「junction-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic semiconductor layer 14 is composed of bulk hetero junction type layer, in which electron donor and electron acceptor are mixed, and is a layer having bipolar moment and photoelectric conversion function.例文帳に追加

有機半導体層１４は、電子供与体と電子受容体とを混合したバルクへテロ接合型の層からなり、双極子モーメントを有し、光電変換機能を有する層である。 - 特許庁

The photoelectric conversion device including a semiconductor junction has a semiconductor layer, where a needle-like crystal is grown on a one-conductivity-type impurity semiconductor layer formed by a microcrystalline semiconductor.例文帳に追加

半導体接合を有する光電変換装置であって、微結晶半導体で形成した一導電型の不純物半導体層上に、針状結晶が成長した半導体層を有する。 - 特許庁

The dispersion of the threshold voltage in the depression-type lateral MOSFET decreases by that the depth of the pn junction becomes shallow and besides the concentration of the impurities at the surface of the P well becomes low.例文帳に追加

ｐｎ接合深さが浅くなり、かつＰウェル５の表面の不純物濃度が低くなることで、デプレッション型ラテラルＭＯＳＦＥＴにおけるしきい値電圧のばらつきが減少する。 - 特許庁

To provide an SQUID element having a step type Josephson junction which allows the cost down of elements and the use of a large-area substrate.例文帳に追加

段差型ジョセフソン接合を有するＳＱＵＩＤ素子について、素子の低価格化が可能であるとともに、大面積の基板を用いることができるＳＱＵＩＤ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a brief type disposable diaper having favorable junction strength at both side edge parts in forming pants, and having favorable touch and feel to wear.例文帳に追加

パンツを形成する場合に良好な両側縁部の接合強度を有し、着用した場合に良好な風合いと着用感を有するパンツ型使いすておむつを提供する。 - 特許庁

To make it possible to form an n-type region of a thyristor RAM formed by a PNPN junction by means of an epitaxial growth film in which phosphorus (P) is doped.例文帳に追加

ＰＮＰＮ接合で形成されるサイリスタＲＡＭのｎ型領域をリン（Ｐ）がドープされたエピタキシャル成長膜で形成することを可能にする。 - 特許庁

On an N^+ conductivity type silicon substrate 2 forming a drain region, a semiconductor layer 13 having a so-called super junction structure formed thereon is provided.例文帳に追加

導電型がＮ^+型でドレイン領域をなすシリコン基板２の上には、いわゆる、スーパージャンクション構造が形成された半導体層１３が設けられている。 - 特許庁

In a heat treatment process after the storage node 151 is formed, diffusion of N-type impurities in the storage node 151 is restrained by oxygen in the layer 151a containing oxygen, and junction leakage is prevented.例文帳に追加

ストレージノード１５１の形成後の熱処理工程で、ストレージノード１５１中のＮ型不純物の拡散が酸素含有層１５１ａ中の酸素により抑制され、ジャンクションリークが防止される。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element of a waveguide type with a high mesa ridge structure, the semiconductor optical element in which an excellent ohmic junction can be obtained and light intensity is prevented from decreasing.例文帳に追加

ハイメサリッジ構造を有する導波路型の半導体光素子において、良好なオーミック接合が得られ、かつ光強度の低下を防止した半導体光素子を提供する。 - 特許庁

Between the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit and a conductive transparent intermediate layer, a semiconductor of the conductivity type opposite to that of the semiconductor layer of each semiconductor photoelectric conversion unit is provided to form a pn reverse junction portion.例文帳に追加

半導体光電変換ユニットの半導体層と、導電性の透明中間層との間に、この半導体光電変換ユニットの半導体層と逆の導電性を示す半導体を介在させ、ｐｎ逆接合部を形成する。 - 特許庁

A junction is formed of a transparent conductive layer (first layer 1) having translucent and conductive properties and a p-type semiconductor layer 2 arranged adjacently to the rear surface side of the transparent conductive layer 1.例文帳に追加

透光性および導電性を有する透明導電層（第１の層１）と、透明導電層１の裏面側に隣接して配置されたｐ形半導体層２とによって接合が形成されている。 - 特許庁

The impurity region IM1 is arranged beneath the back gate region BG with the epitaxial layer EP sandwiched, forms p-n junction with the epitaxial layer EP, and is the second conductivity type one.例文帳に追加

不純物領域ＩＭ１はエピタキシャル層ＥＰを挟んでバックゲート領域ＢＧの下に位置し、かつエピタキシャル層ＥＰとｐｎ接合を構成し、第２導電型である。 - 特許庁

To inexpensively manufacture a p-n junction-type solar cell with high optoelectric conversion efficiency, using a crystal system semiconductor by reducing the number of the manufacturing processes.例文帳に追加

結晶系半導体を用いた光電変換効率の高いｐｎ接合型の太陽電池を、製造工程を少なくして安価に製造し得るようにする。 - 特許庁

A semiconductor region 200 made into an n-type is formed on a post top of the Zener diode 20, and a p-n junction surface is formed between the semiconductor region 200 and an upper DBR layer 108.例文帳に追加

ツェナーダイオード２０のポスト頂部には、ｎ型化された半導体領域２００が形成されて、半導体領域２００と上部ＤＢＲ層１０８との間にＰＮ接合面が形成される。 - 特許庁

Further, the sensor body 2 is provided with an n-type low resistance part 15 in contact with the wiring part 13 to form zener diodes D1 to D4 at these pn junction portions while forming a zener diode D5 also at a mass part 5.例文帳に追加

また、センサ本体２には、配線部１３に接触してｎ型低抵抗部１５を設け、これらのｐｎ接合部分にツェナーダイオードＤ1〜Ｄ4を形成すると共に、質量部５にもツェナーダイオードＤ5を形成する。 - 特許庁

In a laser/photodetector structure 50, a VCSEL type light emitting element 520 and a hetero-junction phototransistor 510 as a photodetector joined optically with the light emitting element 520 are provided.例文帳に追加

レーザ・光検出器構造５００は、ＶＣＳＥＬタイプの発光素子５２０及び発光素子に光学的に結合される光検出器となるヘテロ接合フォトトランジスタ５１０とを有する。 - 特許庁

After gate patterns are formed in the slit type openings, the trench mask patterns are removed and junction region openings for exposing the active regions are formed.例文帳に追加

スリット型開口部内にゲートパターンを形成した後に、トレンチマスクパターンを除去して活性領域を露出させる接合領域開口部を形成する。 - 特許庁

Therefore, a surge current gets away to a silicon substrate 1 through the P-N junction before the N^--type drain layer 2 underlying a gate electrode 6 is thermally broken.例文帳に追加

このため、ゲート電極６の下のＮ−型ドレイン層２が熱破壊する前に、サージ電流はこのＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

To provide an anode common Zener diode in which a pn-junction area is enlarged, the degree of proof is increased and which can easily be manufactured even by an n-type manufacture line.例文帳に追加

ｐｎ接合面積を大きくして耐量を大きくすると共に、ｎ形の製造ラインでも容易に製造することができる構造のアノードコモンツェナーダイオードを提供する。 - 特許庁

To prevent bonding reliability from decreasing caused by insufficient temperature of a solder junction on a reverse surface when a semiconductor device with a leadless structure is soldered using a noncontact type heating source.例文帳に追加

非接触型の加熱源を用いてリードレス構造の半導体装置をはんだ付けする際に、下面のはんだ接合部の温度不足に起因する接合信頼性の低下を防ぐ。 - 特許庁

By inserting the junction-type equalizer 7 in the transmission line of a community reception system, the level deviation of the low band and the high band generated by the coaxial cable is equalized.例文帳に追加

この接栓タイプイコライザ７を共同受信システムの伝送路中に挿入することにより、同軸ケーブルにより生じる低域と高域とのレベル偏差を等化する。 - 特許庁

A magnetoresistance tunnel junction element is formed, which represented by a chemical equation L2(A1-wRw)2An-1MnnO2n+4+x, comprises a laminar perovskite type manganese oxide 14 comprising (L-O)2 layer in a crystal structure.例文帳に追加

化学式Ｌ_2(Ａ_1-wＲ_w)_2Ａ_n-1Ｍｎ_nＯ_2n+4+xにより表され、結晶構造内に(Ｌ−Ｏ)_2層を有する層状ペロブスカイト型マンガン酸化物１４を含む磁気抵抗トンネル接合素子を形成した。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor hetero junction structure that has excellent crystalizability, at the same time, a small content of a hydrogen atom, and a carbon doped p-type GaAs-based crystal layer than can inhibit variation in device characteristics.例文帳に追加

結晶性に優れ、且つ水素原子の含有量が少なく、デバイス特性の変動を抑制できる炭素添加ｐ形ＧａＡｓ系結晶層を有する化合物半導体ヘテロ接合構造体を提供する。 - 特許庁

Since the resistance decreases in the N type region of PN junction, the forward voltage (VBEF) decreases and the forward current (If) capacity can be enhanced significantly.例文帳に追加

そのことで、ＰＮ接合のＮ型領域の抵抗値が下がることにより順方向電圧（ＶBEF）が低減し、順方向における電流（Ｉｆ）能力を大幅に向上させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device forming a silicide layer on source and drain layers while maintaining a shallow extension layer in a p-type FET and suppressing junction leak.例文帳に追加

ｐ型ＦＥＴにおいて、浅いエクステンション層を維持しながら、接合リークを抑制しつつ、ソース・ドレイン層上にシリサイド層を形成した半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。 - 特許庁

With the structure, the resistor 1 is protected by the breakdown of the pn junction regions 22, 23 when negative ESD surge is impressed on a pad for an electrode to apply the voltage to a p-type diffusion layer 9.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の拡散層９に電圧を印加する電極用のパッドに負のＥＳＤサージが印加された際、ＰＮ接合領域２２、２３がブレークダウンし、抵抗１を保護することができる。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growth method by which the formation of a so called lightning type inversion layer is hindered and an excellent PN junction is formed, and a semiconductor device.例文帳に追加

いわゆるイナズマ型反転層の形成を阻止でき、良好なＰＮ接合を形成することができる液相エピタキシャル成長方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the surface area of a part to which solder is applied is increased when a substrate is mounted on the resin sealing-type semiconductor device, junction strength with the substrate can be improved.例文帳に追加

樹脂封止型半導体装置の基板への搭載時に半田の塗られる部分の表面積が増大するので、基板との接合強度をアップすることができる。 - 特許庁

Moreover, an n-type GaAs layer 9 as an electrode junction layer and an ITO electrode layer 10 as an oxide transparent electrode layer are made in this order on the side of the second main surface 18 of the luminous layer part 24.例文帳に追加

また、発光層部２４の第二主表面１８側に、電極接合層としてのｎ型ＧａＡｓ層９と酸化物透明電極層としてのＩＴＯ電極層１０とがこの順序にて形成されている。 - 特許庁

This modular joint implant 10 has a male-female type junction part having the compression side mainly becoming a compressed state in use and the pulling side mainly becoming a pulled state in use.例文帳に追加

モジュール式関節インプラント１０は、使用の際に主に圧縮された状態になる圧縮側と使用の際に主に引っ張られた状態になる引っ張り側とを有する雄雌式接合部を含む。 - 特許庁

When introducing n-type impurities, since the p-n junction diode will not be formed, a current can flow, from the bit line 19 to the source line 17a through conduction of the transistor.例文帳に追加

ｎ型の不純物が導入される場合にはｐｎ接合ダイオードが形成されないので、トランジスタの導通によりビット線１９からソース線１７ａへ電流が流れる。 - 特許庁

Since the rising voltage of p-n heterojunction comprising a p-type II-VI clad layer and current block layer is significantly higher than that of the p-n junction via the active layer 13, the leakage current at laser oscillation is less.例文帳に追加

ｐ型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるｐｎヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層１３を介したｐｎ接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 - 特許庁

The tunnel junction structures 50 can be used for VCSEL which has an active layer 60 between a first mirror 12 and a second mirror 14 constituted together from n type semiconductor layers.例文帳に追加

本発明のトンネル接合構造(50)は、共にｎ型半導体層から構成される第1のミラー(12)と第2のミラー(14)との間に活性層(60)を有するVCSELに使用され得る。 - 特許庁

Thus, the hetero-junction type field effect transistor that has no signal deterioration even in a higher frequency area than theretofore.例文帳に追加

上記構成により、従来になく高い周波数領域においても信号劣化の無い高出力のヘテロ接合型電界効果トランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction type solar cell capable of increasing short circuit current density of the solar cell and having improved conversion efficiency, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、太陽電池の短絡電流密度を増加させることができ、変換効率を改善したヘテロ接合型太陽電池及びその作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Since the heliostats 5 are multi-mirror type having multiple mirrors, the aggregate of solar cells is exposed uniformly to sunlight and thereby a multi-junction solar cell can exhibit power generation capability to the maximum.例文帳に追加

ヘリオスタット５が複数のミラーを有するマルチミラー型であるため、太陽電池セル集合体に対して太陽光Ｌを均等に当てることができ、多接合型太陽電池の発電能力を最大限に発揮させる。 - 特許庁

The junction field effect transistor has a vertical structure and normally-off type on/off characteristics wherein a semiconductor substrate 1, a channel layer 3 and a source diffusion layer 9 are mainly composed of SiC.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、縦型構造を有するとともに、ノーマリオフ型のオンオフ特性を有し、半導体基板１、チャネル層３およびソース拡散層９がＳｉｃを主成分として形成されている。 - 特許庁

Direct contact with a source region is not provided in the p-body region 6 of the MOSFET, and electrical connection with the p-type junctions at the ends of the Schottky junction is provided via the MOSFET.例文帳に追加

また、ＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６内でソース領域と直接のコンタクトせず、前記ショットキー接合の端部のｐ型領域にＭＯＳＦＥＴを介して電気的に接続される構造を有する。 - 特許庁

Therefore, there are no parasitic junction FETs in an epitaxial layer 33 set to be the drain region of a lower region in a P- type diffusion region 44.例文帳に追加

そのことで、Ｐ−型の拡散領域４４下部領域のドレイン領域となるエピタキシャル層３３には、寄生ジャンクションＦＥＴが無くなる。 - 特許庁

An opening 5 is formed on a mold part 2 of a resin-sealed type semiconductor device 1 to reach a solder junction part 10, formed between a semiconductor chip 8 inside the device 1 and a semiconductor chip placing part 6 on a lead frame 7.例文帳に追加

樹脂封止型半導体装置１のモールド部２に、該装置１の内部の半導体チップ８とリードフレーム７の半導体チップ載置部６との間に形成された半田接合部１０に達する開口部５を形成する。 - 特許庁

To provide an ultraviolet curing type resin composition for electrode protection, capable of preventing migration caused in the junction of the connecting terminal of a display and a wiring board in high humidity and when a high voltage is impressed.例文帳に追加

高湿高電圧印可においてディスプレイの接続端子と配線基板との接合部分で発生するマイグレーションを防止できる電極保護用紫外線硬化型樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Thereby, the OFF-state drain potential is interrupted by the junction structure, and the high potential based on the potential of the drain gets hard to enter the upper part of the N-type channel layer 6.例文帳に追加

これにより、オフ時のドレイン電位がジャンクション構造によって遮られ、ドレインの電位に基づく高電位がＮ−型チャネル層６の上方に入り込み難くなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type Ga_2O_3 film and a manufacturing method of a pn junction Ga_2O_3 film capable of forming a thin film comprising high quality Ga_2O_3-based compound semiconductor.例文帳に追加

高品質のＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体からなる薄膜を形成することができるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法およびｐｎ接合型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a vertical resonance type surface emission semiconductor laser for providing satisfactory emission characteristics without deteriorating characteristics of tunnel junction.例文帳に追加

トンネル接合を特性を劣化させずに、良好な発光特性を提供できる、垂直共振型面発光半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁