「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The initial layer 2 is formed as a layer composed of a group III element of the group III-V compound semiconductor contained in the core layer 3.例文帳に追加

初期層３として、コア層３に含まれるIII-V族化合物半導体のIII族原子の層が形成されている。 - 特許庁

The constituent element layer 6, the strain layer 5 and the release layer 2 are removed nearly in a U-shaped form, so that a slot 11 is formed.例文帳に追加

構成要素層６、歪層５および解放層２が略Ｕ字状に除去され、溝１１が形成される。 - 特許庁

In the semiconductor luminescent element, a ZnO layer 6 for Schottky is laminated on a ZnO layer 7, and a ZnO layer 5 for contact is formed on the ZnO layer 6 for Schottky while leaving a portion of the ZnO layer 6 as it is.例文帳に追加

ＺｎＯ層７上に、ショットキー用ＺｎＯ層６が積層され、ショットキー用ＺｎＯ層６の一部を残して、コンタクト用ＺｎＯ層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a charge transport layer superior in smoothness and application thickness stability in a photoconductive switching element having layer composition of charge generation layer/charge transport layer/charge generation layer.例文帳に追加

電荷発生層／電荷輸送層／電荷発生層の層構成を有する光導電スイッチング素子において、平滑性、塗膜厚安定性に優れた電荷輸送層を実現する。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１半導体層と、第２半導体層と、それらの間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

An n type ZnO layer (low resistance layer) 140- a ZnO layer (piezoelectric conductive film) 150- an n type ZnO layer (low resistance layer) 160 is formed as a piezoelectric element (c, d).例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ層（低抵抗層）１４０−ＺｎＯ層（圧電導膜）１５０−ｎ型ＺｎＯ層（低抵抗層）１６０を圧電素子として形成する（ｃ，ｄ）。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 includes a first semiconductor layer 3, an active layer 5, a second semiconductor layer 7, a third semiconductor layer 9, and a current blocking semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、第１の半導体層３と、活性層５と、第２の半導体層７、第３の半導体層９と、電流ブロック半導体層１１とを備える。 - 特許庁

The device area of this semiconductor element is composed of a semiconductor substrate and an epitaxial layer covering the whole surface of the substrate and confined by an element isolating structure.例文帳に追加

本発明によるこの素子は、半導体基板の全面にエピタキシャル層が覆われる。 - 特許庁

The Blaze type or the transmission type diffraction optical element can be applied for an adhesion double layer type phase Fresnel diffraction optical element.例文帳に追加

本発明は、例えば、密着複層型位相フレネル回折光学素子に適用できる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM ELEMENT HAVING NARROW LOWER LAYER, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED WITH ELEMENT例文帳に追加

狭幅の下部層を有する薄膜素子の製造方法及び該素子を備えた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

The stator 2 is provided with a second piezoelectric element 10, laminated on the layer of a first piezoelectric element 3.例文帳に追加

ステータ２は、第１の圧電素子３に積層配設された第２の圧電素子１０を備える。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF INSULATING LAYER FOR FIELD EMISSION ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THE FIELD EMISSION ELEMENT SUBSTRATE例文帳に追加

電界放出素子用絶縁層の製造方法および電界放出素子基板の製造方法 - 特許庁

The capacitor element 20 of a chip capacitor has a cathode layer 22 around the element 20 and has a flat lower surface 20b.例文帳に追加

コンデンサ素子20がその周囲に陰極層22を有し、その下面20b が平面とされている。 - 特許庁

METHOD FOR DOPING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT AND THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体層のドーピング方法、薄膜半導体素子の製造方法、及び薄膜半導体素子 - 特許庁

COATING METHOD, MICROSTRUCTURE ELEMENT, MULTI LAYER MICROSTRUCTURE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

コーティング方法および微細構造素子および複数層微細構造素子およびその製造方法 - 特許庁

On the semiconductor element 10 a second semiconductor element 106 equipped with a bonding layer is disposed.例文帳に追加

半導体素子１０の上には第二の接着層付き半導体素子１０６が配置されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT INTEGRATED MULTI-LAYER WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR ELEMENT INTEGRATED DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体素子内蔵多層配線基板と半導体素子内蔵装置、およびそれらの製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING PROCESS OF ORGANIC FUNCTION LAYER AND ORGANIC FUNCTIONALITY ELEMENT AND ORGANIC FUNCTIONALITY ELEMENT MANUFACTURING EQUIPMENT例文帳に追加

有機機能層及び有機機能性素子の製造方法並びに有機機能性素子製造装置 - 特許庁

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE INCLUDING ELECTRODE, OPTICAL ELEMENT, ELECTRODE LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

電極を含む光導波路デバイス、光学素子、電極膜、および、光学素子の製造方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, NITRIDE LIGHT-EMITTING ELEMENT AND FORMATION OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物系半導体素子、窒化物系発光素子及び窒化物系半導体層の形成方法 - 特許庁

INTERMEDIATE LAYER FORMATION SUBSTANCE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING SAME例文帳に追加

有機電界発光素子用の中間層形成物質及びそれを用いた有機電界発光素子 - 特許庁

In a semiconductor device having the resistance element group and/or a signal wiring layer on a semiconductor substrate, a shield layer is disposed in the resistance element group and/or the upper layer and/or the lower layer of the signal wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に抵抗素子群および／または信号配線層を有する半導体装置において、前記抵抗素子群および／または信号配線層の上層および／または下層にシールド層を設ける。 - 特許庁

An organic EL light emitting layer OLE of the organic EL element is formed by laminating a Hall transport layer HTL, a light emitting element layer LUM, an electron transport layer ETL, and an electron injection layer EIL in this order.例文帳に追加

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機ＥＬ発光層ＯＬＥは、一方の電極ＡＤ上にホール輸送層ＨＴＬ、発光層ＬＵＭ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬをこの順で積層する。 - 特許庁

An organic EL element 1 includes an element body 90 formed by laminating a wiring side substrate 2, an negative electrode layer 3, a light-emitting layer 7, a positive hole injection layer 6, a light-emitting side substrate 4, a positive electrode layer 5 and a sealing layer 8, in the order.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、配線側基板２、陰極層３、発光層７、正孔注入層６、発光側基板４、陽極層５、封止層８が順に積層された素子本体９０を有する。 - 特許庁

An MTJ element 2 has an antiferromagnetic layer 16, an SyAP pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18 and a cap layer 19 in this sequence on the top of a seed layer 14 arranged on a lower shield layer 10.例文帳に追加

ＭＴＪ素子２は、下部シールド層１０に設けられたシード層１４の上に、反強磁性層１５と、ＳｙＡＰピンド層１６と、トンネルバリア層１７と、フリー層１８とキャップ層１９とを順に備える。 - 特許庁

A photoelectric element 10 comprises a light absorbing layer 16 being a p-type semiconductor layer, a buffer layer 18, and a window layer 20, and the light absorbing layer 16, the buffer layer 18, and the window layer 20 are provided in this order.例文帳に追加

ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備え、光吸収層１６、バッファ層１８及び窓層２０がこの順に設けられている光電素子１０。 - 特許庁

To obtain a light emission element which can control degradation of an organic thin film layer as a light emission layer.例文帳に追加

発光層としての有機薄膜層の劣化を抑制できる発光素子を提供する。 - 特許庁

SUBSTRATE WITH LEAD OXIDE LAYER, FORMATION OF LEAD OXIDE LAYER, PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加

酸化亜鉛層付基板、酸化亜鉛層の形成方法、光起電力素子及びその製造方法 - 特許庁

To prevent a short circuit from occurring between a lower electrode layer and an upper electrode layer in the manufacturing process of a magnetoresistive effect element.例文帳に追加

製造時に下電極層および上電極層間の短絡が生じないようにする。 - 特許庁

The MTJ element 16 is provided on the lower shield layer 2 through the composite seed layer 15.例文帳に追加

ＭＴＪ素子１６は、下部シールド層２の上に複合シード層１５を介して設けられている。 - 特許庁

The radiating element is embedded within the first dielectric layer adjacent to the second dielectric layer.例文帳に追加

ビームステアリング要素は、第２誘電層に埋め込まれ、放射要素に電磁的に結合されている。 - 特許庁

The MEMS element has a basic structure consisting of a support substrate 11, an insulating layer 12, and an upper layer 13.例文帳に追加

支持基板１１と絶縁層１２、上部層１３の基本構造のＭＥＭＳ素子とする。 - 特許庁

An organic EL device 11 has a glass substrate, a circuit-device layer, a light-emitting element layer, and a negative electrode.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１１は、ガラス基板と、回路素子層と、発光素子層と、陰極とを有する。 - 特許庁

The element isolation regions 50 penetrate through the silicon layer 30 and reach the strain applying layer 20.例文帳に追加

素子分離領域５０は、シリコン層３０を貫通して歪み付与層２０まで達している。 - 特許庁

PATTERNING METHOD FOR INSULATING LAYER, INSULATING LAYER MANUFACTURED BY THE SAME METHOD AND DISPLAY ELEMENT COMPRISING IT例文帳に追加

絶縁層のパターニング方法、該方法によって製造された絶縁層及びそれを含む表示素子 - 特許庁

In a phase difference element 30, a phase difference layer 32 is formed on a surface of an alignment layer 31.例文帳に追加

位相差素子３０は、配向膜３１の表面に位相差層３２が形成されたものである。 - 特許庁

A magnetoresistive element 32 includes a fixed layer 35, a tunnel insulating film 38, and a free layer 37.例文帳に追加

磁気抵抗素子３２は、固定層３５と、トンネル絶縁膜３８と、自由層３７とを含む。 - 特許庁

A glass coating layer 81 is formed on the whole surface of an element body 71 of a lamination layer chip varistor.例文帳に追加

積層チップバリスタの素体７１の表面全体にガラスの被覆層８１を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises: a first layer; and a functional layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING METAL LAYER UTILIZING ATOMIC LAYER VAPOR DEPOSITION, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

原子層蒸着法を利用した金属層形成方法およびこれを用いた半導体素子 - 特許庁

A heat radiation element is formed in a housing space of an insulation layer and is structurally connected with the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層の収容空間内に放熱素子を形成し、絶縁層に構造的に接続する。 - 特許庁

A second element separation region 210 not extending to the insulating layer is formed on the third semiconductor layer.例文帳に追加

第３半導体層には絶縁層に到達しない第２素子分離領域２１０を形成する。 - 特許庁

ADHESIVE RESIN COMPOSITION FOR FILLING LAYER, ADHESIVE TAPE FOR FILLING LAYER, AND ORGANIC EL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

充填層用粘着性樹脂組成物、充填層用粘着テープ、及び有機ＥＬ表示素子 - 特許庁

An element layer 16 including plural head elements is formed through a releasing layer 14 on a substrate 12.例文帳に追加

基板１２上にリリース層１４を介して複数のヘッド素子を含む素子層１６を形成する。 - 特許庁

This photodiode element (20) includes a first layer having a first diffusion type, and a second layer.例文帳に追加

フォトダイオード素子（２０）が、第一の拡散形式を有する第一の層と、第二の層とを含んでいる。 - 特許庁