「junction-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type area 105 with diffused Zn is formed penetrating the n-InP window layer 104, thereby forming a pn junction in the n-InGaAs optical absorption layer 103 or adjacent thereto and making the area 105 as a light receiving part.例文帳に追加

Ｚｎが拡散されたｐ型領域１０５を、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４を貫通する様に形成する事で、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３中あるいは近傍にｐｎ接合が形成され、受光部となる。 - 特許庁

The super-junction semiconductor substrate 1 is configured in such a manner that n-type semiconductor layers 21, 2 of a parallel pn structure are formed at a boundary region between an active area 24 and a peripheral breakdown-resistant structure area 25.例文帳に追加

超接合型半導体基板１の、活性領域部２４と周辺耐圧構造部２５の境界の領域が、並列ｐｎ構造部のｎ型半導体層２１，２となるようにする。 - 特許庁

The turn-down type junction part 4 connects the extendable insulation rod 3 and the support rod 5, and fixes and makes regulatable an angle formed by the extendable insulation rod 3 and the support rod 5.例文帳に追加

可倒式接合部４は、伸縮式絶縁棒３及び支持棒５を繋ぎ、伸縮式絶縁棒３及び支持棒５のなす角度を固定及び調節可能とする。 - 特許庁

To provide a sheath-type thermocouple, for a molten metal, in which the contact part of a temperature measuring junction at a metal strand with the inner face at the tip of a protective tube is improved, which restrains the disconnection of the metal strand as far as possible and whose responsivity is increased.例文帳に追加

シース型金属溶湯用熱電対の金属素線の測温接点と、保護管の先端部の内面との接触部を改善し、金属素線の断線を極力抑え、応答性を高める。 - 特許庁

With this constitution, and elongation of a depletion layer in a glass junction plane of the n-type substrate 1 can be reduced, when a reverse-bias voltage is applied and dangling bonds can be reduced, so that dielectric strength can be improved, and further, a leakage current can be reduced.例文帳に追加

これによって、逆バイアス印加時にｎ型基板１のガラス接合面の空乏層の伸びを減少させることで、ダングリングボンドの低減が可能となり、高耐圧でかつリーク電流の低減を図ることができる。 - 特許庁

A linking structure 11 is stored in an electrical junction box 21, so as to have the bottom end edges of the belt-type plate materials 12 brought into contact with the surface of an insulating partition IP1, positioned on the uppermost layer of a layer-built bus-bar unit 22.例文帳に追加

連結構造体１１は、帯状板材１２の下端縁が、バスバー積層体２２において最上層に位置する絶縁仕切板ＩＰ１の表面に接触した状態で電気接続箱２１内に収容されている。 - 特許庁

To reduce a leak current at an emitter/base junction and base resistance in a bipolar transistor which is suited for constructing an integrated circuit along with a CMOS type transistor of an LDD (Lightly Doped Drain) structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＣＭＯＳ型トランジスタと共に集積回路を構成するに好適なバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ−ベース間接合リーク電流及びベース抵抗を低減する。 - 特許庁

A rectifying device having a structure in which a terminal of one side is connected with a gate is attained by determining a channel width to be about zero (so-called 'pinch-off') in a transistor composing a junction-type gate (JFET, SIT, BSIT and, etc.).例文帳に追加

接合型のゲートをもつトランジスタ（ＪＦＥＴ，ＳＩＴ，ＢＳＩＴなど）で、チャネル巾の寸法をゼロ（ピンチオフとよばれる）付近にとることにより、片側−端子とゲートを結合した構造の、整流素子ができる。 - 特許庁

When an electric field is vertically applied to a junction interface between the modulation layer 124 composed of the p-type semiconductor and the insulating layer 125, distortion due to the electric field is generated on the band of the modulation layer 124 in the vicinity of the interface.例文帳に追加

ｐ型半導体からなる変調層１２４と絶縁層１２５との接合界面に垂直に電場を印加すると、界面近傍で変調層１２４のバンドが電場による歪みを生じる。 - 特許庁

For the light emitting element 100, a p-type GaAs layer 7 as an electrode junction layer and an ITO electrode layer 8 as an oxide transparent electrode layer are made in this order on the side of the first main surface 17 of a luminous layer part 24.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４の第一主表面１７側に、電極接合層としてのｐ型ＧａＡｓ層７と酸化物透明電極層としてのＩＴＯ電極層８とがこの順序にて形成されている。 - 特許庁

Therefore, the junction capacitance of the MOS transistor can be reduced, because a source region and a drain region having required concentrations and depths can be formed in the N-type MOS transistor region of the substrate 1.例文帳に追加

したがって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ領域には必要な濃度及び深さのソース及びドレイン領域を形成でき、接合容量の低減を図ることができる。 - 特許庁

To provide an electric junction box of the structure adapted to a thin type and a small size to be easily installed even in a limited narrow space of an automobile.例文帳に追加

自動車の限られた狭いスペースにも容易に設置することができる薄型および小型化に適した構造の電気接続箱を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a floor heating system comprising a carpet-type wooden floor heating panel and a wooden auxiliary panel, which form a good joint pattern giving no incongruous feeling at the junction thereof.例文帳に追加

上敷式木質床暖房パネルと木質補助パネルとの接合部分を違和感のない良好な継ぎ目模様となせる床暖房装置を提供する。 - 特許庁

A junction substrate 10 is inserted across a printed board T comprising a fitting pad Tp, at a position corresponding to an LGA type substrate S, comprising a fitting pad Tp for connection between the substrate S and the board T.例文帳に追加

中継基板１０は、接続パッドＳｐを有するＬＧＡ型基板Ｓと対応する位置に取付パッドＴｐを有するプリント基板Ｔとの間に介在させ、基板Ｓと基板Ｔとを接続させるものである。 - 特許庁

To provide an amorphous-crystalline junction type thin-film solar cell in which the defective density in the crystalline semiconductor layer is reduced while the light confinement effect is sufficiently provided by a rough texture structure.例文帳に追加

結晶質半導体層中の欠陥密度が低減され、かつ凹凸テクスチャー構造による光閉込効果が十分に得られるアモルファス−結晶質接合型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

In a micro machining type pressure sensor, a diaphragm etching cavity 10 is formed on a sensor chip by first trench etching, and anode junction is made so that the pressure introduction opening 11 provided at a glass plate forms the extension section of the cavity.例文帳に追加

第１のトレンチエッチングによりセンサチップにダイアフラムエッチング空洞１０を形成し，ガラスプレートに設けた圧力導入開口１１が、空洞の延長部を成しているように陽極接合が行われるようにした。 - 特許庁

There is used an active filter containing a buffer amplifier that branches the common-mode current from the earthing conductor by linear- driving two junction-type transistors or a MOSFET transistor through the transistor.例文帳に追加

２つの接合型トランジスタ又はＭＯＳＦＥＴトランジスタを線形に駆動して接地線からのコモンモード電流をトランジスタを介して分流する緩衝増幅器を含む能動フィルタを用いる。 - 特許庁

To suppress a junction leakage and a contact leakage due to a misalignment while restraining the short channel effect, by reducing the dopant concentration of a substrate in a surface channel type PMOSFET.例文帳に追加

表面チャネル型のＰＭＯＳＦＥＴにおいて、基板不純物濃度を低減して、短チャネル効果を抑制しながら、接合リークや合わせずれに対するコンタクトリークを抑制すること。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode that is a pn-junction-type light-emitting diode, has improved takeout efficiency of emitted light to the outside, can prevent the short-circuiting circulation of an element drive current between electrodes, and has an improved electrostatic withstand voltage.例文帳に追加

ｐｎ接合型発光ダイオードにあって、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

The static-induction transistor is a kind of junction-type field-effect transistor which is developed to reduce impurities in a channel, and ensures current-voltage characteristics free from saturated condition.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタの一種で、チャンネル部の不純物を減らし、電流−電圧特性が飽和状態を示さないよう工夫した静電誘導トランジスタ。 - 特許庁

To provide an optimal combination of an electronic donor and an electronic accepter in a bulk hetero junction-type organic solar cell, and to be able to form a hole nano transportation path (hole path) and an electronic nano transportation path (electronic path).例文帳に追加

バルクへテロ接合型有機太陽電池における、電子ドナーと電子アクセプターとの最適な組合せを提供するとともに、ホールナノ輸送経路（ホールパス）及び電子ナノ輸送経路（電子パス）を形成する。 - 特許庁

Since a region of deep junction is provided in the outermost circumferential p+ type well region 21a, concentration of field is relaxed and a high breakdown strength can be attained even if the number of guard rings is small.例文帳に追加

このように、最外周ｐ^+型ウェル領域２１ａに接合深さが深く形成された領域を設けることにより、電界集中が緩和され、リング数が少なくても高耐圧が得られる。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comes into the working condition by the voltage variation of the gate area and outputs a signal according to the quantity of the signal electric charge from a source.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタは、ゲート領域の電圧変化で動作状態になると共に、信号電荷の量に応じた信号をソースから出力する。 - 特許庁

The n-type layer has a charge output portion which is diffused from the pn junction to the substrate surface, and the charge output is connected in a circuit to an MOS transistor for charge read-out.例文帳に追加

Ｎ型層はＰＮ接合部分から基板表面まで拡散された電荷出力部分を有しており、当該部分は電荷読み出し用のＭＯＳトランジスタに回路的に接続されている。 - 特許庁

A ramp edge type superconducting junction 30 is provided with an upper YBCO 32 and a lower YBCO 33 being high temperature superconductors laminated on an MgO snigle-crystal substrate 31.例文帳に追加

ランプエッジ型の超電導接合３０は、ＭｇＯ単結晶基板３１上に積層された高温超電導体である上部ＹＢＣＯ３２及び下部ＹＢＣＯ３３を有する。 - 特許庁

Thus, the impurity concentration composed of the single crystal silicon film 15 provides a thin source/drain of stacking type, to allow a junction 21 to be shallower and also to allow the width of a depletion layer region 22 to be wider.例文帳に追加

こうして、単結晶シリコン膜１５でなる不純物濃度が薄い積上げ型のソース・ドレイン領域を設けることによって、接合２１を浅くし、且つ、空乏層領域２２の幅を広くできる。 - 特許庁

To provide an SJ (super junction) device and its manufacturing method in which the SJ device having a column region in the lower region of the base region of a vertical type MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) can be manufactured easily.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴのベース領域の下部領域にコラム領域を備えるＳＪデバイスを容易に製造することを可能にしたＳＪデバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A lamination type electrical junction box 1 is adopted, where upper- and lower-layer blocks 4, 5 having the electronic components 2, 3, respectively, are connected via a link arm 6 openably and closably.例文帳に追加

電気部品２，３をそれぞれ有する上層のブロック４と下層のブロック５とをリンクアーム６で開閉自在に連結した積層式電気接続箱１を採用する。 - 特許庁

To improve integration density of cells per unit area by enabling to reduce the region of p-n junction and isolation parts and the regions formed of p-type semiconductor of cells.例文帳に追加

ｐｎ接合分離部の領域や、セルのｐ型半導体で構成される領域を小さくできるようにし、単位面積当たりのセルの集積密度を向上させる。 - 特許庁

To provide an a-Si solar cell of high conversion efficiency, together with its manufacturing method, which is easily manufactured, related to a multi- junction thin-film solar cell where a plurality of pin-type cells are laminated.例文帳に追加

複数のｐｉｎ型セルを積層した多接合型薄膜太陽電池において、変換効率が高く、しかも製造の容易なa-Si太陽電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a separate-type refrigerator having no fear of leakage of cold air at the junction of chillrooms, which are separable from each other and easily connectable to each other.例文帳に追加

セパレート形の冷蔵庫において、互いに分離可能な貯蔵室本体の接続部分からの冷気漏れの恐れがなく、かつ分離部分の接続が容易な冷蔵庫を得ることにある。 - 特許庁

In this photodiode, plural barrier layers 3 accompanied by a P-N junction are formed, and carriers generated in the barrier layers are quickly transmitted to an N-type region, so that responsiveness is improved, and an operation becomes high speed.例文帳に追加

このフォトダイオードでは、ＰＮ接合に伴う空乏層３が多く形成されるとともに空乏層３に発生するキャリアが早くＮ型領域へ到達するので、応答性がよくなり、動作が高速となる。 - 特許庁

Specifically, the substrate of the MOS transistor M2 for control is biased with the voltage of a junction between the MOS transistor M2 for control and a capacitor 1, in case that the MOS transistor M2 for control is of p-channel type.例文帳に追加

具体的には、制御用ＭＯＳトランジスタＭ２がＰチャネル型である場合には、制御用ＭＯＳトランジスタＭ２の基板を、該制御用ＭＯＳトランジスタＭ２とコンデンサ１との接続点の電圧でバイアスする。 - 特許庁

Since a barrier, which is formed by the depletion region, enhances more the current stopping power of the P-N junction part between a body and the drain, a P-type body region can be shallow formed by a low-concentration doping, without generating the problem of punch through.例文帳に追加

空乏領域によって生成されるバリヤがボディ−ドレイン間ＰＮ接合部の電流阻止能力を一層高めるので、Ｐ型ボディ領域を、パンチスルーの問題を生じさせずに低濃度ドープで浅く作ることができる。 - 特許庁

An MIS junction laminated film is formed of a diode, a spin injection magnetization inversion inducing layer, and a tunneling type magneto-resistive element, and a bit line and a word line are connected to the laminated film.例文帳に追加

ダイオードとスピン注入磁化反転誘起層とトンネル型磁気抵抗効果素子からなるＭＩＳ接合積層膜を形成し、ビット線とワード線をこの積層膜に接続させる。 - 特許庁

In other words, the strain gauge 24 is constituted of only a single electrically-conductive impurity that is the P-type impurity to provide the strain gauge 24 with a structure having no P-N junction.例文帳に追加

つまり、Ｐ型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ２４を構成し、歪ゲージ２４がＰＮ接合が無い構造とする。 - 特許庁

At least either one the p- and n-type clad layers 8 and 7 is constituted in a junction structure of first crystal layers 5 and 3 and second crystal layers 6 and 2.例文帳に追加

また、ｐ型クラッド層８とｎ型クラッド層７との少なくとも一方が、第一結晶層５，３と第二結晶層６，２との接合構造とされる。 - 特許庁

To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加

内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁

In this case, the side boundary surface of the p-type semiconductor region is formed on a crystalline plane, orthogonal to the hetero-junction surface and forming an angle between the (0001) crystalline plane.例文帳に追加

そして、ｐ型半導体領域の側方境界面は、へテロ接合面に垂直であるとともに（０００１）結晶面と角度を成す結晶面上に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To enhance the efficiency of an amorphous thin film solar cell having at least one pin junction formed of a p-type semiconductor layer or an n-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase, a substantially intrinsic i-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film, or an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層またはｎ型半導体層、非晶質薄膜からなり実質的に真性なｉ型半導体層、非晶質薄膜からなるｎ型半導体層またはｐ型半導体層で構成されるｐｉｎ接合を少なくとも一つ有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

The n-type high-density region HR has higher n-type impurity density than the n^- epitaxial layer EP, is disposed between the p-type back gate region BG and n-type drain region DR, and has peak density at a deeper position from the principal surface 12 than a pn junction portion of the p-type back gate region BG and n^+ source region SR.例文帳に追加

ｎ型高濃度領域ＨＲは、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰよりも高いｎ型不純物濃度を有し、ｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ型ドレイン領域ＤＲとの間に位置し、かつｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ^+ソース領域ＳＲとのｐｎ接合部よりも主表面１２から深い位置にピーク濃度を有している。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comprises a p-type semiconductor film 2 formed on the front side of an n-type semiconductor C substrate 1, an n-type semiconductor film 3 involving a channel region 4 formed thereon, source and drain regions 5, 6 formed at both sides of the channel region on the semiconductor film 3, and a gate electrode 13 in contact with the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体Ｃ基板１の表（おもて）面に成膜されたｐ型半導体膜２と、その上に形成されたチャネル領域４を含むｎ型半導体膜３と、ｎ型半導体膜の上であって、チャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域５,６と、ｎ型半導体基板に接して設けられたゲート電極１３とを備える。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photovoltaic device in pin junction structure with amorphous silicon as a main material, a p-type layer 3 is formed and then hydrogen plasma treatment is made to the p-type layer 3, then CO2 plasma treatment is made for oxidizing a p-type layer surface, and a buffer layer 4a is formed between the p-type layer and an i-type layer.例文帳に追加

非晶質シリコンを主材料としたｐｉｎ接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、ｐ型層３を形成後にこのｐ型層３に水素プラズマ処理を施し、その後ＣＯ_2プラズマ処理を行いｐ型層表面を酸化させて、ｐ型層とｉ型層との間のバッファ層４ａを形成する。 - 特許庁

According an embodiment, an image sensor includes a circuitry, having transistors and formed on a substrate, an electrical junction region formed on one side of the transistor, a heavily-doped first conductivity-type region formed on the electrical junction region, and a photodiode formed above the circuit.例文帳に追加

実施の形態によるイメージセンサは、基板にトランジスタを含んで形成された回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）と、前記トランジスタの一側に形成された電気接合領域と、前記電気接合領域上に形成された高濃度第１導電型領域と、前記回路上側に形成されたフォトダイオードと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A modulated RF signal 2 and a 2nd RF signal 3 with a frequency substantially equal to a carrier frequency of the modulated RF signal 2 are supplied to an input terminal of an n-port junction circuit 17, and a signal processing circuit 6 processes an output signal of the n-port junction circuit 17 to generate a flag 10 denoting a modulation type of the identified modulation RF signal 2.例文帳に追加

ｎポートジャンクション回路１７の入力端子に変調ＲＦ信号２と、変調ＲＦ信号２の搬送波周波数に実質的に等しい周波数を有する第２のＲＦ信号３とを供給し、ｎポートジャンクション回路１７の出力信号を処理して、識別された変調ＲＦ信号２の変調種類を示すフラグ１０を生成する。 - 特許庁