「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A carbon layer 23 is formed on the cathode layer 21 of the capacitor element 22 and is coated with silver paste.例文帳に追加

次に、該コンデンサ素子22の陰極層21上にカーボン層23を形成し、銀ペーストで被覆する。 - 特許庁

A ceramic element 12 composed of a dielectric ceramic layer 14 and an internal electrode layer 16 is prepared.例文帳に追加

誘電体セラミック層１４と内部電極層１６とからなるセラミック素体１２を準備する。 - 特許庁

An organic EL element is constituted of an anode (a reflective layer, a spacer), an organic EL layer and a cathode.例文帳に追加

有機ＥＬ素子は陽極（反射層、スペーサ）、有機ＥＬ層及び陰極から構成されている。 - 特許庁

PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR LAYER, PRODUCTION OF PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND PRODUCTION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体層の製造方法、光起電力素子の製造方法及び半導体層の製造装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING INORGANIC LAYER HAVING UNEVEN PATTERN, DIELECTRIC LAYER, BARRIER RIB, PLASMA DISPLAY PANEL, AND ELEMENT例文帳に追加

凹凸パターンを有する無機物層の製造法、誘電体層、バリアリブ及び、プラズマディスプレイパネル、エレメント - 特許庁

Heat treatment is performed thereon to perform gettering of a metal element in the semiconductor layer with the gettering site layer.例文帳に追加

加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト層にゲッタリングさせる。 - 特許庁

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, LIGHT EMITTING LAYER, AND III-GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層、発光層およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

The external element 11 includes a first electrode layer 51a and a second electrode layer 51b.例文帳に追加

外部電極５１は、第１の電極層５１ａと、第２の電極層５１ｂとを有している。 - 特許庁

A bandpass filter layer is formed on the upper side of the organic compound layer of each organic EL element.例文帳に追加

各有機ＥＬ素子の有機化合物層の上方にバンドパスフィルター層が形成されている。 - 特許庁

POLYMER FOR POSITIVE ELECTRODE BUFFER LAYER, SOLUTION FOR POSITIVE ELECTRODE BUFFER LAYER APPLICATION AND ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

陽極バッファー層用重合体、陽極バッファー層塗布用溶液及び有機発光素子 - 特許庁

It is also available to arrange a phase difference layer on a back side element or member against the polarized light separation layer.例文帳に追加

偏光分離層よりもバック側のエレメント又は部材には、位相差層を配設してもよい。 - 特許庁

A semiconductor layer 15 consisting of the group III-V compound semiconductor containing a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element is formed on a GaAs substrate 11.例文帳に追加

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る半導体層１５をＧａＡｓ基板１１上に形成する。 - 特許庁

As for a phase-changing optical recording medium, a recording layer 4 is made of phase-changing recording materials containing a Ib group element, a IIIb group element, an Sb element and a Te element.例文帳に追加

相変化光記録媒体１に関し、記録層４は、Ｉｂ族元素、 IIIｂ族元素、Ｓｂ元素及びＴｅ元素を有する相変化記録材料による。 - 特許庁

To provide a composite optical element which is manufactured, by integrally molding an optical element with an optical element raw material and a retaining frame therof, and forming a plastic material layer on the integrally molded optical element.例文帳に追加

光学素子素材とその保持枠を一体化して光学素子を成形し、この一体成形された光学素子に可塑性材料層を形成する。 - 特許庁

Then, a protection IC element 51, an FET element 52, a PTC element 53 and a resistance element for model discrimination 54 are embedded in the insulating layer 23.例文帳に追加

そして絶縁層２３内に、保護ＩＣ素子５１、ＦＥＴ素子５２、ＰＴＣ素子５３、機種判別用抵抗素子５４が埋設されて構成されている。 - 特許庁

A material corresponding to the material of the conductive layer 30 contains one of a lanthanoid element, a rare-earth element, an alkali metal element, and an alkali-earth metal element as a main component.例文帳に追加

このような材料としては、ランタノイド元素、希土類元素、アルカリ金属元素、およびアルカリ土類金属元素を主成分とするものがある。 - 特許庁

To provide a dielectric layer capable of bringing a dielectric element into a high performance, a small size, and a low cost, to provide the dielectric element having the dielectric layer, and further, to provide a method of manufacturing the dielectric layer and element.例文帳に追加

誘電体素子における高性能・小型化・低コスト化を図ることができる誘電体層、並びに当該誘電体層を備えた誘電体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide: a photoelectric conversion element that is provided with a stress-relieving layer on an insulating layer to suppress peeling of a layer constituting the photoelectric conversion element; a thin film solar cell; and a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

絶縁層上に応力緩和層を設け、光電変換素子を構成する層の剥離を抑制した光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element which avoids the employment of a laminated structure of a pin layer, a spacer layer and a free layer unlike a prior art magnetoresistive effect element, and also to provide a magnetic head and a magnetic memory using the element.例文帳に追加

従来の磁気抵抗効果素子とは異なり、ピン層、スペーサ層、フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気ヘッド及び磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To prevent defective mounting of an element due to the thickness of a ceramic coating layer at the time of mounting the element, and to prevent delamination and cracking of an electrode layer due to a shock at the time of dicing, in a substrate for mounting an element wherein part of the electrode layer is coated with ceramic.例文帳に追加

電極層の一部がセラミックスで被覆された素子搭載用基板において、素子のマウント時に、セラミックス製被覆層の厚みによる素子のマウント不良を防止すること。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element.例文帳に追加

ｐ形半導体層１３はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ形化合物半導体からなり、ｎ形半導体層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とドーパントであるII族元素とを含むｎ形化合物半導体からなる。 - 特許庁

The negative-resistive element has a magneto-resistive element including an magnetic free layer (33), a pinned magnetic layer (31) having larger magnetic moment than the magnetic free layer, and an intermediate layer (32) provided between the magnetic free layer and pinned magnetic layer.例文帳に追加

磁化自由層（３３）と、磁化自由層がもつ磁気モーメントよりも大きな磁気モーメントを有する磁化固定層（３１）と、磁化自由層と磁化固定層との間に設けられた中間層（３２）とを有する磁気抵抗素子を具備する負性抵抗素子である。 - 特許庁

The high density thin line mounting structure is provided with a first semiconductor element arranged on a super-thin line circuit layer, an insulating layer on a phase identification plane, an outer layer circuit layer above the first semiconductor element and a solder mask bottom on the outer layer circuit layer.例文帳に追加

本発明高密度細線実装構造は、超細線回路層上に装置される第一半導体素子、相同平面上の絶縁層、該第一半導体素子上方の外層回路層、該外層回路層上のソルダーマスクボトムを含む。 - 特許庁

A magnetoresistive element containing a laminated structure comprising a ferromagnetic fixed layer, a barrier layer, a ferromagnetic free layer and a non-magnetic layer brought into contact with another interface of the ferromagnetic free layer is used as the tunnel magnetoresistive element, and the non-magnetic layer consists of MgO.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子は、強磁性固定層と、バリア層と、強磁性自由層と、強磁性自由層のもう一方の界面に接する非磁性層からなる積層構造を含む磁気抵抗素子であって、非磁性層がＭｇＯである。 - 特許庁

In a shield magnetoresistive effect element employing a tunnel junction element having a basic structure of free layer/nonmagnetic layer/fixed layer as the magnetoresistive effect element, a longitudinal bias layer coming into contact with the free layer at least partially is provided.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子としてフリー層／非磁性層／固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いたシールド型磁気抵抗効果素子において、フリー層の少なくとも一部に接触する縦バイアス層が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 特許庁

A rectifier element layer 21 includes: a semiconductor layer 24; an electrode layer 23 provided on one end side of the semiconductor layer 24; an electrode layer 26 provided on the other end side of the semiconductor layer 24; and an electrode layer 25 provided between the electrode layer 26 and the semiconductor layer 24.例文帳に追加

整流素子層２１は、半導体層２４と、半導体層２４の一端側に設けられた電極層２３と、半導体層２４の他端側に設けられた電極層２６と、電極層２６と半導体層２４の間に設けられた電極層２５とを備える。 - 特許庁

To form an EL layer of an EL element and a cathode with the same multichamber, and to continuously form a layer for sealing the EL element on the EL element.例文帳に追加

同一のマルチチャンバーでＥＬ素子のＥＬ層、陰極を形成し、さらに、ＥＬ素子上にＥＬ素子を封止する層を連続的に形成することを目的とする。 - 特許庁

The solid imaging element is a back irradiating element where another main surface side of the semiconductor layer 12 is the light receiving surface of the photoelectric conversion element.例文帳に追加

ここで、半導体層１２の他方の主面側が光電変換素子の受光面となる裏面照射型となっている。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device has the semiconductor element mounted on the element mounting surface of the member for mounting the semiconductor element via a bonding layer.例文帳に追加

半導体装置は、前記半導体素子搭載部材の素子搭載面に、接合層を介して半導体素子を搭載した。 - 特許庁

The thickness of an element layer can be 1,000 μm or less.例文帳に追加

更に、素子層の厚さは１０００μｍ以下とすることができる。 - 特許庁

To surely prevent the dielectric breakdown of an MR element and a shield layer.例文帳に追加

ＭＲ素子とシールド層との静電破壊を確実に防止する。 - 特許庁

A resin layer is formed on the film to obtain a thin-film optical element.例文帳に追加

この膜に重ねて樹脂層を形成し、薄膜光学素子を得る。 - 特許庁

ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT HAVING LAYER CONTAINING CONDUCTIVE HIGHPOLYMER例文帳に追加

導電性高分子を含有する層を有する有機電界発光素子 - 特許庁

Each dye-sensitized photoelectric conversion element is covered with a sealing layer 7.例文帳に追加

各色素増感光電変換素子を封止層７により覆う。 - 特許庁

A buffer layer 5 is provided on the back side of the transducer element 1.例文帳に追加

緩衝層５は、振動子部１の背面側に設けられている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE WITH RESIN LAYER AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT例文帳に追加

樹脂層付アクティブマトリクス基板の製造方法及び液晶素子 - 特許庁

A laminated multiple matching layer 1 is provided on a piezoelectric element 2.例文帳に追加

圧電素子２上には積層構造の多層整合層１を設ける。 - 特許庁

Alternatively, a semiconductor layer is formed so as to come into contact with a low surface energy part of the wettability change layer 2 and an electronic element and an organic semiconductor element are constituted.例文帳に追加

又は濡れ性変化層2の低表面エネルギー部に接して半導体層を設け、電子素子、有機半導体素子を構成する。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

液晶配向剤、液晶配向膜および液晶表示素子 - 特許庁

ORGANIC EL ELEMENT HAVING ALKALI METAL/ALKALI EARTH METAL TRAPPING LAYER例文帳に追加

アルカリ金属・アルカリ土類金属捕捉層を有する有機ＥＬ素子 - 特許庁

Subsequently, the MTJ element 100 is formed over the insulating layer 220.例文帳に追加

次いで絶縁層２２０上にＭＴＪ素子１００を形成する。 - 特許庁

The magnetization direction 53 in the magnetization fixed layer of the third MR element is the same as the magnetization direction 51 in the magnetization fixed layer of the first MR element.例文帳に追加

第３のＭＲ素子の磁化固定層の磁化５３が、第１のＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向５１と同じである。 - 特許庁

A rectangular element formation region is formed in a silicon layer 3.例文帳に追加

シリコン層３に、矩形状の素子形成領域が形成されている。 - 特許庁

OPTICAL ELEMENT HAVING BARRIER LAYER, OPTICAL SYSTEM, AND PROJECTOR DEVICE例文帳に追加

バリア層を有する光学素子、光学系および投映プロジェクタ装置 - 特許庁

ETCHING METHOD FOR GALLIUM ARSENIDE LAYER AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＧａＡｓ層のエッチング方法および半導体素子の製造方法 - 特許庁