「ohmic heating」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A wiring electrode 7 is connected to the other end of the ohmic resistance heating unit electrode 1.例文帳に追加

オーム型抵抗発熱体電極１の他端には配線電極７が接続されている。 - 特許庁

GLASS MANUFACTURING APPARATUS, ITS COMPONENT AND METHOD FOR CONDUCTING OHMIC HEATING OF THE COMPONENT例文帳に追加

ガラス製造装置およびその構成要素、ならびに該構成要素を通電加熱する方法 - 特許庁

The wafer process device comprising an optimum electrode pattern for an ohmic-resistance heating element is disclosed.例文帳に追加

抵抗加熱素子用の最適電極パターンを有するウェーハ加工装置が、開示される。 - 特許庁

To provide an ohmic-heating device with high efficiency and low power consumption.例文帳に追加

より効率が高く、より消費電力が少ない通電加熱装置を提供する。 - 特許庁

SYSTEM FOR PRODUCING STERILE FOOD ARTICLE STERILIZED BY OHMIC HEATING WITH POST-ADDITION OF SALT WATER例文帳に追加

塩水の後添加を伴う通電加熱によって殺菌された無菌食料品を製造するためのシステム - 特許庁

Moreover, the insulating thin film 2 is coated with one end of an ohmic resistance heating unit electrode (linear resistance element electrode) 1 comprising an ohmic resistance heating unit.例文帳に追加

さらに、絶縁性薄膜２が、オーム型抵抗発熱体からなるオーム型抵抗発熱体電極（線形抵抗素子電極）１の一端により被覆されている。 - 特許庁

In this manufacturing method to realize sealing treatment by ohmic-heating a single-sided substrate, for instance, a sealing material 21a provided on a back substrate 12 is performed for ohmic-heating, a front substrate 11 is brought close to the back substrate with the sealing material 21a fused by this ohmic-heating, and the substrates are superimposed each other by matching their sealing faces.例文帳に追加

片側基板の通電加熱による封着処理を実現するもので、例えば背面基板１２に設けられた封着材２１ａを通電加熱し、この通電加熱により封着材２１ａを溶融した状態で、前面基板１１と背面基板１２とを互いに接近させ、基板同士を封着面を一致させて重ね合わせる。 - 特許庁

The continuous ohmic heating rod internally encloses a sheet shape heater to be a circular cylindrical shape on the inner surface of a rod body.例文帳に追加

ロッド本体の内面にシート状ヒーターを円筒形状に内包することを特徴とする連続通電加熱ロッド。 - 特許庁

To provide a circuit pattern of an ohmic-resistance heating element embedded in a wafer process device used for manufacturing a process.例文帳に追加

半導体の製造に用いるためのウェーハ加工装置内に埋め込まれた抵抗加熱素子の回路パターンに関する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element capable of preventing degradation of an ohmic property that an electrode layer has, due to a heating process during junction.例文帳に追加

接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of degradation in gate insulating film and MOS interface properties, attributable to rapid heating to a high temperature for the formation of metal contacts in contact with single crystal silicon carbide, without causing an increase in ohmic contact resistance.例文帳に追加

単結晶炭化珪素に対する金属コンタクト形成時の急速高温加熱処理に起因するゲート絶縁膜ならびにＭＯＳ界面特性の劣化を、オーミック接触の接触抵抗の増大を招くことなく解決する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device having a negative electrode which attains excellent Ohmic contact with an n-type gallium nitride-based compound semiconductor layer, and which resists deterioration in characteristics which would be caused by heating.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と良好なオーミック接触を得ることができ、且つ、加熱による特性劣化に耐性を有する負極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The electric heater is formed by inserting ohmic heating elements into the containing parts 33, respectively, with respect to the heat transfer board 21 with the plurality of the heat exchanging parts 32 and the plurality of the accommodating parts 33 integrated into a single component.例文帳に追加

複数の熱交換部３２と複数の収納部３３とが一体化して１つの部品となっている伝熱板２１に対して、収納部３３のそれぞれに通電発熱素子が挿入されることで電気ヒータが形成される。 - 特許庁

When a rare earth sintered magnet is produced by sintering a molding of material alloy fine powder containing a rare earth element, a transition metal element and boron, de-binding process is performed by ohmic-resistance heating and then sintering is performed by high frequency induction heating.例文帳に追加

希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を含む原料合金微粉を成形した成形体を焼結し、希土類焼結磁石を製造するに際し、抵抗加熱により脱バインダー処理を行った後、高周波誘導加熱により焼結を行う。 - 特許庁

To provide an apparatus and process for large scale inline manufacturing of CdTe photovoltaic modules in which all steps, including rapid substrate heating, deposition of CdS, deposition of CdTe, CdCl_2 treatment, and ohmic contact formation, are performed within a single vacuum boundary at intermediate vacuum pressures.例文帳に追加

基体の急速加熱、ＣｄＳの成膜、ＣｄＴｅの成膜、ＣｄＣｌ_２処理お よびオーム接点形成を含むすべての工程を中程度の圧力で単独の真空境界内で実施する、ＣｄＴｅ光起電力モジュールを大規模インラインで製造するための装置およびプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide equipment and processes for manufacturing CdTe photovoltaic modules by using large scale in-line wherein all processes including rapid heating of a substratum, film formation of CdS, film formation of CdTe, CdCl2 treatment and ohmic contact formation are performed in an individual vacuum boundary by middle pressure.例文帳に追加

基体の急速加熱、ＣｄＳの成膜、ＣｄＴｅの成膜、ＣｄＣｌ_２処理およびオーム接点形成を含むすべての工程を中程度の圧力で単独の真空境界内で実施する、ＣｄＴｅ光起電力モジュールを大規模インラインで製造するための装置およびプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring an ohmic electrical resistance of a conductive substance during a rapid rise in temperature due to self-heating energization according to the principle of a four-terminal method, which is capable of accurately and efficiently deriving an electrical resistivity in a wide temperature range.例文帳に追加

本発明は、通電自己加熱により急速昇温中のオーミックな導電性物質の電気抵抗を４端子法の原理により測定する方法において、広い温度範囲における電気抵抗率を正確かつ効率的に導出できる電気抵抗の測定方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device having an ohmic electrode comprises the steps of: forming a metal layer 30e on a semiconductor substrate 50; forming a transmission film 30f on the metal layer 30e; heating the metal layer 30e by irradiating the metal layer 30e with an electromagnetic wave through the transmission film 30f; and removing the transmission film 30f.例文帳に追加

オーミック電極を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板５０上に金属層３０ｅを形成する工程と、金属層３０ｅ上に透過膜３０ｆを形成する工程と、透過膜３０ｆを通して金属層３０ｅに電磁波を照射して、金属層３０ｅを加熱する工程と、透過膜３０ｆを除去する工程を有する。 - 特許庁

The method for measuring an ohmic electrical resistance of a conductive substance during a rapid rise in temperature due to self-heating energization according to the principle of a four-terminal method includes deriving electrical resistance of a sample from the inclination of a voltage-current plot primary approximation straight line obtained by a plurality of measurements conducted while changing the temperature rising speed of the same sample.例文帳に追加

通電自己加熱により急速昇温中のオーミックな導電性物質の電気抵抗を４端子法の原理により測定する方法であって、同一試料の昇温速度を変化させて行った複数回の測定から得られる電圧—電流プロット一次近似直線の傾きから試料の電気抵抗を導出することを特徴とする電気抵抗の測定方法。 - 特許庁