「memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENTS INCLUDING STACKED NAND-TYPE RESISTIVE MEMORY CELL STRINGS, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

積層されたＮＡＮＤ型抵抗性メモリセルストリングを含む不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The method for evaluating the semiconductor memory is a method for evaluating a floating gate type semiconductor memory.例文帳に追加

半導体記憶装置の評価方法は、浮遊ゲート型の半導体記憶装置の評価方法である。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes multi-level type memory cell transistors ML0, ML1, MR0, MR1 for storing the information of a plurality of bits.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数ビットの情報を記憶する多値式メモリセルトランジスタＭＬ０，ＭＬ１，ＭＲ０，ＭＲ１を有する。 - 特許庁

This data driving type information processor includes at least a pair data forming part, a memory control part, and a data memory.例文帳に追加

データ駆動型情報処理装置は、少なくとも対データ生成部とメモリ制御部とデータメモリとを含む。 - 特許庁

To dub music data between a USB memory and a card type memory by a simple operation.例文帳に追加

ＵＳＢメモリーとカード型メモリーとの間の音楽データのダビングを簡単な操作で行えるようにする。 - 特許庁

To provide a manual type connector for memory card capable of automatically pushing back a memory card which has been inserted.例文帳に追加

手動型であって、挿入されたメモリーカードを自動的にプッシュバック可能なメモリーカード用コネクタの提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory cell equipped with an FET (field effect transistor) type memory element small in the cell size thereof.例文帳に追加

セルサイズの小さなＦＥＴ型のメモリ素子を備えた半導体メモリセルを提供することにある。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory capable of suppressing deterioration in element characteristics of a memory cell accompanying microfabrication.例文帳に追加

微細化に伴うメモリセルの素子特性の劣化を抑制できるＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

Deciding memory cells JMC0-JMCn are provided, in addition to 1T/1C-type memory cells MC0-MCn.例文帳に追加

１Ｔ／１Ｃ型メモリセルＭＣ０〜ＭＣｎに加えて、判定用メモリセルＪＭＣ０〜ＪＭＣｎが設けられる。 - 特許庁

To efficiently increase a rewritable frequency even in a memory having an uncertain initial value such as a complementary type memory.例文帳に追加

相補型等の初期値不定のメモリにおいても、効率的に書き換え可能回数を増加させる。 - 特許庁

The USB memory device 100 includes a NAND type flash memory 130 for storing data for users, and an OTP memory 140.例文帳に追加

ＵＳＢメモリデバイス１００は、ユーザ用データを格納するためのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３０と、ＯＴＰメモリ１４０とを備える。 - 特許庁

To enable parallel write for a plurality of memory cells one memory cell row of a VG type memory cell array and to shorten a whole programming time.例文帳に追加

ＶＧ型メモリセルアレイの１つのメモリセル行内の複数のメモリセルへの並列書き込みを可能とし、かつ総プログラム時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a device for performing stable track servo control and a recording type for a memory medium relating to the memory device and memory medium.例文帳に追加

記憶装置及び記憶媒体に関し、安定したトラックサーボ制御を行う装置と記憶媒体上の記録形式を提供する。 - 特許庁

The three-dimensional cross-point type variable resistance memory array has a current detector 32, connected with a bit line to read memory bits of a memory cell 30 and is configured as a multi-layer memory array.例文帳に追加

３次元クロスポイント型可変抵抗メモリアレイは、メモリセル３０の記憶ビットを読み出すビット線と接続する電流検知器３２を備え、多層メモリアレイとして構成される。 - 特許庁

A self-constitution type memory is provided in a chip, the self- constitution type memory or other memory and a logic circuit in the chip in which a test circuit is constituted in a normal memory are tested by a tester HDL, the memory used for constitution of the test circuit can be operated as a normal memory.例文帳に追加

自己構成型のメモリをチップ内に設けて、テスタＨＤＬによりその自己構成型のメモリまたは通常のメモリにテスト回路を構成してチップ内の他のメモリやロジック回路をテストし、テスト回路の構成に用いたメモリを通常のメモリとして動作できるように再構成するようにした。 - 特許庁

To provide a transistor-type ferroelectric memory having a novel structure.例文帳に追加

新規な構造を有するトランジスタ型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

EXCLUSIVE-OR TYPE FUNCTIONAL MEMORY AND ITS READ METHOD例文帳に追加

Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ−ＯＲ型機能メモリ及びその読出し方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DRIVING MEMORY TYPE CHOLESTERIC LIQUID CRYSTAL DEVICE例文帳に追加

メモリ性コレステリック液晶表示装置の駆動方法および駆動装置 - 特許庁

At power-on, this control device uses an nonvolatile memory reading means 2 for reading the type specifying code 10 from the nonvolatile memory 1 and uses a type specifying code determining means 3 for determining the type of the nonvolatile memory.例文帳に追加

電源投入時、不揮発性メモリー１より不揮発性メモリー読み込み手段２により機種特定コード１０を読み込み機種特定コード判定手段３により不揮発性メモリーの種類を判定する。 - 特許庁

To provide a highly integrated semiconductor memory of a gain cell type.例文帳に追加

高度に集積化したゲインセル方式の半導体メモリを提供する。 - 特許庁

MATRIX PROCESSOR IN SMP NODE DISTRIBUTED MEMORY TYPE PARALLEL COMPUTER例文帳に追加

ＳＭＰノード分散メモリ型並列計算機における行列処理装置 - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY DISK DRIVE AND METHOD FOR LOGICAL ADDRESS DETECTION例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリディスク装置及び論理アドレス検出の方法 - 特許庁

This pattern is detected by the CCD type detector, and memorized in a memory.例文帳に追加

このパターンをＣＣＤ形検出器で検出しメモリに記憶する。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH CONSTANT CURRENT TYPE POWER SUPPLY CIRCUIT例文帳に追加

定電流型電源回路を有する不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁

NAND-TYPE FLASH MEMORY DEVICE HAVING SHARED SELECTION LINE STRUCTURE例文帳に追加

共有された選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device of a 1T1C type using no reference cell.例文帳に追加

参照セルを用いない１Ｔ１Ｃタイプの強誘電体メモリ装置。 - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY APPARATUS HAVING SHARED SELECTION LINE STRUCTURE例文帳に追加

共有された選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。 - 特許庁

MIS type semiconductor device and the semiconductor random access memory device application 例文帳に追加

MIS型半導体装置およびこれを用いた半導体ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

PUSH-ON/PUSH-OFF MECHANISM AND PUSH TYPE MEMORY CARD CONNECTOR USING THIS MECHANISM例文帳に追加

プッシュオン・プッシュオフ機構及び該機構を用いたプッシュ式メモリーカードコネクタ - 特許庁

To provide a fin-type memory cell suitable for mixed mounting of a fin and a FET.例文帳に追加

Ｆｉｎ−ＦＥＴとの混載に適したＦｉｎ型メモリセルを提案する。 - 特許庁

Consequently system boot can be performed without using the NOR type flash memory.例文帳に追加

これにより、ＮＯＲ型フラッシュメモリを使用せずに、システムブートを行える。 - 特許庁

BOOSTER CIRCUIT, AND MEMORY TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING SAME例文帳に追加

昇圧回路及び昇圧回路を用いたメモリ性液晶表示装置 - 特許庁

PUSH-ON/PUSH-OFF MECHANISM, AND PUSH TYPE MEMORY CARD CONNECTOR USING IT例文帳に追加

プッシュオン・プッシュオフ機構及びこれを使用したプッシュ式メモリーカードコネクタ - 特許庁

The card type memory 3 can freely be attached to/detached from the loading port 23.例文帳に追加

カード型メモリ３は装着口２３に着脱自在となっている。 - 特許庁

The system can be booted without using the NOR type flash memory.例文帳に追加

これにより、ＮＯＲ型フラッシュメモリを使用せずに、システムブートを行える。 - 特許庁

BATCH SEALING RESIN CUTTING TYPE MEMORY CARD PACKAGE METHOD AND PRODUCT THEREOF例文帳に追加

一括式封止樹脂切断のメモリカードパッケージ方法及びその製品 - 特許庁

FERROELECTRIC TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY AND DRIVING METHOD THEREFOR例文帳に追加

強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイ及びその駆動方法 - 特許庁

SYNCHRONOUS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CONTROL METHOD OF ITS INPUT CIRCUIT例文帳に追加

同期型半導体記憶装置及びその入力回路の制御方法 - 特許庁

THERMOCHROMIC COLOR-MEMORY TYPE NEAR-INFRARED ABSORPTION MICROCAPSULE PIGMENT例文帳に追加

感温変色性色彩記憶性近赤外吸収マイクロカプセル顔料 - 特許庁

2T-1C TYPE FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

２Ｔ−１Ｃ型強誘電体ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁

NAND-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＮＡＮＤ型不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MONOS type nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

MONOS型の不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DRIVING MEMORY TYPE CHOLESTERIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

メモリ性コレステリック液晶表示装置の駆動方法および駆動装置 - 特許庁

To provide an FET-type ferroelectric memory cell to and from which a plurality of bid data can be written and read, and an FET-type ferroelectric memory.例文帳に追加

複数ビットデータの書き込みと読み出しとが可能なＦＥＴ型強誘電体メモリセルおよびＦＥＴ型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

This Moore type state machine 20 uses a clock synchronous memory 30, and data expressing a state S of the Moore type state machine 20 are stored in each address of the memory 30.例文帳に追加

クロック同期型メモリ３０を用い、このメモリ３０の各アドレスにムーア型ステートマシン２０の状態Sを表すデータを格納しておく。 - 特許庁