「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Because a layer thickness in each layer of the element 3 can be made uniform, the element deterioration caused by the unevenness does not occur, and the life of the element 3 can be extended.例文帳に追加

素子部３の各層における層厚を均一にできるので、不均一による素子劣化を生じさせず、素子部３の寿命を延長することができる。 - 特許庁

This photoreceptor element has a corrosion-resistant conductive layer (TiW layer 3) which is composed of a corrosion-resistant material and formed in such a way that the layer 3 is extended from the bonding pad section 20 of the element to the wiring section 23 of the element.例文帳に追加

受光素子のボンディングパッド部２０から配線部２３に延在するように耐腐食性の材質よりなる耐腐食性導電層（ＴｉＷ層３）を形成する。 - 特許庁

The photosensitive element 11 is provided with a first InP layer 13, a second InP layer 15, a third InP layer 17, and a photosensitive layer 19.例文帳に追加

受光素子１１は、第１のＩｎＰ層１３と、第２のＩｎＰ層１５と、第３のＩｎＰ層１７と、受光層１９とを備える。 - 特許庁

A storage element including at least a magnetization recording layer, a non-magnetic layer, and a magnetization reference layer is provided on the second diffusion layer.例文帳に追加

前記第２の拡散層上には、少なくとも磁化記憶層、非磁性層、および磁化参照層を有する記憶素子が設けられる。 - 特許庁

A light emitting element 100 is constituted by bonding the support substrate 16 to a semiconductor layer composed of an (n) layer, an MQW layer and a (p) layer.例文帳に追加

発光素子１００は、ｎ層、ＭＱＷ層、ｐ層からなる半導体層１１に、支持基板１６が接合された構成である。 - 特許庁

The element comprises the electron transport layer including the fullerene and a second conductive layer zoning a negative electrode layer on the electron transport layer.例文帳に追加

この素子には、フラーレンを含む電子輸送層と、電子輸送層上の陰極電極層を画定する第２の導電性層がある。 - 特許庁

This electroluminescent element comprises a light emitting layer 5 and a hole carrier layer 3 between an anode layer 2 and a cathode layer 7.例文帳に追加

本発明にかかるエレクトロルミネッセンス素子は、陽極層２と陰極層７の間に発光層５と正孔輸送層３を備えている。 - 特許庁

In the laminated piezoelectric element 10, a surface electrode layer 11 is located to a first layer, and a piezoelectric layer 12 is arranged to a second layer.例文帳に追加

積層圧電素子１０においては、第１層に表面電極層１１が配置され、第２層に圧電層１２が配置されている。 - 特許庁

The magneto-resistance effect element (1) includes the fixing layer (9), the tunnel insulating layer (10), and a free layer (11) formed on the tunnel insulating layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子（１）は、固着層（９）と、トンネル絶縁層（１０）と、トンネル絶縁層上に形成される自由層（１１）を含む。 - 特許庁

An element operation layer composed of a GaN electron transit layer 45 and an AlGaN electron supply layer 46 is formed on the buffer layer 44.例文帳に追加

バッファ層４４上には、ＧａＮ電子走行層４５およびＡｌＧａＮ電子供給層４６からなる素子動作層を形成する。 - 特許庁

The second ferromagnetic layer of the TMR element is composed of the second ferromagnetic layer (free layer) and the flux guide layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の第２強磁性層は、上記第２強磁性層（自由層）４４と上記フラックスガイド層６とで構成されている。 - 特許庁

An MR element 5 has a first ferromagnetic layer (a free layer 55), a second ferromagnetic layer (a fixed layer 53), and a spacer layer 54 arranged between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer.例文帳に追加

ＭＲ素子５は、第１の強磁性層（自由層５５）と、第２の強磁性層（固定層５３）と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に配置されたスペーサ層５４とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor element layer 3 is installed on the porous structure layer and it is intermittently heated only from the side of the semiconductor element layer by light or electron beams.例文帳に追加

この多孔質構造体層上に半導体素子層３を設け、この半導体素子層側からのみ間欠的に光または電子線により加熱する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with an element on which a silicide layer is formed and an element on which no silicide layer is formed on an identical semiconductor layer.例文帳に追加

シリサイド層が形成される素子と、シリサイド層が形成されない素子とを同一の半導体層に形成する半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

A low resistance fuse includes a fuse element layer, a first and a second intermediate insulation layer extending on opposite sides of the fuse element layer and coupled thereto.例文帳に追加

低抵抗ヒューズは、ヒューズ要素層、ならびにヒューズ要素層に対向する面に伸びて、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層を含む。 - 特許庁

For the thermal transfer element containing a substrate comprised by sticking (a) a light-heat conversion layer, (b) an intermediate layer and (c) a thermal transfer layer in this order, the transfer layer contains a luminous element in the thermal transfer element.例文帳に追加

（ａ）光−熱変換層、 （ｂ）中間層、および （ｃ）熱転写層、がこれらの順序で付着されてなる基材を含んでなる熱転写要素であって、 前記転写層は発光体を含む、熱転写要素。 - 特許庁

To provide a semiconductor element such that when the semiconductor element having a semiconductor layer containing a donor element is formed, diffusion of the donor element into an upper layer is suppressed.例文帳に追加

ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a spiral membrane element capable of reducing an increase in the dimension in its length direction by forming a fiber-reinforced resin layer having a reinforcing fiber layer and a strengthening fiber layer, and a manufacturing method of the spiral membrane element having the process for forming the fiber-reinforced resin layer having the reinforcing fiber layer and the strengthening fiber layer.例文帳に追加

補強繊維層と強化繊維層とを有する繊維補強樹脂層を形成することで、長さ方向の寸法増加を低減させることができるスパイラル型膜エレメントを提供することにある。 - 特許庁

The organic light-emitting element is obtained by successively laminating a transparent anode layer 2, a hole transport layer 3, a luminescent layer 4, a hole block layer 5, an electron transport layer 6 and a cathode layer 7 to a glass substrate 1 by vapor deposition.例文帳に追加

ガラス基板１上に、透明陽極層２、正孔輸送層３、発光層４、正孔ブロック層５、電子輸送層６および陰極層７を蒸着により、順次積層してなる。 - 特許庁

The protective layer 10 comprises an organic material layer 11 formed on the components of the element, an inorganic material layer 12 formed on the organic material layer 11, and a coating layer 13 formed on the inorganic material layer 12.例文帳に追加

保護層10は、素子の構成要素上部に形成された有機物層11、有機物層上に形成された非有機物層12、及び非有機物層上に形成されたコーティング層13からなる。 - 特許庁

A lower electrode 39a and a wire 39b of the capacitance element 44 are formed in a wiring layer (a third wiring layer) 39 which is located one layer lower than a wiring layer (a fourth wiring layer) 43 as the outermost layer.例文帳に追加

最上層の配線層（第４配線層）４３よりも一つ下の配線層（第３配線層）３９に容量素子４４の下部電極３９ａと配線３９ｂを形成する。 - 特許庁

The optical writing display element has on a support a barrier layer, an organic layer and a layer containing a photochromic dye, wherein the barrier layer and the organic layer are alternately stacked by at least one layer each.例文帳に追加

支持体上に、バリア層と、有機層と、フォトクロミック色素を含む層と、を有し、前記バリア層と前記有機層とが、少なくとも１層ずつ交互に積層してなる光書込み表示素子。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加

Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁

This dielectric element, which is provided with a lower electrode, a dielectric layer and an upper electrode on a substrate, is formed into a dielectric element of a structure, where the electrode of at least either of the lower and upper electrodes of the element is formed as a Pt layer and at the same time, an Ru layer is used as the base layer of the Pt layer.例文帳に追加

基板上に下部電極、誘電体層、上部電極を備える誘電体素子において、少なくとも一方の電極をＰｔ層とするとともに、その下地層としてＲｕ層を用いて誘電体素子とする。 - 特許庁

A semiconductor element mounting substrate or a heat sink has at least a thin film layer 2 consisting of an active metal layer, a thin film layer 3 consisting of an Ni3Mo layer, a thin film layer 4 consisting of a Cu layer, a thin film layer 5 consisting of an Ni layer and an Au thin film layer 6 on an AlN substrate 1.例文帳に追加

ＡｌＮ基板１に活性金属からなる薄膜層２と、Ｎｉ_3 Ｍｏからなる薄膜層３と、Ｃｕからなる薄膜層４と、Ｎｉからなる薄膜層５と、Ａｕ薄膜層６とを少なくとも有することを特徴としている。 - 特許庁

MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, FILM, LUMINESCENT LAYER, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

有機電界発光素子用材料、膜、発光層、有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法 - 特許庁

The light absorbing layer 14 is composed of a compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加

光吸収層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体からなる。 - 特許庁

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, FILM, LUMINESCENT LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

有機電界発光素子、有機電界発光素子用材料、膜、発光層、及び有機電界発光素子の作製方法 - 特許庁

MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, FILM, LUMINESCENT LAYER, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

有機電界発光素子用材料、膜、発光層、有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の作製方法 - 特許庁

To allow boundary surfaces produced between a hole transport layer and a light emitting layer and between the light emitting layer and an electronic transport layer to deteriorate an organic EL element when the organic EL element is formed.例文帳に追加

有機ＥＬ素子を形成する際に、ホール輸送層と発光層の間、および発光層と電子輸送層との間に生じた界面が有機ＥＬ素子の劣化を促す。 - 特許庁

In a solid-state image pickup element, an overflow barrier layer 20 is formed on an n-type silicon substrate 10, which serves as the lower- layer substrate of the element and a high-resistance epitaxially grown layer 30, is formed on the barrier layer 20.例文帳に追加

下層基板となるｎ型シリコン基板１０の上に、オーバーフローバリア層２０が形成されており、その上層に高抵抗エピタキシャル成長層３０が形成されている。 - 特許庁

In that case, a grain element layer is provided on the back surface of the skin layer 13, and the deformation degree of grain elements structuring the grain element layer is changed to adjust the permeability of the skin layer 13.例文帳に追加

この場合、表皮層１３の裏面に粒体層を設け、その粒体層を構成する粒体の変形度合いを変化させることにより、表皮層１３の通気度を調整する。 - 特許庁

A semiconductor device includes an electrical fuse and other element, wherein the electrical fuse and the other element each have an upper layer interconnection, a lower layer interconnection, and an interconnection via for connecting the upper layer interconnection and the lower layer interconnection.例文帳に追加

電気ヒューズと他の素子を持つ半導体装置において、電気ヒューズと他の素子は、それぞれ、上層配線と下層配線と、それらを層間配線で接続するビアを有する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element is composed by utilizing the ferromagnetic tunnel effect, in which the magnetoresistance effect element comprising an antiferromagnetic layer, the magnetic layer, an intermediate layer, and the magnetic layer is formed between electrode layers.例文帳に追加

反強磁性層／磁性層／中間層／磁性層からなる磁気抵抗効果素子を電極層間に形成した強磁性トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子とする。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

液晶配向膜および液晶表示素子とその製造法 - 特許庁

VARNISH COMPOSITION FOR LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

液晶配向膜用ワニス組成物および液晶表示素子 - 特許庁

CONDUCTIVE PATH FORMATION LAYER, OPTICAL RESPONSE ELEMENT, AND OPTICAL RESPONSE DEVICE例文帳に追加

導電路形成層、光応答素子、および光応答装置 - 特許庁

The grounding layer 311 is a signal transmission path of the electronic element.例文帳に追加

前記接地層３１１は電子素子の信号伝送路である。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING TUNNEL BARRIER LAYER例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子及びトンネルバリア層の製造方法 - 特許庁

(2) The thickness of the barrier layer containing the element α is adjusted to 1-20 μm.例文帳に追加

（２）元素αを含むバリア層厚を１〜２０μｍとする。 - 特許庁

On the MTJ element MTJ, the cap layer 16 is arranged.例文帳に追加

ＭＴＪ素子ＭＴＪ上には、キャップ層１６が配置される。 - 特許庁

An element structure is formed on the surface layer of an SOI substrate 22.例文帳に追加

ＳＯＩ基板２２の表面層に素子構造を形成する。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 - 特許庁

PHOSPHORESCENT SUBSTANCE, LUMINESCENT LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT例文帳に追加

りん光発光性物質、発光層、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - 特許庁

VARNISH FOR FORMING LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

液晶配向膜形成用ワニスおよび液晶表示素子 - 特許庁