「junction-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, there are no parasitic junction FETs in an epitaxial layer 33, set to be the drain region of a lower region in a P- type diffusion region 46.例文帳に追加

そのことで、Ｐ−型の拡散領域４６下部領域のドレイン領域となるエピタキシャル層３３には、寄生ジャンクションＦＥＴが無くなる。 - 特許庁

Consequently, the n-channel type horizontal MOSFET 100 having the large breakdown voltage at the drain-source junction and reduced in drain-source coupling capacitance can be materialized.例文帳に追加

したがって、ドレイン−ソース間耐圧が大きく、ドレイン−ソース間容量が低減されたNチャネル型横型ＭＯＳＦＥＴ１００を実現できる。 - 特許庁

To provide a laminated thin film element of p-n junction type having a high stability, less defects, and sufficient tight attachment, and a method of manufacturing the element.例文帳に追加

安定性が高く、欠陥の少ない、十分な密着性を有するｐ−ｎ接合型の積層薄膜素子および該素子の製造方法を提供することをその目的とする。 - 特許庁

Subsequently, Be ions are implanted in an annular region along the outer circumference of a light receiving region and activated by heat treatment to form a graded junction as a p-type peripheral region 9 for preventing edge breakdown.例文帳に追加

次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。 - 特許庁

To provide an inexpensive capacity type dynamic quantity sensor of high reliability, capable of avoiding defective junction in a periphery of a contact part, between a semiconductor substrate and an electrode on an insulator.例文帳に追加

半導体基板と硝子上の電極とのコンタクト部周囲において、接合不良を回避でき、低コストで、信頼性に優れた容量型力学量センサを得ること。 - 特許庁

To bring down the contact resistance value of the junction part between the electrode terminal of a semiconductor element and a bump, and to improve the electric characteristic of a flip chip mounting type semiconductor device.例文帳に追加

フリップチップ実装型半導体装置において、半導体素子の電極端子とバンプとの接合部のコンタクト抵抗値を低くし、電気特性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method whose process is simple more than a lithography process as a method removing the back passivation film of a back junction type solar batter partially.例文帳に追加

裏面接合型太陽電池の裏面パッシベーション膜を部分的に除去する方法として、フォトリソグラフィー工程よりもプロセスが簡易な製造方法を提供する。 - 特許庁

The implant 10 includes a first component such as a proximal body 20 including a hole opening part 32 and an inside surface 34 forming the female side of the male-female type junction part.例文帳に追加

インプラント１０は、孔開口部３２と雄雌式接合部の雌側を形成する内側表面３４とを有する内孔３０を含んだ近位本体２０のような第１のコンポーネントを含んでいる。 - 特許庁

In this junction-type plate heat exchanger, edges 23 of the second passage holes 11, 12 joined with each other at their peripheral edge parts, of a cassette plate 5 are joined over the whole periphery by welding.例文帳に追加

接合型プレート式熱交換器１において、カセットプレート５の、周縁部が接合された第２通路孔１１，１２の縁２３を、全周にわたり溶接で接合した。 - 特許庁

A junction field effect transistor 20 comprises an n-type semiconductor layer 1 including a channel region, a buffer layer 3 formed on the channel region, and p^+ regions 4a and 4b formed on the buffer layer 3.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ２０は、チャネル領域を有するｎ型の半導体層１と、チャネル領域の上に形成された緩衝層３と、緩衝層３の上に形成されたｐ^+領域４ａ，４ｂとを備えている。 - 特許庁

An electron current suppression layer 125, which has conductivity of p-type, and flows hole current and suppresses electron current, is formed between the hetero-junction layer and the gate electrode.例文帳に追加

ヘテロ接合層とゲート電極との間には、ｐ型の導電性を有し、正孔電流を流し且つ電子電流を抑制する電子電流抑制層１２５が形成されている。 - 特許庁

In particular, the micro pixel may have a p-type conductive epitaxy layer and a PN junction layer formed vertically inside the epitaxy layer.例文帳に追加

特に、前記マイクロピクセルは、ｐ型伝導性のエピタキシ層と、前記エピタキシ層の内部に垂直に形成されるＰＮ接合層と、を備えていてもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a junction type FET with a structure that has superior off characteristics, a wide range of a gate forward voltage, and a higher reverse breakdown voltage.例文帳に追加

オフ特性が優れ、ゲート順方向電圧の範囲が広く、かつ、逆方向ブレークダウン電圧を高くすることができる構造の接合型ＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thermopile type infrared sensor which can accurately perform measurement with good sensitivity by reducing an influence of infrared rays on a cold junction of a thermopile.例文帳に追加

サーモパイルにおける冷接点の赤外線の影響を低減し、より感度よく、正確に計測ができるサーモパイル型赤外線センサを提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive and downsized thermopile type infrared sensor which can accurately perform measurement with good sensitivity by reducing an influence of infrared rays on a cold junction of a thermopile.例文帳に追加

サーモパイルにおける冷接点の赤外線の影響を低減し、より感度よく、正確に計測ができ、低コストで小型化なサーモパイル型赤外線センサを提供する。 - 特許庁

To provide an optical element of type irradiating light to a Schottky junction part to generate or to detect the terahertz wave and improving the generation efficiency and detection efficiency of the terahertz wave.例文帳に追加

ショットキー接合部に光照射してテラヘルツ波を発生または検出するタイプの、テラヘルツ波発生効率及び検出効率を向上させた光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic control module that prevents the occurrence of solder cracking due to thermal stress at a solder junction portion between a ceramic substrate and a package type semiconductor even in a severe environment during an in-vehicle use, and is compact, lightweight and inexpensive.例文帳に追加

車載用途の厳しい環境下でも、セラミック基板とパッケージ型半導体のはんだ接合部に、熱応力によるはんだクラックが発生するのを防ぎ、かつ小型・軽量で低コストな電子制御モジュールを提供する。 - 特許庁

To reduce a junction leak current in a bit line contact of a nonvolatile semiconductor memory, especially a NAND type flash memory, when "1" is set, to reduce power consumption of the chip.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置、特にＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、“１”書き込みの際のビット線コンタクト部における接合リークを低減して、チップの低消費電力化を実現する。 - 特許庁

To provide a three-junction type thin-film photoelectric conversion device with high efficiency which has a high haze rate and in which short-circuit current values obtained by respective photoelectric conversion layers are equalized.例文帳に追加

ヘイズ率が高く、各光電変換層で得られる短絡電流値が均等化された、高効率の３接合型薄膜光電変換装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type memory cell, suitable for high integration which reduces magnetic influence from ambient, and can write stable magnetic information.例文帳に追加

周囲からの磁気的な影響を低減し、安定した磁気情報の書込をおこなうことのできる、高集積化に適した磁気トンネル接合型メモリセルを提供する。 - 特許庁

Regarding the insulated converter transformer to be installed in a switching regulator circuit as a complex resonance type, a gap is formed in two magnetic leg junction surfaces of U-shaped cores.例文帳に追加

複合共振形としてのスイッチング電源回路に備えられる絶縁コンバータトランスについて、コ−コの字形コアの２つの磁脚接合面にギャップを形成する。 - 特許庁

The junction strength for the upper surface of the columnar type electrode 29 of this surface processing layer 35 can be enhanced, in comparison to that when the surface processing layer 35 is formed only with the non-electrolytic plating.例文帳に追加

この表面処理層３５の柱状電極２９の上面に対する接合強度は、単なる無電解メッキによって形成する場合と比較して、強くなる。 - 特許庁

The vertical junction type bipolar transistors TR1, TR2 are electrically separated into two portions with a trench 3 embedded with an insulator 2 and are formed to provide a mirror-symmetrical cross-sectional structure for the trench 3 when these are separated.例文帳に追加

縦型接合バイポーラトランジスタＴＲ１、ＴＲ２とは、絶縁物２で埋められたトレンチ３によって電気的に２つに分離され、分離時のその断面構造が、トレンチ３に対して鏡面対称になるように形成されている。 - 特許庁

Since the stretched extent of a depletion layer formed in the P-N junction of the element VAR is secured to the whole body of the N^+ type layer 56, the fall of the capacitance changing range is suppressed.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲのＰＮ接合部に形成される空乏層の伸びる範囲がＮ^+ 層５６全体まで確保されるので、容量変化範囲の低下が抑制される。 - 特許庁

To provide a power supply, where a depletion type junction FET (JFET) is used and an idling current is zero, and to provide a standby electric power circuit using the power supply and a charging circuit for storage batteries.例文帳に追加

ＪＦＥＴを用いたアイドリング電流がゼロの電源の開発、および、その電源を用いた待機電力回路の開発、ならびに、蓄電池充電回路の開発。 - 特許庁

To provide chip-type electronic components, the junction reliability of which can be improved without having to use the solder nor conductive adhesive which is used in the conventional method at mounting of components on a circuit board.例文帳に追加

電子部品を回路基板に実装するのに際して、従来の半田及び導電性接着剤を使用することなく、電子部品の接合信頼性を向上させたチップ型電子部品を提供することにある。 - 特許庁

Further, since an adequate ohmic junction can be formed between a silicide film 10 electrically connected to a source electrode film 12 and the second highly concentrated p-type source region 8, the resistance of a source contact can be decreased.例文帳に追加

また、ソース電極膜１２と電気的に接続されるシリサイド膜１０と、第２の高濃度Ｐ型ソース領域８との間に良好なオーミック接合を形成することができるため、ソースコンタクトを低抵抗化することができる。 - 特許庁

First, a GaAs solar cell layer (bottom cell) 12 is formed, then a P-type AlGaAs layer 132 is doped with carbon for the formation of a tunnel-junction layer 13, and an InGaP solar cell layer (top cell) 15 is formed thereon.例文帳に追加

先ずGaAs太陽電池層（ボトムセル）１２を形成し、次にp型AlGaAs層１３２に炭素を添加したトンネル接合層１３を形成し、その上にInGaP太陽電池層（トップセル）１５を形成する。 - 特許庁

Junction members 8a, 8b, and 8c are provided between a ground plate 1, radiation element 2, 3, and 4, and a radome 5 for greatly affecting the antenna characteristics of the inverse-F-type planar antenna device, respectively.例文帳に追加

逆Ｆ型の平面アンテナ装置のアンテナ特性を左右するグランド板１、放射素子２，３，４、レドーム５の間に、それぞれ接合部材８ａ，８ｂ，８ｃを設けた。 - 特許庁

To enable speed read out of a memory cell by realizing lowering the resistance of buried digit lines in a NOR-type mask ROM and reducing the junction capacitance at the same time.例文帳に追加

ＮＯＲ型マスクＲＯＭにおける埋め込みデジット線の低抵抗化と、接合容量の低減を同時に実現し、メモリセルの読み出しスピードの高速化を可能にする。 - 特許庁

The gate of the power switching element 11 of a voltage driven type is connected to a junction point between sources of a n-channel FET13 and a p-channel FET14.例文帳に追加

電圧駆動型パワースイッチング素子１１のゲートは、ｎチャネルＦＥＴ１３とｐチャネルＦＥＴ１４のソースの接続点に接続されている。 - 特許庁

To fabricate a high quality J-FET element by a simple manufacturing process by forming an N-channel type J-FET(junction field effect transistor) element in a P-well region, having each region of an NPN transistor for common use.例文帳に追加

Ｐウェル領域内にＮチャネル型のＪ−ＦＥＴ素子を形成し、且つＮＰＮトランジスタの各領域を共用して形成することにより、高性能のＪ−ＦＥＴ素子を簡素な製造工程で形成すること。 - 特許庁

To prevent the formation of a gap on hole end faces of second passage holes joined with each other at their peripheral edge parts and to improve the working efficiency by reducing the frequency of works in cleaning and sterilizing processing, in a junction-type plate heat exchanger.例文帳に追加

接合型プレート式熱交換器において、周縁部が接合された第２通路孔の孔端面に隙間が生じるのを防止し、洗浄や殺菌処理の作業頻度を抑え、作業効率を上げること - 特許庁

A space charge zone 10 is expanded vertically to the region 3 of the second conductivity type, and laterally to an epitaxial layer 2 in a p/n junction 11 as well as to the region 3.例文帳に追加

空間電荷ゾーン１０の拡大は、垂直方向では第２の伝導型の領域３へ行い、横方向では領域３だけでなくエピタクシー層２へもｐｎ接合１１で行う。 - 特許庁

To solve the problem of conventional vertical resonator type light emitting element with a high-resistance semiconductor for current constriction, which has large additional capacity resulting from a pn junction at the peripheral part of a light emission area and the problem of its difficulty to drive the element at a high speed.例文帳に追加

従来の高抵抗半導体を電流狭窄に用いた垂直共振器型半導体発光素子は、発光領域周辺部におけるｐｎ接合などによる付加的な容量が大きく、素子の高速動作が困難である。 - 特許庁

It is characteristic that a part of the junction type field effect transistor and a part of the resetting transistor are made to face each other.例文帳に追加

本発明は、接合型電界効果トランジスタのゲート領域の一部と、リセット用トランジスタのゲートの一部とを互いに対向させたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an organic solar cell of bulk hetero-junction type by which a low-cost and high-efficiency organic solar cell can be manufactured and whose conversion efficiency can be further increased in comparison to a conventional one, and to provide a method for easily manufacturing such an organic solar cell.例文帳に追加

低コストで高効率の有機太陽電池が製造できるバルクへテロジャンクション型太陽電池において、従来のものよりもさらに変換効率を高めることができる有機太陽電池を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an electric junction box having a small wasteful space to be easily installed even in a limited narrow space of an automobile and a functional circuit of the structure adapted to a thin type and a small size.例文帳に追加

自動車の限られた狭いスペースにも容易に設置すべく、無駄な空間が少なく、薄型および小型化に適した構造の機能回路を備えた電気接続箱を提供することを課題とする。 - 特許庁

The grooves 35 are formed, so as to correspond to a pitch of compression connection parts of various type of a connection object, i.e., a pitch D of compression connection parts 42 of an electronic unit 25, etc., arranged selectively in an electrical junction box 24.例文帳に追加

また、溝３５を、電気接続箱２１に選択的に配設される各種接続相手の圧接部のピッチ、即ち電子ユニット２５の圧接部４２のピッチＤ等に応じて形成する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of junction leakage in a drain contact hole and hence to prevent element malfunction, and to reduce the size of a unit cell in an SONOS-type non-volatile memory element and hence to improve an integration degree.例文帳に追加

ドレインコンタクトホールでのジャンクションリーケージの発生を予防して、素子誤動作を防止することができ、ＳＯＮＯＳ型不揮発性メモリ素子の単位セルのサイズを減らして集積度を向上させる。 - 特許庁

To suppress short channel effect in a field effect type transistor by preventing the reduction of driving capacity due to depletion of gate electrode and realizing a shallow junction between source and drain.例文帳に追加

電界効果型トランジスタにおいて、ゲート電極の空乏化による駆動能力の低下を防止しつつソース−ドレインの浅い接合を実現して短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

To provide an organic thin-film solar cell which further improves the energy conversion efficiency, by improving an exiton deactivation preventing layer to make a p-n junction type organic thin-film solar cell practical.例文帳に追加

ｐｎ接合型の有機薄膜太陽電池の実用化を図るべく、励起子失活防止層の改良により、エネルギー変換効率をより一層向上させた有機薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor crystal, with which an n-type ZnTh-family substance doped at up to a high concentration is grown and a pn junction in a ZnTh substance is easily formed, and an optical semiconductor device thereby.例文帳に追加

高濃度までのｎ型ＺｎＴｅ系物質を成長することができ、ＺｎＴｅ系物質のｐｎ接合を容易に形成することができる化合物半導体の結晶成長方法及び光半導体装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the n-type Si layer that is thinner than a lateral pnp, a pn junction varactor, a high breakdown voltage HBT transistor or the like can be obtained, and the performance of each element with different uses can be together established.例文帳に追加

このためラテラルＰＮＰ、ＰＮ接合型バラクタ、高耐圧用ＨＢＴトランジスタ等の素子よりも薄いＮ型Ｓｉ層が得られるため用途の異なる各素子の性能を両立させることができる。 - 特許庁

Although the depleted layers 26 are formed in an n-type silicon layer 11 and off-set regions 13 by forming p-n junction with body regions 15, the body regions 15 are provided to surround the off-set regions 13.例文帳に追加

ボディ領域１５とのｐｎ接合により、ｎ^−型シリコン層１１及びオフセット領域１３中には空乏層２６が形成されるが、ボディ領域１５はオフセット領域１３を取り囲むようにして設けられている。 - 特許庁