「memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, since it is not necessary upon image drawing to read the corresponding image data from a character ROM 187 which consists of a NAND type flash memory 187a with the slow read speed, the time required for read-out can be eliminated, the drawing of the image is immediately performed, and the drawn image can be displayed on an auxiliary display part 65.例文帳に追加

よって、画像描画時に読み出し速度の遅いＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａで構成されたキャラクタＲＯＭ１８７から対応する画像データを読み出す必要がないため、その読み出しにかかる時間を省略でき、画像の描画を即座に行って補助表示部６５に描画した画像を表示することができる。 - 特許庁

To effectively avoid a decrease in quality of a display image resulting from a subpixel having small areas in a multibit memory type display device by applying the present invention to a liquid crystal display device that, for example, has each pixel formed of a plurality of subpixels and represents gradations by driving the plurality of subpixels.例文帳に追加

本発明は、表示装置に関し、例えば１つの画素を複数のサブ画素により構成し、これら複数のサブ画素の駆動により階調を表現する方式の液晶表示装置に適用して、多ビットメモリ方式による表示装置において、面積の小さなサブ画素に起因する表示画像の品位の低下を有効に回避する。 - 特許庁

A computation node of this decentralized memory type parallel computer has a request reception part 131 (231), a data reception part 132 (232), a confliction arbitration part 133 (233), an address conversion part 134 (234), a request/data sending-out part 135 (235), an EOT decision part 136 (236), and a selector 137 (237).例文帳に追加

本発明の実施形態である分散メモリ型並列計算機における計算ノードは、リクエスト受付部１３１（２３１）と、データ受付部１３２（２３２）と、競合調停部１３３（２３３）と、アドレス変換部１３４（２３４）と、リクエスト／データ送出部１３５（２３５）と、ＥＯＴ判定部１３６（２３６）と、セレクタ１３７（２３７）と、を有して構成される。 - 特許庁

To apply the invention to a liquid crystal display device which, for example, has each pixel composed of multiple subpixels and represent gradations by driving multiple subpixels and to realize higher gradations and higher resolution of a multi-bit memory type display device by simplifying the layout of pixel circuits and electrodes constituting subpixels and easily realizing multi-bit constitution.例文帳に追加

本発明は、表示装置に関し、例えば１つの画素を複数のサブ画素により構成し、これら複数のサブ画素の駆動により階調を表現する方式の液晶表示装置に適用して、多ビットメモリ方式による表示装置において、サブ画素を構成する画素回路、電極のレイアウトを簡略化し、容易に多ビット化して高階調化、高解像度化することができるようにする。 - 特許庁

As minute potential difference can be detected by using a sense amplifier 101 of a differential type for read-out and inputting potentials of a Data line and a DataX line to its input IN+ and IN-, data of a pair of non-volatile memory elements having small difference of threshold values of a depression state in which write-in is shallow and an enhancement state can be read out.例文帳に追加

読み出しには差動型のセンスアンプ１０１を使用しその入力ＩＮ＋とＩＮ−にそれぞれＤａｔａ線とＤａｔａＸ線の電位を入力することで、わずかな電位差も検出することができるので、書き込みの浅いすなわちデプレッション状態とエンハンスメント状態のしきい値の差が小さな不揮発性メモリ素子対のデータも読み出し可能となる。 - 特許庁

The method for programming the NAND-type flash memory device comprises a first process for applying first voltage to one or more unselected wordlines, a second process for applying a predetermined bitline voltage to an unselected bitline, and a third process for applying a second voltage to the un-selected wordlines and applying a third voltage to a selected wordline out of the wordlines.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ装置で、プログラミング法は、ワードラインのうち一つ以上の非選択のワードラインに第１電圧を印加する第１過程と、ビットラインのうち非選択のビットラインに所定のビットライン電圧を印加する第２過程と、前記非選択のワードラインには第２電圧、前記ワードラインのうち選択されたワードラインには第３電圧を印加する第３過程とを備える。 - 特許庁

In an NAND type flash memory 1, all contacts formed in a single interlayer dielectric, i.e. bit-line contacts CB and non-bit-line contacts CN are arranged at some of a plurality of lattice points LP of tub-dimension lattice L arrayed at a period P1 in a direction V1 and at a period P2 in a direction V2 crossing the direction V2.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１において、単一の層間絶縁膜中に形成された全てのコンタクト、すなわち、ビット線コンタクトＣＢ及び非ビット線コンタクトＣＮを、方向Ｖ１に沿って周期Ｐ１で配列されると共に方向Ｖ２に対して交差する方向Ｖ２に沿って周期Ｐ２で配列された２次元格子Ｌの複数の格子点ＬＰの一部に配置する。 - 特許庁

Further, a plurality of flash memory cells MCn are provided which each include, at a surface part of the p-type well 12, a gate electrode having a floating gate FG which includes neither a source region nor a drain region, and is provided across a tunnel oxide film 21, and a control gate CG which is provided on the floating gate FG across an insulating film 22 to serve as a word line WL.例文帳に追加

また、そのｐ型ウェル１２の表面部に、ソース領域およびドレイン領域を有さず、トンネル酸化膜２１を介して設けられた浮遊ゲートＦＧと、この浮遊ゲートＦＧ上に絶縁膜２２を介して設けられたワード線ＷＬとなる制御ゲートＣＧとを有するゲート電極を備える、複数のフラッシュメモリセルＭＣｎを設けてなる構成とされている。 - 特許庁

Before allocating a new instance of a needed data structure from free memory, a web services application first determines whether the shared pool already contains a currently unused but allocated instance of a data structure of the needed type, and, if the shared pool does, then the web service application uses that instance, overwriting existing data in the instance as needed.例文帳に追加

必要なデータ構造の新たなインスタンスをフリー・メモリから割り当てる前に、ウェブ・サービス・アプリケーションはまず、必要なタイプのデータ構造の現在使用されていないが割り当てられているインスタンスを共有プールが既に含んでいるか否かを判定し、共有プールが含んでいる場合、ウェブ・サービス・アプリケーションは、インスタンスにおける既存のデータを必要に応じて上書きして、前述のインスタンスを使用する。 - 特許庁

A portable telephone set is provided with: an NAND type EEPROM 201; a memory controller 301 for reading data from an EEPROM 201; an ECC circuit 302 for performing error correction processing to the read data; and a rewrite processing part 100a for rewriting all data in a physical block 201a to which the error correction has been performed by the ECC circuit 302 to normal data.例文帳に追加

携帯電話機は、ＮＡＮＤ型のＥＥＰＲＯＭ２０１と、ＥＥＰＲＯＭ２０１からデータの読み出すメモリコントローラ３０１と、読み出したデータに対してエラー訂正処理を行うＥＣＣ回路３０２と、ＥＣＣ回路３０２によりエラー訂正がなされた物理ブロック２０１ａ内の全データを正常なデータに書き換える書換え処理部１００ａとを備えている。 - 特許庁

To provide medicines for the treatment and management of disorders/conditions such as obesity, low BMR (Basal Metabolic Rate), hyperglycaemia, hypertension, hypercholesterolemia, type 2 diabetes mellitus, migraine, osteo-arthritis, joint degeneration/inflammation, clinical depression, menopausal syndrome, aging syndrome, circulation syndrome, capillary degeneration, reduced cognitive and memory functions, hearing loss and sexual dysfunction, and methods therefor.例文帳に追加

肥満、低ＢＭＲ、高血糖、高血圧、高コレステロール血症、２型糖尿病、片頭痛、変形性関節炎および関節の変性／炎症、臨床的うつ病、更年期障害、老化症候群、循環症候群、毛細血管の変性、認識および記憶の機能の低下、難聴、性機能障害、などの障害／状態の治療及び管理のための医薬及びその方法の提供。 - 特許庁

The recording medium cartridge is provided with the non- contacting type memory device and houses a recording medium in a cartridge case constituted of an upper case and a lower case and records the content of information recorded on the recording medium and information on the recording medium cartridge, in the recessed part of the outside surface of the cartridge case.例文帳に追加

上ケース及び下ケースにより構成されたカートリッジケース内に、記録媒体が収容された記録媒体カートリッジであって、前記記録媒体に記録された情報の内容や該記録媒体カートリッジの情報を記録する非接触式メモリ素子を、前記カートリッジケースの外表面の凹部に設けたことを特徴とする記録媒体カートリッジを提供することにより前記課題を解決する。 - 特許庁

This IC card issuing system 300 has a card supplying device 20, a card carrying device 170 which carries a non-contact type IC card 10 discharged from the device 20, a data writer 40 which writes data in a semiconductor memory in the card 10 and a card stacker 60 which stores the card 10 discharged from the device 170.例文帳に追加

ＩＣカード発行システム３００は、カード供給装置２０と、カード供給装置２０から排出された非接触式ＩＣカード１０を搬送するカード搬送装置１７０と、非接触式ＩＣカード１０内の半導体メモリにデータを書き込むデータ書込装置４０と、カード搬送装置１７０から排出された非接触式ＩＣカード１０を格納するカードスタッカ６０とを有する。 - 特許庁

This portable information collecting terminal device 10 generates new load identification information when box identification information and box attribute identification information received from electronic tags by radio, room identification information designated by workers, load type identification information, and the file names of load image data are inputted and stores them in a memory card MC in the form of load information.例文帳に追加

携帯型情報収集端末装置１０は、電子タグから無線にて受信した箱識別情報及び箱属性識別情報と、作業員が指定した部屋識別情報，荷物種類識別情報，及び、荷物画像データのファイル名とが、入力されると、新たな荷物識別情報を生成して、これらを荷物情報として、メモリーカードＭＣに蓄積する。 - 特許庁

The non-contact type ID identification system 500 is arranged in a battery pack 2 for a portable telephone set 1, the system 500 is connected to a battery cell 16 in the battery pack 2 and power is directly supplied from the battery cell 16 to the system 500, a memory and a CPU, so that the information processing quantity of the system 500 can be increased.例文帳に追加

携帯電話機１の電池パック２内に非接触型ＩＤ識別システム５００を配置し、電池パック２内の電池セル１６と非接触型ＩＤ識別システム５００とを接続し、非接触型ＩＤ識別システム５００のメモリやＣＰＵに対する電力供給を電池セル１６から直接行い、これにより非接触型ＩＤ識別システム５００の情報処理量を増加させる。 - 特許庁

To easily extend a storage area for reading the condition information, and to easily move the storage content to other display device in a program type display device 11 connected to an external device 10 to read the condition information of the external device 10 onto the predetermined memory and to enable a display corresponding to the read condition information on a display means 13.例文帳に追加

外部装置１０と接続され、その外部装置１０内の状態情報を所定のメモリ上に読み込み、その読み込まれた状態情報に対応した表示を表示手段１３上で可能とするプログラム式表示装置１１にあって、状態情報を読み込む記憶領域の拡張が容易に行えるとともに、記憶内容を他の表示装置に対して容易に移動可能とする。 - 特許庁

In this optical disk with a recording region coexisting with ROM(read-only memory), the data necessary for using application programs, for example, divided or compressed type application program data, an installation program, an uninstaller, serial number data restricting a serial number of the application program, installation control data restricting installable frequencies, etc., are formed, at least, as ROM.例文帳に追加

記録領域とＲＯＭとが共存する光ディスクにおいて、アプリケーションプログラムを使用するのに必要なデータ、例えば、分割又は圧縮された形式のアプリケーションプログラム用データ、インストールプログラム、アンインストールプログラム、アプリケーションプログラムのシリアル番号を規定するシリアル番号データ、インストール可能回数を規定するインストール管理データ等を少なくともＲＯＭとして形成する。 - 特許庁

Before starting processing of data (processing of converting print data to pit-map type image data or the like), printers 5, 6 discriminate the data, and in accordance with the discrimination result, download a PDL program (processing-related module) usable for the processing of the data from any of external devices including host devices 1 to 4 on a network 7 and write the downloaded PDL program into an inner memory.例文帳に追加

印刷装置５，６はそれぞれ、データの処理（印刷データをビットマップ状の画像データ等に変換する処理）を開始するのに先立ち、そのデータを判別し、その判別結果に応じてデータの処理に利用可能なＰＤＬプログラム（処理関連モジュール）をネットワーク７上のホスト装置１〜４を含む外部機器のいずれかからダウンロードし、そのダウンロードしたＰＤＬプログラムを内部のメモリに書き込む。 - 特許庁

The human error diagnostic system diagnoses the possibility of the generation of the human error of a type that an action or judgement to be performed is omitted when attention to the action or the judgement to be performed is attenuated by a VNN error simulation problem constituted of a long-term perspective memory problem (S60-S66) requesting reaction by pressing a key A40-1 whenever seven minutes pass.例文帳に追加

本発明の実施の形態に係るヒューマンエラー診断システムは、７分経過する毎にキーＡ４０−１を押して反応することを要求する長時間の展望的記憶課題（Ｓ６０〜Ｓ６６）から構成されるＶＮＮエラー模擬課題により、やるべき行為や判断への注意が減衰したときに、やるべき行為や判断が省略されるタイプのヒューマンエラーの発生可能性を診断する。 - 特許庁

An image forming apparatus body is equipped with a relay means for connecting the control board and a memory board together; the relay means for the respective models of the image forming apparatus are different from one another; and the relay means includes a circuit for making the control board recognize which type is the image forming apparatus equipped with the relay means, by having the relay means connected with the control board.例文帳に追加

画像形成装置本体に、制御基板とメモリ基板とを接続するための中継手段が設けられており、中継手段は画像形成装置の機種毎に異なっており、中継手段は、中継手段が制御基板と接続されることによって、中継手段が搭載された画像形成装置の機種を制御基板に認識させるための回路を含んでいる。 - 特許庁

Each of the memory cells 50 in the nonvolatile semiconductor storage device comprises an n-type source region 16a and a drain region 16c that are formed on the main surface of a semiconductor substrate 1; and stack gate electrodes 37a, 37b mutually independently formed on the main surface of the semiconductor substrate 1 sandwiched between the source and drain regions 16a, 16c.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置におけるメモリセル５０の各々は、半導体基板１の主表面に形成されたｎ型のソース領域１６ａおよびドレイン領域１６ｃと、ソース領域１６ａとドレイン領域１６ｃとに挟まれる半導体基板１の主表面上に、互いに独立して形成されたスタックゲート電極３７ａ、３７ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide an information recording apparatus that is capable of surely matching disposal information recorded on a nameplate with parts, in the case of recording the disposal information for disposing a material which requires the special waste treatment into the nameplate in which the non-contact type memory medium is built-in without affecting earth environment, and to provide an information recording method.例文帳に追加

本発明は、非接触型記憶媒体が内蔵されている銘板に地球環境に影響を及ぼさないように特別な廃棄処理を必要とする物質を処分するための処分情報を記録させる場合に、銘板に記憶させた処分情報と部品とを確実に整合させることができる情報記録装置および情報記録方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The redundant system includes: a bus line 20 in common for different information transmission systems; drivers 12, 32; and memories 11, 31, and divides the memory area into a plurality of storage areas corresponding to kinds of the information transmission system, transmission type information denoting a kind of the information transmission system is included in address information of communicated data, and the data are communicated between apparatuses.例文帳に追加

本発明の冗長システムは、異なる情報伝達方式に共通のバスライン２０、ドライバ１２，３２、メモリ１１，３１を備え、さらに、メモリ領域を情報伝達方式の種類に対応して複数の記憶領域に分割し、通信するデータの有するアドレス情報に情報伝達方式の種類を示す伝達種類情報を含んで、各装置間でデータを通信する。 - 特許庁

In reading, specified voltages are applied to word lines and source lines to set the voltage of the bit line BL according to the threshold voltage of a selected memory cell, the level change of a node ND0 is detected with a stepwise varying level type read signal VBLA3H applied to the gate of a high-withstand voltage transistor N1, thereby judging the voltage of the bit line BL.例文帳に追加

読み出しのとき、ワード線およびソース線にそれぞれ所定の電圧を印加することにより、選択メモリセルのしきい値電圧に応じてビット線ＢＬの電圧が設定され、高耐圧トランジスタＮ１のゲートに階段状にレベルが変化する読み出し信号ＶＢＬＡ３Ｈを印加しながら、ノードＮＤ０のレベル変化を検出することにより、ビット線ＢＬの電圧を判定する。 - 特許庁

In the energy compensating scintillation type photon dosimeter 1, an output property of a scintillation detector 10 is compensated by an incidence window, and weighting factor data, corresponding to energies of energy data, are read from a weighting factor memory 15 and added to an integration value integrated from a measurement start by using an arithmetic processing section 16, in order to output them as dose data, thereby making the energy response flat.例文帳に追加

シンチレーション検出器１０の出力特性を入射窓で補正し、さらに演算処理部１６がエネルギーデータのエネルギーに対応する荷重係数データを荷重係数メモリ１５から読み出し、これを測定開始からの積算値に加算して線量データとして出力することでエネルギーレスポンスを平坦化したエネルギー補償型シンチレーション式光子線量計１とした。 - 特許庁

The contents reproducing circuit 1550 includes a KPpc holding unit 1507 for holding an individual public encryption key KPpc2 of unique type for itself, a Kpc holding unit 1512 for holding an individual private decryption key Kpc2 by which data encrypted by the individual public encryption key KPpc2 is decrypted, and a session key generating unit 1508 for generating a session key Ks3 which specifies communication with a memory card 110.例文帳に追加

コンテンツ再生回路１５５０は、自己に独自の個別公開暗号鍵ＫＰｐｃ２を保持するＫＰｐｃ保持部１５０７と、個別公開暗号鍵ＫＰｐｃ２によって暗号化されたデータを復号する個別秘密復号鍵Ｋｐｃ２を保持するＫｐｃ保持部１５１２と、メモリカード１１０との通信を特定するセッションキーＫｓ３を発生するセッションキー発生部１５０８とを含む。 - 特許庁

The surrounding of an incoming call notice section 205 consists of a caller number detector 201 that detects a caller number, an incoming call notice section 205 that blinks an LED and rings a melody from an incoming call tone speaker 22 according to the type of incoming call/ringer tone volume, a non-reply incoming call timer 203 and a memory 25 by using a CPU 23 for a core.例文帳に追加

着信通知部２０５の周辺はＣＰＵ２３を中核にして、発信者の番号を検出する発信者番号検出装置２０１と、着信種別／着信音量にしたがってＬＥＤの点滅や着信音スピーカ２２からのメロディの鳴動などを行う着信通知部２０５と、未応答着信の有効時間を測定する未応答着信タイマ２０３と、メモリ２５とで構成される。 - 特許庁

The transistor-type ferroelectric memory includes a IV semiconductor layer 10, an oxide semiconductor layer 20 formed on the IV semiconductor layer 10, a ferroelectric layer 30 formed on the oxide semiconductor layer 20, a gate electrode 40 formed on the ferroelectric layer 30, and a source region 12 and a drain region 14 which are formed on the IV semiconductor layer 10.例文帳に追加

本発明にかかるトランジスタ型強誘電体メモリは、IV族半導体層１０と、前記IV族半導体層１０の上方に形成された酸化物半導体層２０と、前記酸化物半導体層２０の上方に形成された強誘電体層３０と、前記強誘電体層３０の上方に形成されたゲート電極４０と、前記IV族半導体層１０に形成されたソース領域１２およびドレイン領域１４と、 を含む。 - 特許庁

The head separate type camera device and video signal processing method are characterized by the serial conversion of a video signal acquired by an image sensor, the parallel conversion of a vide signal inputted after the serial conversion, and the adjustment of the timing of writing to a circuit for standardization by an asynchronous FIFO memory before the standardization of the parallel-converted video signal in accordance with characteristics of a video reproduction portion in a succeeding stage.例文帳に追加

この発明のヘッド分離式カメラ装置および映像信号処理方法は、イメージセンサが取得した映像信号をシリアル変換し、シリアル変換して入力される映像信号をパラレル変換し、パラレル変換された映像信号を後段の映像再生部の特性にあわせて規格化する前段で、規格化する回路への書き込みタイミングを、非同期ＦＩＦＯメモリにより調整することを特徴とする。 - 特許庁

The system is composed of an evaluation logic which determines whether or not an access is permitted based on its access type responding to an attempt of a guest who accesses a device using a memory address that is converted to the device, and an exit logic which transfers control of the apparatus from the guest to a host if the evaluation logic determined that the access is not permitted.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明は、デバイスに変換されたメモリアドレスを利用した前記デバイスにアクセスするゲストの試みに応答して、アクセスタイプに基づき、前記アクセスが許可されるか判断する評価ロジックと、前記アクセスは許可されないと前記評価ロジックが判断した場合、前記ゲストからホストに当該装置の制御を移行するイグジットロジックとから構成されることを特徴とする装置を提供する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory cell 20 corresponding to input address information has a variable resistive element 14 comprising materials having a perovskite type crystal structure, in which resistance values between electrodes change reversibly by voltage values impressed between a pair of electrodes, and the resistance values are sustained after impression of the voltage; and a MOS transistor in which the variable resistive element 14 and a drain area 13 which is a driving area are connected.例文帳に追加

入力アドレス情報に対応した不揮発性半導体メモリセル２０は、一対の電極間に印加される電圧値によって、電極間の抵抗値が可逆的に変化し、電圧印加後も抵抗値を保持するペロブスカイト型結晶構造を有する材料から成る可変抵抗素子１４と、その可変抵抗素子１４と駆動領域であるドレイン領域１３とが接続されたＭＯＳトランジスタとを有する。 - 特許庁

A display device, when instructed to display the image, stores image data representing the image in a nonvolatile first VARM in a normal mode, stores image data representing a related image having predetermined relation with the image in a second VRAM other than the first VRAM, and makes a memory type display body display the image corresponding to the image data stored in the first VRAM.例文帳に追加

表示装置は、画像を表示するよう指示されると、通常モードにおいて、その画像を表す画像データを不揮発性の第１のＶＲＡＭに記憶させ、その画像と所定の関係を有する関係画像を表す画像データを第１のＶＲＡＭ以外のＶＲＡＭである第２のＶＲＡＭに記憶させ、第１のＶＲＡＭに記憶された画像データに応じた画像を記憶性表示体に表示させる。 - 特許庁

In a TC parallel unit serially connected type ferroelectric memory, a dummy upper electrode 25 which is not connected to another element is disposed in a capacitor of a terminal end of the block in which a block selecting transistor 6 or a plate line is disposed, so that an upper electrode 20 in the capacitor used for the cell is not disposed at an outermost periphery to prevent a deterioration of the ferroelectric capacitor characteristics.例文帳に追加

ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいて、ブロック選択トランジスタ６、又は、プレート線が配置されるメモリセルブロックの終端のキャパシタ内に、他の素子に接続されないダミー上部電極２５を配置し、メモリセルに使用しているキャパシタ内の上部電極２０が最外周にこない様にして、ブロック終端部における、強誘電体キャパシタ特性の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide an image communication unit among image communication units where image information is transmitted in a ring shape that supports color reception and recording, receives color reception information in its memory, converts the information as required, and can transmit the color image information to a succeeding destination in the ring type reception when color communication is designated even when the transmission processing to a succeeding destination cannot be executed.例文帳に追加

リング状に画像情報が送信される複数の画像通信装置のうちの1つの画像通信装置が、カラー受信、記録をサポートするが、カラー受信情報をメモリ受信し、必要に応じて変換し、次宛先に送信する処理を実行することができなくても、リング型受信において、カラー通信が指定された場合、次宛先に送信することができる画像通信装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

In the optioal waveform generator configured to read prescribed waveform data sets which are respectively assigned to a plurality of trigger signals input from the outside, from a memory on the basis of the trigger signals, and to output them two FIFO-type cache memories are connected in parallel on an output system of the waveform data sets, and these cache memories are characterized in that their reading and writing operations are carried out complementary.例文帳に追加

外部から入力される複数のトリガ信号に基づき、それぞれのトリガ信号に割り当てられた所定の波形データをメモリから読み出して出力するように構成された任意波形発生器において、前記波形データの出力系統に２個のＦＩＦＯ形式のキャッシュメモリが並列接続され、これらキャッシュメモリは相補的に読み出しと書き込みを行うことを特徴とするもの。 - 特許庁

To provide an active substance derived from Hericium erinaceum, suitable also for industrial mass production, acting on nerve even by oral administration and improving spatial cognitive power and learning and memory skills, reducing toxicity of amyloid β peptide and having high safety and enabling constant dose and having effect on dementias, particularly Alzheimer type dementia and to provide a method for producing the active substance.例文帳に追加

本発明は、工業的な大量生産にも適するものであり、経口投与によっても脳に作用して空間認知力や学習記憶力を向上させることができ、また、アミロイドβペプチドの毒性も軽減できる上に、安全性が高く恒常的な服用も可能な活性物質であり、認知症、特にアルツハイマー型認知症に効果があるヤマブシタケ由来の活性物質、並びにその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for printing comprises the steps of setting a recording mode regarding a type or the like of a recording sheet by an input from an operation panel 27 to a recording mode setting means 22, storing drive pulse waveform data to be altered thereby in a data memory means 28, and selecting the data corresponding to the mode from the means 22 from the data of them.例文帳に追加

インクが充填されたインクプール５０に連通する複数の圧力室４１と、各圧力室４１に対応して配設された圧電素子５３とを有し、圧電素子５３の作動に対応する圧力室４１のノズル５２からインク滴を吐出するインクジェット式プリンタ１０において、記録用紙２０の種類に対応する複数の印刷モードを設定する記録モード設定手段２２と、複数の駆動パルス波形データを格納するデータ記憶手段２８とを配設する。 - 特許庁

The virtual ALPG transmission type semiconductor test device has virtual ALPG function and real ALPG memory test function, in which a virtual ALPG operated on a hardware simulator and a real ALPG attained on hardware have the function of generating pattern at the same time by interpreting a test program although the real time is differed from each other and generate test patterns for a DUT designated by the program with a designated content at a designated speed.例文帳に追加

仮想ＡＬＰＧ機能と実ＡＬＰＧメモリテスト機能を具備し、ハードウェアシミュレータ上で動作する仮想ＡＬＰＧとハードウェアで実現する実ＡＬＰＧが、実時間は異なるが、テストプログラムを解釈し、プログラムの指定するＤＵＴに対するテストパターンを指定された内容で、指定された速度で発生して、仮想ＡＬＰＧと実ＡＬＰＧが同タイミングでパターンを発生する機能を有する仮想ＡＬＰＧ透過型半導体テスト装置とする。 - 特許庁

In a buried bit line type flash memory arranged such that a bit line 5 functioning as source-drain formed by implanting impurity ions into a semiconductor substrate 1 intersects a word line 7 functioning as a gate electrode, a three layer structure ONO film 6 of silicon oxide film/silicon nitride film/silicon oxide film is formed after impurity ions for forming the bit line 5 are implanted and annealing for activation is performed.例文帳に追加

半導体基板１に不純物がイオン注入されて形成されたソース／ドレインとして機能するビットライン５と、ゲート電極として機能するワードライン７とが交差する構成の埋め込みビットライン型フラッシュメモリにおいて、ビットライン５を形成するための不純物のイオン注入及びその活性化のためのアニール処理を行った後に、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜／シリコン酸化膜からなる３層構造のＯＮＯ膜６を成膜する。 - 特許庁

In this projection type image display device provided with a server means connected with the computer for control through a network, the server means is provided with a set content controlling means for controlling various set contents of this device based on access from a browser of the computer for control, and the set contents controlled by the set content controlling means are stored in a memory provided in this device.例文帳に追加

制御用コンピュータにネットワークを介して接続されたサーバ手段を備えている投射型映像表示装置において、 サーバ手段は、制御用コンピュータのブラウザからのアクセスに基づいて、投射型映像表示装置の各種設定内容を制御する設定内容制御手段を備えており、 設定内容制御手段により制御された設定内容は、投射型映像表示装置に配されたメモリに保存されることを特徴とする。 - 特許庁

In an image processor 1, BAD BLOCK occurs in writing of data to a NAND type flash memory 17 for performing at least writing and reading of data, a CPU 11 acquires at least one of BAD BLOCK occurrence frequencies and BAD BLOCK occurrence intervals which are BAD BLOCK occurrence-related information on the occurrence of the BAD BLOCK for storing in a NVRAM 14.例文帳に追加

画像処理装置１は、少なくともデータの書き込み及び読み出しの行われるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１７へのデータの書き込みにおいてＢＡＤ ＢＬＯＣＫが発生すると、ＣＰＵ１１が、該ＢＡＤ ＢＬＯＣＫの発生に関するＢＡＤ ＢＬＯＣＫ発生関連情報であるＢＡＤ ＢＬＯＣＫ発生回数とＢＡＤ ＢＬＯＣＫ発生間隔のうち少なくともいずれかを取得して、ＮＶＲＡＭ１４に記憶する。 - 特許庁

In a memory distribution type parallel computer for executing plural processes by plural processors connected through a communication network, each processor for executing at least one process out of plural processes has a scheduler for scheduling the data transfer of substitute data to respective processes and a data transfer means for executing data transfer through the communication network in accordance with the schedule.例文帳に追加

通信ネットワークにより接続された複数の処理装置により複数のプロセスを実行する分散メモリ型並列計算機においては、複数のプロセスのうちの少なくとも１のプロセスを実行する各処理装置が、複数のプロセスに対し重複割付けされた変数に当該プロセスがデータを代入する場合に、代入されるデータの各プロセスへのデータ転送をスケジューリングするスケジューラと、スケジューラに従って、通信ネットワークを介するデータ転送を行うデータ転送手段とを有する。 - 特許庁

The memory type liquid crystal panel provides negative display and positive display wherein black and white of the negative display are inverted, and a driving circuit applies a scan voltage waveform YS1 to scan electrodes and signal voltage waveforms XS1 and XS2 to a signal electrodes during the negative display, and applies the same scan voltage waveform with the negative display to the signal electrodes and the signal voltage waveforms to the scan electrodes during the positive display.例文帳に追加

メモリ性液晶パネルは、ネガ表示と、ネガ表示と白黒表示が反転するポジ表示とを表示し、駆動回路は、ネガ表示が行われている時には、走査電極に走査電圧波形ＹＳ１を印加し、信号電極に信号電圧波形ＸＳ１，２を印加し、ポジ表示が行われている時には、ネガ表示が行われている時の走査電圧波形を信号電極へ印加し、かつ信号電圧波形を走査電極へ印加することを特徴とする。 - 特許庁

The transistor-type ferroelectric memory 100 includes a substrate 10, a gate electrode 20 formed on the substrate 10, a ferroelectric layer 30 formed on the substrate to cover the electrode 20, a source electrode 40 formed on the layer 30, a drain electrode 42 formed on the layer 30 and located separately from the source electrode 40, and a channel layer 50 formed on the layer 30 and located between the electrodes 40 and 42.例文帳に追加

トランジスタ型強誘電体メモリ１００は、基板１０と、前記基板１０の上方に形成されたゲート電極２０と、前記ゲート電極２０を覆うように前記基板の上方に形成された強誘電体層３０と、前記強誘電体層３０の上方に形成されたソース電極４０と、前記強誘電体層３０の上方に形成され、前記ソース電極４０と離間して位置するドレイン電極４２と、前記強誘電体層３０の上方に形成され、前記ソース電極４０と前記ドレイン領域４２との間に位置するチャネル層５０と、を含む。 - 特許庁