「junction-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

After a film containing a Diels-Alder addition product produced by Diels-Alder reaction between an organic compound to be a p-type semiconductor and fullerene is formed, the film is heated to separate the Diels-Alder addition product into the organic compound to be the p-type semiconductor and the fullerene to form the semiconductor hetero-junction film.例文帳に追加

ｐ型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記ｐ型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜とする。 - 特許庁

To prevent current leak from a junction interface between a P-layer and an N-layer which are exposed in a side wall of a trench or a vertical hole when electrochemically etching a semiconductor board from a trench, or a vertical hole part formed in a wafer with an N-type epitaxial layer on a P-type semiconductor board in a manufacturing method of a semiconductor pressure sensor.例文帳に追加

半導体圧力センサの製造方法において、Ｐ型半導体基板上にＮ型エピタキシャル層を有するウエハに形成されたトレンチもしくは垂直穴部分から半導体基板を電気化学エッチングする際に、トレンチもしくは垂直穴の側壁に露出するＰ層とＮ層との接合界面からの電流リークを防止する。 - 特許庁

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

For this reason, a depletion layer formed in the junction of a P type well layer 102 and a P+ type semiconductor region 103a, and the fourth region 118 can be extended in the direction of the photoelectric transfer section 307, so that the parasitic capacitance can be reduced, electric potential fluctuation by signal charges can be magnified, and the output conversion efficiency can be enhanced.例文帳に追加

このため、Ｐ型ウエル層１０２及びＰ+型半導体領域１０３ａと、第４領域１１８との接合部に形成される空乏層を光電変換部３０７の方向に延ばすことができるため、寄生容量を低減することができ、信号電荷による電位変動を大きくすることができ、出力変換効率を向上させることができる。 - 特許庁

The ring resonator type phase shifter is equipped with a ring shaped optical waveguide 3 mounted so as to mode couple with the corresponding branching optical waveguide 7A, and is constructed in such a way that an amplitude branching ratio K between the corresponding branching optical waveguide 7A and a ring type optical waveguide 3 can be varied for example via refractive index variation and so on accompanying voltage application in a p-n junction.例文帳に追加

リング共振型位相シフタは、対応する分岐光導波路７Ａにモード結合するように配置されたリング型光導波路３を備え、対応する分岐光導波路７Ａとリング型光導波路３との間の振幅分岐比Ｋを、例えばｐｎ接合における電圧印加に伴う屈折率変化などを通じて、変化させることができるように構成される。 - 特許庁

In the photoelectric converting device 1, there are laminated on a conductive substrate to be an one-side electrode 31, a porous semiconductor layer 24 comprising a sintered body formed out of one-conductivity type granular semiconductors 10 via grain-boundary junction layers 32 each of which has a higher impurity concentration than the granular semiconductor 10, and an opposite-conductivity type semiconductor layer 11 wherewith an other-side electrode 16 is connected.例文帳に追加

光電変換装置１は、一方の電極３１となる導電性基板上に、一導電型の粒状半導体１０が粒状半導体１０よりも不純物濃度が高い粒界接合層３２を介した焼結体からなる多孔質半導体層２４及び逆導電型の半導体層１１が積層されており、半導体層１１に他方の電極１６が接続されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises the steps of forming an oxide film 14 having a trench forming pattern on the surface of an n-type silicon semiconductor substrate 11, forming a trench 16 for a super junction on the semiconductor substrate 11 with a mask of the oxide film 14, and conducting an epitaxial growing to bury the trench 16 with a p-type semiconductor 17.例文帳に追加

ｎ型シリコン半導体基板１１の表面にトレンチ形成パターンを有する酸化膜１４を形成し、この酸化膜１４をマスクとして半導体基板１１に超接合用トレンチ１６を形成し、エピタキシャル成長をおこなって超接合用トレンチ１６をｐ型半導体１７で埋める。 - 特許庁

Then, a source-drain electrode 5 is provided to the pair of p^+-type contact layers 4 in ohmic contact, and a gate electrode 6 is provided on the exposure surface of an n^+-type contact layer 2, provided on the lower side of the channel layer 3 in ohmic contact, thus forming the junction FET.例文帳に追加

そして、一対のｐ^+型コンタクト層４上にオーミックコンタクトするようにソース・ドレイン電極５が設けられ、チャネル層３の下側に設けられるｎ^+型コンタクト層２の露出面上にオーミックコンタクトするようにゲート電極６が設けられることにより、接合型ＦＥＴが形成されている。 - 特許庁

The group III nitride-based semiconductor light emitting element has a light emitting part of pn junction double heterostructure obtained by forming a lower barrier layer 104 of n-type group III nitride-based semiconductor, a light emitting layer 105 of III nitride semiconductor, and a p-type upper barrier layer 106 sequentially on a crystal substrate 101.例文帳に追加

結晶基板１０１上に、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなる下部障壁層１０４とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層１０５とｐ形の上部障壁層１０６とを順次積層したｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の発光部を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、上部障壁層を、ｐ形のリン化硼素（ＢＰ）系半導体とする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is a reference voltage generating circuit including diodes D1 and D2 wherein the diodes D1 and D2 include a junction of a first conductivity type first semiconductor layer 32 and a second conductivity type second semiconductor layer 34, and at least one of the first semiconductor layer 32 and the second semiconductor layer 34 has a band gap smaller than that of silicon.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路は、ダイオードＤ１、Ｄ２を含む基準電圧発生回路であって、 前記ダイオードＤ１、Ｄ２は、第１の導電型の第１半導体層３２と第２の導電型の第２半導体層３４との接合を含んでなり、 前記第１半導体層３２および前記第２半導体層３４の少なくとも一方は、そのバンドギャップがシリコンと比して小さい。 - 特許庁

This compound sensor includes a UV sensor part including a PN junction area provided within an SOI layer layered on an embedded oxide film on a semiconductor substrate, and an IR sensor part including an N-type low-density diffusion area provided in the SOI layer, and an N-type high-density diffusion area provided within the semiconductor substrate opposedly to the low-density diffusion area.例文帳に追加

半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 - 特許庁

In the semiconductor device having the on-chip type electrostatic discharge (ESD) protection circuit, the on-chip type ESD protection circuit may include a first junction diode having a first conductivity region contacting a second conductivity region in a semiconductor substrate, and a first schottky diode having a metallic material layer arranged on and contacting the first conductivity region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

オンチップ形態の静電放電（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）保護回路を持つ半導体素子であって、半導体基板内で第２導電型領域と接触する第１導電型領域を持つ第１接合ダイオードと、前記第１導電型領域上に接触する位置に配置された金属系材料層を備える第１ショットキーダイオードとを有する。 - 特許庁

Because an N+-type diffusion area 103 is absent on the incident surface side in the detector 100, the electron beam (or the reflected electron) accelerated by the high acceleration voltage (about 100 keV) is incident from the rear face side (the incident surface side) of the N--type semiconductor substrate 101 and reaches the vicinity of the PN junction on the front face side to generate electrons.例文帳に追加

ＰＮ型電子線検出器１００では、Ｎ^+型拡散領域１０３が入射面側にないので、高い加速電圧（１００ＫｅＶ程度）で加速された電子線（又は反射電子）は、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面側（入射面側）から入射し、表面側のＰＮ接合近傍に達して電子を生じさせる。 - 特許庁

To provide an N-type Schottky barrier penetrating transistor of high performance which is stable and has low schottky barrier to electrons by forming a schottky junction on a silicon 111 plane generated through anisotropic etching (in a semiconductor having a crystal structure, a mirror index indicating its crystal orientation).例文帳に追加

異方性エッチングを通じて生成されるシリコン１１１面（結晶構造を有する半導体においてその結晶方向を示すミラー指数）にショットキー接合を形成させることによって、安定的で、且つ電子に対して低いショットキー障壁を有する高性能のＮ−型ショットキー障壁貫通トランジスタを提供する。 - 特許庁

By bending the surface of the lead frame 18 mounting a laser diode chip 19, the main part of a frame type laser diode is built with the PN junction surface 19A of the laser diode chip 19 and is tilted to the main surface which is parallel with the surface configuring the base 17 of the optical pickup system.例文帳に追加

レーザーダイオードチップ１９が搭載されるリードフレーム１８の平面部を折曲させることによってレーザーダイオードチップ１９のＰＮ接合面１９Ａをフレーム型レーザーダイオードの本体を構成するとともに光ピックアップ装置の基台１７を構成する平面に対して平行に配置される主平面に対して傾斜させる。 - 特許庁

To provide a crimp terminal and a flat cable with the crimp terminal capable of preventing a flat conductor from bending at a junction of the flat conductor provided in the flat cable and a conductor crimp part of closed barrel type provided in the crimp terminal, and easily inserting the flat conductor into the conductor crimp part.例文帳に追加

平形ケーブルが備える平形導体と、圧着端子が備えるクローズドバレルタイプの導体圧着部との接合部において、平形導体が屈曲するのを防止することができると共に、導体圧着部の内側への平形導体の挿入を容易にすることができる圧着端子および圧着端子付き平形ケーブルを提供すること。 - 特許庁

In this overvoltage protection circuit, a DC-DC converter of such configuration that a plurality of switching elements are connected in series is connected to the DC output voltage terminal of a power factor improving circuit, and the output overvoltage detecting resistor of a latch type output overvoltage detecting circuit is connected to a junction where switching elements are connected in series, thereby reducing the standby power.例文帳に追加

本過電圧保護回路は、力率改善回路の直流出力電圧端子に複数のスイッチング素子が直列に接続された構成のＤＣ−ＤＣコンバータが接続され、スイッチング素子が直列に接続された接続点に、ラッチ型出力過電圧検出回路の出力過電圧検出抵抗を接続することで待機時電力を低減する。 - 特許庁

In a p-n junction structure of a first solid material layer 3 having a insulator or a semiconductor and a second solid material layer 5 having a insulator or a semiconductor of a different type from the first solid material layer 3, there is provided a solar cell 1 using a Mott insulator or a Mott semiconductor as a solid material for at least one of the layers.例文帳に追加

絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層３と該第一固体材料層３とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層５とのｐ−ｎ接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池１。 - 特許庁

The semiconductor driver circuit which is optimum for the normally-off junction type FET is proposed by the application of an accurate gate-voltage generation scheme by a Zener diode, the reduction in turn-on loss by a speed-up capacitor, the connection of a capacitor between a gate and a source, and the application of a malfunction-preventing circuit by a source-terminal optimum mounting scheme.例文帳に追加

ツェナーダイオードによる高精度なゲート電圧生成方式やスピードアップコンデンサによるターンオン損失の低減，ゲート・ソース間のコンデンサの接続やソース端子の最適実装方式による誤動作の防止回路を適用することで、ノーマリオフの接合型ＦＥＴに最良な半導体駆動回路を提案する。 - 特許庁

The thermoelectric module has: a plurality of semiconductor elements 4 having the same conductivity type and thermoelectric effect; high resistance layers 6 each integrally formed on a junction portion between adjacent semiconductor elements 4; and conductor layers 8 formed integrally in the inside of the high resistance layers 6 and electrically connecting a first end and a second end of the adjacent semiconductor layers 4.例文帳に追加

同じ導電型で熱電効果を持つ複数の半導体素子４と、隣接する半導体素子４の接合部に一体的に形成してある高抵抗層６と、高抵抗層６の内部に一体的に形成され、隣接する半導体素子４の第１端部と第２端部とをそれぞれ電気的に接続する導体層８と、を有する熱電モジュールである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that stably exhibits a high reverse recovery withstand independently of the existence and nonexistence of the defects caused during the wafer process for manufacturing the semiconductor device, even if the semiconductor device is a pn-junction diode having a structure, in which an anode electrode is formed on an outer circumferential portion surface of a p-type anode diffusion region with an insulating film interposed.例文帳に追加

ｐ型アノード拡散領域の外周部表面に絶縁膜を介してアノード電極が設けられる構造を有するｐｎ接合ダイオードであっても、該ダイオードを製造する際のウエハプロセスに起因する欠陥の有無に依らず、安定的に高い逆回復耐量を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a one-pack moisture-curing type urethane-based sealing material composition which suppresses occurrence of popping in a coating film, has excellent adhesion between the coating film and a sealing material surface, and is applicable to vehicle use, to provide a method for filling a vehicle junction portion by using the sealing material composition, and to provide a coated joint structure of a vehicle.例文帳に追加

塗膜のワキ発生を抑制するとともに塗膜とシーリング材表面との密着性に優れた、車輌用途に適用される１液湿気硬化型ウレタン系シーリング材組成物、該シーリング材組成物を用いた車輌接合部位の目止め方法及び車輌の塗装目地構造を提供する。 - 特許庁

To provide a program, a method, and a system for autonomous action control, which can perform a very precise control in a short time by detecting information concerning a T type junction point even though an input signal is a low resolution image from a photoelectric element with a small number of pixels and also by single eye.例文帳に追加

少ない画素数の受光素子からの低解像度の入力信号であって、しかも単眼による入力信号であっても、Ｔ型接合点に関する情報を検知して短時間にしかも精度の高い制御を行うことができる自律行動制御装置とその方法及びそのプログラムを提供することである。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

To manufacture a photovoltaic power element having excellent characteristics by preventing the characteristics from being deteriorated due to the mixing of doping gases or the like into a substantially intrinsic i-type semiconductor layer, even if a transparent conductive layer wherein a high texture degree is included but adsorptive sites increase is used, when manufacturing the photovoltaic power element including a pin junction.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光起電力素子の製造に際し、高いテクスチャー度を有するが吸着サイトが増加している透明導電層を使用した場合においても、ドーピングガス等が実質的に真性なｉ型半導体層に混入して特性が低下するのを防止して良好な特性を有する光起電力素子を製造できるようにする。 - 特許庁

A semiconductor laser 26 is mounted on a submount 16 through solder layers 20, 21 and 22 by junction-down mounting, and it is formed monolithically with an infrared laser part 27 and a red laser part 28 which are isolated by an isolation groove 29, where an insulating layer 14 is formed, and are placed adjacently on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ２６はサブマウント１６の上に半田層２０、２１および２２を介してジャンクションダウン実装により載置されたものであり、それはｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、絶縁層１４が形成された分離溝２９によって分離された赤外レーザ部２７と赤色レーザ部２８とが隣接してモノリシックに形成されたものである。 - 特許庁

To provide an MOS transistor having a stable and shallow high concentration junction capable of preventing a high concentration area forming a drain/source area from being put through a contract hole due to the variations in manufacturing, which used to be impossible in an MOS type transistor having a conventional LDD structure.例文帳に追加

本発明は、従来のＬＤＤ構造を有するＭ０Ｓ型トランジスタでは不可能であった、ドレイン・ソース領域を形成する高濃度領域が製造バラツキなどによりコンタクトホールを突き抜けることのなく、安定して浅い高濃度接合を有するＭＯＳ型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide light-weight and miniaturizable plate fin type heat exchanger which adopts titanium material as a measure against stress corrosion crack, having sufficient junction strength, high stress corrosion crack resistance, no problem for peeling, fluid leakage and so on, and easy for manufacturing.例文帳に追加

軽量、小型化が可能なプレートフィン型熱交換器において、応力腐食割れが問題となる用途で材料にチタンを採用する場合、十分な接合強度が得られ、耐応力腐食割れに優れ、剥離、流体の漏洩などの問題がなく、又、製造が容易にできる構成のプレートフィン型熱交換器とその製造方法の提供。 - 特許庁

The number of p-type semiconductor layers in the nitride based semiconductor laser structure 200 is decreased by the p-n tunnel junction 220 to reduce dispersion loss, threshold current density thereby decreases to lower total series resistance, and higher growth temperature is obtained to improve structural quality of a laser.例文帳に追加

このｐ−ｎトンネル接合２２０により、窒化物系半導体レーザ構造２００におけるｐ型半導体層の数が減り、それによって分散損失が低減され、閾値電流密度が低下し、全体的な直列抵抗が低下すると共に、より高い成長温度が可能となることによってレーザの構造的な品質が向上する。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode junction having an electrolyte membrane excellent in proton conductivity and mechanical strength, well adhering to a catalyst electrode layer, in which, oxygen at an air electrode side and fuel at a fuel electrode side move easily, and also to provide a manufacturing method of the same, and a direct type fuel cell using the same.例文帳に追加

プロトン伝導性に優れ機械強度を併せ持ち、触媒電極層との密着性がよく、かつ空気極側での酸素移動および燃料極側での燃料移動を容易にした電解質膜を有する膜電極接合体およびその製造方法ならびにそれを用いたダイレクト型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To solve a conventional problem that the reduced thickness of a second insulation film on an inner wall of a mesa groove abutting against a PNJC at a PN junction may cause a deteriorated withstand voltage and a leakage current by using an inexpensive material, to provide a mesa type semiconductor device with a high withstand voltage and high reliability, and to establish a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという従来の問題を安価な材料を使用することにより解決し、高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。 - 特許庁

In a coaxial collector electrode structure of power generation diodes of a coaxial solar cell, an exposure type light receiving layer with a circular thickness directly receives hole-electron pairs based on the excitation action of incident light, a radius formed by a PN junction surface drives a built-in electric field and holes are drifted to coaxial inner and outer diodes by an equal-distance route.例文帳に追加

本発明に係る同軸太陽電池発電ダイオードの同軸集電極構造は環状などの厚さの暴露式受光層が直接に入射光の励起作用によるホール・エレクトロンペアを受け、PN接合面によって形成した半径が内蔵電場を駆動し等距離経路により同軸の内外ダイオードにドリフトするようになる。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film that meets respective requirements such as excellent optical transparency, high electric conductivity, and a low refractive index for use for a multi-junction solar cell by manufacturing it by a wet coating method using a coating type material, and is also reducible in running cost by manufacturing it without using a vacuum film forming method.例文帳に追加

塗布型材料を使用した湿式塗工法によって作製することにより、多接合型太陽電池に使用する際に求められる、良好な光透過性、高い電気伝導性、低屈折率などの各要件を満たすことができるとともに、真空成膜法を用いずに作製することによりランニングコストの低減を図ることができる、透明導電膜を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the capacitance type electromechanical conversion device includes: a step of forming an insulation layer 2 on a first silicon substrate 1 and forming at least one recessed part 3; a step of joining a second silicon substrate 5 on the insulation layer 2 by the fusion junction; and a step of thinning the second silicon substrate 5 and forming a silicon film 7.例文帳に追加

静電容量型電気機械変換装置の作製方法は、第一のシリコン基板１上に絶縁層２を形成し、少なくとも一つ以上の凹部３を形成する工程と、第二のシリコン基板５を絶縁層２上に溶融接合により接合する工程と、第二のシリコン基板５を薄化し、シリコン膜７を形成する工程を有する。 - 特許庁

When the voltage applied across electrodes 11 and 10 becomes higher and a depletion layer reaches a second N-type embedded diffused layer 3, punch- through occurs, and the voltage and current characteristics between the electrodes 10 and 11 become a clamping characteristic such as the reverse breakdown characteristic of a P-N junction diode, and the diode is energized and protects an element to be protected.例文帳に追加

電極１１、１０間の印加電圧が大きくなり、空乏層が第２のＮ型埋め込み拡散層３に到達するとパンチスルーを起こし、電極１０、１１間の電圧電流特性は、ＰＮ接合ダイオードの逆方向降伏特性のようなクランプ特性になり、このダイオードが導通して被保護素子を保護することができる。 - 特許庁

A solid-state image pick up device 10 for charge accumulation is structured by arranging a pn-junction type sensor PD and pixels 11 including at least transfer transistor 13, and by floating the gate of the transfer transistor 13 under the bias condition that the gate of the transfer transistor 13 immediately before charge accumulation is cut off.例文帳に追加

ｐｎ接合型のセンサ部ＰＤと、少なくとも転送用トランジスタ１３を含む画素１１が配列されて成り、電荷蓄積の直前の転送用トランジスタ１３のゲートがカットオフされたバイアス状態で、転送用トランジスタ１３のゲートをフローティング状態にして電荷蓄積を行う固体撮像装置１０を構成する。 - 特許庁

The cap member 14 is attached to the junction 24 of the tube body 11, and then the crest part 35 and the trough part 36 are engaged to the trough part 29 and the crest part 28 of the tube body 11 in the upper and lower direction of attachment, and so the cap member 14 does not turn together with the female type medical appliance.例文帳に追加

キャップ部材１４を混注管本体１１の分岐部２４に装着すると、その装着方向たる上下方向において、キャップ部材１４の山部３５と谷部３６が、混注管本体１１の谷部２９と山部２８に嵌まるので、キャップ部材１４が雄型の医療器具と一緒になって共廻りすることがない。 - 特許庁

In the membrane electrode junction element of direct methanol type fuel cell, having an anode catalyst layer and a cathode catalyst layer containing a carbon material, anion exchange resin, and a catalyst, the quantity of the catalyst contained in the anode catalyst layer is in the range of 2.0-5.0 mg/cm^2 and the porosity of the anode catalyst layer is in the range of 65-85%.例文帳に追加

炭素材料と陽イオン交換樹脂と触媒とを含むアノード触媒層およびカソード触媒層を備えた直接メタノール形燃料電池用膜／電極接合体において、前記アノード触媒層に含まれる触媒量が２．０〜５．０ｍｇ／ｃｍ^２の範囲にあり、かつ、アノード触媒層の多孔度が６５〜８５％の範囲にあることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance RAM (MRAM) of a simple structure by forming a cell array by forming a cell having a simple structure and a small cell size by storing two or more data, by coupling an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) between a word line and a P-N diode and further coupling a plurality of cells in a NAND type between a bit line and a cell plate.例文帳に追加

ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをＮＡＮＤ型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）を具現する。 - 特許庁

The pinned printed wiring board in this invention is in a simple structure adopting a PGA type wherein a plurality of metallic pins for outer connecting terminals are junctioned on the underside 1a also reinforcing plate 5 with a plurality of stepped through holes 4 corresponding to the metallic pins 3 formed thereon is junctioned with the junction face 1a of the metallic pins 3 by bonding process.例文帳に追加

本発明のピン付きプリント配線板は、プリント配線板１の下面１ａに外部接続端子用の金属ピン３が複数接合され、金属ピンの接合面１ａにはさらに、金属ピン３に対応する複数の段付き貫通孔４が形成された補強板５が接着により接合され、ＰＧＡタイプを採用した簡単な構造となっている。 - 特許庁

The MOS transistor 100, 100a, 100b formed on a semiconductor substrate 90, and having a drain region 20 and a backgate region 40 comprising different conductive type diffusion layers 21, 22, 41 and 42 is characterized in that the drain region 20 and the backgate region 40 are arranged adjacent to each other, and have a region with a PN-junction formed on the adjacent surface.例文帳に追加

半導体基板９０に形成され、異なる導電型の拡散層２１、２２、４１、４２からなるドレイン領域２０とバックゲート領域４０とを有するＭＯＳトランジスタ１００，１００ａ、１００ｂであって、 前記ドレイン領域２０と前記バックゲート領域４０とが隣接して配置され、隣接面にＰＮ接合が形成された領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

A crimping prevention section in a specific section is applied to the opposing surfaces of a plurality of metal plates, lamination junction is made after activation treatment under an extremely low pressure to form the plate laminate, the crimping preventing section is inflated as a hollow laminate having a hollow section, and water is sealed into the hollow section as a working body, as the plate-type heat pipe.例文帳に追加

複数の金属板の対向面に所定形状の圧着阻止部を形成し、極低圧下で活性化処理を施した後積層接合してプレート積層体とし、この圧着阻止部を膨らませて中空部を有する中空積層体とし、中空部内に作動体として水を封入してプレート型ヒートパイプとする。 - 特許庁

A crimping preventing agent is applied in a specific pattern to the opposing surfaces of a plurality of metal plates, lamination junction is formed after activation treatment under an extremely low pressure to form the plate laminate having a crimping prevention section, the crimping preventing section is inflated as a hollow laminate having a hollow section, and water is sealed into the hollow section as a working body as the plate-type heat pipe.例文帳に追加

複数の金属板の対向面に所定のパターンに圧着防止剤を塗布し、極低圧下で活性化処理を施した後積層接合して圧着防止部を有するプレート積層体とし、この圧着防止部を膨らませて中空部を有する中空積層体とし、この中空部内に作動体として水を封入してプレート型ヒートパイプとする。 - 特許庁

It is designed that the write time is about 10 μs and the leakage current of the junction in writing is approximate 100 ns, therefore, the energy necessary for writing is reduced up to 5 pJ, that is, reduced to 1/100 or less, compared with a writing energy used in implantation of channel hot electron of the customary stacked gate type memory.例文帳に追加

書込み時間はおおよそ１０μｓ、書込み動作時の前記接合の漏洩電流は１００ｎＡ程度に設計できるため、書込みに要するエネルギーは５ｐＪまで低減され、従来のスタックド・ゲート型メモリセルのチャンネルホットエレクトロン注入を用いた書込みのエネルギーに比較して１／１００以下に低減できる。 - 特許庁