「junction-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The thermoelectric module has: a plurality of semiconductor elements 4 having the same conductivity type and thermoelectric effect; high resistance layers 6 each integrally formed on a junction portion between adjacent semiconductor elements 4; and conductor layers 8 formed integrally in the inside of the high resistance layers 6 and electrically connecting a first 4a end to a second end 4b of the adjacent semiconductor layers 4.例文帳に追加

熱電モジュールが、同じ導電型で熱電効果を持つ複数の半導体素子４と、隣接する半導体素子４の接合部に一体的に形成してある高抵抗層６と、高抵抗層６の内部に一体的に形成され、隣接する半導体素子４の第１端部４ａと第２端部４ｂとをそれぞれ電気的に接続する導体層８と、を有する。 - 特許庁

A power semiconductor element is provided with first and second conductivity type semiconductor regions 1 and 3 provided in a substrate, where part of a P-N junction 2 formed between the regions 1 and 3 is sharpened and the radius of curvature of these sharpened parts is 0.5 μm or smaller.例文帳に追加

基板に設けられた第１導電型半導体領域１と、第２導電型半導体領域３とを備え、第１導電型半導体領域１と第２導電型半導体領域３との間に形成されるＰＮ接合２の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が０．５μｍ以下である電力用素子を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a flip-chip type light-emitting diode where in the junction between an electrode of an LED chip and a lead electrode of a package is stabilized while thickness as a light-emitting diode is reduced for significantly improved mass-production efficiency as well as lower production cost.例文帳に追加

ＬＥＤチップの電極とパッケージのリード電極部分との接合部分をより安定させると共に発光ダイオードとしてのさらなる薄型化を実現し、また量産効率を大幅に向上させ、生産コストダウンも実現することが出来るフリップチップ型発光ダイオードの形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte solution for forming an electrode having high durability and useful for forming an electrode of a solid polymer electrode type fuel cell, to provide a polymer electrolyte film and an electrolyte for a fuel cell manufactured by using the polymer electrolyte solution, and to provide an electrode junction body and a fuel cell manufactured by using the electrode.例文帳に追加

耐久性が高い電極を作製し得る、固体高分子電解質型燃料電池の電極作製に有用な高分子電解質溶液、該高分子電解質溶液を用いて作製した高分子電解質膜、燃料電池用電極、該電極を用いて作製した電極接合体、及び燃料電池を提供すること。 - 特許庁

The frame type laser diode is used as a laser light source of an optical pickup device for reading out a signal recorded on an optical disk and has a laser diode chip mounted to a plane where a metallic lead frame is provided, and the laser diode chip 19 is disposed so that a PN junction surface of the laser diode chip 19 is perpendicular to the plane of the lead frame 17.例文帳に追加

光ディスクに記録されている信号を読み出す光ピックアップ装置のレーザー光源として使用されるとともに金属製のリードフレームに設けられている平面上にレーザーダイオードチップが搭載されるフレーム型レーザーダイオードであり、レーザーダイオードチップ１９のＰＮ接合面１９Ａをリードフレーム１７の平面に対して垂直になるように配置したことを特徴とする。 - 特許庁

The storage battery BAt1 is in charged state, an n-type MOS transistor TN11 is turned on, and the voltage appearing at the junction between the resistor R11 and the resistor R12 is compared with a specified voltage (voltage showing the abnormal voltage) with a comparator CM11, whereby the abnormal voltage of the input terminal is detected.例文帳に追加

蓄電池ＢＡｔ１が充電状態にある場合、ｎ型ＭＯＳトランジスタＴＮ１１がオン状態に制御され、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との接続点に現れる電圧がコンパレータＣＭ１１で所定電圧（異常電圧を表す電圧）と比較されることにより、入力端子の異常電圧が検知される。 - 特許庁

This power converter is capable of expanding the known voltage link-type circuit pulse control conversion circuit, consisting of three separate half-bridge like branches (13, 14, 15) by adding or previously installing three other bridge branches (16, 17, 18), which are particularly constituted to AC voltage input rails (11, 12) and eliminates all junction circuit capacitors.例文帳に追加

本発明は、三つのハーフブリッジ分岐（１３，１４，１５）からなる公知の電圧中継回路型パルス制御変換器回路を、特別に構成された三つの別のブリッジ分岐（１６，１７，１８）をハーフブリッジ分岐（１３，１４，１５）の交流電圧入力レール（１１，１２）に追加ないし前置することによって拡張し、あらゆる中継回路コンデンサを省略する。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光電変換素子を構成するｐ層を、５ｎｍ以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第１ｐ層７を成膜し、該第１ｐ層７上にｐ型不純物を含まないガス分解によって第２ｐ層８を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The junction type field effect transistor formed on a semiconductor substrate 100 is constituted with inclusion of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103 formed between the source region 101 and the drain region 102, and a gate region 107 formed under at least the channel region 103.例文帳に追加

半導体基板１００に形成された接合形電界効果トランジスタは、ソース領域１０１と、ドレイン領域１０２と、ソース領域１０１とドレイン領域１０２との間に形成されたチャネル領域１０３と、少なくともチャネル領域１０３の下に形成されたゲート領域１０７とを含で構成される。 - 特許庁

The semiconductor optical detecting device 1 includes: a p-type semiconductor region 18 that is formed at the side of a surface 3a of a semiconductor substrate 3 and composes a photodiode 28 by a pn junction 26 with the semiconductor substrate 3; and a signal processing circuit section 9 formed at the side of the surface 3a of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

半導体光検出装置１は、半導体基板３の表面３ａ側に形成されており、半導体基板３とのｐｎ接合２６によりフォトダイオード２８を構成するｐ型半導体領域１８と、半導体基板３の表面３ａ側に形成されている信号処理回路部９と、を備えている。 - 特許庁

To effectively carry out coherent junction of a lot of laminated tabular fins and flat heat transfer tubes of a fin and tube type heat exchanger composed of the lot of tabular fins laminated in parallel with each other at a certain pitch, and the flat heat transfer tubes inserted at a substantially right angle into the fins at a predetermined pitch.例文帳に追加

一定のピッチで平行に多数積層される平板状のフィンと、所定のピッチでフィンに略直角に挿入される偏平状の伝熱管から構成されるフィンアンドチューブ式の熱交換器の多数積層される平板状のフィンと偏平状の伝熱管を有効に密着接合すること。 - 特許庁

A non-contact recognition type IC chip 11 electrically connects a fine antenna 12 and is sealed into a flexible plastic film 13 in a state including the antenna 12, the film 13 is cut off to a plane shape of suitable size and the opposite side film surface 15 of the antenna 12 is used for a junction surface.例文帳に追加

非接触認識型ＩＣチップ１１が、微小アンテナ１２を電気的に接続し、そのアンテナ１２も含めてフレキシブル・プラスチック・フィルム１３の中に封じ込められ、そして、そのフレキシブル・プラスチック・フィルム１３が、適当な大きさの平面形状に裁断されてそのアンテナ１２の反対側フィルム面１５を接合面に用いる。 - 特許庁

A plurality of semiconductor layers (a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 3, a third semiconductor layer 5) where each semiconductor layer of different forbidden band with a pn junction have an activatable semiconductor layer (the third semiconductor layer 5) which is a semiconductor layer of wide forbidden band width outputting a photovoltaic voltage that can activate the boost circuit in a boost type power supply device at the output destination.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する禁制帯の異なる各半導体層が絶縁膜を介して積層される複数の半導体層（第一の半導体層１、第二の半導体層３、第三の半導体層５）は、出力先の昇圧型電源装置の昇圧回路を起動可能な光起電圧を出力する広禁制帯幅の半導体層である起動可能半導体層（第三の半導体層５）を有する。 - 特許庁

To provide a simple matrix driving type display driving device capable of realizing a display device which is superior in response characteristic by quickly charging a junction capacitance or the like of a display element regardless of a driving current set to a relatively small current value and has a satisfactory display image quality and has a low power consumption and to provide a driving control method for the same.例文帳に追加

単純マトリクス駆動方式の表示駆動装置において、比較的小さな電流値に設定された駆動電流であっても、表示素子の接合容量等を迅速に充電して応答特性に優れ、かつ、表示画質が良好な低消費電力の表示装置を実現することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in a manner, where a phosphorus junction layer 2 provided with an N++ part heavily doped with phosphorus on its surface is formed on a P-type silicon substrate 1, a surface electrode 6 is formed on the N++ part 3, and a back face electrode 7 is formed on the rear of the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

少なくともＰ型シリコン基板１に、リンが高濃度にドープされたｎ^^++部を表面に有するリン接合層２を形成した後、該ｎ^++部３上に表面電極６を形成し、Ｐ型シリコン基板裏面に裏面電極７を形成する太陽電池の製造方法において、前記リン接合層の形成は、リンを含んだ有機シリカ化合物ペースト１５を表面電極が形成されるパターンに対応してＰ型シリコン基板１に印刷し、該Ｐ型シリコン基板に気相リン拡散熱処理を施すことにより、ｎ^++部３を表面に有するリン接合層を形成する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

Photocurrent generated in the second pin junction having the i-type microcrystal semiconductor 108 is less by 0.8 mA/cm^2 or more than photocurrent generated in adjacent first and third pin junctions.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体１１１を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体１０８，１０５を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され、ｉ型微結晶半導体１０８を有する第２のｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．８ｍＡ／ｃｍ^２以上少ないことを特徴とする。 - 特許庁

One type or two types of the sheath heater 7 using the metal sheath and metal cooling pipe 8 or a sheath thermocouple 9 using the metal sheath added on those are put between a metal lower base material 3 and a metal upper base material 4 having a groove for storing those provided and in the groove, and are assembled as one body and are performed diffused junction.例文帳に追加

金属製シースを用いたシースヒータ７及び金属製冷却パイプ８のうちの１種若しくは２種又はこれらに加えた金属製シースを用いたシース熱電対９を、これらを入れるための溝を少なくとも一方に設けた金属製下ベース材３及び金属製上ベース材４との間で、かつ上記溝に入れ、一体に組み立ててこれらを拡散接合する加熱及び／又は冷却用金属構造体の製造方法。 - 特許庁