「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

CONFINING CURRENT PATH LAYER, FORMING METHOD THEREOF, CCP-CPP GMR ELEMENT, AND MTJ ELEMENT例文帳に追加

電流路狭窄層およびその形成方法、ＣＣＰ−ＣＰＰ型ＧＭＲ素子ならびにＭＴＪ素子 - 特許庁

The application relates to this electric cable comprising a conductor element 2 and the electrically insulating layer 4 surrounding the conductor element 2.例文帳に追加

導体要素２と、該導体要素２を取り囲む電気絶縁層４とを備える電気ケーブルに関する。 - 特許庁

An electrical double layer capacitor 1 is provided with an element body 3 and a case 50 for storing the element body 3.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ１は、素体３と、当該素体３を収容するケース５０とを備えている。 - 特許庁

A receiver module includes a light-receiving element 3, a substrate 2, and a resin layer 6 in which the light-receiving element 3 and the like are sealed.例文帳に追加

基板２の表面には、受光素子３等を封止した状態で樹脂層６を設ける。 - 特許庁

BISMUTH LAYER STRUCTURE FERROELECTRIC, METHOD OF PRODUCING THE SAME, MEMORY ELEMENT AND DIELECTRIC/ ELECTROSTRICTIVE ELEMENT USING THE FERROELECTRIC例文帳に追加

ビスマス層状構造強誘電体、その製造方法、これを用いたメモリ素子および圧電・電歪素子 - 特許庁

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ELECTROLYTE LAYER FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

光電変換素子、光電変換素子の製造方法、光電変換素子用電解質層および電子機器 - 特許庁

The liquid crystal display element 1 is a VA mode liquid crystal display element having a retardation compensation layer.例文帳に追加

液晶表示素子１は、位相差補償層を有して構成されたＶＡモード液晶表示素子である。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, SEMICONDUCTOR LAYER FORMATION METHOD, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD AND ELECTRICAL EQUIPMENT例文帳に追加

半導体発光素子、半導体層の形成方法、半導体発光素子の製造方法および電気機器 - 特許庁

A control element ED for controlling the acceleration sensor element is formed on the second semiconductor layer SL2.例文帳に追加

加速度センサ素子を制御する制御素子ＥＤは第２の半導体層ＳＬ２に形成されている。 - 特許庁

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRON TRANSPORT LAYER, MANUFACTURING METHOD OF THE PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

光電変換素子、電子輸送層の製造方法、光電変換素子の製造方法および電子機器 - 特許庁

PATTERNING METHOD OF ORGANIC EL SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC EL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PATTERNING DEVICE OF ORGANIC LAYER例文帳に追加

有機ＥＬ半導体素子のパターニング方法、有機ＥＬ半導体素子、および、有機層のパターニング装置 - 特許庁

The wiring board includes the resistive element, an insulating layer formed in contact with the resistive element, a wiring layer for electric conduction electrically connected with the resistive element, and a wiring layer for heat dissipation which dissipates the heat generated in the resistive element.例文帳に追加

抵抗素子と、抵抗素子と接して形成された絶縁層と、抵抗素子と電気的に接続された導電用配線層と、抵抗素子において発生した熱を放熱する放熱用配線層と、を備える配線基板が提供される。 - 特許庁

A spin valve type magnetoresistive element which has a laminated structure including an antiferromagnetic layer/a pinned magnetic layer/a non-magnetic intermediate layer/a magnetic free layer/and a magnetization stable layer is used, and the magnetization stable layer 11 is arranged adjacent to the magnetic free layer 1.例文帳に追加

反強磁性層／磁化固定層／非磁性中間層／磁化自由層／磁化安定層の積層構造を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用い、磁化自由層１に隣接して磁化安定層１１を設置する。 - 特許庁

A lamination 20 of an MR element is structured by laminating sequentially a first soft magnetic layer 22, a second soft magnetic layer 23, a nonmagnetic layer 24, a ferromagnetic layer 25, an anti-ferromagnetic layer 26 and a protection layer 27 on an underlayer layer 21.例文帳に追加

ＭＲ素子の積層体２０は、下地層２１の上に第１軟磁性層２２、第２軟磁性層２３、非磁性層２４、強磁性層２５、反強磁性層２６および保護層２７を順次積層することにより構成されている。 - 特許庁

In this bearing element composed of a protective layer 2, a bearing metallic layer 3 coating the protective layer 2, and a sliding layer 4 formed by spattering on the bearing metallic layer 3, a sliding coating material layer 5 is formed on the sliding layer 4.例文帳に追加

保護層２、保護層２上に塗布される軸受金属層３および軸受金属層３上にスパッタリングにより成膜される滑り層４を含む軸受要素において、滑り塗料層５が滑り層４上に塗布される。 - 特許庁

The substrate for the light-emitting element includes a semiconductor layer (an n-type semiconductor layer 5, a light-emitting layer 6, a p-type semiconductor layer 7, and a substrate 4) including the light-emitting layer 6, and the base substrate 2 bonded to the semiconductor layer through an intermediate layer 35.例文帳に追加

発光素子用基板は、発光層６を含む半導体層（ｎ型半導体層５、発光層６、ｐ型半導体層７、基板４）と、半導体層と中間層３５を介して接合された基礎基板２とを備える。 - 特許庁

In the magnetoresistive element including layers formed in the order of a fixation layer, a fixed layer, a nonmagnetic layer, and a free layer, the free layer, the fixed layer, or the fixation layer is formed by an intermetallic compound.例文帳に追加

固定化層、固定層、非磁性層および自由層の順で形成された層を含む磁気抵抗素子において、自由層、固定層または固定化層が金属間化合物で形成されていることを特徴とする磁気抵抗素子。 - 特許庁

The element isolation region having a channel widthwise direction of the MOSFET has a dummy layer 3 formed as part of the semiconductor layer 1 and not formed with an element, and an element isolation insulating layer 2 formed to have minimum processed dimensions between the MOSFET and the dummy layer 3.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのチャネル幅方向の素子分離領域は、半導体層１の一部であって素子が形成されないダミー層３と、ＭＯＳＦＥＴとダミー層３との間に最小加工寸法で形成される素子分離絶縁層２とを有する。 - 特許庁

A semiconductor device has a silicon layer formed on a substrate insulating layer on a substrate, an element formed on the silicon layer, and an insulating film which is formed on the substrate insulating layer adjacent to the element in a manner of covering the element.例文帳に追加

基板上の基板絶縁層上に形成されたシリコン層と、そのシリコン層上に形成された素子と、その素子と隣接する基板絶縁層上に形成され、かつ、その素子を覆うように形成された絶縁膜とを有する半導体装置。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises: a free layer; a pinned magnetic layer; and a barrier layer formed between the free layer and the pinned magnetic layer.例文帳に追加

本本発明に係る磁気抵抗効果素子は、フリー層と、磁化固定層と、該フリー層と該磁化固定層との間にバリア層とを備える磁気抵抗効果素子であって、該バリア層が半導体からなる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes an n-type cladding layer 13, an active layer 14, a p-type cladding layer 15 containing AlGaInP, an intermediate layer 16, and a p-side contact layer 17 containing GaP, sequentially in this order.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３、活性層１４、ＡｌＧａＩｎＰを含むｐ型クラッド層１５、中間層１６およびＧａＰを含むｐ側コンタクト層１７をこの順で備えている。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises a bias substrate layer 33, a hard bias layer 34 and an electrode layer 36 laminated on the antiferromagnetic layer 26 of both side regions of a multilayer film 31 via an amorphous insulating layer 32.例文帳に追加

多層膜３１の両側領域の反強磁性層２６上に、アモルファス絶縁層３２を介してバイアス下地層３３、ハードバイアス層３４、電極層３６を積層する。 - 特許庁

An MTJ element 10 has a pinning layer 2 composed of MnIr, an SyAF pinned layer 345, a crystalline tunnel barrier layer 6 where natural oxidation treatment is applied to a magnesium layer, and a free layer 7.例文帳に追加

ＭＴＪ素子１０は、ＭｎＩｒからなるピンニング層２と、ＳｙＡＦピンド層３４５と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のトンネルバリア層６と、フリー層７とを有する。 - 特許庁

In the tunnel junction element having a free magnetic layer, nonmagnetic layer, fixed magnetic layer and fixing layer as a basic constitution, the fixing layer uses an alloy based on a PtMn alloy.例文帳に追加

自由磁性層/非磁性層/固定磁性層/固定させる層を基本構成とするトンネル接合素子において、固定させる層にＰｔＭｎ合金をベースとする合金を用いる。 - 特許庁

This element for cleaning exhaust gas is composed of a first electrode layer 12 comprising catalytic metal, a second electrode layer 10 and a dielectric substance layer 11 which is interposed between the first electrode layer 12 and the second electrode layer 10.例文帳に追加

触媒金属よりなる第１の電極層12と、第２の電極層10と、第１の電極層12と第２の電極層10の間に挟まれた誘電体層11と、からなる。 - 特許庁

The nitride based semiconductor laser element comprises an n-type clad layer 3, an emission layer 5 formed on the n-type clad layer 3, and a p-type clad layer 7 formed on the emission layer 5.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子は、ｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成される発光層５と、発光層５上に形成されるｐ型クラッド層７とを備える。 - 特許庁

The photoelectric conversion element and the solar cell comprises an electrode layer, a photoelectric conversion layer, a hole transport layer, a conduction layer, and a counter electrode layer formed in this order.例文帳に追加

電極層、光電変換層、ホール輸送層、伝導層、対極層がこの順に積層されてなる光電変換素子及び該光電変換素子を用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

The MTJ element 8 includes: an AFM layer 11, an SyAF pinned layer 12, a tunnel barrier layer 13 comprised of crystalline MgO made by applying natural oxidation process to a magnesium layer, and a free layer 14.例文帳に追加

ＭＴＪ素子８は、ＡＦＭ層１１と、ＳｙＡＦピンド層１２と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のＭｇＯを有するトンネルバリア層１３と、フリー層１４とを含む。 - 特許庁

The conversion element 101 has an upper electrode layer 119, a lower electrode layer 115, and a semiconductor layer 117 arranged between the upper electrode layer 119 and the lower electrode layer 115.例文帳に追加

変換素子１０１は、上部電極層１１９と、下部電極層１１５と、上部電極層１１９と下部電極層１１５との間に配置された半導体層１１７とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a lower cladding layer 32, an active layer 33, an upper cladding layer 34, and a contact layer 35 are formed on an opening 20A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０表面の絶縁層２０の開口２０Ａ上に、下部クラッド層３２と、活性層３３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層３５とが順に形成されている。 - 特許庁

A guide member is provided to an insulating layer having a pressure sensitive adhesive layer or an adhesive layer, a sheet heating element formed in a given shape is laminated on the insulating layer according to the guide member, and the insulating layer and the sheet heating element are pinched and crimped, to get an integrally molded sheet heating element.例文帳に追加

粘着層または接着層を有する絶縁層にガイド部材を設け、所定の形状にした面状発熱体を前記ガイド部材に従い絶縁層に積層し、絶縁層と面状発熱体を金型で挟み込み圧着し、一体成形した面状発熱体を得る。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an insulating layer, a recess formed in a region that excludes an element isolation region in the insulating layer, the element isolation region consisting of the insulating layer between the recesses and an insulating film formed thereon, and a silicon semiconductor layer formed on the bottom surface of the recess surrounded with the element isolation layer.例文帳に追加

半導体素子が、絶縁層と、絶縁層の素子分離領域を除く領域に形成された凹部と、この凹部の間の絶縁層とその上に形成された絶縁膜からなる素子分離層と、素子分離層に囲まれた凹部の底面上に形成されたシリコン半導体層とを備える。 - 特許庁

An optical semiconductor element comprises: a metal support; an amorphous buffer layer disposed on the metal support; a crystalline adhesion layer that is disposed on the buffer layer and is composed of the same element as the element contained in the buffer layer; and an optical semiconductor stack that is disposed above the adhesion layer and has a p-n junction.例文帳に追加

金属支持体と、前記金属支持体上に配置される非晶質の緩衝層と、前記緩衝層上に配置され、該緩衝層と同じ元素で構成された結晶質の密着層と、前記密着層上方に配置され、ｐｎ接合を有する光半導体積層と、を含む。 - 特許庁

The rare earth permanent magnet 1 consists of a magnet element 3, and a protective layer 5 formed to cover the entire surface of the magnet element 3 wherein the protective layer 5 includes a first layer 2, a second layer 4 and a third layer 6 sequentially from the magnet element 3 side.例文帳に追加

好適な実施形態の希土類磁石１は、磁石素体３と、この磁石素体３の表面の全体を覆うように形成された保護層５とから構成され、保護層５は、磁石素体３側から順に、第１の層２、第２の層４及び第３の層６を備えている。 - 特許庁

A semiconductor laser element 100 comprises a low temperature buffer layer 2, an n-GaN layer 3, an n-clad layer 4, an n-optical guide layer 5, an n-MQW light emitting layer 6, a p-AlGaN layer 7, a p-optical guide layer 8, a p-clad layer 9 and a p-contact layer 10 formed sequentially on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上に、低温バッファ層２、ｎ−ＧａＮ層３、ｎ−クラッド層４、ｎ−光ガイド層５、ｎ−ＭＱＷ発光層６、ｐ−ＡｌＧａＮ層７、ｐ−光ガイド層８、ｐ−クラッド層９およびｐ−コンタクト層１０を順に形成してなる。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

A functional element substrate 10 produced by forming a barrier layer 2 and a functional element layer 3 on a glass substrate 1 is laminated with a color filter layer 20 produced by forming a barrier layer 12 and a color filter layer 13 on a glass substrate 11 with a liquid crystal layer 25 interposed.例文帳に追加

ガラスから成る基板１上にバリア層２および機能素子層３を形成した機能素子基板１０と、ガラスから成る基板１１上にバリア層１２およびカラーフィルタ層１３を形成したカラーフィルタ層２０とを液晶層２５を介して貼り合わせる。 - 特許庁

An inductor element 37 for a high frequency is formed in an inner layer side wiring layer 31 of the circuit 4, and an inductor element 338 for a low frequency is formed in the front layer side wiring layer 34 formed thicker than the inner layer side wiring layer 31.例文帳に追加

高周波回路部４の内層側配線層３１に高周波用インダクタ素子３７が成膜形成されるとともに内層側配線層３１よりも層厚に形成される表層側配線層３４に低周波用インダクタ素子３８が成膜形成される。 - 特許庁

The sealed functional element comprises a base layer W, an organic functional element layer X, a metal foil layer X, and further, preferably a metal foil protective layer F, wherein the base layer and the metal foil layer Z are tightly integrated by heat-sealing.例文帳に追加

基材層Ｗ、有機機能素子層Ｘ、金属箔層Ｚ、さらに好ましくは金属箔保護層Ｆを有する封止された機能素子であって、基材層と金属箔層Ｚがヒートシールにより密着一体化されていることを特徴とする封止された機能素子。 - 特許庁

The aminostyryl compound is contained in an organic layer, especially in a luminescent layer, of the organic electroluminescent element.例文帳に追加

このアミノスチル化合物は、有機電界発光素子の有機層において、特に発光層に含有される。 - 特許庁

Also, the first conductive layer and the second conductive layer of the memory element are formed using different materials.例文帳に追加

なお、メモリ素子の第１の導電層と第２の導電層とは異なる材料で形成されている。 - 特許庁

A carrier transport layer and a light-emitting layer of an organic EL element are formed continuously using the identical mask 20.例文帳に追加

有機ＥＬ素子のキャリア輸送層と発光層を同一のマスク２０を用いて連続的に成膜する。 - 特許庁

The light emitting element is provided with a metal cover layer 3 for covering the light emitting surface of a light emitting diode 2 and a phosphor layer 4.例文帳に追加

発光ダイオード２の発光面を被覆する金属被覆層３と、蛍光体層４とを備える。 - 特許庁

A conductive layer 304 is provided on the element isolation region 303b, and a sidewall 308 is provided on the side surface of the conductive layer 304.例文帳に追加

素子分離領域303b上に導電層304を設け、導電層304の側面にサイドウォール308を設ける。 - 特許庁

To provide a printer suitable to form a light emitting layer in a light emitting element layer of an organic light emitting device.例文帳に追加

有機発光デバイスの発光素子層の発光層を形成するのに適した印刷機を提供する。 - 特許庁