「junction-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The n-type regions 105 and the p-type regions 106 extend in the [01-1] direction of the pn junction layer 101.例文帳に追加

ｎ型領域１０５およびｐ型領域１０６は、ｐｎ接合層１０１の[０１−１]の方向に延在している。 - 特許庁

The DZ 220 is constituted by the junction between an N-type impurity diffused layer 54 continuous to the drain region and a p-type impurity diffused layer.例文帳に追加

ＤＺ２２０はドレイン領域に連続するＮ型不純物拡散層５４とＰ型不純物拡散層５６との接合により構成される。 - 特許庁

Moreover, the n-type regions 105 and the p-type regions 106 are alternately arranged in the [0-1-1] direction of the pn junction layer 101.例文帳に追加

また、ｎ型領域１０５およびｐ型領域１０６は、ｐｎ接合層１０１の[０−１−１］方向に交互に配列している。 - 特許庁

A part of the p-type polycrystalline SiGe is hydrogenated and rendered n-type using this method thus attaining a pn junction conveniently.例文帳に追加

このような手法を用い、ｐ型の多結晶ＳｉＧｅの一部に水素処理を施してｎ型化し、ｐｎ接合を簡便に得る。 - 特許庁

The junction A is constituted by bonding the gate region 16 of a second conductivity type, and the control region 14 of a first conductivity type.例文帳に追加

接合部Ａは、第２導電型のゲート領域１６と第１導電型の制御領域１４との接合により構成される。 - 特許庁

A bypass capacitor C1 is formed by a P-N junction between an N-type well region 2e and a P-type substrate 2, on the side of an analog circuit block 20.例文帳に追加

アナログ回路ブロック２０側では、Ｎウェル領域２ｅとＰ基板２との間のＰＮ接合によりバイパスコンデンサＣ１を形成する。 - 特許庁

A voltage is applied to a p-n junction of a surface light emission type semiconductor element by a modulation circuit installed in a surface light emission type semiconductor element and modulated.例文帳に追加

面発光型半導体素子に設置した変調回路により面発光型半導体素子のｐｎ接合に電圧を印加し変調する。 - 特許庁

To suppress damages to a flat type soft substrate while preventing a junction part of the flat type soft substrate with an actuator from being peeled off.例文帳に追加

平型柔軟基板とアクチュエータとの接合部が剥離するのを抑制しつつ平型柔軟基板が損傷するのを抑制する。 - 特許庁

In a device active region 2, the super-junction structure is formed of an n-type drift layer 7 and a p-type pillar-shaped resurf 14.例文帳に追加

素子活性領域２において、ｎ型ドリフト層７とｐ型柱状リサーフ部１４とによってスーパージャンクション構造が形成されている。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and the p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

An electronic device includes a drift layer having a first conductivity type, a buffer layer having a second conductivity type, opposite the first conductivity type, on the drift layer and forming a P-N junction with the drift layer, and a junction termination extension region having the second conductivity type in the drift layer near the P-N junction.例文帳に追加

第１の伝導型を有するドリフト層と、前記ドリフト層上にあって、前記第１の伝導型とは反対の第２の伝導型を有し、前記ドリフト層とＰ−Ｎ接合を形成するバッファ層と、前記Ｐ−Ｎ接合の近傍の前記ドリフト層内にあって前記第２の伝導型を有する接合終端拡張領域とを含む電子デバイスを提供する。 - 特許庁

When incorporating a Schottky junction into a MOSFET, the Schottky junction is positioned at a place distant from a p-body region 6 and a gate electrode 10 of the MOSFET so that the ends of the Schottky junction are surrounded by p-type shallow junctions.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴにショットキー接合を内蔵させるときに、ショットキー接合はＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６とゲート電極１０と隔てられた場所に配置し、ショットキー接合の端部をｐ型の浅い接合によって囲まれるようにする。 - 特許庁

Furthermore, when a structure compounding a P-N junction and a Schottky junction is employed by further providing an anode electrode making Schottky connection with the n-type layer 1, such an effect as the voltage can be reduced when the current rises can be attained through Schottky junction.例文帳に追加

さらには、ｎ型層１とショットキー接続されるアノード電極をさらに設けることによって、Ｐ−Ｎ接合とショットキー接合とが複合してなる構造とすることで、ショットキー接合に由来する、電流立ち上がり時の電圧を小さくできるという効果も併せて得ることができる。 - 特許庁

A gate insulating film is inserted between the tunnel junction layer and the word line diffusion layer adjacent thereto, and a tunnel junction type transistor is constituted by a part of the trench capacitors, the vertical tunnel junction layers and a part of the word line diffusion layers.例文帳に追加

トンネル接合層とこれに隣接するワード線拡散の間には、ゲート絶縁膜が挿入され、トレンチキャパシタの一部と、縦型トンネル接合層と、ワード線拡散層の一部とで、トンネル接合型トランジスタを構成する。 - 特許庁

When an avalanche breakdown voltage is applied to a PN junction comprising a P type guard ring 4 and an N- layer 13a, a depletion layer 15 extending from the junction plane of the PN junction to the N- layer 13a side reaches an auto-doping layer 13b.例文帳に追加

Ｐ型ガードリング４とＮ^-層１３ａとからなるＰＮ接合にアバランシェ降伏電圧が印加された時に、前記ＰＮ接合の接合面からＮ^-層１３ａ側に伸びた空乏層１５が、オートドーピング層１３ｂに到達している。 - 特許庁

The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７とを備える。 - 特許庁

The section stretching north of the Oguraike tollbooth has four lanes (Type 2 Class 2; design speed 60 km/h), the section from the Oguraike tollbooth to Kumiyama Junction has four lines (Type 1 Class 3; design speed 80 km/h), and the section stretching south of Kumiyama Junction has six lines (Type 1 Class 3; design speed 80 km/h). 例文帳に追加

巨椋池本線料金所以北は4車線（第2種第2級・設計速度60km/h）、巨椋池本線料金所から久御山ジャンクションまでは4車線（第1種第3級・設計速度80km/h）、久御山JCT以南は6車線（第1種第3級・設計速度80km/h）である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a calibration method of a current detection type thermocouple or the like permitting easy and accurate temperature calibration and correction, even if a hot-junction or a cold-junction is formed on a cantilever or a diaphragm, and to provide a relevant current detection type thermocouple, a thermal-type infrared sensor, and an infrared detector.例文帳に追加

カンチレバやダイアフラム上に温接点や冷接点が形成されても、容易に精密な温度校正や補正ができるような電流検出型熱電対等の校正方法、関連する電流検出型熱電対と熱型赤外線センサ及び赤外線検出装置を提供する。 - 特許庁

This metal wiring 14 is provided at its end above the pn junction portion so as to coat the pn junction portion (an interface between the p^--type well layer 12c and the n^+-type semiconductor region 12d) exposed to the light incident surface of the semiconductor substrate 12 (p^--type well layer 12c), and exhibits a lattice shape.例文帳に追加

この金属配線１４は、その端部が半導体基板１２（Ｐ−型ウエル層１２ｃ）の光入射面に露出するｐｎ接合部分（Ｐ−型ウエル層１２ｃとＮ＋型半導体領域１２ｄとの界面）を覆うように当該ｐｎ接合部分の上方に設けられており、格子形状を呈している。 - 特許庁

A capacity element 15 is formed with an independent n-type area 16 in the silicon substrate 11, pn junction is formed of the n-type area 16 and the p-type silicon substrate 11, and a depletion layer capacity C12 of an independent depletion layer 17 formed at the joint of the pn junction is used.例文帳に追加

その容量素子１５は、シリコン基板１１内に独立のｎ型領域１６を設け、このｎ型領域１６とｐ型のシリコン基板１１とでｐｎ接合を形成し、そのｐｎ接合の接合部に形成される独立の空乏層１７の空乏層容量Ｃ１２を利用するようにした。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PROTEIN SEMICONDUCTOR, PROTEIN SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING P-N JUNCTION, P-N JUNCTION, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR CONTROLLING CONDUCTIVITY TYPE OF PROTEIN SEMICONDUCTOR例文帳に追加

タンパク質半導体の製造方法、タンパク質半導体、ｐｎ接合の製造方法、ｐｎ接合、半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器およびタンパク質半導体の導電型の制御方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multi-chip type semiconductor device which can improve reliability of a junction portion by reducing thermal interaction in a junction process between adjacent semiconductor chips.例文帳に追加

隣接する半導体チップ間での接合工程における熱的な相互作用を低減して接合部の信頼性を高めることができるマルチチップ型の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitance type pressure sensor having sufficient junction strength between substrates, and capable of exhibiting a sufficient sensor characteristic, even when an extraction electrode exists in a junction area between the substrates.例文帳に追加

基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間で十分な接合強度を有し、十分なセンサ特性を発揮できる静電容量型圧力センサを提供すること。 - 特許庁

To obtain a multi-junction solar cell capable of having high power generation efficiency by forming a solar cell less having a crystal defect by relieving stress due to a difference in lattice constant with respect to a lattice mismatch type multi-junction solar cell.例文帳に追加

格子不整合系の多接合型太陽電池において、格子定数の差に起因した応力を緩和して結晶欠陥の少ない太陽電池セルを形成し、高い発電効率を得ることが可能な多接合型の太陽電池を得ること。 - 特許庁

To provide a multi-stage type parking device which can support a charging junction cable and make it follow the movement of a palette when the palette for mounting an electric vehicle having a charging junction part is moved up and down.例文帳に追加

充電中継部を有する電気自動車搭載用パレットの昇降時に、充電中継ケーブルを支持してパレットの移動に追従させることができる多段式駐車装置を提供すること。 - 特許庁

An electronic circuit apparatus is obtained by connecting an element having a capacitance equal to or a little smaller than the gate capacitance of a junction FET, with a gate of a normally-off type silicon carbide junction FET 1.例文帳に追加

本願発明は、ノーマリオフ型の炭化珪素接合ＦＥＴのゲートに、接合ＦＥＴのゲート容量と同等か少し小さな容量を持つ素子を接続したものである。 - 特許庁

A reverse bias characteristic of a p-n junction is invalidated, so that a positive potential of the power source 6 is transmitted to a p-type impurity inlet region 4a having a defect 5 therein causing a junction failure such those, ending up in conduction of both.例文帳に追加

ｐｎ接合の逆バイアス特性を無効化し、両者を導通させてしまうような接合不良を引き起こす欠陥５が存在する個所のｐ型不純物導入領域４ａには電源６の正電位が伝わる。 - 特許庁

To stably maintain operating threshold, secure a large junction breakdown voltage, restrict a junction capacity, and restrict hot carriers in a semiconductor having a suitable structure in making fine a MIS type transistor.例文帳に追加

本発明はＭＩＳ型トランジスタの微細化に好適な構造を有する半導体装置に関し、動作しきい値を安定に維持し、大きな接合耐圧を確保し、接合容量を抑制し、かつ、ホットキャリアを抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a junction-type optical element which has light resistance without problems in practical terms to a purple-blue laser beam and can easily be manufactured at low cost, a junction prism for an optical pickup, and an optical pickup device mounted with the same.例文帳に追加

青紫色レーザビームに対して実用上問題のない耐光性を有する、低コストで製造容易な接合型光学素子、光ピックアップ用接合プリズム、それを搭載した光ピックアップ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vertically attached type electrical junction box having a new structure capable of efficiently preventing an electrical junction box body from being wet with water coming from a vehicle panel.例文帳に追加

車両パネルを伝ってくる水による電気接続箱本体の被水が効果的に防止され得る、新規な構造の縦装着タイプの電気接続箱を提供することを、目的とする。 - 特許庁

A separate implantation step is done in a zone surrounding the high voltage p++/n- well junction, in order to acquire a p- type implant region adjacent to the junction.例文帳に追加

接合部周辺のｐ^−タイプのインプラント領域を得るために、別の注入ステップが、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を取り囲んでいるゾーンにおいて行われることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a superconducting junction line which damps oscillations after passing over flux quantum pulses, even using an oxide type junction, etc., for generating abrupt flux quantum pulses, and allows a desired delay time to be set up, thus providing characteristics for a delay line.例文帳に追加

急峻な磁束量子パルスを発生する酸化物系接合等でも、磁束量子パルスが通り過ぎた後の振動が納まり、かつ遅延時間を任意に設定できる、遅延線としての特性を有する超電導接合線路を得ること。 - 特許庁

In a transistor part 10a, a junction capacity of a p-n junction between a p-type base layer 4 and the emitter layer 51 is limited to a low level, to prevent a decrease in high-frequency characteristics.例文帳に追加

トランジスタ部１０ａでは、ｐ型ベース層４とエミッタ層５１との間に形成されるｐｎ接合の接合容量は低く抑られ、高周波特性の劣化が防止される。 - 特許庁

A P-N junction, between a deep N well 114 and a P type silicon substrate 126, is responsive to red light and the P-N junction between the deep N well and a P well 116 is responsive to the red light.例文帳に追加

深いＮウェル１１４とＰ型シリコン基板１２６の間のＰＮ接合が赤色光に反応し、深いＮウェルとＰウェル１１６の間のＰＮ接合が赤色光に反応する。 - 特許庁

To provide an inexpensive reference junction compensator for a thermocouple, allowing precise measurements based on an accurate temperature of a reference junction, applicable for a thermos bottle used in a general ice-point type reference junction compensator, and capable of making the temperature of the reference junction in the thermocouple set to the temperature of a constant-temperature medium, such as ice water, or into a measuring value.例文帳に追加

基準接点の正確な温度に基づいて高精度な測定をすることができ、しかも安価で、かつ一般的な氷点式の基準接点補償器に用いられる魔法瓶に適用可能で、熱電対の基準接点の温度を氷水などの恒温媒体の温度とすることも、あるいは測定値とすることもできる熱電対の基準接点補償器を提供する。 - 特許庁

With the super-junction formed over the entire surface of the main surface 1a of the n+ type substrate 1, the super-junction is formed surely under a p-type base region 5 and n-type source region 6, even if the super-junction formation position deviates due to dislocation of a mask, etc., providing surely an MOSFET with withstand voltage.例文帳に追加

このように、スーパージャンクションがｎ^+型基板１の主表面１ａ全面に形成されるようにすれば、マスクずれ等によってスーパージャンクションの形成位置がずれても、必ずｐ型ベース領域５やｎ型ソース領域６の下にスーパージャンクションが形成されるため、確実にＭＯＳＦＥＴの耐圧を得ることができる。 - 特許庁

The protection diode includes: a p-type semiconductor region; an n-type semiconductor region; and the pn-junction interface on which the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region abut each other, wherein recesses and protrusions of the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region are alternatively arranged along the extending direction of the pn-junction interface.例文帳に追加

保護ダイオードは、ｐ型半導体領域と、ｎ型半導体領域と、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域が当接するｐｎ接合面とを有し、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域はそれぞれ、ｐｎ接合面の延在方向に沿って凹部と凸部が交互に配置される。 - 特許庁

ELECTROLYTE MEMBRANE FOR ALCOHOL TYPE FUEL CELL, MEMBRANE ELECTRODE JUNCTION FOR ALCOHOL TYPE FUEL CELL, ALCOHOL TYPE FUEL CELL, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTROLYTE MEMBRANE FOR ALCOHOL TYPE FUEL CELL例文帳に追加

アルコール型燃料電池用電解質膜、アルコール型燃料電池用膜電極接合体、アルコール型燃料電池及びアルコール型燃料電池用電解質膜の製造方法 - 特許庁

The embedding layer 20 includes a low carrier concentration p type InP layer 26 (p type semiconductor layer) and an n type InP layer 24 (n type semiconductor layer) constituting pn junction 30.例文帳に追加

埋込層２０は、ｐｎ接合３０を構成する低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６（ｐ型半導体層）とｎ型ＩｎＰ層２４（ｎ型半導体層）を有する。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。 - 特許庁

Since a gate electrode is composed of a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer, a depletion layer 13 occurs at the junction surface between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極はＰ型半導体層及びＮ型半導体層からなるので、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合面に、空乏層１３が生じる。 - 特許庁

A p^+-type semiconductor region 7 is provided in the n^--type semiconductor region 3, and a pn junction is formed between the n^--type semiconductor region 3 and p^+-type semiconductor region 7.例文帳に追加

ｎ^−型半導体領域３には、ｐ^＋型半導体領域７が設けられており、ｎ^−型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７との間にはｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

The tunnel junction includes the second layer of the first conductivity type and the second layer of the second conductivity type, and separates the first layer of the first conductivity type from the third layer of the first conductivity type.例文帳に追加

トンネル接合は、第１伝導型の第２層と、第２伝導型の第２層を含んでおり、第１伝導型の第１層を第１伝導型の第３層から分離している。 - 特許庁

The junction of the P-type drain 7a to the adjacent N-type source 5b thereto is kept reverse biased at all times, to separate the P-type drain 7a and the N-type source 5b from each other.例文帳に追加

隣り合うＰ型ドレイン７ａ及びＮ型ソース５ｂの接合を常に逆バイアスを保つことにより、Ｐ型ドレイン７ａ及びＮ型ソース５ｂを分離する。 - 特許庁