「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface-emitting laser element 10 includes a first reflecting layer 12, an n-type spacer layer 13, an active layer 14, and a p-type spacer layer 15 that have been laminated sequentially.例文帳に追加

面発光レーザ素子１０は、順次に積層された第１の反射層１２、ｎ型スペーサ層１３、活性層１４、およびｐ型スペーサ層１５を有する。 - 特許庁

The light-emitting element includes a semiconductor layer 51, and a gold electrode layer 52 formed on the semiconductor layer 51 and electrically connected to the semiconductor layer 51.例文帳に追加

半導体層５１と、この半導体層５１上に形成され、前記半導体層５１との電気的に接続される金電極層５２を有する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a p-type semiconductor layer, an active layer, a current introducing layer and a dielectric-film clad layer are laminated on a substrate in the order.例文帳に追加

基板上に、ｐ型半導体層、活性層、電流導入層および誘電体膜クラッド層がこの順に積層されている半導体発光素子である。 - 特許庁

The layer 3 forming the magnetic resistance element is provided with a magnetized fixed layer 3a, an intermediate layer 3b, and a magnetization free layer 3c in the sequence from the side of the lower electrode 1.例文帳に追加

磁気抵抗素子を形成する層３は、下部電極１側から順に磁化固定層３ａと中間層３ｂと、磁化自由層３ｃと、を有している。 - 特許庁

In the superconducting element wire the shortest pitch is disposed on the outermost layer of the conductive layer while the longest pitch is disposed on the outermost layer of the magnetic shielding layer.例文帳に追加

この超電導素線の中で、最短のピッチを導体層の最外層に配置し、最長のピッチを磁気遮蔽層の最外層に配置する。 - 特許庁

In the magneto-resistance effect element, a surface of a spacer layer 150 is adjacent to a surface of a free layer 160, and a surface of a pinned layer 140 is adjacent to another surface of the spacer layer 150.例文帳に追加

スペーサ層１５０は、一面が、フリー層１６０の一面に隣接しており、ピンド層１４０は、一面がスペーサ層１５０の他面に隣接している。 - 特許庁

The MR element 5 includes a non-magnetic conductive layer 24, and a fixed layer 23 and a free layer 25 which are arranged to sandwich the non-magnetic conductive layer 24.例文帳に追加

ＭＲ素子５は、非磁性導電層２４と、非磁性導電層２４を挟むように配置された固定層２３およびフリー層２５を備えている。 - 特許庁

The upper magnetic layer of an induction type magnetic transducing element has an upper magnetic pole part layer 12, a 1st yoke part layer 15, and a 2nd yoke part layer 20.例文帳に追加

誘導型磁気変換素子の上部磁性層は、上部磁極部層１２と第１のヨーク部層１５と第２のヨーク部層２０とを有している。 - 特許庁

The interface layer 16 is directly deposited on the uppermost part of a buffer layer 14 before an N-type GaN layer, an N-type Si layer and other parts of an element structure body are grown.例文帳に追加

界面層は、ｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）層と素子構造体のその他の部分とを成長させる前に、バッファ層の最上部に直接堆積される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a light-transmitting layer, a first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、発光層と、透光層と、第１窒化物半導体層と、第２窒化物半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A semiconductor layer for a light-emitting element layered with an n-type semiconductor layer 2, an active layer and a p-type semiconductor layer 3 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a buffer layer, a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

The portion of lower magnetic layer 3/oxidation control layer 4/insulating layer 5/upper magnetic layer 6 is the tunnel junction of the tunneling magnetoresistive element.例文帳に追加

下部磁性層３／酸化抑制層４／絶縁層５／上部磁性層６の部分が、トンネル磁気抵抗効果素子におけるトンネル接合部となっている。 - 特許庁

To provide a seed layer formation element for forming a seed layer having conduction not forming a low dielectric layer between a lead titanate containing layer and a board.例文帳に追加

チタン酸鉛を含む層と基板との間に低誘電層を形成しない導電性を有するシード層を形成したシード層形成素子を提供する。 - 特許庁

The stress between the layer composed of the semiconductor, to which the oxygen element is added, and the semiconductor layer is made smaller than that between an oxide layer and the semiconductor layer.例文帳に追加

酸素元素が添加された半導体からなる層と半導体層との間の応力は、酸化物層と半導体層との間の応力に比べて小さい。 - 特許庁

A method of forming a doped region includes screen printing a paste layer 6 of doping element paste to a substrate 4 and firing the screen printed paste layer of the doping element paste to attain alloying with the doping element, in which a highly pure doping element layer 5 is applied to the semiconductor layer after which the paste layer is screen printed to the doping element layer.例文帳に追加

ドーピング元素ペーストのペースト層６を基板にスクリーン印刷し、該スクリーン印刷したドーピング元素ペーストのペースト層を焼成して行うドーピング元素との合金化により、基板４の半導体層にドープ領域を形成する方法であって、高純度ドーピング元素層５を半導体層に付与した後、ペースト層をドーピング元素層にスクリーン印刷することを特徴とする方法。 - 特許庁

While the detection element 21 is a CPP-type element, the monitor element 22 is formed as a CIP-type element by forming an upper shield layer 32 on each end I of the monitor element 22.例文帳に追加

磁気検出素子２１がＣＰＰ型素子であるのに対し、モニタ素子２２の素子両側端部Ｉ上に上部シールド層３２を形成し、前記モニタ素子２２をＣＩＰ型素子にする。 - 特許庁

An MR element comprises a laminate 20 where there are laminated, in sequence, an underlying layer 21, a crystal growth suppressing layer 22, a first soft-magnetic layer 23, a second soft-magnetic layer 24, an antimagnetic layer 25, a ferromagnetic layer 26, an antiferromagnetic layer 27, and a protective layer 28.例文帳に追加

ＭＲ素子は、下地層２１，結晶成長抑制層２２，第１軟磁性層２３、第２軟磁性層２４，非磁性層２５，強磁性層２６，反強磁性層２７および保護層２８を順次積層してなる積層体２０を有している。 - 特許庁

A protective element 10 comprises a low-concentration collector layer 102, a sinker layer 110, a high-concentration collector layer 112, an emitter layer 130, a high-concentration base layer 122, a base layer 120, a first-conductive-type layer 140, and a second-conductive-type layer 150.例文帳に追加

本実施形態における保護素子１０は、低濃度コレクタ層１０２、シンカー層１１０、高濃度コレクタ層１１２、エミッタ層１３０、高濃度ベース層１２２、ベース層１２０、第１導電型層１４０、及び第２導電型層１５０を有している。 - 特許庁

The lower layer of the fuse element, the lower layer of the capacitance element, the intermediate layer and the first upper electrode, and upper layer and the second upper electrode, are formed respectively with the same material in the same thickness.例文帳に追加

ヒューズ素子の下層と容量素子の下部電極、中層と第１の上部電極、上層と第２の上部電極が、それぞれ同一の材料で形成され、かつ同一の厚さを有する。 - 特許庁

The organic EL element (organic semiconductor element) 1 comprises: a positive electrode 3, a hole transporting layer 5a; an intermediate layer 5b having the same function as the hole transporting layer 5a; a luminous layer 6; and a negative electrode 8.例文帳に追加

有機ＥＬ素子（有機半導体素子）１は、陽極３と、正孔輸送層５ａと、正孔輸送層５ａと同一の機能を有する中間層５ｂと、発光層６と、陰極８とを備える。 - 特許庁

To improve the insulation performance between extraction an electrode layer and a shielding layer connected to a magneto-resistive element without increasing the thickness of the insulating layer between the magneto-resistive element and the shielding layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とシールド層との間の絶縁層を厚くすることなく、磁気抵抗効果素子に接続される引き出し電極層とシールド層との間の絶縁性能を向上させる。 - 特許庁

To improve an element characteristics and improve reliability of an element even when a semiconductor layer is formed on a gate electrode layer, a source electrode layer and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層をゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層上に設ける場合であっても、素子特性を向上させると共に、素子の信頼性を向上させることを目的の一とする。 - 特許庁

In this ferromagnetic tunnel junction element, having the barrier layer 14 between a first ferromagnetic layer 13 and a second ferromagnetic layer 15, the barrier layer is constituted of an insulator which is made of a single element.例文帳に追加

第１の強磁性層１３と第２の強磁性層１５の間にバリア層１４を有する強磁性トンネル接合素子１において、バリア層を単一の元素からなる絶縁体で形成する。 - 特許庁

A first magnetoresistance effect element 15 and a second magnetoresistance effect element 16 are provided on the same sensor chip, and each of the magnetoresistance effect element has an element part in which a free magnetic layer and a fixed magnetic layer are stacked via a non-magnetic layer, and a hard bias layer for supplying a bias magnetic field to the element part.例文帳に追加

同じセンサチップに第１磁気抵抗効果素子１５と第２磁気抵抗効果素子１６が設けられており、各磁気抵抗効果素子は、フリー磁性層と固定磁性層とが非磁性層を介して積層された素子部と、前記素子部に対してバイアス磁界を供給するためのハードバイアス層を有する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element as an embodiment includes an n-side contact layer, an active layer and a p-side contact layer, in the order.例文帳に追加

一実施態様に係る半導体発光素子は、ｎ側コンタクト層と、活性層と、ｐ側コンタクト層と、を順に備える。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

The force-detecting element 100 has a multilayer substrate 7 composed of a base layer 2, an insulating layer 4 and a semiconductor layer 6 so as to be layered.例文帳に追加

力検知素子１００は、基部層２と絶縁層４と半導体層６が積層された積層基板７を有している。 - 特許庁

(2) The optical recording medium further has a sulfuration preventing layer on the upper part of the protective layer and has a reflecting layer containing Ag as the main element.例文帳に追加

２）更に上部保護層に硫化防止層を有し、反射層がＡｇを主要元素とするものである光記録媒体。 - 特許庁

An MR element 4 is provided with such a structure that a pinned layer 43, a spacer layer 44 and a free layer 45 are laminated in this order.例文帳に追加

ＭＲ素子４は、ピンド層４３、スペーサ層４４およびフリー層４５が、この順番で積層された構造を有する。 - 特許庁

The piezoelectric element 2 consists of: an active region layer 5; and a displacement transmission layer 6 arranged on the underside of the active region layer 5.例文帳に追加

圧電素子２は、活性領域層５と、活性領域層５の下側に配置された変位伝達層６とからなっている。 - 特許庁

The adhesive force generating layer 16 is generating through a reaction between the oxygen contained in the oxide layer 12 and the constituent element of the adhesive force generating layer 14.例文帳に追加

酸化物接着層16は酸化物層中の酸素と接着力発生層の構成元素の反応により生成される。 - 特許庁

To provide a light emitting element in which damage to a light emitting layer is reduced when forming an electrode layer on the light emitting layer.例文帳に追加

発光層上に電極層を形成する際に、発光層に対するダメージを低減した発光素子を提供すること。 - 特許庁

In addition, the organic electroluminescence element is provided in which a stress buffer layer is added between the antistatic layer and the gas barrier layer.例文帳に追加

また、上記帯電防止層とガスバリア層の間に応力緩衝層を付加した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

The EPIR element includes a lower electrode layer, a CMR thin film layer, and an upper electrode layer sequentially laminated on various type substrates.例文帳に追加

ＥＰＩＲ素子は、各種基板上に、下部電極層，ＣＭＲ薄膜層，上部電極層を順に積層したものである。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１半導体層と、活性層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

When a sufficient film thickness is given to the titanium nitride layer and then the titanium layer is removed, an element in which the titanium nitride layer is used as the substrate is obtained.例文帳に追加

窒化チタン層に十分な膜厚を与えておいて、チタン層を除去すれば窒化チタン層を基板とした素子が得られる。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor element (2) is provided with a p-type cladding layer (18), a waveguide layer (6) and a n-type cladding layer (4).例文帳に追加

本発明による導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）、導波層（６）およびｎ型クラッド層（４）を備える。 - 特許庁

An Si layer and an SiGe layer are formed on the n-type epitaxial layer 3 and the element separation region 4 by epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル層３と素子分離領域４の上にＳｉ層とＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

The gonio-chromatic element comprises a transparent layer 11, a dielectric layer 12, an optical structure 13 and an auxiliary layer 14.例文帳に追加

ゴニオクロマティック素子は、透明層１１、誘電体層１２、光学構造体１３、補助層１４を含んで構成されている。 - 特許庁

An element separating and insulating film 3a is provided on an N well layer 2 while a first P+layer 4 and a second P+layer 5, apart from the first P+layer 4, are formed on the N well layer 2 surrounded by the element separating and insulating film 3a.例文帳に追加

Ｎウェル層２上に素子分離絶縁膜３ａを設け、素子分離絶縁膜３ａで囲まれたＮウェル層２上に第１のＰ＋層４と、第１のＰ＋層４と離間した第２のＰ＋層５を形成する。 - 特許庁

The light emitter comprises wiring layers 3A, 3B on the surface of a sub-mount element 3, an Au layer 32 formed as a conductive layer on the sub-mount element 3, and a Cr layer 31 on the Au layer 32 for forming a light reflective layer.例文帳に追加

サブマウント素子３の表面に設けられる配線層３Ａ、３Ｂは、サブマウント素子３上に導電層として設けられるＡｕ層３２と、Ａｕ層３２上に設けられて光反射層を形成するＣｒ層３１を有する。 - 特許庁

A photoelectric conversion element layer, an oxygen ion implantation layer acting as an element isolation layer, and a circuit layer such as pixel transistor are sequentially formed, from a silicon substrate (surface) side, on the semiconductor substrate, for example, such as an SOI substrate in which a silicon layer is provided on a support substrate part (insulator layer), and then, a wiring layer is formed on the silicon layer.例文帳に追加

例えばＳＯＩ基板のような支持基板部（絶縁体層）の上にシリコン層を設けた半導体基板に対し、シリコン基板（表面）側から光電変換素子層、素子分離層としての酸素イオン注入層、画素トランジスタ等の回路層を順次形成し、その後、シリコン層上に配線層を形成する。 - 特許庁

This imaging element device eliminates the need to make the imaging element formation layer thin by grinding etc., since the imaging element formation layer 2 originally has a thickness suitable for curving, and strength when the imaging element formation layer 2 and solid-state imaging element 1 are curved is improved.例文帳に追加

この撮像素子装置では、撮像素子形成層２の厚みが、もともと湾曲に適した厚みとなっているので、研削などにより撮像素子形成層を薄肉化する必要がなく、撮像素子形成層２ないしは固体撮像素子１を湾曲させたときの強度が向上する。 - 特許庁

COMPOUND FOR FORMING ORGANIC LAYER OF ORGANIC ELECTRIC FIELD LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND ORGANIC ELECTRIC FIELD LIGHT-EMITTING ELEMENT BY USING THE SAME例文帳に追加

有機電界発光素子の有機層形成用化合物、およびそれを用いた有機電界発光素子 - 特許庁