「junction-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon substrate and source/drain diffused layers of the same conductivity-type as with the silicon substrate 1 are isolated electrically from each other by a P-N junction, so that the silicon substrate 1 and the source/drain diffused layers can be prevented from being short-circuited through the intermediary of metal wiring layers 14-1 and 14-2.例文帳に追加

シリコン基板と、この基板と同じ導電型のソース・ドレイン拡散層とをＰＮ接合によって電気的に分離できるので、金属配線層１４−１，１４−２を介してシリコン基板とソース・ドレイン拡散層とが短絡するのを防止できる。 - 特許庁

The transport paths from sheet feed trays 8-11 and a hand feed part 33 are all converged upstream of the junction roller couple 16n, and it is possible to sense a jam etc. with a sheet fed by any of the sheet feed trays only by the use of one reflection type sensor which is expensive, and also cost-down can be accomplished.例文帳に追加

また各給紙トレイ８〜１１、手差し給紙部３３からの搬送経路を中継ローラ対１６ｎの上流ですべて合流させ、高価な反射型センサを１個用いるだけですべて給紙トレイから給紙される用紙のジャム等の検出を可能として、さらに低コスト化を図れるようにする。 - 特許庁

Thus, the thickness of the gate insulating film 8 in the memory cell part is set to be larger than the thickness of the gate insulating film 9 in the peripheral circuit part, so that concentration of a p-type impurity region 4a in the memory cell part is lowered to reduce the junction leakage current.例文帳に追加

このようにメモリセル部内におけるゲート絶縁膜８の厚みを周辺回路部内におけるゲート絶縁膜９の厚みよりも大きく設定することにより、メモリセル部内におけるｐ型不純物領域４ａの濃度を低くすることが可能となり、接合リーク電流を低減することが可能となる。 - 特許庁

To prevent a lead from precipitating and adhering to the surface, when a p-n junction surface of a semiconductor element chip is alkali etched in a mesa-type semiconductor device, in which a silicon semiconductor element chip is connected to leads by a connecting material containing the lead as the main component.例文帳に追加

シリコン半導体素子チップとリードとが鉛を主成分とする接合材で接合されたメサ型半導体装置において、半導体素子チップのｐｎ接合面をアルカリエッチングした際の表面への鉛の析出、付着を防止する。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode having an improved electrostatic withstand voltage that is a pn-junction-type compound semiconductor light-emitting diode, has improved extraction efficiency of emission to the outside, and can prevent the short-circuiting circulation of the element drive current between electrodes.例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element having a charge transfer type hetero-junction structure which can obtain a solar cell, a light emitting diode or the like, excellent in durability, electronic physical properties, economic efficiency or the like by using a fullerene polymer film for a part of a component.例文帳に追加

構成材料の一部にフラーレン重合体膜を用いることによって、耐久性、電子物性、経済性等にすぐれた太陽電池や発光ダイオード等が得られる、電荷移動型ヘテロ接合構造体を有する光電変換素子を提供すること。 - 特許庁

A second p-type drift layer 64 is formed, that is diffused into an epitaxial semiconductor layer 51 deeper than a first drift layer 65, is extended from the lower portion of the first drift layer 65 to that of the gate electrode 54, and forms a pn junction with the body layer 63 at the lower portion of the gate electrode 54.例文帳に追加

第１のドリフト層６５より深くエピタキシャル半導体層５１の中に拡散され、第１のドリフト層６５の下方からゲート電極５４の下方へ延びて、このゲート電極５４の下方でボディ層６３とＰＮ接合を形成するＰ型の第２のドリフト層６４が形成されている。 - 特許庁

A plug part 7b connectable to a coaxial connector is provided on one end of a main body part 7a in this junction-type equalizer 7, a connector part 7c connectable to a coaxial plug is provided on the other end and a printed board 30 incorporating an equalizer circuit is housed in a space part inside the main body part 7a.例文帳に追加

接栓タイプイコライザ７における本体部７ａの一端に同軸コネクタに接続可能なプラグ部７ｂを、他端に同軸プラグが接続可能なコネクタ部７ｃを設け、本体部７ａの内部の空間部にイコライザ回路が組み込まれたプリント基板３０を収納する。 - 特許庁

To provide a planar type semiconductor device in which a horizontal direction of a depletion layer near a guard ring region is easily broadened, an electric field near a corner of a main junction region is sufficiently alleviated, and a concentration of an avalanche current to the corner is prevented to improve a withstand voltage.例文帳に追加

ガードリング領域近傍における空乏層の水平方向の広がりやすくして、主接合領域の隅部近傍の電界を十分に緩和させ、アバランシェ電流の当該隅部への集中を防止することにより、耐圧を向上させたプレーナ型半導体装置を提供することを目的すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high quality in which an IGBT type formation region and a formation region for a control circuit thereof etc., are separated by a PN junction separating method, a leakage current from an IGBT is not generated, and a CMOS transistor such as the control circuit never latches up and so on.例文帳に追加

ＩＧＢＴ形成領域とその制御回路等形成領域とをＰＮ接合分離法で分離し、且つＩＧＢＴからの漏れ電流が発生せず、制御回路等のＣＭＯＳトランジスタがラッチアップ等することのない高品質の半導体装置を実現する。 - 特許庁

The flat top surface Σ of a p-type contact layer 105b is a surface exposed when the unnecessary part (the upper part on the common crowning of the resonator) of the insulating wall 110 which once laminated uniformly to a junction side is removed by an etching treatment.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１０５ｂの平頂面Σは、ジャンクション側に一旦略一様に積層した絶縁壁１１０の不要部分（共振器の平頂部の上の部位）をエッチング処理によって除去した際に露出した面である。 - 特許庁

The invention is characterized in that the polymer is of the irregular block-copolymer or irregular comb-like polymer type and has on the average at least three junction points between polymeric segments of different chemical or topological nature.例文帳に追加

本発明は、該ポリマーが不規則なブロックコポリマーもしくは不規則な櫛様ポリマー型であり、異なる化学的もしくは位相的性質を有するポリマーセグメント間で平均して少なくとも３つの接合点を有することに特徴づけられる。 - 特許庁

The barrier potential (33) at metal-to-semiconductor junction varies depending on the type of metal to be used (16), and using particular metals lowers the diode's Schottky barrier potential (33), results in a V_f in the range of 0.1-0.3 V.例文帳に追加

金属−半導体接合での障壁ポテンシャル（３３）は、使用する金属（１６）のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル（３３）が下がり、Ｖ_fが０．１〜０．３Ｖの範囲となる。 - 特許庁

The reflection type photosensor 10 is arranged near a junction of caring passages for two kinds of paper sheet 20 and 30, and an angle between a light receiver surface and the paper sheet carrying passage is formed at 30-60 degree, and the carrying passage near the photosensor 10 is arranged nearly at a right angle to discriminate the paper sheet.例文帳に追加

２つの用紙２０、３０の搬送路の合流点近傍に反射型フォトセンサ１０を配置し、その受光面と用紙搬送路とのなす角を３０度から６０度の間とし、フォトセンサ１０に近い搬送路の方が垂直に近くなるように配置して用紙の判別を行う。 - 特許庁

To provide a light receiving element for optical communication that can improve light receiving efficiency and reduce the junction capacitance of a light receiving part by forming a light receiving surface shape by a plurality of projecting surfaces or inclined surfaces with an obtuse angle to each other in a side incident type light receiving element.例文帳に追加

側面入射型受光素子において、受光面形状を凸状あるいは互いに鈍角をなす複数の斜面で構成することにより、受光効率を高め、受光部の接合容量を低減できる光通信用受光素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

In this high pressure-resistant analog switch circuit, the voltage of the gate of the high pressure-resistance junction type FET 71 is held in the same level as that of the voltage of the source regardless of whether the voltage (the voltage of a signal inputted to a node Si) of the source is positive or negative so that any negative power supply voltage (-V) is dispensed with.例文帳に追加

この高耐圧アナログスイッチ回路では、ソースの電圧（ノードＳｉに入力された信号の電圧）の正負にかかわらず高耐圧接合型ＦＥＴ７１のゲートの電圧がソースの電圧とほぼ同じレベルに保持されるため、負の電源電圧（−Ｖ）を必要としない。 - 特許庁

To provide a junction-type plate heat exchanger inhibiting the short path of the fluid in a spatial flow channel formed in a fluid flow channel between cassette plates, by heat transfer face joint parts formed on the heat transfer faces of the cassette plates as recessed grooves continuous from flat end parts, and to improve the heat transferring performance.例文帳に追加

カセットプレートの伝熱面に平端部に続いて凹溝状に形成される伝熱面接合部でカセットプレート間の流体流路に形成される空間流路での流体のショートパスを抑制し、伝熱性能を上げる接合型のプレート式熱交換器を提供する。 - 特許庁

Semiconductor layers of different kinds (In_0.53Al_0.17Ga_0.30As layer 104a-1 and Al_0.53Ga_0.65As_0.51Sb_0.49 layer 104a-2) forming a hetero junction belonging to a type II for every predetermined interval in a waveguide direction of an active layer 104 are alternately arranged.例文帳に追加

活性層１０４の導波方向において所定間隔毎にタイプIIに属するヘテロ接合を形成する異種の半導体層（Ｉｎ_０．５３Ａｌ_０．１７Ｇａ_０．３０Ａｓ層１０４ａ−１とＡｌ_０．５３Ｇａ_０．６５Ａｓ_０．５１Ｓｂ_０．４９層１０４ａ−２と）を交互に配列する。 - 特許庁

A DC supply circuit 30 is considered, for example, as a "low side switch type step-down chopper system", and a bipolar transistor 31 as a pn-junction device is connected to a wiring circuit 34 on the positive side in series in the forward direction (arrangement for allowing current to flow in the current direction of the operating current Id).例文帳に追加

直流供給回路３０は、例えば「ローサイドスイッチ型降圧チョッパー方式」としてあり、プラス側の配線経路３４には、ｐｎ接合素子としてのバイポーラトランジスタ３１が直列で順方向（動作電流Ｉｄの電流方向に電流を流す配置）に接続してある。 - 特許庁

The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.例文帳に追加

上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁

A DMOS (double diffused metal oxide semiconductor) transistor 23 and the pn junction diode 22a are formed on one SOI layer 13b surrounded by trench separation 15 in a shape that they are insulated electrically by a p-type diffusion layer 20 formed in a state of being levitated electrically on the SOI layer 13b surrounded by the trench separation 15.例文帳に追加

トレンチ分離１５で囲まれた１つのＳＯＩ層１３ｂには、ＤＭＯＳトランジスタ２３と温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａとが、電気的に浮いた状態で形成されるＰ型拡散層２０によって電気的に絶縁される形で形成されている。 - 特許庁

The super-junction semiconductor element makes a current flow in an ON state, and provides an n^-high-resistance layer 32a located between a semiconductor substrate region 32 which becomes depletion in an OFF state and a low-resistance layer 31, for having the same conductivity type as the low-resistance layer 31 and a low impurity concentration.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する半導体基体領域３２と低抵抗層３１との間に低抵抗層３１と同じ導電型で、かつ不純物濃度が低いｎ^-高抵抗層３２aを設ける。 - 特許庁

When a junction of the road shape Rs passes the center O of the display region, the display 32 scrolls the map so that the road shape Rs1 having the same road type as the road shape Rs passes the center O of the display region in the direction opposite to the tracing direction.例文帳に追加

道路形状Ｒｓの分岐点が表示領域の中心Ｏを通過するとき、ディスプレイ３２は、道路形状Ｒｓと同一の道路種別を有する道路形状Ｒｓ１が表示領域の中心Ｏをなぞり方向とは逆方向に通過するように地図をスクロールする。 - 特許庁

A third portion 21c of a second region 15b of the n^- type gallium nitride family semiconductor portion 15 is surrounded by the insulator 17 positioned on a first portion 21a, and a Schottky junction 23 is formed at a first conductive portion 19a of the first electrode 19.例文帳に追加

ｎ^−型窒化ガリウム系半導体部１５の第２の領域１５ｂの第３の部分２１ｃは、第１の部分２１ａ上の絶縁体１７に囲まれていると共に、第１の電極１９の第１の導電部１９ａにショットキ接合２３を成す。 - 特許庁

To provide a solid polymer type fuel cell having an excellent power generation characteristic and excellent durability by providing a mass-producible membrane-electrode junction having a thin electrolyte membrane and/or a catalyst layer having a uniform thickness, and is low resistance and high tear strength and easy to handle.例文帳に追加

厚さが均一で薄く抵抗が低く、引裂き強度が高くてハンドリング性に優れる電解質膜及び／又は触媒層を融資、量産が可能な膜・電極接合体を備えることにより、発電特性及び耐久性に優れる固体高分子型燃料電池の提供。 - 特許庁

In the electrically conductive element, such as a double-pole type plate, for the fuel cell having an improved adhesive junction section, the conductive element generally has a first conductive sheet 58 and a second one 60, and each sheet has mutually opposing surfaces.例文帳に追加

改善された接着結合部を有する燃料電池のための、二極式プレート等の電気伝導性要素であって、伝導性要素は、概して、第１の伝導性シート５８及び第２の伝導性シート６０を備え、各シートは互いに対面する表面を有する。 - 特許庁

This method has advantages that extremely high optical transmittance can be accomplished in the design of a top-emitter OLED covering a large surface area, and an operation below 10V is enabled by keeping the sheet resistance of the junction type electrode located separately from the substrate very low.例文帳に追加

この方法は、大きな表面積をカバーするトップエミッタＯＬＥＤの設計において非常に高い光透過率を達成すると同時に、基板から離れて位置する接合型電極のシート抵抗を非常に低く維持することによって１０Ｖ未満での動作を可能にするという利点を有する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for driving a junction type field effect transistor (JFET) for suppressing heat generation of the JFET by temporary overcurrent and detecting the overheat state of the JFET in a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成によって、一時的な過電流による接合型電界効果トランジスタの発熱を抑制するとともに、接合型電界効果トランジスタの過熱状態を検知することができる接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法を提供する。 - 特許庁

The break down voltage of a body contact diode region 13, in which a body contact region 12 and n-type semiconductor layer 3 form a pn junction, is smaller than that of a MOSFET region 14 forming a MOSFET structure.例文帳に追加

ボディコンタクト領域１２とｎ形半導体層３とでｐｎ接合が形成されたダイオード構造を構成するボディコンタクトダイオード領域１３の耐圧を、ＭＯＳＦＥＴ構造が構成されたＭＯＳＦＥＴ領域１４の耐圧よりも小さくしてある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its method of manufacturing, wherein, even if a junction failure takes place due to dislocation between a lead and a pad at bonding, it is corrected for avoiding a manufacture yield from lowering, in a TCP type semiconductor device.例文帳に追加

ＴＣＰ型半導体装置において、ボンディング時にリードとパッドとの間で位置ずれによる接合不良が発生しても、それを修正して製造歩留まりの低下を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor film, which is formed through the manufacturing method of the semiconductor film, is utilized, thus forming the p-type thin-film transistor having excellent characteristics on metal foil, such as glass, Si, and SUS, and a plastic substrate, and embodying a photoelectric element, such as an LED utilizing a pn junction.例文帳に追加

半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Ｓｉ、ＳＵＳなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なｐ型の薄膜トランジスタを形成することができ、ＰＮ接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用したＬＥＤなどの光電素子を具現することができる。 - 特許庁

The solid-state image-sensing device comprises a pn-junction sensor part 111, a device isolation layer for trench isolation for isolating the sensor part into pixels, and a semiconductor region formed protruding from the device isolation layer toward the sensor part and having a conductivity type opposite to that of a charge accumulation region of the sensor part.例文帳に追加

固体撮像装置は、ｐｎ接合型のセンサ部と、センサ部を画素分離するトレンチ分離による素子分離層と、素子分離層からセンサ部側に張出して形成されたセンサ部の電荷蓄積領域とは逆導電型の半導体領域とを有する。 - 特許庁

To provide a p-n junction diode-type gas sensor whose sensor constitution is simple, in which the aged deterioration of a diode characteristic in a long-term use is small and which can detect the gas concentration of molecules comprising hydrogen atoms such as H2, NH3, H2S, hydrocarbon or the like contained in a gas to be detected.例文帳に追加

センサ構成が簡単で、長期使用におけるダイオード特性の経時変化が少なく、被検ガスに含まれるＨ_2、ＮＨ_3、Ｈ_2Ｓ、炭化水素等の水素原子を有する分子のガス濃度を検出可能なｐｎ接合ダイオード型ガスセンサを提供すること - 特許庁

To guarantee long-term stability of a type of thermo sensor in which elastic strain energy is supported by junction fixation by a soluble material such as solder and in which the elastic strain energy of an elastic body is released and operated by fusion of the soluble material, and improve reliability of operation of a thermo protector using the thermo sensor.例文帳に追加

弾性歪エネルギーをはんだ等の可溶材による接合固定で支持している弾性体の弾性歪エネルギーが可溶体の溶融で解放されて動作するタイプのサーモセンサの長期安定性を保証し、かかるサーモセンサを使用するサーモプロテクタの動作の信頼性の向上を図る。 - 特許庁

The junction-type voltage-dependent resistor has a joined structure composed of a semiconductor ceramic (ZnO semiconductor ceramic block) 1a whose main component is ZnO and a metal oxide compound (metal oxide compound block) 2a containing Sr and/or Ba and Mn and/or Co which are joined together.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分とする半導体セラミック（ＺｎＯ半導体セラミックブロック）１ａと、Ｓｒ及びＢａのうち少なくとも一方と、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一方とを含む金属酸化化合物（金属酸化化合物ブロック）２ａとが接合された構造とする。 - 特許庁

In the signal line 19 for propagating digital signals, intervened is a three-terminal capacitance comprising a depletion type MOS transistor (Dep-Tr11) which is formed in a substrate 12 and is so mounted that a gate capacitance and a junction capacitance may work on the signal line 19.例文帳に追加

デジタル信号を伝搬する信号線１９には、基板１２内に形成され、信号線１９に対してゲート容量及びジャンクション容量が作用するように設けられたディプレション型のＭＯＳトランジスタ（Ｄｅｐ−Ｔｒ１１）で構成される３端子型容量が介在される。 - 特許庁

By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加

こうして、シリコン化合物層１２ｉの、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴでの、Ｃｏ原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁

An ohmic contact layer 107 and an adhering layer 106 are separately formed on a p-type semiconductor layer 105, and a substrate 110 is formed by plating, and thus, excellent ohmic junction can be formed and the substrate can be prevented from being peeled when it is formed by plating.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５上にオーミック接触層１０７と密着層１０６を分けて形成し、メッキによって基板１１０を形成することにより、オーミック接合に優れるとともに、メッキによって基板を作製した際に剥離することがない。 - 特許庁

In the diode, a semiconductor substrate and one surface are set to (111) crystal surface, an angle being formed by the horizontal surface of one surface of the semiconductor substrate and a surface where the pn junction between p- and n+-type semiconductor regions is exposed is set to 75 degrees or more and less than 90 degrees.例文帳に追加

半導体基体と一方表面は（１１１）結晶面であって、その半導体基体の一方表面の水平面と、ｐ型半導体領域とｎ^+ 型半導体領域とのｐｎ接合が露出する面とのなす角が、７５度以上，９０度未満であるダイオード。 - 特許庁

An npn-type bipolar transistor Bip1 consisting of an epitaxial layer 2, a base diffusion layer 5, a base connection layer 4 and an emitter diffusion layer 6, and a pn-junction diode D1 consisting of the epitaxial layer 2 and an anode layer 3 are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、エピタキシャル層２、ベース拡散層５、ベース接続層４、エミッタ拡散層６からなるｎｐｎ型バイポーラトランジスタＢｉｐ１と、前記半導体基板１上に、前記エピタキシャル層２、アノード層３からなるｐｎ接合ダイオードＤ１とを形成する。 - 特許庁

The state change part comprises a first semiconductor layer composed of one semiconductor between a P type semiconductor and an N type semiconductor and second semiconductor layers composed of the other semiconductor and provided on the top and reverse of the first semiconductor layer across PN junction parts.例文帳に追加

この状態変化部は、Ｐ型半導体またはＮ型半導体のいずれか一方の半導体からなる第１半導体層と、前記Ｐ型半導体またはＮ型半導体の他方の半導体からなり前記第１半導体層の上下それぞれでＰＮ接合部を介して設けられた第２半導体層を備えて構成される。 - 特許庁

The solar cell includes first and second electrodes 111 and 119 spaced apart from each other, and a photoelectric conversion layer 115 which is a layer adapted to form a pn junction between the first electrode 111 and the second electrode 119 and is made up of a p-type material including an organic material and a n-type material 116 including organic nanowires.例文帳に追加

互いに離隔されるように配置される第１電極及び第２電極１１１、１１９と、前記第１電極１１１と第２電極１１９との間でｐｎ接合を形成する層であって、有機物を含むｐ型物質及び有機ナノワイヤーを含むｎ型物質１１６からなる光電変換層１１５と、を備える。 - 特許庁

Also, a PN junction is formed between the N-type semiconductor substrate 1N and a P-type first semiconductor region 1PA, thereby forming each of photodiodes D1, the semiconductor substrate 1N is electrically connected to a first electrode E1, and the first semiconductor region 1PA is connected to a surface electrode E3 via a second semiconductor region 1PB.例文帳に追加

また、Ｎ型の半導体基板１ＮとＰ型の第１半導体領域１ＰＡとの間に、ＰＮ接合が構成されることで、フォトダイオードＤ１が形成され、半導体基板１Ｎは第１電極Ｅ１に電気的に接続され、第１半導体領域１ＰＡは、第２半導体領域１ＰＢを介して、表面電極Ｅ３に接続されている。 - 特許庁