「memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce a power consumption of a portable information apparatus utilizing a memory-type display panel.例文帳に追加

メモリ性表示パネルを利用した携帯型情報機器の電力消費を低減すること。 - 特許庁

PARALLEL MATRIX PROCESSING METHOD IN SHARED MEMORY TYPE SCALAR PARALLEL COMPUTER AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

共有メモリ型スカラ並列計算機における並列行列処理方法、及び記録媒体 - 特許庁

A depression type transistor is provided in a memory cell 17 connected to a word line 13.例文帳に追加

ワード線１３に接続されたメモリセル１７にはデプレッション型のトランジスタが設けられている。 - 特許庁

A memory section 3 comprises a congestion information storage memory 3a, a terminal class storage memory 3b, a call type storage memory 3c, a service class storage memory 3d storing classes of a communication service function such as voice communication, a short message and image communication or the like, and a service restriction item storage memory 3e or the like.例文帳に追加

メモリ部３は、輻輳情報格納メモリ３ａ，端末クラス格納メモリ３ｂ，呼種別格納メモリ３ｃ，音声通信，ショートメッセージ，画像通信等の通信サービス機能の種別を格納するサービス種別格納メモリ３ｄ，サービス規制項目格納メモリ３ｅ等からなる。 - 特許庁

A motion element 11 is constructed by using a rod type shape memory alloy and a plurality of P-type Peltier elements and N-type Peltier elements serving as thermoelectric conversion elements arranged in the longitudinal direction of the shape memory alloy.例文帳に追加

運動素子１１は棒状の形状記憶合金と、この形状記憶合金の長手方向に複数個配置された熱電変換素子としてのＰ型ペルチェ素子とＮ型ペルチェ素子を用いて構成されている。 - 特許庁

Both memory cards MC 21 of a type 1 and MC 22 of a type 2 are made possible to be mounted in a card slot 12 of a card utilizing device 10.例文帳に追加

カード利用装置１０のカードスロット１２を、タイプ１のＭＣ２１とタイプ２のＭＣ２２のいずれも装着可能とする。 - 特許庁

SELF-SYNCHRONOUS TYPE FIFO MEMORY DEVICE, SYSTEM HAVING INTERFACE FOR TRANSFERRING DATA USING THIS DEVICE, AND NON-SYNCHRONOUS TYPE INFORMATION PROCESSING DEVICE例文帳に追加

自己同期型ＦＩＦＯメモリ装置、これを用いたデータ転送用インターフェイスを有するシステムおよび非同期型情報処理装置 - 特許庁

The number of times of reading image data stored in the NAND type flash memory incorporated in a photo stand type display device is counted.例文帳に追加

写真立て型表示装置に内蔵のＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている画像データの読み出し回数をカウントする。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD USING THE SAME, MAGNETIC RECORDING DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録装置および磁気抵抗効果型メモリー装置 - 特許庁

To provide an erasure and writing method for a synchronous-type flash memory device which shares a system bus with a synchronous-type RAM device.例文帳に追加

同期型ＲＡＭ装置とシステムバスを共有する同期型フラッシュメモリ装置の消去及び書込み方法を提供する。 - 特許庁

ELECTRICALLY WRITABLE CROSS POINT TYPE NONVOLATILE VARIABLE RESISTIVE STORAGE, AND CROSS POINT TYPE VARIABLE RESISTIVE MEMORY ARRAY例文帳に追加

電気的に書込み可能なクロスポイント型不揮発性可変抵抗記憶装置及びクロスポイント型可変抵抗メモリアレイの読み出し方法 - 特許庁

A memory cell array 1 is constituted by arranging a memory cell MC of a current pull-in type at an intersection part of a bit line BL and a word line WL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１はビット線ＢＬとワード線ＷＬの交差部に電流引き込み型のメモリセルＭＣを配置して構成される。 - 特許庁

To prevent a memory domain from being wastefully consumed in accordance with a printing designation operation even in the case of using a write-once type memory card.例文帳に追加

追記型メモリカードを使用した場合でもプリント指定動作に伴ってメモリ領域を無駄に消費してしまうことを防止する。 - 特許庁

To improve a read disturb characteristics in an NAND type nonvolatile memory, wherein a charge storage means is discretized in plane within a memory transistor.例文帳に追加

メモリトランジスタ内で電荷蓄積手段が平面的に離散化されたＮＡＮＤ型不揮発性メモリのリードディスターブ特性を改善する。 - 特許庁

The cover lift-up type memory card connector includes the insulating base 1 for storing a memory card, and the metal cover 2 to be lifted up in the state of facing the insulating base 1.例文帳に追加

メモリカードを収容する絶縁ベース１と絶縁ベース１と向かい合って持ち上げ可能な金属蓋２とから構成する。 - 特許庁

A P-type MOS transistor 21, which is the main component of a memory cell 10, functions as a storage element in the memory cell 10.例文帳に追加

メモリセル１０の主構成部材であるＰ型ＭＯＳトランジスタ２１は、メモリセル１０において記憶素子として機能するものである。 - 特許庁

The drive transistors Q3, Q4 of one memory cell do not share the drive transistors Q3, Q4 of the other memory cell and an n-type source area 11a1.例文帳に追加

一のメモリセルの駆動トランジスタＱ_3、Ｑ_4は、他のメモリセルの駆動トランジスタＱ_3、Ｑ_4とｎ^+型ソース領域１１ａ１を共有しない。 - 特許庁

The semiconductor device has a memory transistor and trench-type capacitor in its memory area, and a CMOS transistor in its logic circuit area.例文帳に追加

メモリ領域にはメモリセルトランジスタとトレンチ型キャパシタとが設けられ、ロジック回路領域にはＣＭＯＳの各トランジスタが設けられている。 - 特許庁

To provide an integrated-type memory card which can be used on a host device for a plurality of kinds of memory cards with the use of a shape transformation adaptor.例文帳に追加

形状変換アダプタを用いて複数の種類のメモリーカードのホスト装置で利用できる統合的なメモリーカードを作成する。 - 特許庁

Moreover, the memory gate 9 of the memory transistor (M_1) is formed of an n-type polycrystal silicon film and deposited to one side wall of the control gate 8.例文帳に追加

また、メモリトランジスタ（Ｍ_1）のメモリゲート９はｎ型多結晶シリコン膜からなり、コントロールゲート８の一方の側壁に配置されている。 - 特許庁

The memory sub-array has a plurality of memory cells sharing a sense amplifier and connected to each bit line and word line and arranged in a matrix type.例文帳に追加

前記メモリサブアレイは、センスアンプを共用し、各々ビット線とワード線に接続されマトリクス状に配置された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁

Many pairs of memory cells, each sharing an n+ type source diffusion layer 8, are arranged in a matrix to constitute a memory array.例文帳に追加

ｎ＋型ソース拡散層８を共有した一対のメモリセルを単位として、これらがマトリックス状に配置され、メモリセルアレイを構成している。 - 特許庁

The dynamic type semiconductor memory device includes a DLL circuit generating an inner clock signal, peripheral circuits whose operation is controlled by the inner clock signal and a memory cell arrays.例文帳に追加

内部クロック信号を生成するＤＬＬ回路、内部クロック信号で動作を制御される周辺回路とメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

To provide a word line decoder in a NAND type flash memory in which negative voltage can be applied to the word line of a flash memory cell.例文帳に追加

フラッシュメモリセルのワードラインに負の電圧を印加することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリのワードラインデコーダを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which reduces leakage current and contains a static type memory cell, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

リーク電流を低減することのできる、スタティック型のメモリセルを含む半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve write speed while suppressing influence due to capacity coupling and increasing memory capacity, in a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、容量結合による影響を抑制し、記憶容量を上げつつ書込みスピードを向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit of memory mixed mounted type capable of relieving defect of a memory while suppressing the increase of a circuit area.例文帳に追加

回路面積の増大を抑制しつつメモリの欠陥を救済することができるメモリ混載型の半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory comprises a memory cell array constituted of complete depletion type memory TFTs(thin film transistors), drive circuits of memory cells and another peripheral circuit, which are integrally formed on the same substrate.例文帳に追加

不揮発性メモリを完全空乏型のメモリＴＦＴ（薄膜トランジスタ）によって構成されるメモリセルアレイ、メモリセルの駆動回路および他の周辺回路によって構成し、これらを同一基板上に一体形成する。 - 特許庁

Therefore, since a MONOS type memory cell is used as a memory cell of 1 bit/cell and the conventional type array constitution is adopted, the manufacturing process and the constitution can be simplified.例文帳に追加

したがって、ＭＯＮＯＳ型メモリセルを１ビット／セルのメモリセルとして使用し、従来型のアレイ構成を採用したので、製造プロセスの簡単化および構成の簡単化を図ることができる。 - 特許庁

In addition, the NAND type flash memory device comprises a controller and the NAND type flash memory, wherein the controller is provided with a sequential ROM interface having a wait signal output terminal.例文帳に追加

また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーデバイスを、コントローラとＮＡＮＤ型フラッシュメモリーとで構成し、コントローラには、Ｗａｉｔ信号出力端子を有するシーケンシャルＲＯＭインターフェースを設けた。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge storage layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板1Subの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

The information processor includes a card slot 225 allowing a memory card 30 to be inserted therein, and a card type determination means (CPU 220) for determining a card type of the memory card 30 inserted into the card slot 225.例文帳に追加

メモリカード３０の挿入が可能なカードスロット２２５と、カードスロット２２５に挿入されたメモリカード３０のカード種別を判定するカード種別判定手段（ＣＰＵ２２０）とを備える。 - 特許庁

To provide a split gate type memory device having a structure agreeing with cell condensation, and to provide a method of manufacturing split gate type memory device by which the problem of erroneous alignment caused by photolithography can be eliminated.例文帳に追加

セル縮少に適合した構造を有するスプリットゲート型メモリ素子と、フォトリソグラフィによる誤整列問題のないスプリットゲート型メモリ素子の製造方法とを提供する。 - 特許庁

Data, which are received by a mail server, on receiving due to an internet FAX are temporarily stored on the PC card type memory 37, sent from the PC card type memory 37 to an image memory in the main body of the facsimile equipment later and stored.例文帳に追加

そして、メールサーバで受信されたインターネットＦＡＸによる受信に関するデータは、一旦ＰＣカード型メモリ３７に記憶された後、ＰＣカード型メモリ３７からファクシミリ装置本体の画像メモリに送出されて記憶される。 - 特許庁

A slave current end of the memory-type current mirror outputs a driving current based on the reference current when the channel switch provides the reference current to the memory-type current mirror, and the slave current end of the memory-type current mirror holds the driving current when the channel switch stops providing the reference current.例文帳に追加

チャンネルスイッチが基準電流をメモリ型電流ミラーに提供している時、メモリ型電流ミラーのスレーブ電流端は、基準電流に基づいて駆動電流を出力し、チャンネルスイッチが基準電流を停止している時、メモリ型電流ミラーのスレーブ電流端は、駆動電流を保持する。 - 特許庁

To provide a data erase method of an NAND type flash memory for quickly and completely erasing the data of an NAND type flash memory where data is managed by a file system in an information processor or the like, and for preventing the leakage of the data and to provide an NAND type flash memory device using the data erase method.例文帳に追加

情報機器等においてファイルシステムでデータ管理されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータを、高速、かつ、完全に消去し、データの漏洩を防止することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータ消去方法及び該方法を使用するＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイスの提供。 - 特許庁

An asthmatic model animal developing Th1 asthma by the stimulation of memory type Th1 cell becomes an asthmatic model animal developing Th2 asthma by the stimulation of memory type Th2 cell by using an animal having a memory type Th cell which induces asthma by stimulation.例文帳に追加

刺激によって喘息を誘導するメモリー型Ｔｈ細胞を有することによって、メモリー型Ｔｈ１細胞を刺激すればＴｈ１型喘息を発症した喘息モデル動物が、メモリー型Ｔｈ２細胞を刺激すればＴｈ２型喘息を発症した喘息モデル動物となる。 - 特許庁

A two transistors one capacitor type memory cell in which an one transistor one capacitor type memory cell is made the basics and a MOS transistor making potential difference between ferroelectric capacitors in the non-selection ferroelectric memory cell is added is adopted, while a cell plate line of an adjacent ferroelectric memory cell is made common.例文帳に追加

１トランジスタ１キャパシタ型メモリセルを基本とし、非選択強誘電体メモリセル内の強誘電体キャパシタ電極間の電位差をゼロにするＭＯＳトランジスタを追加する２トランジスタ１キャパシタ型メモリセルを採用するとともに、隣接する強誘電体メモリセルのセルプレート線を共通にする。 - 特許庁

The density of an n-type impurity in a gate electrode GE2 of the memory cell n-type transistor Tr2 is lower than that of an n-type impurity in a gate electrode GE1 of the controlling n-type transistor Tr1.例文帳に追加

メモリセル用ｎ型トランジスタＴｒ２のゲート電極ＧＥ２におけるｎ型不純物の濃度は、制御用ｎ型トランジスタＴｒ１のゲート電極ＧＥ１におけるｎ型不純物の濃度よりも低い。 - 特許庁

Moreover, the memory cell region Cell includes the substrate 1 and a p-type deep well region 5a that is formed under the p-type well region 2 and the n-type well region 3.例文帳に追加

また、メモリセル領域Ｃｅｌｌは、基板１とｐ型ウェル領域２及びｎ型ウェル領域３の下に形成されたｐ型深ウェル領域５ａを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a memory device which is manufactured by forming a vanadium dioxide thin film, and to provide a memory device such as a resistance change type nonvolatile memory manufactured by it.例文帳に追加

二酸化バナジウム薄膜を形成して製造されるメモリー素子製造方法およびそれによって製造された抵抗変化型不揮発性メモリーなどのメモリー素子を提供する。 - 特許庁

To provide a technique improvable in the reliability of a nonvolatile memory composed of a two-transistor structure NOR type memory cell comprising a switching transistor and a memory transistor.例文帳に追加

スイッチ用トランジスタとメモリ用トランジスタとからなる２トランジスタ構造のＮＯＲ型メモリセルによって構成される不揮発性メモリの信頼性を向上させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

In the cross point type ferroelectric memory 100, a first memory cell array 30 and a second memory cell array 60 are laminated via a first interlayer insulator 20 and a second interlayer insulator 50.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ３０と第２メモリセルアレイ６０とが、第１層間絶縁層２０と第２層間絶縁層５０とを介して積層されている。 - 特許庁

A control part 132 of the SSD 130 uses a part of the main memory 120 having a DRAM (Dynamic Random Access Memory) as a buffer area 121 in the data storage into a NAND type flash memory 131.例文帳に追加

そして、ＳＳＤ１３０の制御部１３２が、ＤＲＡＭを有するメインメモリ１２０の一部を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３１へのデータ格納におけるバッファ領域１２１として利用する。 - 特許庁

By such a common interface system, DRAM devices, SRAM devices, NAND flash memory devices, and NOR type flash memory devices are controlled by only one memory controller independently (or individually).例文帳に追加

このような共通インターフェイス方式によると、DRAM装置、SRAM装置、NAND型フラッシュメモリ装置、そしてNOR型フラッシュメモリ装置は、ただ一つのメモリコントローラによって独立的に（又は個別的に）制御される。 - 特許庁