「memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD AND PROGRAM FOR DETERMINING COMMAND TYPE OF FLASH MEMORY, AND METHOD AND PROGRAM FOR CONTROLLING FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリのコマンドタイプ判定方法、フラッシュメモリのコマンドタイプ判定プログラム、フラッシュメモリの制御方法、フラッシュメモリの制御プログラム - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a dynamic type memory cell superior in memory holding characteristics, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

記憶保持特性が良好なダイナミック型メモリセルを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of programming a memory device of a one-time programmable type and an integrated circuit incorporating the memory device.例文帳に追加

ワンタイム・プログラマブル・タイプのメモリ素子をプログラミングする方法および該メモリ素子を組み込む集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a static type semiconductor memory in which a memory cell whose standby current is defective can be detected in an operation test.例文帳に追加

動作テストにおいてスタンバイ電流不良のメモリセルを検出できるスタティック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

That is, n-type wells are driven to the base body of a flash memory, and p-type wells and slit structures are arrayed on the n-type wells at intervals.例文帳に追加

即ち、フラッシュメモリのベース体にｎ型ウェルを打ち込み、該ｎ型ウェル上には間隔をおいてｐ型ウェルとスリット構造とを配列する。 - 特許庁

To provide a cross-point type ferroelectric memory of high quality, wherein a memory cell array constituted of ferroelectric capacitors in the cross-point type ferroelectric memory in which lamination of a plurality of layers is performed, and memory cell array arranged in each layer via an interlayer insulator prevents noise from adjacent memory cell array.例文帳に追加

強誘電体キャパシタからなるメモリセルアレイが、複数層積層されたクロスポイント型強誘電体メモリにおいて、層間絶縁層を介して各層に配置されたメモリセルアレイが、隣接するメモリセルアレイから受けるノイズを防止して、高品質なクロスポイント型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To realize the convenience of exchange and functional expansion by additional loading of a memory cartridge by enabling a memory cartridge to be loaded afterward in a loading part inside the case of the memory cartridge, with respect to the tape cartridge of a single reel type provided with the memory cartridge of a non-contact type.例文帳に追加

非接触式のメモリーカートリッジを備えた単リール型のテープカートリッジにおいて、メモリーカートリッジをケース内部の装填部に対して後組み可能とし、その交換の便と、メモリーカートリッジの追加装填による機能拡張とを実現する。 - 特許庁

A memory circuit 18 registers a plurality of ring type broadcast loops, a CPU 22 detects a capacity of a memory available for memory reception for the ring type broadcast, and the CPU 22 changes a maximum registration number of the loops of a plurality of the ring type broadcast in response to the capacity of the memory available for the memory reception of the ring type broadcast.例文帳に追加

複数のリング型同報送信のループをメモリ回路１８に登録し、ＣＰＵ２２によりリング型同報送信のメモリ受信として使用可能なメモリの容量を検出し、ＣＰＵ２２によりリング型同報送信のメモリ受信として使用可能なメモリの容量に応じて複数のリング型同報送信のループの登録数の最大値を変えるように制御する。 - 特許庁

This distributed shared memory type multiprocessor system is provided with a plurality of nodes.例文帳に追加

本発明による分散共有メモリ型マルチプロセッサシステムは、複数のノードを具備する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a load supply type wired OR structure.例文帳に追加

ロード供給型ワイアードオア仕組みの不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compact lamination-type memory device having a simple circuit structure.例文帳に追加

回路構成が単純であり、かつコンパクトな積層タイプのメモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a memory integrated type display substrate capable of reducing power consumption.例文帳に追加

消費電力を低減することができるメモリ一体型表示基板を提供する。 - 特許庁

The NAND type flash memory 3 has the second erasure block size.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３は、前記第２の消去ブロックサイズを有するメモリである。 - 特許庁

DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD OF THE SAME例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置、及びダイナミック型半導体記憶装置の動作方法 - 特許庁

ORDERING GENERATION METHOD, PROGRAM, AND COMMON MEMORY TYPE SCALAR PARALLEL COMPUTER例文帳に追加

ｏｒｄｅｒｉｎｇ生成方法、プログラム及び共有メモリ型スカラ並列計算機 - 特許庁

To provide a highly reliable shift register type memory device and data storage method.例文帳に追加

信頼性が高いシフトレジスタ型記憶装置及びデータ記憶方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly integrated split gate type nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

高集積化されたスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To effectively use a memory of a limited capacity according to the type of measurement data.例文帳に追加

測定データの種類に応じて容量の限られたメモリを効果的に使用する。 - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE COMPATIBLE WITH SEQUENTIAL ROM INTERFACE, AND CONTROLLER THEREFOR例文帳に追加

シーケンシャルＲＯＭインターフェース対応ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーデバイス及びそのコントローラ - 特許庁

NAND-TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND STARTING METHOD FOR COMPUTING SYSTEM USING IT例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイス及びこれを利用したコンピューティングシステムの起動方法 - 特許庁

To provide a small-sized MONOS type nonvolatile memory operated at a low voltage.例文帳に追加

小型かつ低電圧で動作するＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリでを提供する。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC HEAD USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子ならびにこれを用いた磁気記憶素子および磁気ヘッド - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which n-channel type field effect transistors and p-channel type field effect transistors from memory cells respectively and a word line can be shared by the cells.例文帳に追加

ｎチャンネル型電界効果トランジスタとｐチャンネル型電界効果トランジスタとでメモリセルをそれぞれ形成し、ワード線を共用可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The character ROM 195 is provided with a NAND type flash memory 195a, and the image data and all the program are stored in the NAND type flash memory 195a.例文帳に追加

キャラクタＲＯＭ１９５には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９５ａが設けられており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９５ａに画像データと全てのプログラムが記憶されている。 - 特許庁

To provide an interface circuit of a card type memory capable of immediately accessing the card type memory after starting the system without requiring interface initialization by a CPU (software).例文帳に追加

ＣＰＵ（ソフトウェア）によるインターフェイス初期化を必要とせずに、システムの起動後、直ちにカード型メモリへのアクセスを可能とするカード型メモリのインターフェイス回路を提供すること。 - 特許庁

To allow tape drives whose case main bodies are provided with memory readers in different types to share a single reel type tape cartridge incorporating a non-contact type memory cartridge.例文帳に追加

非接触型のメモリカートリッジを内蔵する単リール型のテープカートリッジにおいて、ケース本体が異なる形式のメモリーリーダを備えたテープドライブにも共用できるようにする。 - 特許庁

An n type ion is implanted to a memory cell transistor 110 in an on-state, and a p type ion is implanted to at least a part of a memory cell transistor 120 in an off-state.例文帳に追加

オン状態のメモリセルトランジスタ１１０にｎ型イオンが注入されており、オフ状態のメモリセルトランジスタ１２０の少なくとも一部にｐ型イオンが注入されている。 - 特許庁

NODE CONTROLLER, DISTRIBUTED SHARED MEMORY TYPE INFORMATION PROCESSOR, AND CACHE COHERENCY CONTROL METHOD例文帳に追加

ノードコントローラ、分散共有メモリ型情報処理装置、キャッシュコヒーレンシ制御方法 - 特許庁

To provide a parallel matrix processing method suitable for a shared memory type scalar computer.例文帳に追加

共有メモリ型スカラ計算機に適した並列行列処理方法を提供する。 - 特許庁

The main display 12 is a non-memory type display, such as TFT liquid crystals or CRT, and the sub-display 13 is a memory type display composed of chiral nematic liquid crystals.例文帳に追加

メインディスプレイ１２はＴＦＴ液晶やＣＲＴ等の非メモリ性ディスプレイであり、サブディスプレイ１３はカイラルネマティック液晶で構成されたメモリ性ディスプレイである。 - 特許庁

To solve problems that the costs of a system are increased when a bootstrap program is stored in a NOR type flash memory in an information processor storing a main program in a NAND type flash memory.例文帳に追加

メインプログラムをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに格納する情報処理装置において、ブートストラッププログラムをＮＯＲ型フラッシュメモリに格納すると、システムのコストが高くなる。 - 特許庁

A computer bus 100 carries an address and a memory transaction including a transaction type.例文帳に追加

コンピュータバス１００は、アドレスおよびトランザクションタイプを含むメモリトランザクションを搬送する。 - 特許庁

SELF ALIGNED SPLIT GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

自己整列スプリットゲート型の不揮発性半導体メモリ素子、及びその製造方法 - 特許庁

To provide a NAND-type nonvolatile memory device having a common bit line.例文帳に追加

共通ビットラインを有するＮＡＮＤ構造の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

SELECT-FREE ACCESS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY COMPRISING BUS SYSTEM ORIENTED IN TWO PLANES例文帳に追加

２つの平面に配向されたバスシステムを備えたセレクトフリーアクセスタイプの半導体メモリ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING RECESS-TYPE CONTROL GATE ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

リセス型制御ゲート電極を備える半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

DUAL LEAD TYPE SQUARE SEMICONDUCTOR PACKAGE AND DUAL IN-LINE MEMORY MODULE USING THIS例文帳に追加

デュアルリードタイプ正方形半導体パッケージ及びこれを用いたデュアルインラインメモリモジュール - 特許庁

To provide a memory type liquid crystal display device capable of switching between whole display processing and partial display processing according to driving conditions of memory type liquid crystal.例文帳に追加

メモリ性液晶の駆動条件に応じて、全体表示と部分表示処理とを切り替えることが可能なメモリ性液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This ternary contents relieving memory has NAND type matched line structure.例文帳に追加

本発明によるターナリ内容検索メモリはＮＡＮＤ型マッチライン構造を有する。 - 特許庁

To solve the problem that a cost of a system is increased if a bootstrap program is stored in a NOR type flash memory in an information processor storing a main program in a NAND type flash memory.例文帳に追加

メインプログラムをＮＡＮＤ型フラッシュメモリに格納する情報処理装置において、ブートストラッププログラムをＮＯＲ型フラッシュメモリに格納すると、システムのコストが高くなる。 - 特許庁

A memory cell of the end memory cell mat 20 dares to be of a type of larger area than the memory cell of a general memory cell mat 10, and an advantage of a folded bit line structure can be carried into an open bit line structure.例文帳に追加

端メモリセルマット２０のメモリセルを通常メモリセルマット１０のメモリセルよりも敢えて面積の大きなタイプにし、フォールデットビット線構造の利点をオープンビット線構造に持ち込むことを可能とする。 - 特許庁

To provide bias to a plurality of memory sectors in a memory element by bulk of a smaller region in a non-volatile memory element of especially a flash type and providing method for bias in a memory element.例文帳に追加

特にフラッシュ型の不揮発性のメモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法に関し、より小さな領域のバルクによってメモリ素子内の複数のメモリ・セクタにバイアスを付与することを目的とする。 - 特許庁

The memory n-type MIS transistor QM1 has a channel area smaller than that of the logic n-type MIS transistor QL1.例文帳に追加

また、メモリ用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＭ１は、ロジック用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＬ１よりもチャネル面積が小さい。 - 特許庁

Nitride films CS1 and CS2 are formed so as to contact the upper surfaces of the MONOS-type memory cell, n-channel type transistor, and p-channel type transistor.例文帳に追加

上記ＭＯＮＯＳ型メモリセル、ｎチャネル型トランジスタおよびｐチャネル型トランジスタの上面に接するように窒化膜ＣＳ１、ＣＳ２が形成されている。 - 特許庁

This card type storage device comprises the first interface 21 connected to the USB interface, an interface controller 22, a memory 23, and a memory controller 24.例文帳に追加

ＵＳＢインターフェースと接続できる第一インターフェース２１、インターフェース制御器２２、メモリ２３、メモリ制御器２４からなる。 - 特許庁