「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A backing layer 18 is formed on the other surface side of the piezoelectric element 12.例文帳に追加

圧電素子１２の他方面側に、バッキング層１８を形成する。 - 特許庁

FORMING METHOD OF FINE CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

微結晶半導体層の形成方法、および光起電力素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR BUFFER LAYER AND MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT例文帳に追加

バッファ層の製造方法および光電変換素子の製造方法 - 特許庁

LIGHT DIFFUSING LAYER, LIGHT DIFFUSING SHEET, OPTICAL ELEMENT AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加

光拡散層、光拡散性シート、光学素子および表示装置 - 特許庁

To provide an EL element having high luminance without having an insulation layer.例文帳に追加

絶縁層なしで十分に高輝度のＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a quantum point light emitting element with a multiple quantum point layer.例文帳に追加

多重量子点層を持つ量子点発光素子を提供する。 - 特許庁

To improve deformation efficiency in a piezoelectric element having a multi-layer structure.例文帳に追加

多層構造の圧電素子における変形効率を向上させる。 - 特許庁

ELECTRONIC ELEMENT HAVING ORGANIC MATERIAL-BASED INSULATING LAYER例文帳に追加

有機材料系絶縁層を有する電子素子及びその製造方法 - 特許庁

PHOTOGRAPHIC ELEMENT HAVING PEELABLE AND REARRANGEABLE ADHESIVE LAYER例文帳に追加

可剥性で、かつ再配置可能な接着剤層を有する写真要素 - 特許庁

MATERIAL FOR LUMINOUS LAYER AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

発光層用材料およびこれを用いた有機電界発光素子 - 特許庁

The luminescent element has an organic luminescent layer containing a compound represented by formula 1.例文帳に追加

一般式１で示す化合物を有機発光層に含有する。 - 特許庁

To provide an organic light emitting element equipped with optical efficiency improving layer.例文帳に追加

光効率改善層を具備した有機発光素子を提供する。 - 特許庁

To improve the connection stability of a capacitive element and a diffusion layer.例文帳に追加

容量素子と拡散層との接続安定性を向上させる。 - 特許庁

To improve the conductive antistatic layer of an imaging element.例文帳に追加

画像形成要素の導電性帯電防止層を改良すること。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE WITH RESIN LAYER, AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT例文帳に追加

樹脂層付アクティブマトリクス基板の製造方法及び液晶素子 - 特許庁

MULTILAYER FILM REFLECTING LAYER AND GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

多層膜反射層およびそれを用いた窒化ガリウム系発光素子 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING ELEMENT WITH P-TYPE DOPANT MATERIAL DIFFUSION PREVENTING LAYER例文帳に追加

ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 - 特許庁

RESISTOR ELEMENT EMPLOYING SURFACE BURIED LAYER OF CONDUCTIVE POWDER AS ELECTRODE例文帳に追加

導電性粉末の表面埋込み層を電極とした抵抗素子 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT HAVING CONTROLLED NUCLEATION SITE IN DATA LAYER例文帳に追加

データ層内に制御された核形成場所を有する磁気メモリ素子 - 特許庁

THERMAL TRANSFER IMAGE FORMING ELEMENT CAPABLE OF LASER ADDRESSING EQUIPPED WITH INTERMEDIATE LAYER例文帳に追加

中間層を備えたレーザーアドレス可能な熱転写像形成要素 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER-INSULATING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

半導体層間絶縁材料及びこれを用いた半導体素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT ISOLATION LAYER AND METHOD FOR FORMING INSULATED GATE TRANSISTOR例文帳に追加

半導体素子分離層および絶縁ゲートトランジスタの形成方法 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体層の結晶成長方法及び半導体素子 - 特許庁

An insulating layer 20 and a metal layer 30 are interposed between the semiconductor laser element 40 and semiconductor light detecting element 10.例文帳に追加

半導体レーザ素子４０と、半導体光検出素子１０との間に、絶縁層２０および金属層３０が挿入されている。 - 特許庁

A first conductive layer of a platinum group element or an alloy containing a platinum group element is provided on the surface of the oxide surface layer.例文帳に追加

酸化物表面層の表面上に、白金族または白金族を含む合金からなる第１の導電層とが配置されている。 - 特許庁

ELECTROLUMINESCENT ELEMENT HAVING PHOTOCATALYST- CONTAINED LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

光触媒含有層を有するＥＬ素子とその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING TIN OXIDE POROUS LAYER AND ELECTROCHROMIC DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

酸化スズ多孔質層の形成方法及びエレクトロクロミック表示素子 - 特許庁

SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND THESE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

エピタキシャル層付き基板、半導体素子およびこれらの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体基板、半導体素子および半導体層の形成方法 - 特許庁

An element isolation layer 3a is formed thinner than the depth of a recess 2, so that a recess may still be left over in the recess 2, after the element isolation layer 3a is formed.例文帳に追加

素子分離層３ａを凹部２の深さよりも浅くなるように形成し、凹部２に凹みが残されるように構成する。 - 特許庁

It is also possible that an element retaining layer is formed on the surface of the second substrate.例文帳に追加

第二基板の表面には、素子保持層を形成してもよい。 - 特許庁

About, for example, a lower electrode layer in the element for inspecting, the length is shortened in one element for inspecting and lengthened in the another side element for inspecting to the lower electrode layer of a product element.例文帳に追加

そして、検査用素子における例えば下部電極層について、製品素子の下部電極層に対し、その長さを、一方の検査用素子では短くし、他方の検査用素子では長くする。 - 特許庁

A first conductor layer 5, a dielectrics layer 8, and a second conductor layer 10 are laminated on a circuit element formation region DA to form a solid capacity element.例文帳に追加

回路素子形成領域ＤＡ上に第１の導体層５、誘電体層８および第２の導体層１０とを積層して立体的に容量素子を形成する。 - 特許庁

A circuit element is formed on the single crystal Si layer 13 of the semiconductor member 20', and then the single crystal Si layer 13 with the circuit element is separated off the semiconductor member 20' at the porous layer 22 so as to be thin.例文帳に追加

半導体部材２０’の単結晶Ｓｉ層１３上に回路素子を形成した後、それを多孔質層２２において分離することにより薄化する。 - 特許庁

POLYIMIDE-BASED VARNISH CAPABLE OF FORMING ALIGNMENT LAYER FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT OF HORIZONTAL ELECTRIC FIELD SYSTEM, ALIGNMENT LAYER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT OF HORIZONTAL ELECTRIC FIELD SYSTEM HAVING THE ALIGNMENT LAYER例文帳に追加

横電界方式の液晶表示素子用の配向膜を形成するポリイミド系ワニス、配向膜および該配向膜を有する横電界方式の液晶表示素子 - 特許庁

To improve insulating performance between an electrode and a shield layer connected with a magnetic resistance element without making thick an insulating layer between the magnetic resistance element and the shield layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子とシールド層との間の絶縁層を厚くすることなく、磁気抵抗素子に接続される電極とシールド層との間の絶縁性能を向上させる。 - 特許庁

An MR(magnetoresistance effect) element 50 as a magnetic conversion element has a laminated body 5 produced by laminating an antiferromagnetic layer 51, pinned layer 52, nonmagnetic metal 53 and free layer 54.例文帳に追加

磁気変換素子であるＭＲ素子５０は、反強磁性層５１、ピンド層５２、非磁性金属５３およびフリー層５４を積層してなる積層体５を有している。 - 特許庁

An electroluminescent layer 2 and a second electrode layer 1 are arranged in that order on the first electrode layer 3 of the laminated body for the electroluminescent element to make the electroluminescent element.例文帳に追加

このエレクトロルミネッセンス素子用積層体の第１の電極層３上に、エレクトロルミネッセンス層２及び第２の電極層１がこの順に配置されてなるエレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

A cooling layer 8 for cooling a semiconductor element layer 3 is bonded to the semiconductor element layer 3 for controlling a quantity of current, through a cooling face 11.例文帳に追加

電流量を制御する半導体素子層３に冷却面１１を介し接合して半導体素子層３を冷却する冷却層８とが設けられている。 - 特許庁

Inside a magnetization fixing layer or a magnetization free layer of the magnetoresistance effect element having the magnetization fixing layer, a non-magnetic layer and the magnetization free layer, a layer including one of Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt and Au is arranged.例文帳に追加

磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 - 特許庁

In an element portion 20 of the magneto-resistance effect type head, the antiferromagnetic layer 1, a first fixed layer 2, an antiferromagnetic coupling layer 4, a second fixed layer 5, a non-magnetic conductive layer 6 and a free layer 7 are layered.例文帳に追加

磁気抵抗効果型ヘッドの素子部２０は、反強磁性層１、第１固定層２、反強磁性結合層４、第２固定層５、非磁性導電層６、自由層７が積層されている。 - 特許庁

In a magnetization fixing layer or a magnetization free layer of the magnetoresistance effect element having the magnetization fixing layer, a non-magnetic layer and the magnetization free layer, a layer including one of Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, and Au is arranged.例文帳に追加

磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 - 特許庁

The semiconductor laser element is installed between SiN layers formed on a p-type layer via a heat sink layer and a solder layer (approximately 4 μm in layer thickness), in addition to a Ti layer and Au layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、ｐ型層上に形成されたＳｉＮ膜との間に、Ｔｉ層およびＡｕ層に加えてヒートシンク層およびはんだ層（層厚４μｍ程度）を介して載置されている。 - 特許庁

A layer containing any of Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt and Au is disposed in a magnetization fixed layer or a magnetization free layer of a magnetoresistance effect element having a magnetization fixed layer, a non-magnetic layer and a magnetization free layer.例文帳に追加

磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 - 特許庁

A semiconductor laser element is constituted with an n-type contact layer 3, an n-type clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type first clad layer 6a formed successively on a sapphire substrate 2.例文帳に追加

サファイア基板２上にｎ−コンタクト層３、ｎ−クラッド層４、ＭＱＷ活性層５およびｐ−第１クラッド層６ａが順に形成される。 - 特許庁