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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
PROCESS FOR FABRICATING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT WITH BIAS LAYER例文帳に追加
バイアス層を備えた磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁
ELEMENT PROVIDED WITH FIBRIN LAYER, AND PREPARATION AND USE THEREOF例文帳に追加
フィブリン層を備えた要素、それらの作製および使用 - 特許庁
The variable resistance layer functions as a variable resistance element.例文帳に追加
可変抵抗層は、可変抵抗素子として機能する。 - 特許庁
LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT HAVING GUEST-HOST LIQUID CRYSTAL LAYER例文帳に追加
ゲストホスト形液晶層を有する液晶表示素子 - 特許庁
MULTI-LAYER PHOTOVOLTAIC ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
積層型光起電力素子及びその製造方法 - 特許庁
The photoelectric converter includes an element layer comprising a plurality of layers, a photoelectric conversion element provided in the element layer, a read circuit provided in the element layer, and an external connection terminal 211 that is provided on a surface layer 294 of the element layer and connects the read circuit to the outside.例文帳に追加
本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられた読出回路と、素子層の表層294に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子211と、を備える。 - 特許庁
COLOR FILTER WITH PHASE DIFFERENCE LAYER ATTACHED THERETO, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加
位相差層付カラーフィルタおよび液晶表示素子 - 特許庁
SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING QUANTUM- WAVE INTERFERENCE LAYER例文帳に追加
量子波干渉層を有した半導体発光素子 - 特許庁
FORMATION OF GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL LAYER AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加
窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法及び発光素子 - 特許庁
PIEZOELECTRIC CERAMIC, LAYER-BUILT PIEZOELECTRIC ELEMENT AND JETTING APPARATUS例文帳に追加
圧電磁器及び積層型圧電素子並びに噴射装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR-ELEMENT STRUCTURE HAVING LONGITUDINAL-TYPE DIELECTRIC LAYER例文帳に追加
縦型の誘電体層を有する半導体素子構造 - 特許庁
SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING QUANTUM WAVE INTERFERENCE LAYER例文帳に追加
量子波干渉層を有する半導体発光素子 - 特許庁
LAMINATION LAYER TYPE PIEZOELECTRIC ELEMENT AND JETTING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
積層型圧電素子およびそれを用いた噴射装置 - 特許庁
SPIN TRANSITION MAGNETIC ELEMENT HAVING LOW SATURATION MAGNETIZATION FREE LAYER例文帳に追加
低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子 - 特許庁
FREE LAYER AND METHOD OF FORMING THE SAME, AND MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加
フリー層およびその形成方法、磁気抵抗効果素子 - 特許庁
The 1st sealing part A is constituted of an element side 1st protective layer 37 and an element side 2nd protective layer 39.例文帳に追加
第1シール部Aは、素子側第1保護層37および素子側第2保護層39から構成される。 - 特許庁
An insulating layer which covers an oxide semiconductor layer of the thin film transistor contains a boron element or an aluminum element.例文帳に追加
薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミニウム元素を含ませる。 - 特許庁
To reduce the width of an element isolation layer but ensure the depth of the element isolation layer in microfabricating a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置の微細化に際して、素子分離層の幅を縮小しながらも、その深さを確保する。 - 特許庁
SILVER-PLATED LAYER DISSOLUTION SOLUTION, SILVER-PLATED LAYER DISSOLUTION METHOD, AND QUANTITATIVE METHOD OF SILVER-PLATED LAYER-CONTAINED ELEMENT例文帳に追加
銀メッキ層溶解液及び銀メッキ層溶解方法、並びに銀メッキ層含有元素の定量方法 - 特許庁
In this organic LED element, the light emitting layer 6 comprises the positive hole transporting light emitting layer 6a and the electron transporting light emitting layer 6b.例文帳に追加
発光層6は、正孔輸送性発光層6aと電子輸送性発光層6bとからなる。 - 特許庁
The light emitting element 20 comprises an n-type GaN layer 21, an MQW layer 22, and a p-type GaN layer 23.例文帳に追加
発光素子20は、n型GaN層21、MQW層22、p型GaN層23からなる。 - 特許庁
The method for manufacturing the magnetoresistance effect element comprises the step of depositing a first ferromagnetic layer (fixed layer) 103 on an anti ferromagnetic layer 102.例文帳に追加
反強磁性体層102の上に、第1の強磁性体層(固定層)103を堆積する。 - 特許庁
A reproducing head has a lower shielding layer 3, an MR element 5 and an upper shielding layer (lower magnetic pole layer) 8.例文帳に追加
再生ヘッドは下部シールド層3とMR素子5と上部シールド層(下部磁極層)8を有している。 - 特許庁
In addition, this device is provided with a light storage layer 7, a scintillator layer 8, a radiation source layer 9, and an electrothermal effect element 10.例文帳に追加
これに、蓄光層7、シンチレーター層8、放射線源層9、熱電効果素子10を加える。 - 特許庁
To secure electrical conductivity of the electrode layer of a multilayered piezoelectric element, and in addition, to prevent cracking of the electrode layer when the layer is baked.例文帳に追加
多層圧電素子の電極層の電気的導通性を確保し、且つ焼成クラックを防止する。 - 特許庁
CURABLE RESIN COMPOSITION FOR PLANARIZATION LAYER, PLANARIZATION LAYER, METHOD FOR PRODUCING PLANARIZATION LAYER AND SOLID-STATE IMAGING ELEMENT例文帳に追加
平坦化層用硬化性樹脂組成物、平坦化層、平坦化層の製造方法及び固体撮像素子 - 特許庁
The light emitting element is made by sequentially laminating a first clad layer, an active layer and a second clad layer in this order.例文帳に追加
第1クラッド層、活性層、及び第2クラッド層がこの順に積層されてなる発光素子である。 - 特許庁
The photodiode element (20) also includes an intrinsic semiconductor layer between the first layer and the second layer.例文帳に追加
フォトダイオード素子(20)はまた、第一の層と第二の層との間に真性半導体層を含んでいる。 - 特許庁
The rectifier element is a diode including an anode layer, a cathode layer and an insulation layer between them.例文帳に追加
整流素子は、陽極層、陰極層及びこれらの間の絶縁層から構成されるダイオードである。 - 特許庁
The element 10 is produced by laminating successively on the substrate 1 the reflecting layer 2, the cavity spacer layer 3, the active layer 4, the cavity spacer layer 5, the reflecting layer 6, the selectively oxidized layer 7, and the contact layer 8.例文帳に追加
反射層2、共振器スペーサー層3と、活性層4、共振器スペーサー層5、反射層6、選択酸化層7およびコンタクト層8は、順次、基板1上に積層される。 - 特許庁
A TMR element is constituted of a anti-ferromagnetic layer 41, a first ferromagnetic layer (fixed layer) 42, an insulation layer 43, a second ferromagnetic layer (free layer) 44 and a flux guide layer 6.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子は、反強磁性層41、第1強磁性層(固定層)42、絶縁層43、第2強磁性層(自由層)44およびフラックスガイド層6とから構成されている。 - 特許庁
The element forming layer 11 includes an organic EL element 12 formed by laminating a hole injection layer 15, a hole transport layer 16, a luminescent layer 17, an electron transporting layer 18, and a cathode electrode layer 19 on an anode electrode layer 14 in this order.例文帳に追加
素子形成層11は、アノード電極層14上に、ホール注入層15、ホール輸送層16、発光層17、電子輸送層18、およびカソード電極層19がこの順に積層してなる有機EL素子12を含む。 - 特許庁
In this device, the element forming surface of the bulk element region having the element formed in the growth layer is substantially equal in height to the element forming surface of the SOI element region having the element formed in the silicon layer on the embedding insulating film.例文帳に追加
バルク成長層に素子が形成されるバルク素子領域の素子形成面と、埋め込み絶縁膜上のシリコン層に素子が形成されるSOI素子領域の素子形成面の高さはほぼ等しい。 - 特許庁
SEALING LAYER OF LIGHT-EMITTING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加
発光素子の封止層、発光素子の封止層の製造方法及び発光素子 - 特許庁
The reference magnetic element is separated from the free magnetic element, by means of a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加
非磁性スペーサ層により基準磁気要素が自由磁気要素から隔てられる。 - 特許庁
LAYER INSULATION FILM FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND LIQUID DISPLAY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
液晶表示素子用層間絶縁膜およびそれを用いた液晶表示素子 - 特許庁
METHOD OF FORMING BARRIER LAYER OF ORGANIC EL ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC EL ELEMENT例文帳に追加
有機EL素子のバリア層の形成方法および有機EL素子の製造方法 - 特許庁
The photoelectric converter includes: an element layer comprising a plurality of layers 20, 244, 291-294; a photoelectric conversion element provided in the element layer; a read circuit for reading signals from the photoelectric conversion element provided in the element layer; and an external connection element 211 for connecting the read circuit to the outside while being provided on a surface layer 294 of the element layer.例文帳に追加
本発明の光電変換装置は、複数の層20、244、291〜294からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、素子層内に設けられて光電変換素子から信号を読出す読出回路と、素子層の表層294に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子211と、を備える。 - 特許庁
The MR element 50 has a free layer 51, a non-magnetic conductive layer 52, a pinned layer 53, an anti-ferromagnetic layer 54 and a protective layer 55 which are stacked one by one on the coupling layer 23.例文帳に追加
MR素子50は、結合層23の上に順に積層されたフリー層51、非磁性導電層52、ピンド層53、反強磁性層54、保護層55を有している。 - 特許庁
The semiconductor device 1 includes a semiconductor element layer 2, an interconnection layer 3, a polyimide layer 4, a first barrier layer 5, a copper interconnection 6, a second barrier layer 7, and an adhesive layer 8.例文帳に追加
半導体装置1は、半導体素子層2と、配線層3と、ポリイミド層4と、第1バリア層5と、銅配線6と、第2バリア層7と、接着層8とを備えている。 - 特許庁
The organic light-emitting element has a layer constitution composed of a first electrode layer, an organic layer, a second electrode layer, a transparent insulating layer, and a light reflecting and transmitting layer sequentially from a substrate side.例文帳に追加
有機発光素子において、基板の側から順に第1電極層、有機層、第2電極層、透明絶縁層、光反射透過層から成る層構成を持つ。 - 特許庁
After forming SiO_2 film 3, a semiconductor element layer 4, and an organic EL element layer 5 one by one on this exfoliation layer 2, a glass board 6 is fixed with adhesives on the organic EL element layer 5.例文帳に追加
この剥離層2の上に、SiO_2 膜3、半導体素子層4、および有機EL素子層5を順次形成した後、有機EL素子層5上に接着剤によりガラス板6を固定する。 - 特許庁
The reproducing head is provided with an MR element 5, a lower shield layer 3 and an upper shield layer (lower magnetic pole layer) 9 which shield the MR element 5, and an electrode layer 7 connected to the MR element 5.例文帳に追加
再生ヘッドは、MR素子5と、MR素子5をシールドするための下部シールド層3および上部シールド層(下部磁極層)9と、MR素子5に接続された電極層7とを有している。 - 特許庁
On the ferromagnetic layer 14 which will become the memory layer of the MTJ element 1, a closed magnetic path layer 15 is so formed that a central part may be separated from the ferromagnetic layer 14.例文帳に追加
MTJ素子1のメモリ層となる強磁性層14の上に、中央部を離間して閉磁路層15を設ける。 - 特許庁
A MR element 11 is sandwiched through a non-magnetism layer 12 by a lower layer magnetic shield layer 13 and a upper magnetic shield layer 14.例文帳に追加
MR素子11を、非磁性層12を介して下層磁気シールド層13と上層磁気シールド層14とにより挟持する。 - 特許庁
As another option, the magnetic element includes a second pinned layer, a second spacer layer, and a second free layer magnetostatically coupled to the free layer.例文帳に追加
他の選択肢として、第2固定層と第2スペーサ層と自由層に静磁気的に結合された第2自由層とが含まれる。 - 特許庁
A magnetic element 100 includes a fixed layer 110, a nonmagnetic spacer layer 120, and a free layer 130 having free layer magnetization.例文帳に追加
磁気素子100は、固定層110と、非磁性であるスペーサ層120と、自由層磁化を有する自由層130とを備える。 - 特許庁
The n-type semiconductor layer 12, the active layer and the p-type semiconductor layer 13 form a semiconductor layer for the protection element.例文帳に追加
n型半導体層12、活性層及びp型半導体層13により保護素子用の半導体層が形成される。 - 特許庁
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