「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

ELECTROCHROMIC ELEMENT HAVING IMPROVED ION CONDUCTOR LAYER例文帳に追加

改善されたイオン伝導体層を有するエレクトロクロミック素子 - 特許庁

ELECTROLUMINESCENT ELEMENT HAVING ORGANIC THIN FILM LAYER CONTAINING POLYIMIDE例文帳に追加

ポリイミドを含む有機薄膜層を有する電気発光素子 - 特許庁

An element-forming layer 50 is formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上に素子形成層５０を設ける。 - 特許庁

A semiconductor element 2 is mounted on a first wiring layer 7.例文帳に追加

第一配線層７に半導体素子２が実装される。 - 特許庁

The piezoelectric element preferably comprises a stacked piezoelectric element formed by stacking a piezoelectric ceramic layer and an inner electrode layer alternately.例文帳に追加

圧電素子は、圧電セラミック層と内部電極層とを交互に積層してなる積層型圧電素子よりなることが好ましい。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT HAVING FLAT INTER-LEVEL DIELECTRIC LAYER例文帳に追加

平坦なレベル間誘電体層を有する集積回路素子 - 特許庁

MEMORY ELEMENT, METHOD OF RECORDING TO RECORDING LAYER, AND RECORDING DEVICE例文帳に追加

メモリ素子、記録層に対する記録方法、及び記録装置 - 特許庁

The light emitting element 12 is embedded in the phosphor layer 13A.例文帳に追加

蛍光体層１３Ａで発光素子１２を埋設する。 - 特許庁

RESISTANCE-LAYER LAMINATED BOARD AND CIRCUIT BOARD WITH BUILT-IN RESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

抵抗層積層基板及び抵抗素子内蔵回路基板 - 特許庁

This head is provided with a thin film magnetic head element, a lead conductor layer including a Cu layer connected electrically to the thin film magnetic head element, a connection pad layer including a Cu layer connected electrically to the lead conductor layer, and a resist material layer formed being adjacent to the Cu layer of the connection pad layer and the Cu layer of the lead conductor layer.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッド素子と、薄膜磁気ヘッド素子に電気的に接続されたＣｕ層を含むリード導体層と、リード導体層に電気的に接続されたＣｕ層を含む接続パッド層と、接続パッド層のＣｕ層及びリード導体層のＣｕ層に隣接して形成されたレジスト材料層とを備えている。 - 特許庁

A layer 2 contains a BOX layer and a silicon layer of the SOI substrate, a semiconductor element which is selectively formed on the silicon layer, and an interlayer insulating film which is formed on the semiconductor element and the silicon layer.例文帳に追加

層２は、ＳＯＩ基板のＢＯＸ層及びシリコン層と、シリコン層上に選択的に形成された半導体素子と、半導体素子及びシリコン層上に形成された層間絶縁膜とを含む。 - 特許庁

The content of the element P in the main layer 2a is more than that of the element P in the surface layer 2b, the main surface 2a is an amorphous layer and the surface layer 2b is a crystal layer.例文帳に追加

前記主層２ａに含まれる元素Ｐの含有量は、前記表面層２ｂに含まれる元素Ｐの含有量に比べて多く、主層２ａはアモルファス層であり、表面層２ｂは結晶層である。 - 特許庁

The protective layer 5 comprises an inner protective layer 9 having a first layer 6 containing a rear earth element and covering the magnet element 3 and a second layer 7 having content of rear earth element lower than that of the first layer and covering the first layer, and a resin layer 8 containing resin and additive and covering the second layer 7.例文帳に追加

保護層５は、磁石素体３を覆い希土類元素を含有する第１の層６、及び、第１の層を覆い第１の層よりも希土類元素の含有量が少ない第２の層７を有する内部保護層９と、第２の層７を覆い樹脂及び添加剤を含有する樹脂層８とを備えている。 - 特許庁

This organic electroluminescent element 1 comprises an anode 6, a positive hole transport layer 5, a luminescent layer 4, an electron transport layer 3 and a cathode 2.例文帳に追加

陽極６、正孔輸送層５、発光層４、電子輸送層３、及び陰極２から構成される。 - 特許庁

(3) A quantum bit energy generating device is, described by (2), provided with an intermediate layer between the laminated element layer and color material layer.例文帳に追加

（３）積層元素層と色料層との間に中間層を設けた（２）記載のカンタムビットエネルギー発生装置。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a light-transmitting layer, and a semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、発光層と、透光層と、半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

On the n-type semiconductor layer 12 for the protection element, an active layer and a p-type semiconductor layer 13 are layered.例文帳に追加

保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層及びｐ型半導体層１３を積層してある。 - 特許庁

A common wiring layer 32 is layered over both the magnetoelectric conversion layer 33 and the semiconductor element layer 41.例文帳に追加

磁電変換層３３と半導体素子層４１の双方にわたって共通配線層３２が積層されている。 - 特許庁

This photoelectric conversion element is equipped with a transparent substrate 2, a transparent electrode layer 3, a photoelectric conversion layer 4, and a metal electrode layer 5.例文帳に追加

透明基板２と、透明電極層３と、光電変換層４と、金属電極層５とを備える。 - 特許庁

This semiconductor layer is formed of a silicon active layer and an element isolating region for defining silicon active layer.例文帳に追加

この半導体層は、シリコン活性層とこのシリコン活性層を区画する素子分離領域から構成されている。 - 特許庁

COMPOSITION FOR ELECTRON-TRANSPORTING LAYER, ELECTRON-TRANSPORTING LAYER USING SAME, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT HAVING THE ELECTRON-TRANSPORTING LAYER例文帳に追加

電子輸送層用組成物、これを用いた電子輸送層、および電子輸送層を備える有機電界発光素子 - 特許庁

A dye sensitized photoelectric conversion element includes a conductive layer, a porous semiconductor layer, an electrolyte layer and a counter electrode.例文帳に追加

色素増感型光電変換素子は、導電層、多孔質半導体層、電解質層、および対極を備える。 - 特許庁

An etching stopper layer 20A is formed on the upper layer of a heat generating element (20) and then a protective layer is formed and patterned.例文帳に追加

発熱素子（２０）の上層にエッチングストッパー層２０Ａを形成し、その後、保護層を形成してパターンニングする。 - 特許庁

This waveguide element includes a first clad layer 30, a waveguide layer 40, and a second clad layer 50 in order on a substrate 20.例文帳に追加

基板２０上に、第１クラッド層３０、導波路層４０及び第２クラッド層５０を順に備えている。 - 特許庁

A supply layer 34 is formed between the circuit layer 20 and the photoelectric conversion layer 43 and contains a group Ia element.例文帳に追加

供給層３４は、回路層２０と光電変換層４３との間に形成されてＩａ族元素を含む。 - 特許庁

The magnetic field detecting element has a lower layer 7, a non-magnetic/non-conductive tunnel barrier layer 8, and an upper layer 9.例文帳に追加

磁界検出素子は、下部層７と、非磁性・非導電性のトンネルバリア層８と、上部層９とを有している。 - 特許庁

In the photovoltaic element 1, an intermediate p layer 45 is provided between a p layer 44 and an i layer 46.例文帳に追加

光起電力素子１では、ｐ層４４とｉ層４６との間に中間ｐ層４５が設けられている。 - 特許庁

The element isolation region 50 penetrates the silicon layer 30 and reaches the strain imparting layer 20.例文帳に追加

素子分離領域５０は、シリコン層３０を貫通して歪み付与層２０まで達している。 - 特許庁

The light-emitting element includes a substrate, a semiconductor layer and a light-emitting layer.例文帳に追加

基板、半導体層、発光層を有する発光素子であって、以下の構成からなる。 - 特許庁

The magnetic anisotropy of the magnetic layer can be increased by adding the rare earth element to the magnetic layer.例文帳に追加

希土類元素を添加すると、磁性層の磁気異方性を増大させることができる。 - 特許庁

A heat transfer layer 6 is provided between the heat exchange element 3 and the resin layer 4.例文帳に追加

熱交換体３と樹脂層４の間に伝熱層６が設けられている熱交換器。 - 特許庁

A reflection layer is formed on the resin scattering layer of a reflective display region on the element substrate.例文帳に追加

素子基板の、反射表示領域の樹脂散乱層上には、反射層を形成する。 - 特許庁

A lower part shield layer 54 and an upper part shield layer 53 are electrically connected to a read element 52.例文帳に追加

下部シールド層５４や上部シールド層５３は読み出し素子５２に電気接続される。 - 特許庁

INORGANIC ALIGNMENT LAYER, METHOD OF FORMING INORGANIC ALIGNMENT LAYER, OPTICAL DEFLECTING ELEMENT, AND LIQUID CRYSTAL DEVICE例文帳に追加

無機配向膜と無機配向膜の形成方法と光偏向素子及び液晶装置 - 特許庁

In accordance with various embodiments, a programmable memory element has a reference layer and a storage layer.例文帳に追加

さまざまな実施例によれば、プログラム可能メモリ素子は、基準層と記憶層とを有する。 - 特許庁

The constituent element layer 6 includes an InGaAs layer 61A and a DBR film 62A.例文帳に追加

構成要素層６はＩｎＧａＡｓ層６１ＡおよびＤＢＲ膜６２Ａを含む。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE ELEMENT HAVING FREE LAYER INCLUDING MAGNETOSTRICTION REDUCTION LAYER, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁歪低減層を含むフリー層を有する磁気抵抗効果素子および薄膜磁気ヘッド - 特許庁

The MR element 5 does not include the layer for fixing the magnetization direction of the fixed layer 51.例文帳に追加

ＭＲ素子５は、固定層５１の磁化の方向を固定するための層を含んでいない。 - 特許庁

The mark part insulator layer includes the same material as the material used for the element isolation insulator layer.例文帳に追加

マーク部絶縁層は、素子分離絶縁層に用いられる材料と同じ材料を含む。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING METALLIC WIRING LAYER FORMED BY UTILIZING INTERFACE ADJUSTMENT LAYER例文帳に追加

界面調節層を利用して金属配線層を形成する半導体素子の製造方法 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 74 is formed on the layer 72 to manufacture a semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

その上にＮ型半導体層７４を形成して半導体発光素子を製造する。 - 特許庁

An insulating resin layer 40 is provided between a semiconductor element 20 and a wiring layer 50.例文帳に追加

半導体素子２０と配線層５０との間に絶縁樹脂層４０が設けられている。 - 特許庁

The magnetoresistive element (10) contains a data layer (12) and a reference layer (14) having different coercive force from each other.例文帳に追加

磁気抵抗素子(10)は、異なる保磁力を有するデータ層(12)と基準層(14)とを含む。 - 特許庁

A temperature detecting element 22 detects the temperature change of the liquid crystal layer or in the vicinity of the layer.例文帳に追加

温度検出素子２２は、液晶層又はその近傍の温度変化を検出する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER FORMATION METHOD例文帳に追加

半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法 - 特許庁