 - 特許庁

In the first layer, p-type semiconductor region, containing p-type impurities, is formed at a position opposed to at least one part of the gate electrode through the hetero-junction surface.例文帳に追加

第１層には、ｐ型の不純物を含むｐ型半導体領域が、へテロ接合面を介してゲート電極の少なくとも一部に対向する位置に形成されている。 - 特許庁

An edge input photodiode 10 is provided with a laminate in which an intrinsic semiconductor 16 is formed between p-n junction layers 14, 15 comprising n-type and p-type semiconductors containing InGaAsP.例文帳に追加

ｎ型およびｐ型のInGaAsPから成る半導体ｐｎ接合層１４、１５間に真性半導体層１６を有する積層体を備える端面受光型フォトダイオード１０。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and P-type semiconductor layer 3 are sequentially epitaxial-grown, with a PN junction surface 5 which contributes light emission formed at the interface.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３が順にエピタキシャル成長させられていて、これらの界面に、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which never breaks even when applied with a high voltage as compared with a junction separation type device, as a dielectric separation type semiconductor device which uses an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた誘電体分離型半導体装置において、接合分離型装置と比較して高い電圧を印加した場合にも破壊しない半導体装置を提供する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 110a is selectively formed just under the p-type diffusion layer 111a as the top gate, and becomes a channel layer of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

トップゲートとなる前記Ｐ型拡散層１１１ａの直下に選択的に形成された前記Ｎ型拡散層１１０ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のチャネル層となる。 - 特許庁

When making a p-n junction body by making the manganese oxide turned into this n-type and a p-type oxide semiconductor joint, the function of the battery action can be imparted for a visible beam, ultraviolet rays, and infrared rays.例文帳に追加

このｎ型化したマンガン酸化物とｐ型酸化物半導体と接合させて、ｐ−ｎ接合体をつくると、可視光線、紫外線および赤外線に対して、電池作用の機能を持つことができる。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7 constitute a pn junction mutually in a periphery of the active layer 5.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において互いにｐｎ接合を構成している。 - 特許庁

After the heat treatment 25 is carried out, the raw material gas and the n-type dopant is supplied to the growth furnace 10, and the n-type concentration semiconductor layer 27 for tunnel junction is grown.例文帳に追加

熱処理２５を行った後に、原料ガス及びｎ型ドーパントを成長炉１０に供給して、トンネル接合のためのｎ型高濃度半導体層２７を成長する。 - 特許庁

By lowering the temperature of the solution 4 for epitaxial growth, a PN junction composed of an N type layer 11 and a P type layer 12 is formed on the principal surface of the semiconductor wafer 1 (c).例文帳に追加

（ｃ）エピタキシャル成長用溶液４の温度を下げることにより、半導体基板１の主表面上にＮ型層１１とＰ形層１２とからなるＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region 3 and the second conductivity type semiconductor region 7 indirectly constitute a pn junction with the potential control layer 2a being interposed therebetween, around the active layer 5.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において電位制御層２ａを挟んで間接的にｐｎ接合を構成している。 - 特許庁

To provide an n type buffer layer for hetero junction satisfactory in joint property and stable in characteristics on a light absorbing layer configured of a p type compound semiconductor.例文帳に追加

ｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上に、接合性の良い特性の安定したヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けるようにする。 - 特許庁

To enhance junction strength for an upper surface of a columnar type electrode of the surface processing layer, for preventing oxidation to be formed on the surface of the column type electrode in a semiconductor device called a CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極の上面に形成される酸化防止用の表面処理層の柱状電極の上面に対する接合強度を強くする。 - 特許庁