「memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Memory cells of a NAND-type flash memory are arranged into a matrix in a line and column directions in a memory array region of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１のメモリアレイ領域には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルが行方向および列方向に沿ってマトリクス状に配置されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device more reduced in area of a memory cell than ever in the three-dimensional cross-point-type nonvolatile memory device.例文帳に追加

３次元クロスポイント型の不揮発性記憶装置において、従来に比してメモリセルの面積を縮小することができる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a destructive read type semiconductor memory which has a nonsynchronous memory interface equivalent in performance to a synchronous memory interface and makes a quick operation possible.例文帳に追加

同期メモリインターフェースと同等の性能を有する非同期メモリインターフェースを持ち、高速動作が可能な破壊読み出し型の半導体メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory wherein the high speed collective erasure of memory signals can be obtained in an NAND-type flash memory having SOI structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を持つＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリ信号の一括消去を高速に実現可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory controller 20 to which a NAND type flash memory is connected includes an address conversion part 24 for converting a logical address into a physical block address of the flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが接続されるメモリコントローラ２０には、論理アドレスを、フラッシュメモリの物理ブロックアドレスに変換するアドレス変換部２４を設けている。 - 特許庁

To provide an image memory pixel restoring circuit for improving the memory yield of a large-capacity image memory built-in type LSI for application to computer graphics or image processing.例文帳に追加

コンピュータグラフィックスや画像処理用途での大容量画像メモリ内蔵型ＬＳＩのメモリ歩留まりを向上させる画像メモリ画素復元回路 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a memory cell 50 formed in an SOI layer, and the memory cell has a first transistor 10, which is a type of being partially depleted, and a second transistor 20.例文帳に追加

ＳＯＩ層に形成されたメモリーセル５０を備え、このメモリーセルは、部分空乏型の第１トランジスター１０と、第２トランジスター２０とを有する。 - 特許庁

Finally, the control means 15 converts the type of the integer type data in the register 14 to return into the floating point type data and stores the floating point type data in the memory 11.例文帳に追加

最後に、制御手段１５は、レジスタ１４の整数型データを型変換して浮動小数点型データに戻し、その浮動小数点型データをメモリ１１へストアする。 - 特許庁

Each of a dummy memory sequence is provided with a second conductive type source region and a second conductive type drain region.例文帳に追加

ダミーメモリ列の各々は、第２の導電型のソース領域及び第２の導電型のドレイン領域を備える。 - 特許庁

To provide a driving method for improving reaction time of TN type or STN type liquid crystal display device independent of graphic memory addition.例文帳に追加

グラフィックメモリ追加によらないTN型とSTN型液晶表示装置反応時間改善の駆動方法の提供。 - 特許庁

An operation type of an electropneumatic conversion part 2 is memorized beforehand in an electropneumatic conversion part operation type memory part 6.例文帳に追加

電空変換部動作型式記憶部６に電空変換部２の動作型式を事前に記憶させておく。 - 特許庁

DRIVING METHOD FOR IMPROVING REACTION TIME OF TN TYPE OR STN TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE INDEPENDENT OF GRAPHIC MEMORY ADDITION例文帳に追加

グラフィックメモリ追加によらないＴＮ型とＳＴＮ型液晶表示装置反応時間改善の駆動方法 - 特許庁

A binary type flash memory 2 and multivalued type flash memories 31 to 33 are mixed in a flash memory group 200, management data are stored in the memory 2 and user data are stored in the memories 31 to 33.例文帳に追加

２値型フラッシュメモリ２と多値型フラッシュメモリ３１〜３３とをフラッシュメモリ群２００に混載し、管理データを２値型フラッシュメモリ２に、ユーザデータを多値型フラッシュメモリ３１〜３３に、それぞれ格納する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory and manufacturing method thereof, having a novel cell structure having both a scalability equal to that of the floating gate type memory cell and high reliability equal or higher than an MNOS type memory cell.例文帳に追加

フローティングゲート型メモリセルに匹敵するスケーラビリティと、ＭＮＯＳ型メモリセルと同等以上の高い信頼性とを併せ持った新規なセル構造の不揮発性メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Insulator films 5 are formed between a memory gate electrode MG of a split gate type nonvolatile memory and a p-type well PW1, and between a control gate electrode CG and the memory gate electrode MG.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性メモリのメモリゲート電極ＭＧとｐ型ウエルＰＷ１との間および制御ゲート電極ＣＧとメモリゲート電極ＭＧとの間には、絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

Such non-contact type information memory apparatus 20 is mounted to a cable connector.例文帳に追加

このような非接触型情報記憶装置２０を、ケーブル接続器に取付ける。 - 特許庁

This invention is applicable, for example, to reading of data from a NAND type flash memory.例文帳に追加

本発明は、例えば、NAND型フラッシュメモリからのデータの読み出しに適用できる。 - 特許庁

To shorten time for reading a plurality of continuous data from a synchronous type memory.例文帳に追加

連続した複数のデータを同期型メモリから読み出す時間を短縮する。 - 特許庁

EXAMINATION AND ADJUSTMENT METHOD AND EXAMINATION CONTROL DEVICE FOR ROTATING DISK TYPE MEMORY DEVICE例文帳に追加

回転円板形記憶装置の試験／調整方法及び試験制御装置 - 特許庁

OPERATION SCHEME BY CHARGE-BALANCING ELIMINATION FOR CHARGE CAPTURE TYPE NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

電荷捕獲型不揮発性メモリのための電荷平衡消去による動作スキーム - 特許庁

This liquid crystal device is applicable even when the polymer dispersion type liquid crystal 2 has a memory characteristic.例文帳に追加

高分子分散型液晶２がメモリ性を有するときにも適用できる。 - 特許庁

METHOD OF MONITORING ERASE THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION IN NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子の消去しきい値電圧分布モニタリング方法 - 特許庁

To improve operation speed of a charge trapping type nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

電荷トラップ型の不揮発性半導体メモリの動作速度を向上させること。 - 特許庁

PACKAGING CONTAINER HAVING NON-CONTACT TYPE IC MEMORY, AND COMMODITY INFORMATION PROVIDING METHOD例文帳に追加

非接触式ＩＣメモリ付き包装容器及び商品情報提供方法 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING FIN-TYPE CHANNEL REGION, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

フィン型チャンネル領域を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE HEAD例文帳に追加

強磁性トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果型ヘッド - 特許庁

To reduce occupied area of a shift register of an EEPROM integrated circuit serial access type memory.例文帳に追加

特にEEPROM集積回路シリアルアクセスタイプメモリのシフトレジスタの占める面積の低減。 - 特許庁

Banks 48 and 49 of the memory device shown in (B) have bottom type constitution.例文帳に追加

（Ｂ）に示すメモリデバイスの各バンク４８、４９は、ボトム・ブート・タイプ構成をしている。 - 特許庁

A PDP(Plasma Display Panel) 10 is of an AC discharge memory operation type.例文帳に追加

ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）１０は交流放電メモリ動作型のものである。 - 特許庁

META-INFORMATION SHARING TYPE DISTRIBUTED DATABASE SYSTEM ON VIRTUAL SINGLE MEMORY STORAGE例文帳に追加

仮想単一メモリストレージ上におけるメタ情報共有型分散データベース・システム - 特許庁

MANUFACTURE OF PIEZOELECTRIC ELEMENT, PIEZOELECTRIC ELEMENT, INK-JET TYPE MEMORY HEAD AND PRINTER例文帳に追加

圧電体素子の製造方法、圧電体素子、インクジェット式記録ヘッドおよびプリンタ - 特許庁

SYNCHRONOUS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND LATCH CONTROL METHOD FOR ITS INPUT INFORMATION例文帳に追加

同期式半導体記憶装置、及びその入力情報のラッチ制御方法 - 特許庁

A card of a credit card size internally having a rotary type magnetic memory is disclosed.例文帳に追加

回転式磁気メモリを内部に有するクレジットカードサイズのカードが開示される。 - 特許庁

A processor contains a processing unit and a memory of a type which loses data upon reading.例文帳に追加

プロセッサは処理ユニットと、読取り時にデータを消失する型のメモリを具える。 - 特許庁

EXTERNAL MEMORY CONTROL DEVICE AND DATA DRIVEN TYPE INFORMATION PROCESSOR COMPRISING THE SAME例文帳に追加

外部メモリ制御装置およびそれを含んだデータ駆動型情報処理装置 - 特許庁

A NAND type flash memory 3 has a plurality of large blocks 41, 42, 43.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３は、複数の大ブロック４１，４２，４３を有している。 - 特許庁

METHOD OF OPERATING NOR-TYPE FLASH MEMORY DEVICE WHERE SONOS CELL IS ADOPTED例文帳に追加

ＳＯＮＯＳセルが採用されたＮＯＲ型のフラッシュメモリ素子の動作方法 - 特許庁

To provide a memory device driving method in which distribution of threshold voltage of cells in a NAND type flash memory device can be improved.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置でのセルしきい値電圧の分布を改善できるメモリ装置駆動方法を提供する。 - 特許庁

Each NAND type memory cell unit has a plurality of memory cell transistors MTr1, MTr2 and select gate transistors connected in series thereto.例文帳に追加

それぞれのＮＡＮＤ型メモリセルユニットは，複数のメモリセルトランジスタと選択ゲートトランジスタが直列に接続されている。 - 特許庁

To reduce costs by using a NAND type flash memory as a CGROM (Character Generator Read Only Memory) for storing performance images.例文帳に追加

演出画像を記憶するＣＧＲＯＭとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用することによりコストダウンを図る。 - 特許庁

To strike a balance between the reduction in thickness of a memory layer and the suppression of variations among elements, in a resistance change type semiconductor memory device.例文帳に追加

抵抗変化型の半導体記憶装置において、記憶層の薄膜化と素子間のバラツキ抑制を両立させる。 - 特許庁

To increase-speed of access to a memory cell array in a NAND type flash memory with a floating gate structure.例文帳に追加

本発明は、フローティングゲート構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイへのアクセスを高速化できるようにする。 - 特許庁

Consequently, an active type memory element is provided which can produce a magnetic field corresponding to information of the memory cell 3.例文帳に追加

このことからメモリセル３の情報に相応した磁界を発生し得るアクティブ型メモリ素子を提供することができる。 - 特許庁

The second slot 17 is used for a backup memory of the removal memory device, and PCMCIA standard type II is adopted.例文帳に追加

第２のスロット１７はリムーバルメモリデバイスに対するバックアップメモリ用で、ＰＣＭＣＩＡ規格タイプIIのものが使用される。 - 特許庁

At least one of the first latch circuit 10 and the second latch circuit 20 is composed of an SRAM (Static Random Access Memory) type.例文帳に追加

第１ラッチ回路１０および第２ラッチ回路２０の少なくとも一方がＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）型で構成される。 - 特許庁